JPS6038903A - Local oscillating circuit - Google Patents

Local oscillating circuit

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JPS6038903A
JPS6038903A JP14575183A JP14575183A JPS6038903A JP S6038903 A JPS6038903 A JP S6038903A JP 14575183 A JP14575183 A JP 14575183A JP 14575183 A JP14575183 A JP 14575183A JP S6038903 A JPS6038903 A JP S6038903A
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JP
Japan
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tuning
potential
capacitance
circuit
diode
Prior art date
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Pending
Application number
JP14575183A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuo Imafuku
今福 一雄
Akira Usui
晶 臼井
Hiroyuki Nagai
裕之 永井
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS6038903A publication Critical patent/JPS6038903A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/18Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
    • H03B5/1841Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
    • H03B5/1847Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Superheterodyne Receivers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To prevent an oscillated frequency from being changed suddenly against change in the tuning potential by giving two different tuning potentials to two tuning diodes connected in series from one tuning potential. CONSTITUTION:A division potential obtained by dividing a tuning potential BT with resistors R3 and R4 is impressed to a cathode of a tuning diode D2. The tuning potential BT is impressed to a cathode of a tuning diode D1 through a high resistance resistor R1. The resonance capacitance is the combined capacitance of a tuning capacitor CD1 of the D1, a tuning capacitor CD2 of the D2, coupling capacitors C1, C2 and a stray capacitor Cf including an amplifier section block D, and the D2 is selected indentical to the D1, and the division resistors R3, R4 are selected identically R3=R4. Denoted the Cf as 0.5pF, the impedance of the resonance line as 50OMEGA, and the length of line as 15mm., the oscillation frequency f0 to the tuning potential BT is as shown in a fiqure, in which the steep change in the oscillating frequency f0 is suppressed against the change in the tuning potential BT.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、ヘテロゲイン方式を使用した/ステムにおけ
る広帯域の局部発振回路に関するものであり、例えばテ
レビノヨンチューナ回路、sHF用ダウンコンバータ回
路に用いるものである。
Detailed Description of the Invention (Industrial Application Field) The present invention relates to a wideband local oscillation circuit in a/stem using a hetero gain method, and is used, for example, in a television tuner circuit or an sHF down converter circuit. It is.

(従来例の構成とその問題点り 分布定数回路における線路層ジピーダンス2・は、特性
インピーダンスを2゜、線路の終端インピーダンスをZ
、線路長をtとすれば 2π 。
(The configuration of the conventional example and its problems) The line layer impedance 2 in the distributed constant circuit is as follows: the characteristic impedance is 2°, and the terminal impedance of the line is Z.
, if the line length is t, then 2π.

となる。但し、β−7(λ、波長) ・・・(2)(1
)式においてzR−0としだとき Zin ”’ JZotanβt ・−(3)となり、
これを2 で規格した特性は、第1図のよλ λ λ うになり、0から−の間で誘導性、7から7の間で容量
性、・・・、のような変化をする。この線路の0から区
の間を利用し、これに容量を与えて共振回路を構成する
ことができる。
becomes. However, β-7 (λ, wavelength) ... (2) (1
) In the equation, when zR−0, Zin ”' JZotanβt ・−(3),
The characteristic when this is normalized by 2 becomes λ λ λ as shown in Fig. 1, and it changes as inductive between 0 and -, capacitive between 7 and 7, and so on. A resonant circuit can be constructed by using the section between 0 and 0 of this line and adding a capacitance to it.

第2図はこのような共振回路を利用した局部発振回路の
従来例を示す。すなわち、この局部発振回路は上述の共
振回路を増幅器に接続して反射型の発振器を構成したも
ので、図において、Aは共振部ブロック、Bは増幅部ブ
ロックを示す。DlおよびD2は外部直流電位すなわち
同調電位BTにより容量を可変できる同調ダイオード(
以下パラフタダイオードという)で、これらの合成容量
CDおよび浮遊容量Cfによって共振容量を構成してい
る。C4は結合用の大容量でこの結合容量c1とバラク
タダイオードD2のアノードとの接続点は抵抗R2を通
して接地される。Llは共振線路でその一端はバラクタ
ダイオードD のアノードに接続され、他端は接地され
る。共振は共振線路L1とバラクタダイオードD、とD
2の合成容量CDと回路の浮遊容量C0の合成容量とで
構成される。この合成容量をC8とすれば、共振点にお
いての関係があり、第2図の回路はこのω。で発振する
FIG. 2 shows a conventional example of a local oscillation circuit using such a resonant circuit. That is, this local oscillation circuit is a reflection type oscillator constructed by connecting the above-mentioned resonant circuit to an amplifier. In the figure, A indicates a resonator block and B indicates an amplification block. Dl and D2 are tuning diodes whose capacitances can be varied by an external DC potential, that is, a tuning potential BT.
The combined capacitance CD and the stray capacitance Cf constitute a resonant capacitance. C4 is a large coupling capacitor, and the connection point between this coupling capacitor c1 and the anode of the varactor diode D2 is grounded through a resistor R2. Ll is a resonant line, one end of which is connected to the anode of varactor diode D, and the other end grounded. Resonance occurs between the resonant line L1 and the varactor diodes D and D.
2 and a combined capacitance of the stray capacitance C0 of the circuit. If this combined capacitance is C8, there is a relationship at the resonance point, and the circuit in FIG. 2 has this ω. oscillates.

同調電位BTは高抵抗R4を通してバラクタダイオード
D1のカソードとバラクタダイオードD のカソードと
の接続点に加えられる。
Tuning potential BT is applied through high resistance R4 to the connection point between the cathode of varactor diode D1 and the cathode of varactor diode D2.

共振容量は前述したようにバラクタダイオードD、の同
調容量CD1とバラクタダイオードD2の同調容量CD
2と、結合容量C1と増幅部ブロックBを含めた浮遊容
量Cfとの和になるが、CはC、C1Dl I)2 に対して大きな値を用いるだめ実質上の合成容量coは
、 ■ となる。
As mentioned above, the resonance capacitance is the tuning capacitance CD1 of the varactor diode D, and the tuning capacitance CD of the varactor diode D2.
2, and the stray capacitance Cf including the coupling capacitance C1 and the amplifier block B. However, C must be a large value for C, C1Dl I)2, so the actual combined capacitance co is: Become.

ここで、バラクタダイオードD1とバラクタダイオード
D2を同等のものとすると、D4.D2には同調電位と
して等電位が印加されるので CD、=CD2 ・・・ (6) となり、(5)式は となる。
Here, if the varactor diode D1 and the varactor diode D2 are equivalent, then D4. Since an equal potential is applied to D2 as a tuning potential, CD,=CD2 (6), and the equation (5) becomes.

第3図はバラクタダイオードD1及びD2のC−■特性
の例を示す。また、(7)式においてC,=0.5(p
F)とし第3図からのバラクタダイオードD1の容量C
D1の値を(7)式に代入してC8の値を示したものが
第4図である。さらに、(4)式のC8に第4図からの
値を代入し、共振線路をインピーダンス5oΩ。
FIG. 3 shows an example of C-■ characteristics of varactor diodes D1 and D2. Also, in equation (7), C,=0.5(p
F) The capacitance C of varactor diode D1 from Fig. 3
FIG. 4 shows the value of C8 by substituting the value of D1 into equation (7). Furthermore, substitute the value from FIG. 4 for C8 in equation (4), and set the impedance of the resonant line to 50Ω.

線路長15咽として(4)式よシω。を算出し、同調電
位BTに対する発振周波数f。を示したのが第5図であ
る。
Assuming the line length is 15 degrees, equation (4) shows ω. Calculate the oscillation frequency f with respect to the tuning potential BT. Figure 5 shows this.

この第5図から分るように、上記従来の局部発振回路の
場合、同調電位BTの0〜10(V)の変化に対する発
振周波数f。の変化は、同調電位B、の1゜〜20(V
)の変化に対するそれよりも、著しく急激であるという
欠点がある。
As can be seen from FIG. 5, in the case of the above-mentioned conventional local oscillation circuit, the oscillation frequency f for a change of tuning potential BT from 0 to 10 (V). The change in tuning potential B is 1° to 20 (V
) has the disadvantage that it is significantly more rapid than the change in

(発明の目的) 本発明は、かかる欠点を改善するもので、バラクタダイ
オードD1のカソードに印加する同調電位BTを分割し
て、バラクタダイオードD20カソードにその分割電位
を印加することで、同調電位の変化に対して、発振周波
数f。が急激に変化しないようにすることができる局部
発振回路を提供するものである。
(Objective of the Invention) The present invention aims to improve such drawbacks by dividing the tuning potential BT applied to the cathode of the varactor diode D1 and applying the divided potential to the cathode of the varactor diode D20. For a change, the oscillation frequency f. To provide a local oscillation circuit that can prevent sudden changes in oscillation.

(発明の構成) 上記目的を達成するために本発明は、外部直流電位(同
調電位)にょシ容量を可変できる第1の同調ダイオード
と、共振線路と、前記外部直流電位(同調電位)を分割
して、その分割電位により容量を可変できる第2の同調
ダイオードとを直列に接続して共振回路を構成し、この
共振回路を増幅回路を構成するトランジスタのペースあ
るいはコレクタに接続して局部発振回路を構成したこと
を特徴とするもので、これにより外部直流電位(同調電
位)の変化に対する発振周波数の変化が急激にならない
ようにすることができる。
(Structure of the Invention) In order to achieve the above object, the present invention provides a first tuning diode that can vary the capacitance of an external DC potential (tuning potential), a resonant line, and a device that divides the external DC potential (tuning potential). A second tuning diode whose capacitance can be varied depending on the divided potential is connected in series to form a resonant circuit, and this resonant circuit is connected to the base or collector of the transistor forming the amplifier circuit to form a local oscillation circuit. This configuration is characterized in that the oscillation frequency can be prevented from changing abruptly with respect to changes in the external DC potential (tuning potential).

(実施例の説明) 以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
(Description of Embodiment) Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

第6図は本発明の一実施例における局部発振回路の構成
を示すものである。第6図においてCは共振部ブロック
、Dは増幅部ブロックである。共振部ブロックCは増幅
部プロ、りDと結合容量C4で接続され、結合容量C1
とバラクタダイオードD2のアノードとの接続点は、抵
抗R2を通して接地される。バラクタダイオードD2の
カソードは結合容量C2が接続されその接続点に、同調
電位B7を抵抗R6とR4で分割した分割電位が印加さ
れる。
FIG. 6 shows the configuration of a local oscillation circuit in one embodiment of the present invention. In FIG. 6, C is a resonator block and D is an amplification block. The resonator block C is connected to the amplification section D through a coupling capacitor C4, and the coupling capacitor C1
A connection point between the anode of the varactor diode D2 and the anode of the varactor diode D2 is grounded through a resistor R2. A coupling capacitor C2 is connected to the cathode of the varactor diode D2, and a divided potential obtained by dividing the tuning potential B7 by resistors R6 and R4 is applied to the connection point thereof.

バラクタダイオードD、のカソードは結合容量c2を通
してバラクタダイオードD2のカソードに接続され、D
、と02の接続点に高抵抗R7を通して同調電位BTが
印加される。バラクタダイメートD1のアノードには、
共振線路L1の一端が接続され、共振線路L1の他端は
接地される。
The cathode of varactor diode D is connected to the cathode of varactor diode D2 through coupling capacitance c2, and D
, and 02 through a high resistance R7. The anode of Varacta Dimate D1 has
One end of the resonant line L1 is connected, and the other end of the resonant line L1 is grounded.

共振容量はバラクタダイオードD、の同調容量CDIと
バラクタダイオードD2の同調容量cD2と結合容量C
1,C2と、増喝部ブロックDを含めた浮遊容量C2と
の合成になるが、C1+ C2は、cD、。
The resonance capacitance is the tuning capacitance CDI of the varactor diode D, the tuning capacitance cD2 of the varactor diode D2, and the coupling capacitance C.
1, C2 and the stray capacitance C2 including the booster block D, where C1+C2 is cD.

CD2に対して大きな値を用いるため実質上の結合容量
C6は となる。
Since a large value is used for CD2, the actual coupling capacitance C6 is as follows.

上記バラクタダイオードD1のc−■特性は先に示した
第3図と同じであり、また、ここにおいてバラクタダイ
オードD2をり、と同等のものとし、第6図に示す同調
電位BTの分割抵抗R3,R4の抵抗比を例えば、 R3: R4= 1 : 1 とし、バラクタダイオードD2のカソードに印加される
電位を常に同調電位BTの棒とすると、その時のバラク
タダイオードD2の同調容量と同調電位BTの関係は第
7図のようになる。
The c-■ characteristic of the varactor diode D1 is the same as that shown in FIG. 3 above, and here the varactor diode D2 is assumed to be equivalent to , and the dividing resistor R3 of the tuning potential BT shown in FIG. , R4 is, for example, R3:R4=1:1, and the potential applied to the cathode of the varactor diode D2 is always the tuning potential BT, then the tuning capacitance of the varactor diode D2 and the tuning potential BT at that time are: The relationship is as shown in Figure 7.

(8)式においてCf= o、 5[pF)とし、第3
図、第7図よりバラクタダイオードD1. D2の同調
電位B。
In equation (8), Cf=o, 5[pF], and the third
From FIG. 7, the varactor diode D1. Tuning potential B of D2.

に対する値をそれぞれめて、(8)式に代入し、coの
値をめたものを第8図に示す。
Fig. 8 shows the results obtained by calculating the values for each and substituting them into equation (8), and subtracting the value of co.

ここで、(4)式のC8に第8図からの値を代入し、共
振線路のインピーダンス5oΩ、fgA 路長15 t
mnとして(4)式よりω。を算出し、同調電位BTに
対する発振周波数f。をめたものを第9図に示す。
Here, by substituting the value from FIG. 8 into C8 of equation (4), the impedance of the resonant line is 5oΩ, fgA path length is 15t
ω from equation (4) as mn. Calculate the oscillation frequency f with respect to the tuning potential BT. The results are shown in Figure 9.

第9図と従来例の同調電位BTに対する発振周波数f。FIG. 9 and the oscillation frequency f for the tuning potential BT of the conventional example.

の変化を示しだ第5図を比較してわかるように、本発明
を用いることにより、同調電位BTの変化に対し、発振
周波数f。の急激な変化を抑制することができる。
As can be seen by comparing FIG. 5, which shows the change in the oscillation frequency f, with respect to the change in the tuning potential BT, by using the present invention. It is possible to suppress sudden changes in

次に、増幅部プO,りDについて説明する。第6図にお
いて増幅器を構成するトランジスタ。。
Next, the amplifier units P O and D will be explained. A transistor forming an amplifier in FIG. .

のベースには前述の結合容量C4を介して共振部ブロッ
クCが接続され、コレクタはC4の大容量で接地される
。また、コレクタには抵抗R6を通してバイアスが与え
られ、さらに抵抗R5によりベース電位が与えられてい
る。この場合ベースバイアスについては自己帰還型でな
くてもよい。トランジスタQ1のエミッターコレクタ間
の容量c3はエミッタとアース間の最短距離を交流的に
接地するもので、C3により、広帯域の発振の安定性を
改善してイル。L2idハイ・ぐワーをとシ出すだめの
チョークコイルである。R7はエミッタ抵抗であり、C
5を通して発振出力をと9出すもので、電流約38mA
時に約10 dBmの・ぐワーをとシ出すことができる
The resonator block C is connected to the base of the resonator block C via the aforementioned coupling capacitor C4, and the collector is grounded through the large capacitor C4. Further, a bias is applied to the collector through a resistor R6, and a base potential is further applied through a resistor R5. In this case, the base bias need not be of the self-feedback type. The capacitance C3 between the emitter and collector of the transistor Q1 is to ground the shortest distance between the emitter and the ground in an alternating current manner, and C3 improves the stability of broadband oscillation. This is a choke coil that removes the L2id high temperature. R7 is an emitter resistor and C
It outputs an oscillation output through 5 and 9, and the current is about 38 mA.
At times, it can emit about 10 dBm of gas.

なお発振出力のとり出し方には、種々の方法があり、C
4の容量を10 pF程度にしてコレクタからとり出す
方法や、共振線路にLあるいは容量結合によってとシ出
す方法も可能である。
There are various ways to extract the oscillation output, and C
It is also possible to set the capacitance of 4 to about 10 pF and take it out from the collector, or to take it out to the resonant line by L or capacitive coupling.

パワーを考えれば、エミッタからと9出すのが最適であ
る。なお、出方のとシ出し方、あるいは共振線路の設定
個所については、多くの方法があるが、本発明は直列に
接続された二つの同調ダイオードに、同一の同調電位か
ら電位の違う同調電位を与えることで、同調電位の変化
に対し、発振周波数が急激に変化するのを抑制するよう
にしたことを重要なポイントとするものである。
Considering the power, it is optimal to output 9 from the emitter. There are many methods for setting the output and the resonant line, but in the present invention, two tuning diodes connected in series can be tuned from the same tuning potential to different tuning potentials. An important point is that by providing .

(発明の効果) 以上説明したように、本発明は同調電位により容量を可
変できる第1の同調ダイオードと、共振線路と、前記同
調電位を分割してその分割電位により容量を可変できる
第2の同調ダイオードとを直列に接続して共振回路を構
成し、この共振回路を増幅回路を構成するトランジスタ
のベースあるいはコレクタに接続して局部発振回路を構
成することにより、従来のように同調電位の変化に対し
発振周波数が急激に変化するのを抑制するようにしたも
のである。
(Effects of the Invention) As explained above, the present invention includes a first tuning diode whose capacitance can be varied by a tuning potential, a resonant line, and a second tuning diode whose capacitance can be varied by dividing the tuning potential and varying the capacitance by the divided potential. By connecting the tuning diode in series to form a resonant circuit, and connecting this resonant circuit to the base or collector of the transistor that makes up the amplifier circuit to form a local oscillator circuit, it is possible to change the tuning potential as usual. This is designed to suppress rapid changes in the oscillation frequency.

従って、本発明によれば同調電圧−発振周波数特性の優
れた局部発振回路を提供することができるO
Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a local oscillation circuit with excellent tuning voltage-oscillation frequency characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

λ 第1図は片側終端の7−線路のインピーダンス特性図、
第2図は局部発振回路の従来例の回路図、第3図は同調
ダイオードのC−V特性図、第4図は従来例の同調容量
のC−V%性図、第5図は局部発振回路の従来例の同調
電圧対発振周波数の特性図、第6図は本発明の一実施例
における局部発振回路の回路図、第7図は本発明の一実
施例における局部発振回路の同調ダイオードD2の同調
容量対同調電位の特性図、第8図は本発明の一実施例に
おける局部発振回路の同調容量対同調電位の特性図、第
9図は本発明の一実施例における局部発振回路の同調電
圧対発振周波数の特性図、である。 A、C・・・共振部ブロック、B、D・・・増幅部ブロ
ック、Ll・・・共振線路、Dl、D2・・バラクタダ
イオード、Q、・・・トランジスタ。 特許出願人 松下電器産業株式会社 、−−−1 代 理 人 星 野 恒 司 ( h) 第1図 第2図 「 s、軒 第6図 第3図 BT 第4図 第5図 第7図 BT 第8図 第9図
λ Figure 1 is an impedance characteristic diagram of a 7-line with one side termination,
Figure 2 is a circuit diagram of a conventional example of a local oscillation circuit, Figure 3 is a CV characteristic diagram of a tuning diode, Figure 4 is a CV% characteristic diagram of a tuning capacitance of a conventional example, and Figure 5 is a diagram of a local oscillation circuit. A characteristic diagram of tuning voltage versus oscillation frequency of a conventional example of the circuit, FIG. 6 is a circuit diagram of a local oscillation circuit in an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a tuning diode D2 of the local oscillation circuit in an embodiment of the present invention. FIG. 8 is a characteristic diagram of tuning capacitance versus tuning potential of a local oscillation circuit in an embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a characteristic diagram of tuning capacitance versus tuning potential of a local oscillation circuit in an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a characteristic diagram of voltage versus oscillation frequency. A, C...resonant block, B, D...amplifier block, Ll...resonant line, Dl, D2...varactor diode, Q,...transistor. Patent applicant: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. ---1 Agent: Kouji Hoshino (h) Figure 1 Figure 2 s, Eave Figure 6 Figure 3 BT Figure 4 Figure 5 Figure 7 BT Figure 8 Figure 9

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 外部直流電位(同調電位)により容量を可変できる第1
の同調ダイオードと、共振線路と、前記外部直流電位(
同調電位)を分割してその分割電位により容量を可変で
きる第2の同調ダイオードとを直列に接続して共振回路
を構成し、この共振回路を構成するトランジスタのベー
スあるいはコレクタに接続したことを特徴とする局部発
振回路。
The first capacitance can be varied by external DC potential (tuning potential).
a tuning diode, a resonant line, and the external DC potential (
A second tuning diode whose capacitance can be varied by dividing the tuning potential) is connected in series to form a resonant circuit, which is connected to the base or collector of the transistor making up this resonant circuit. local oscillation circuit.
JP14575183A 1983-08-11 1983-08-11 Local oscillating circuit Pending JPS6038903A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS626504A (en) * 1985-07-03 1987-01-13 Hitachi Ltd Voltage controlled oscillator
JPH01200811A (en) * 1988-02-05 1989-08-14 Mitsubishi Electric Corp Automatic gain control circuit

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58222601A (en) * 1982-05-24 1983-12-24 アールシーエー トムソン ライセンシング コーポレイシヨン Variable frequency oscillator

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