JPS6041325A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JPS6041325A
JPS6041325A JP58149322A JP14932283A JPS6041325A JP S6041325 A JPS6041325 A JP S6041325A JP 58149322 A JP58149322 A JP 58149322A JP 14932283 A JP14932283 A JP 14932283A JP S6041325 A JPS6041325 A JP S6041325A
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JP
Japan
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tri
pass line
circuit
trs
buffers
Prior art date
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Pending
Application number
JP58149322A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Naka
中 正博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS6041325A publication Critical patent/JPS6041325A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/003Modifications for increasing the reliability for protection
    • H03K19/00369Modifications for compensating variations of temperature, supply voltage or other physical parameters
    • H03K19/00384Modifications for compensating variations of temperature, supply voltage or other physical parameters in field effect transistor circuits

Abstract

PURPOSE:To prevent an abnormal current from being flowed to a bus line to stabilize the operation by setting always the bus line, to which outputs of plural tri-state buffers and input terminals of one or more gate circuits are connected, to a determined potential. CONSTITUTION:Outputs of plural tri-state buffers 21 and 22 and input terminals of one or more gate circuits 31 are connected to a bus line 11 to constitute an MOSLSI. These buffers 21 and 22 consist of P type transistors TRs 41 and 42 and N type TRs 51-53 and 54-56, and a tri-state buffer input terminal 61 is connected to respective gates of TRs 41, 53, 42, and 56, and a tri-state buffer breaking signal terminal 72 is connected to respective gates of TRs 51, 52, 54, and 55. Or of the signal of the terminal 72 is operated in a two-input OR circuit 81, and the output is applied to the gate of a P type TR44. Thus, the line 11 is always set to a determined potential to prevent an abnormal current from being flowed to the line 11, thus stabilizing the operation of the MOSLSI.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は0VIO8LSIにおいて、パスラインの”F
IX 位を常に安定な状態に保ち、回路のラッチアップ
、異状電流の発生を防ぐ半導体集積回路に関するもので
ある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention provides a 0VIO8LSI with
This invention relates to a semiconductor integrated circuit that keeps the level IX stable at all times and prevents circuit latch-up and abnormal current generation.

第1図に示すようなCMO8LSIにおいて、信号を遮
断し出力を高インピーダンスに設定することができる複
数個のトライステートバッファ及び1個以上のゲート回
路の入力端子が接続されたパスラインがよく使用される
。第1図において、11はパスライン、21.22はト
ライステートバッファ、31はゲート回路、41〜43
はPチャンネルトランジスタ、51−57はNチャンネ
ルトランジスタ、61.62はトライステートバッファ
入力信号、71.72はトライステートバッファ遮断信
号である。
In the CMO8LSI shown in Figure 1, multiple tri-state buffers that can block signals and set the output to high impedance and pass lines connected to the input terminals of one or more gate circuits are often used. Ru. In FIG. 1, 11 is a pass line, 21.22 is a tri-state buffer, 31 is a gate circuit, 41 to 43
are P-channel transistors, 51-57 are N-channel transistors, 61.62 is a tri-state buffer input signal, and 71.72 is a tri-state buffer cutoff signal.

ところが、パスライン11に接続されているトライステ
ートバッファ21 、22が全て遮断されたときパスラ
イン11は高インピーダンスとなり、パスライン11の
電位は定まらない。従ってパスライン11は熱励起など
によシ様々な電位になる可能性がある。もし電源電圧の
範囲を越えると、ラッチアップを起こす可能性が有る。
However, when the tristate buffers 21 and 22 connected to the pass line 11 are all cut off, the pass line 11 becomes high impedance, and the potential of the pass line 11 is not determined. Therefore, the pass line 11 may have various potentials due to thermal excitation or the like. If the power supply voltage range is exceeded, latch-up may occur.

又Pチャンネル、Nチャンネルトランジスタ両方のスレ
ッシホールド電圧を越えた電位になると大刀回路(第1
図において31)でPチャンネル、Nチャンネル両トラ
ンジスタ43 、57ρ;導通状態となり、異状電流が
流れてしまう。このように複数のトライステートバッフ
ァ21 、22及びゲート回路31の入力端子が接続さ
れたパスラインを用いるCMO8LSIには上記のよう
な欠点があった。
Also, when the potential exceeds the threshold voltage of both P-channel and N-channel transistors, the large sword circuit (first
In the figure, at 31), both the P-channel and N-channel transistors 43 and 57ρ become conductive, and an abnormal current flows. The CMO8LSI, which uses a pass line to which a plurality of tri-state buffers 21 and 22 and the input terminal of the gate circuit 31 are connected, has the above-mentioned drawbacks.

本発明はこのような欠点を除去し、CMOS LSIに
ゲート回路の入力端子及びトライステートバッファの出
力が接続されたパスラインを適用したときに安定な動作
を得る回路を提供するものである。
The present invention eliminates such drawbacks and provides a circuit that obtains stable operation when a pass line connected to an input terminal of a gate circuit and an output of a tristate buffer is applied to a CMOS LSI.

すなわち、本発明による半導体集積回路は、複数のトラ
イステートバッファの出力及び1個以上のゲート回路の
入力端子が接続されたパスラインを有するCMOS L
SIにおいて、該パスラインに対するトライステートバ
ッファの出力が全て高インピーダンスになっているとき
パスラインの電位を電源又は接地電位に固定する回路を
備えたことを特徴とするものである。
That is, the semiconductor integrated circuit according to the present invention includes a CMOS L having a pass line to which the outputs of a plurality of tri-state buffers and the input terminals of one or more gate circuits are connected.
The SI is characterized in that it includes a circuit that fixes the potential of a pass line to a power supply or ground potential when all outputs of tristate buffers for the pass line are at high impedance.

次に本発明の一実施例を第2図により説明する。Next, one embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

以下第1図と同一構成部分には同一番号を利して説明す
る。さらに、44ばPチャンネルトランジスタ、81は
2人力OR回路である。
Hereinafter, the same components as those in FIG. 1 will be described using the same numbers. Furthermore, numeral 44 is a P-channel transistor, and numeral 81 is a two-way OR circuit.

第2図の回路において、遮断信号71 、72が共に0
”となった時、トライステートバッファ21 、22は
共に遮断状態となる。このときOR回路81の出力はO
となり1、Pチャンネルトランジスタ44を導通状態に
し、パスラインの電位を電源電圧にする。
In the circuit shown in Figure 2, both cutoff signals 71 and 72 are 0.
”, the tristate buffers 21 and 22 are both cut off. At this time, the output of the OR circuit 81 is
Then, the P-channel transistor 44 becomes conductive, and the potential of the pass line becomes the power supply voltage.

この回路によりパスラインの電位は論理的に安定な状態
となり、トライステートバッファが遮断すれたときもラ
ッチアップが起きたり、インバータ3′に異状電流が流
れることを防止できる。
This circuit makes the potential of the pass line logically stable, and even when the tri-state buffer is cut off, it is possible to prevent latch-up from occurring and abnormal current from flowing into the inverter 3'.

第3図は本発明の他の実施例である。FIG. 3 shows another embodiment of the invention.

記号は第2図と同一である。この場合、Pチャンネルの
トランジスタ44は常に導通状態になっている。しかし
ながら、これにトライステートバッファ21.22にお
けるNチャンネルトランジスタ52゜53.55,56
よりも導通抵抗の大きいトランジスタを使用することに
よりトライステートバッファがパスライン11を駆動し
、その出力が90“になる時Pチヤンネルトランジスタ
44の導通抵抗が大きいため、パスラインの電位を10
“とすることができる。
The symbols are the same as in Figure 2. In this case, the P-channel transistor 44 is always in a conductive state. However, this requires N-channel transistors 52, 53, 55, 56 in tri-state buffers 21, 22.
The tri-state buffer drives the pass line 11 by using a transistor with a conduction resistance larger than
“It can be done.

又いずれのトライステートバッファ21,22モ遮断状
態にあるときはPチャンネルトランジスタ44が導通し
ていることによって、パスライン11を電源電圧に保つ
Furthermore, when either tri-state buffer 21 or 22 is in the cut-off state, the P-channel transistor 44 is conductive, thereby maintaining the pass line 11 at the power supply voltage.

第4図は第3図におけるPチャンネルのトランジスタ4
4に代えてNチャンネルのトランジスタ58を使用した
例である。パスライン11は全てのトライステートバッ
ファ21 、22が遮断状態のとき接地電位に保たれる
Figure 4 shows the P-channel transistor 4 in Figure 3.
This is an example in which an N-channel transistor 58 is used instead of the transistor 4. The pass line 11 is kept at ground potential when all tristate buffers 21 and 22 are in the cutoff state.

以上述べたように本発明によれば、CMOS LSIに
オイて、複数のトライステートバッファの出力と1個以
上のゲート回路の入力端子が接続されたパスラインを常
に定められた電位に設定することができ、ランチアップ
、異状電流の発生を防止することができる効果を有する
ものである。
As described above, according to the present invention, in a CMOS LSI, the path line to which the outputs of a plurality of tristate buffers and the input terminals of one or more gate circuits are connected is always set at a predetermined potential. This has the effect of preventing launch-up and the generation of abnormal current.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来のCMOS LSI内のパスライン及びこ
れに接続されたトライステートバッファ及ヒゲート回路
図、第2図、第3図、第4図はそれぞれ本発明によるC
MOS LSI内のパスライン及びこれに接続されたト
ライステートバッファ、ゲート回路及びパスラインを電
源又は接地電位に固定する回路の実施例を示す図である
。 11・・・パスライン、21.22・・・トライステー
トバッファ、31・・・ゲート回路、41〜44・・・
Pチャンネルトランジスタ、51−58・・・Nチャン
ネルトランジスタ、61.62 ・トライステー!・パ
ンフッ入力信号端子、71.72 ・トライステートバ
ッファ遮断信号端子、81・・・2人力OR回路 特許出願人 日本電気株式会社 第1図 第2図 第3図 第4図
FIG. 1 is a diagram of a pass line in a conventional CMOS LSI and the tri-state buffer and gate circuit connected thereto, and FIGS.
1 is a diagram illustrating an embodiment of a circuit that fixes a pass line in a MOS LSI, a tristate buffer connected to the pass line, a gate circuit, and a pass line to a power supply or ground potential; FIG. 11... Pass line, 21.22... Tri-state buffer, 31... Gate circuit, 41-44...
P channel transistor, 51-58...N channel transistor, 61.62 ・Tri-stay!・Pan input signal terminal, 71.72 ・Tri-state buffer cutoff signal terminal, 81... 2-person OR circuit Patent applicant NEC Corporation Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)複数のトライステートバッファの出力及び1個以
上のゲート回路の入力端子が接続されたパスラインを有
するCMO8LSIにおいて、該パスラインに対するト
ライステートバッファの出力が全て高インピーダンスに
なっているとき、ハスラインの電位を電源又は接地電位
に固定する回路を備えたことを特徴とする半導体集積回
路。
(1) In a CMO8LSI that has a pass line to which the outputs of a plurality of tri-state buffers and the input terminal of one or more gate circuits are connected, when the outputs of the tri-state buffers to the pass line are all at high impedance, 1. A semiconductor integrated circuit comprising a circuit for fixing the potential of a lotus line to a power supply or ground potential.
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