JPS603900A - 小型サイクロトロン - Google Patents
小型サイクロトロンInfo
- Publication number
- JPS603900A JPS603900A JP11144083A JP11144083A JPS603900A JP S603900 A JPS603900 A JP S603900A JP 11144083 A JP11144083 A JP 11144083A JP 11144083 A JP11144083 A JP 11144083A JP S603900 A JPS603900 A JP S603900A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- small
- dummy
- circumference
- ion
- ion source
- Prior art date
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- Pending
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- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産−7−1−の利用分野
、二の発明11小型号イク+:+ トし1ンに関する。
(II)fJY来技術
ilC上の小型ティク11トロンにおいC1そのイオン
ソースはj4空加速チア、ンバ内部に縦型のザボーi・
又は1・v更型のザボートによっ゛C中数1+7i1の
み設置されている。
ソースはj4空加速チア、ンバ内部に縦型のザボーi・
又は1・v更型のザボートによっ゛C中数1+7i1の
み設置されている。
しかし−〇、−1Iイクロトロン構成要素のうら、イオ
ンソースはアークブラスマのスパッタリングによる11
%圧電極O月11耗や、スパッタされた金属による前記
電極とイオンソースの外管間の絶縁不良などにより、そ
の寿命は限られている。そのため、高圧電極を交換する
等の煩わしい藤作を頻繁におこなわなければならないと
いう欠点がある。また、前記交換作業等にはチェンバ内
部の残留放射能による被曝を伴うから、安全上の見地か
らも、かかる作業をできるだけ少なくしたいという要請
かある。
ンソースはアークブラスマのスパッタリングによる11
%圧電極O月11耗や、スパッタされた金属による前記
電極とイオンソースの外管間の絶縁不良などにより、そ
の寿命は限られている。そのため、高圧電極を交換する
等の煩わしい藤作を頻繁におこなわなければならないと
いう欠点がある。また、前記交換作業等にはチェンバ内
部の残留放射能による被曝を伴うから、安全上の見地か
らも、かかる作業をできるだけ少なくしたいという要請
かある。
また、従来の小型サイクロトロンは、−個のイオンソー
スによるものであるため、長時間連続してビームを得た
い場合や、j口i出力ビームを19だい場合などには、
その信頼性に欠けるという問題もある。
スによるものであるため、長時間連続してビームを得た
い場合や、j口i出力ビームを19だい場合などには、
その信頼性に欠けるという問題もある。
(ハ)目的
この発明は、電極交換等の作業!n度を低減できるとと
もに、商い(i卸性のもとに長時間j+続し−(ビー云
を得ることができる小型ザイクIl’l・1:1ンを提
供することを目的とし゛(いる。
もに、商い(i卸性のもとに長時間j+続し−(ビー云
を得ることができる小型ザイクIl’l・1:1ンを提
供することを目的とし゛(いる。
また、この発明の他の目的は、高山カビ−j、を容易に
iMることができる小型ザイクC1トロンを1]、3供
することにある。 ゛ (ニ)構成 この発明に係る小型サイクロトロンは、円周に沿−て等
間隔に配設された複数のディに関連し°ζ+’+ii記
円周と略同心で中心部に近い円周上に前記ディと間数の
イオンソースを等間隔に設けたことを特徴とし°ζいる
。
iMることができる小型ザイクC1トロンを1]、3供
することにある。 ゛ (ニ)構成 この発明に係る小型サイクロトロンは、円周に沿−て等
間隔に配設された複数のディに関連し°ζ+’+ii記
円周と略同心で中心部に近い円周上に前記ディと間数の
イオンソースを等間隔に設けたことを特徴とし°ζいる
。
(ボ)実施例
第11ツ++−1この発明に係る小型サイクロトロンの
一実施例−内部を平面視し6た説明図である。
一実施例−内部を平面視し6た説明図である。
図においヱ、11.12は加速用の電極であるディであ
り、ディ1112は円周に沿っ゛ζ等間隔に配設されて
いる。即ち、この場合の加速周期の等時性の原理による
円周方向の幾何学的対称性の軸70は一本である。
り、ディ1112は円周に沿っ゛ζ等間隔に配設されて
いる。即ち、この場合の加速周期の等時性の原理による
円周方向の幾何学的対称性の軸70は一本である。
21.22は接地されたダミーディであっζ、前記ディ
IL 12の間に若干の間隙を設けて配設される。
IL 12の間に若干の間隙を設けて配設される。
ディ11.12及びダミーディー2L 22はそれぞれ
対面する電極構造を備え、0i1記電極電極所謂加速空
洞を形成している。
対面する電極構造を備え、0i1記電極電極所謂加速空
洞を形成している。
3132はイオンソース4L 42からイオンを引き出
すためにディ11.12の中心部近くに設けられるプラ
ーある。
すためにディ11.12の中心部近くに設けられるプラ
ーある。
イオンソース41.42は、ディ11.12が設けられ
る円周と略同心で中心部に近い円周上に等間隔に配設さ
れ、前記プラー31.32と対向している。
る円周と略同心で中心部に近い円周上に等間隔に配設さ
れ、前記プラー31.32と対向している。
上述した如きディやダミーディ等は真空加速チェンバ6
0内に収納され“ζいる。
0内に収納され“ζいる。
しかして、イオンソース4142に発生したイオンは、
高周波電圧を印可されたプラー31.32により取り出
されて、同じく高周波電圧が印可されたディ11.12
、接地されたダミーディー21.22を通過する。前記
イオンは、イオンソース41.42とプラー31.32
との間、及びディ1112とダミーディ21.22との
間で加速される。一方、同図の紙面に対して垂直な方向
に磁界があたえられているので、前記加速されたイオン
の軌道51.52は螺旋状になる。
高周波電圧を印可されたプラー31.32により取り出
されて、同じく高周波電圧が印可されたディ11.12
、接地されたダミーディー21.22を通過する。前記
イオンは、イオンソース41.42とプラー31.32
との間、及びディ1112とダミーディ21.22との
間で加速される。一方、同図の紙面に対して垂直な方向
に磁界があたえられているので、前記加速されたイオン
の軌道51.52は螺旋状になる。
そして、外周近くまで加速されて移動してきたイオンは
、ダミーディ21の加速空洞内に設けられ7い、□、い
ア47□□、7.□1.ヘウ 1り出される。
、ダミーディ21の加速空洞内に設けられ7い、□、い
ア47□□、7.□1.ヘウ 1り出される。
第2図はこの発明の他の実施例であって5、イオンソー
スを3個備えた小型サイクロトロンを示し°ζいる。同
図において、■3〜15はディ、23〜25はダミーデ
ィ、33〜35はプラー、43〜45はイオンソース、
53〜55はイオンの軌道、6oは真空加速チェンバで
ある。
スを3個備えた小型サイクロトロンを示し°ζいる。同
図において、■3〜15はディ、23〜25はダミーデ
ィ、33〜35はプラー、43〜45はイオンソース、
53〜55はイオンの軌道、6oは真空加速チェンバで
ある。
即ち、同図に示した小型サイクロトロンは、その加速周
期の等時性の原理による円周方向の幾何学的対称性の軸
は、71.72.73に示ずように3木である。そし“
C1各イオンソース43〜45がら取り出されたイオン
は第1図で説明したと同様の過程を経“CIJ!I旋軌
道を描きつつ加速されて、外部へ導出される。
期の等時性の原理による円周方向の幾何学的対称性の軸
は、71.72.73に示ずように3木である。そし“
C1各イオンソース43〜45がら取り出されたイオン
は第1図で説明したと同様の過程を経“CIJ!I旋軌
道を描きつつ加速されて、外部へ導出される。
(へ)効果
、“二の発明は初数のディ、ダミーディ等に対応しC1
これらと同数のイオンソースを備えるものCあるから、
例えば、一個のイオンソースのみを動作さ一1゛ζ、伯
のイオンソースはバンクアップとし°ζ用いることによ
りfM’来の装置より長時間(第1図に示した実施例の
ものでは2倍、第2図に示したものにあっては3倍)連
続ビームを高い借り・1性のもとに得ることできる。
これらと同数のイオンソースを備えるものCあるから、
例えば、一個のイオンソースのみを動作さ一1゛ζ、伯
のイオンソースはバンクアップとし°ζ用いることによ
りfM’来の装置より長時間(第1図に示した実施例の
ものでは2倍、第2図に示したものにあっては3倍)連
続ビームを高い借り・1性のもとに得ることできる。
また、これにともない電極交換等の作業の頻度の低減、
さらには、被曝の防止を達成することができる。
さらには、被曝の防止を達成することができる。
また、この発明によれば、複数個のイオンソースから同
時にイオンを発生させることができるから、従来の装置
よりも高出力のビーム(第1図に示した実施例のもので
は2倍、第2図に示したものにあっては3倍)を容易に
得ることができる。
時にイオンを発生させることができるから、従来の装置
よりも高出力のビーム(第1図に示した実施例のもので
は2倍、第2図に示したものにあっては3倍)を容易に
得ることができる。
第1図はこの発明に係る小型サイクロトロンの一実施例
、第2図は他の実施例を示す説明し1ある。 11〜15・ ・ ・ディ、21〜25・ ・ ・ダミ
ーディ、31〜35・・・・プラー、41〜45・・・
イオンソース、51〜55・・・イオンの軌道、6o・
・・真空加速チェンバ、70〜73・・・円周方向の幾
何学的対称軸。
、第2図は他の実施例を示す説明し1ある。 11〜15・ ・ ・ディ、21〜25・ ・ ・ダミ
ーディ、31〜35・・・・プラー、41〜45・・・
イオンソース、51〜55・・・イオンの軌道、6o・
・・真空加速チェンバ、70〜73・・・円周方向の幾
何学的対称軸。
Claims (1)
- 四)円周に沿って等間隔に配設された複数のディに関連
し−(前記円周と略同心で中心部に近い円周−1にri
ii記ディと同数のイオンソースを等間1’r14に設
も1)こことをQ’l徴とする小型サイクロトロン。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11144083A JPS603900A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | 小型サイクロトロン |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11144083A JPS603900A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | 小型サイクロトロン |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS603900A true JPS603900A (ja) | 1985-01-10 |
Family
ID=14561250
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11144083A Pending JPS603900A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | 小型サイクロトロン |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS603900A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011523185A (ja) * | 2008-06-09 | 2011-08-04 | イオン・ビーム・アプリケーションズ・エス・アー | サイクロトロンによる粒子ビーム生成のためのツイン内部イオン源 |
JPWO2016092622A1 (ja) * | 2014-12-08 | 2017-06-29 | 株式会社日立製作所 | 加速器及び粒子線照射装置 |
JP2017220460A (ja) * | 2017-07-14 | 2017-12-14 | 株式会社日立製作所 | 粒子線治療装置 |
US10117320B2 (en) | 2014-12-08 | 2018-10-30 | Hitachi, Ltd. | Accelerator and particle beam irradiation system |
JP2021136060A (ja) * | 2020-02-21 | 2021-09-13 | 株式会社日立製作所 | 円形加速器、粒子線治療システム、同位元素製造システム、および、放射性薬剤製造システム |
-
1983
- 1983-06-20 JP JP11144083A patent/JPS603900A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011523185A (ja) * | 2008-06-09 | 2011-08-04 | イオン・ビーム・アプリケーションズ・エス・アー | サイクロトロンによる粒子ビーム生成のためのツイン内部イオン源 |
JPWO2016092622A1 (ja) * | 2014-12-08 | 2017-06-29 | 株式会社日立製作所 | 加速器及び粒子線照射装置 |
US10117320B2 (en) | 2014-12-08 | 2018-10-30 | Hitachi, Ltd. | Accelerator and particle beam irradiation system |
US10306745B2 (en) | 2014-12-08 | 2019-05-28 | Hitachi, Ltd. | Accelerator and particle beam irradiation system |
JP2017220460A (ja) * | 2017-07-14 | 2017-12-14 | 株式会社日立製作所 | 粒子線治療装置 |
JP2021136060A (ja) * | 2020-02-21 | 2021-09-13 | 株式会社日立製作所 | 円形加速器、粒子線治療システム、同位元素製造システム、および、放射性薬剤製造システム |
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