JP2002171130A - Voltage control oscillator circuit - Google Patents

Voltage control oscillator circuit

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JP2002171130A
JP2002171130A JP2000364013A JP2000364013A JP2002171130A JP 2002171130 A JP2002171130 A JP 2002171130A JP 2000364013 A JP2000364013 A JP 2000364013A JP 2000364013 A JP2000364013 A JP 2000364013A JP 2002171130 A JP2002171130 A JP 2002171130A
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circuit
oscillation
resonance
transistor
frequency
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Japanese (ja)
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Takanori Ueda
孝則 上田
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Kyocera Corp
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Kyocera Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a voltage control oscillator circuit which can obtain a stable oscillation output even if frequencies are increased and an area of oscillation frequencies is widened. SOLUTION: A voltage control oscillator circuit comprises a resonance circuit X which contains resonance means, a variable capacitance diode which is connected in parallel to the resonance means, a negative resistor circuit part Y which contains an oscillating transistor Q1 which adjusts oscillation conditions depending on resonance frequencies of the resonance circuit, an amplifying transistor Q2 for amplifying an oscillation signal, and an amplifier circuit part Z which contains a power source voltage terminal for supplying a DC bias current to the amplifying transistor and the oscillating transistor. In the oscillating transistor Q1, its emitter is connected to a bias resistor R3 which prescribes a DC bias current, and an impedance control circuit 23 which comprises a capacitance component C7 and inductor components L2, L3 is disposed between the bias resistor R3 and a ground.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波領域の発振
周波数を安定して出力できる電圧制御発振回路に関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a voltage controlled oscillation circuit capable of stably outputting an oscillation frequency in a high frequency range.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、移動体通信機器やその他の通信機
器には、送信用発振器や受信用局部発振器が多用されて
いる。このような発振器は、外部からの供給される制御
電圧により、発振周波数の範囲を直線的に可変できる電
圧制御発振回路で構成されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, transmission oscillators and reception local oscillators are frequently used in mobile communication devices and other communication devices. Such an oscillator is constituted by a voltage-controlled oscillation circuit capable of linearly varying the oscillation frequency range by a control voltage supplied from the outside.

【0003】近年、電圧制御発振回路の発振出力の周波
数可変領域(発振周波数)が高周波化の一途をたどってい
る。例えば、周波数可変領域が約2.2GHz〜約2.
4GHz:可変範囲が0.2GHzのように、高周波化
及び広帯域化している。
[0003] In recent years, the frequency variable region (oscillation frequency) of the oscillation output of the voltage controlled oscillation circuit has been increasing in frequency. For example, the frequency variable range is from about 2.2 GHz to about 2.2 GHz.
4 GHz: Higher frequency and wider band, such as a variable range of 0.2 GHz.

【0004】従来、電圧制御発振回路は、図2に示すよ
うに、共振回路部、負性抵抗回路部、増幅回路部から構
成されていた。共振回路部Xは、共振手段であるストリ
ップラインSLと、可変容量ダイオードDVと、各種コ
ンデンサC1、C3、C4とから主に構成されている。
Conventionally, as shown in FIG. 2, a voltage controlled oscillation circuit has been constituted by a resonance circuit section, a negative resistance circuit section, and an amplification circuit section. The resonance circuit portion X mainly includes a strip line SL serving as resonance means, a variable capacitance diode DV, and various capacitors C1, C3, and C4.

【0005】ここで、共振回路部の共振周波数を決定す
るLC共振回路11は、ストリップラインL1と可変容
量ダイオードDV、コンデンサC1、C2とで構成され
ている。
Here, the LC resonance circuit 11 for determining the resonance frequency of the resonance circuit section is composed of a strip line L1, a variable capacitance diode DV, and capacitors C1 and C2.

【0006】負性抵抗回路部12は発振用トランジスタ
Q1、各種コンデンサC4〜C7、、各種抵抗R1〜R
3とから構成されている。
The negative resistance circuit section 12 includes an oscillation transistor Q1, various capacitors C4 to C7, various resistances R1 to R7.
And 3.

【0007】また、増幅回路部は、増幅用トランジス
タ、コンデンサ、抵抗を中心とする増幅手段と、コンデ
ンサ、インダクタンス素子を中心とする出力回路手段と
から構成されている。尚、直流バイアス電流は、この増
幅用トランジスタのコレクタからインダクタ素子を介し
て供給され、さらに、発振用トランジスタQ1に供給さ
れる。
[0007] The amplifying circuit section is composed of amplifying means centered on an amplifying transistor, a capacitor and a resistor, and output circuit means centered on a capacitor and an inductance element. The DC bias current is supplied from the collector of the transistor for amplification via an inductor element, and further supplied to the transistor Q1 for oscillation.

【0008】このような発振回路では、発振用トランジ
スタQ1のコレクタをコンデンサC6を介して、交流的
に接地すれば、ベースから見たインピーダンスは負性と
なり、そして、発振用トランジスタQ1のベースに共振
回路部を、結合コンデンサC3を介して接続し、他端を
接地すれば、この回路は共振回路部の振幅特性とトラン
ジスタの負性利得が1以上で共振回路とトランジスタの
負性の位相角の和が2nπ(nは整数)となる条件を満
たす周波数にて発振する。
In such an oscillating circuit, if the collector of the oscillating transistor Q1 is AC grounded via the capacitor C6, the impedance seen from the base becomes negative, and resonance occurs at the base of the oscillating transistor Q1. If the circuit section is connected via a coupling capacitor C3 and the other end is grounded, this circuit has an amplitude characteristic of the resonance circuit section, a negative gain of the transistor of 1 or more, and a negative phase angle between the resonance circuit and the transistor. It oscillates at a frequency that satisfies the condition that the sum is 2nπ (n is an integer).

【0009】そして、増幅用トランジスタで増幅された
発振出力は、コレクタの出力端子より発振出力されてい
た。
The oscillation output amplified by the amplifying transistor is output from the output terminal of the collector.

【0010】また、電圧制御発振回路のC/N特性を向
上させるためには、前記トランジスタQ1のエミッタ部
にバイアス抵抗R3が接続され、さらに、バイアス抵抗
R3の一端には、コンデンサC7、インダクタンスL2
が接続され、しかも、夫々がグランド電位に接続されて
いた。このインダクタンスL2とコンデンサC7からな
る並列共振回路13の回路定数を制御して、前記電圧制
御発振回路の発振周波数帯における(高周波的)にイン
ピーダンスが大きくしていた。即ち、電圧制御発振回路
の発振出力の周波数を並列共振回路13の共振周波数に
近似させるようにしていた。
In order to improve the C / N characteristics of the voltage controlled oscillation circuit, a bias resistor R3 is connected to the emitter of the transistor Q1, and a capacitor C7 and an inductance L2 are connected to one end of the bias resistor R3.
Are connected, and each is connected to the ground potential. The circuit constant of the parallel resonance circuit 13 including the inductance L2 and the capacitor C7 is controlled so that the impedance in the oscillation frequency band (high frequency) of the voltage controlled oscillation circuit is increased. That is, the frequency of the oscillation output of the voltage controlled oscillation circuit is approximated to the resonance frequency of the parallel resonance circuit 13.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の電圧制御発振回路においては次のような課
題があった。
However, the above-mentioned conventional voltage controlled oscillator has the following problems.

【0012】前記インダクタンスL2とコンデンサC7
からなる並列共振回路13では、前記発振回路のバイア
ス抵抗R3の接地側のインピーダンスを、前記並列共振
回路13の共振周波数にて大きくとることが可能とな
り、その周波数にてC/N特性を向上させることができ
るものの、通常、電圧制御発振回路は所定周波数範囲内
で良好な発振状態を必要とし、前記並列共振回路13で
は、その発振周波数帯にて均一にインピーダンスを大き
くとることが困難であった。
The inductance L2 and the capacitor C7
In the parallel resonance circuit 13 composed of the above, the impedance on the ground side of the bias resistor R3 of the oscillation circuit can be increased at the resonance frequency of the parallel resonance circuit 13, and the C / N characteristic is improved at that frequency. Although it can be performed, usually, the voltage controlled oscillation circuit needs a good oscillation state within a predetermined frequency range, and it is difficult for the parallel resonance circuit 13 to uniformly increase the impedance in the oscillation frequency band. .

【0013】本発明は、上述の課題に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、高周波化且つ発振周波数の広
域化でも、C/N特性に優れた発振出力が得られる電圧
制御発振回路を提供するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and has as its object to provide a voltage-controlled oscillator capable of obtaining an oscillation output excellent in C / N characteristics even at a higher frequency and a wider oscillation frequency. Circuit.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明では、共振手段
と、該共振手段と並列接続される可変容量ダイオードと
を含む共振回路部と、前記共振回路部と接続し、該共振
回路部の共振周波数に基づいて発振条件を整え、且つ発
振信号を出力する発振用トランジスタを含む負性抵抗回
路部と、前記負性抵抗回路部に接続し、前記発振信号を
増幅する増幅用トランジスタと、該増幅用トランジス
タ、前記発振用トランジスタに直流バイアス電流を供給
する電源電圧端子を含む増幅回路部とから成る電圧制御
発振回路において、前記発振用トランジスタは、そのエ
ミッタ部には直流バイアス電流を規定するバイアス抵抗
を接続するとともに、該バイアス抵抗と接地電位との間
に、容量成分と第1のインダクタンス成分との直列共振
回路部と、該直列共振回路部に並列接続された第2のイ
ンダクタンス成分とから成るインピーダンス制御回路部
を配置した。
According to the present invention, there is provided a resonance circuit section including resonance means, a variable capacitance diode connected in parallel with the resonance means, and a resonance circuit connected to the resonance circuit section, the resonance circuit section comprising: A negative resistance circuit section including an oscillation transistor for adjusting an oscillation condition based on a frequency and outputting an oscillation signal; an amplification transistor connected to the negative resistance circuit section for amplifying the oscillation signal; A voltage-controlled oscillator circuit comprising a transistor for power supply and a power supply voltage terminal for supplying a DC bias current to the transistor for oscillation, wherein the transistor for oscillation has a bias resistor for defining a DC bias current at its emitter. And a series resonance circuit section of a capacitance component and a first inductance component between the bias resistor and the ground potential. The impedance control circuit comprising a second inductance component connected in parallel to the road section is arranged.

【作用】本発明にかかる電圧制御発振器の回路として図
2の回路図を用いて説明する。上記の発明によれば、前
記バイアス抵抗R3と接地電位との間に、インダクタン
スL2、L3とコンデンサC7にて形成されたインピー
ダンス制御回路部を接続している。具体的に、コンデン
サC7の容量成分とインダクタンスL3とで直列共振回
路部を構成し、この直列共振回路部に対してインダクタ
ンスL2を並列接続されている。このため、前記発振回
路のバイアス抵抗R3のグランド電位側において、イン
ピーダンスを電圧制御発振回路の発振周波数帯にて、均
一に大きくとることが可能となる。これは、従来のLC
並列共振回路単体で構成したよりも、所定周波数帯域で
インピーダンス特性を高め、且つ均一化させることがで
きる。即ち、電圧制御発振回路の発振出力の周波数帯域
全般で反射係数を大きくすることができ、その発振周波
数の範囲全帯域で全般的にC/N特性を均一且つ向上さ
せることができる。
The circuit of the voltage controlled oscillator according to the present invention will be described with reference to the circuit diagram of FIG. According to the above invention, the impedance control circuit section formed by the inductances L2 and L3 and the capacitor C7 is connected between the bias resistor R3 and the ground potential. Specifically, a series resonance circuit section is formed by the capacitance component of the capacitor C7 and the inductance L3, and the inductance L2 is connected in parallel to the series resonance circuit section. For this reason, it is possible to uniformly increase the impedance on the ground potential side of the bias resistor R3 of the oscillation circuit in the oscillation frequency band of the voltage controlled oscillation circuit. This is the traditional LC
The impedance characteristics can be improved and made uniform in a predetermined frequency band as compared with the case where the parallel resonance circuit is constituted alone. That is, the reflection coefficient can be increased over the entire frequency band of the oscillation output of the voltage controlled oscillation circuit, and the C / N characteristics can be uniformly and generally improved over the entire oscillation frequency range.

【0015】しかも、インピーダンス制御回路が、所定
発振周波数帯において均一にインピーダンスを向上させ
るため、発振回路の正帰還量が、その発振周波数帯にお
いて均一に増大することが可能となる。
Further, since the impedance control circuit uniformly improves the impedance in a predetermined oscillation frequency band, the amount of positive feedback of the oscillation circuit can be uniformly increased in the oscillation frequency band.

【0016】これにより、高周波化且つ発振周波数の広
域化でも、C/N特性に優れた発振出力が得られる電圧
制御発振回路となる。
As a result, a voltage controlled oscillation circuit that can obtain an oscillation output with excellent C / N characteristics even when the frequency is increased and the oscillation frequency is widened.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の電圧制御発振回路
を図面に基づいて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a voltage controlled oscillator according to the present invention will be described with reference to the drawings.

【0018】図1は本発明の電圧制御発振回路の等価的
な回路図である。尚、共振回路部、負性抵抗回路部、増
幅回路部Zの各回路部の全体的な動作は、実質的に図2
に説明した通りである。
FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of the voltage controlled oscillation circuit of the present invention. Note that the overall operation of each circuit section of the resonance circuit section, the negative resistance circuit section, and the amplifier circuit section Z is substantially the same as that shown in FIG.
As described above.

【0019】共振回路Xは、共振手段であるストリップ
ラインL1、可変容量ダイオードDV、インダクタンス
素子L4、コンデンサC1〜C2、C8とから主に構成
されている。尚、ストリップラインL1、可変容量ダイ
オードDV、コンデンサC1〜C2とによって、共振回
路21が構成されている。
The resonance circuit X mainly includes a strip line L1, a variable capacitance diode DV, an inductance element L4, and capacitors C1 to C2 and C8, which are resonance means. The resonance circuit 21 is configured by the strip line L1, the variable capacitance diode DV, and the capacitors C1 and C2.

【0020】また、負性抵抗回路部Yは発振用トランジ
スタQ1、コンデンサC4〜C7、C9、各種抵抗R1
〜R3、インダクタンタス素子L2、L3とから構成さ
れている。また、特に、発振用トランジスタQ1のエミ
ッタには、バイアス抵抗R3を介して、グランド電位と
の間に、インピーダンス制御回路部23が接続されてい
る。このインピーダンス制御回路部23は、2つのイン
ダクタンス素子L2、L3及びコンデンサC7とから構
成される。
The negative resistance circuit section Y includes an oscillation transistor Q1, capacitors C4 to C7 and C9, various resistors R1.
To R3, and inductance elements L2 and L3. In particular, the impedance control circuit section 23 is connected to the emitter of the oscillation transistor Q1 between the emitter and the ground potential via the bias resistor R3. This impedance control circuit section 23 is composed of two inductance elements L2 and L3 and a capacitor C7.

【0021】さらに、増幅回路部Zは、増幅手段となる
増幅用トランジスタQ2、コンデンサC9〜C12、各
種抵抗R4とインダクタンス素子L5とから構成されて
いる。
Further, the amplifying circuit section Z comprises an amplifying transistor Q2 serving as amplifying means, capacitors C9 to C12, various resistors R4 and an inductance element L5.

【0022】このような電圧制御発振回路では、負性抵
抗回路部Yの発振用トランジスタQ1のコレクタは、コ
ンデンサC6を介して交流的に接地されている。このコ
ンデンサC6は、増幅用トランジスタQ2のエミッタ入
力のコンデンサとしても兼ねている。
In such a voltage controlled oscillation circuit, the collector of the oscillation transistor Q1 of the negative resistance circuit section Y is AC grounded via the capacitor C6. This capacitor C6 also serves as a capacitor for the emitter input of the amplifying transistor Q2.

【0023】そして、発振用トランジスタQ1のベース
から見たインピーダンスは負性となり、このベースに共
振回路部Xを、結合コンデンサC3を介して接続し、他
端を接地すれば、共振回路部Xの振幅特性とトランジス
タの負性利得が1以上で共振回路部Xと発振用トランジ
スタQ1の負性の位相角の和が2nπ(nは整数)とな
る条件を満たす周波数にて発振する。
The impedance seen from the base of the oscillation transistor Q1 becomes negative. If the resonance circuit X is connected to this base via the coupling capacitor C3 and the other end is grounded, the resonance circuit X Oscillation occurs at a frequency that satisfies the condition that the amplitude characteristic and the negative gain of the transistor are 1 or more and the sum of the negative phase angles of the resonance circuit portion X and the oscillation transistor Q1 is 2nπ (n is an integer).

【0024】そして、この発振信号は増幅用トランジス
タQ2に供給され、ここで、増幅されて出力端子より発
振出力される。
This oscillation signal is supplied to the amplification transistor Q2, where it is amplified and oscillated and output from the output terminal.

【0025】ここで、電源電圧端子に供給された直流バ
イアス電流は、増幅用トランジスタQ2のコレクタに供
給され、発振用トランジスタQ1に供給される。具体的
には、電源端子、インダクタンス素子L5、増幅用トラ
ンジスタQ2、発振用トランジスタQ1、バイアス抵抗
R3、インピーダンス制御回路部23を介してグランド
電位に流れることになる。
Here, the DC bias current supplied to the power supply voltage terminal is supplied to the collector of the amplification transistor Q2 and supplied to the oscillation transistor Q1. Specifically, the current flows to the ground potential via the power supply terminal, the inductance element L5, the amplification transistor Q2, the oscillation transistor Q1, the bias resistor R3, and the impedance control circuit unit 23.

【0026】本発明においては、このインピーダンス制
御回路部23は、バイアス抵抗R3とグランド電位との
間に配置されており、インダクタンス素子L3とコンデ
ンサC7とが接続された直列回路部と、この直列回路部
と並列関係のインダクタンス素子L2とで構成されてい
る。従って、このインピーダンス制御回路23では、L
3とC7から構成される直列共振回路とL2との並列回
路において、それぞれの共振周波数を調整することで、
インピーダンス制御回路23のインピーダンス特性が図
3のように示される。即ち、電圧制御発振回路の発振周
波数の可変周波数範囲(最小周波数がf1、中心周波数
f2、最大周波数f3)において、全周波数領域におい
て、高いインピーダンスで、且つ均一化する。即ち、電
圧制御発振回路の可変周波数領域で、インピーダンスを
均一化するため、インピーダンス制御回路23での高周
波信号の反射係数が、可変周波数帯域で均一化する。こ
のため、反射係数に直接関係する電圧制御発振回路のC
/N特性が、電圧制御発振回路の全周波数帯域で非常に
安定化することになる。
In the present invention, the impedance control circuit section 23 is disposed between the bias resistor R3 and the ground potential, and includes a series circuit section in which the inductance element L3 and the capacitor C7 are connected, And an inductance element L2 in a parallel relationship. Therefore, in this impedance control circuit 23, L
In the parallel circuit of L2 and the series resonance circuit composed of 3 and C7, by adjusting the respective resonance frequencies,
FIG. 3 shows the impedance characteristic of the impedance control circuit 23. That is, in the variable frequency range of the oscillation frequency of the voltage controlled oscillation circuit (the minimum frequency is f1, the center frequency f2, and the maximum frequency f3), high impedance and uniformity are achieved in all frequency regions. That is, in order to make the impedance uniform in the variable frequency region of the voltage controlled oscillation circuit, the reflection coefficient of the high frequency signal in the impedance control circuit 23 is made uniform in the variable frequency band. For this reason, C of the voltage controlled oscillator directly related to the reflection coefficient
The / N characteristic is extremely stabilized in the entire frequency band of the voltage controlled oscillation circuit.

【0027】尚、図2に示す従来のようのようにバイア
ス抵抗R3に、単に、インダクタンス素子L2とコンデ
ンサC7との並列共振回路では、図4に示すように、こ
の共振回路の共振周波数でインピーダンスが最大とな
る。即ち、電圧制御発振回路の周波数帯域で、例えば中
心周波数F2と、最小周波数f1、最大周波数f3とで
インピーダンスが相違し、均一性が得られない。このた
め、発振周波数によって、並列共振回路13での高周波
信号の反射係数が変動してしまうため、これにより、C
/N特性が不安となり、発振周波数によって発振出力が
不安定となってしまう。
As shown in FIG. 2, in a conventional parallel resonance circuit including an inductance element L2 and a capacitor C7, a bias resistor R3 is used, as in the prior art shown in FIG. Is the largest. That is, in the frequency band of the voltage controlled oscillation circuit, for example, the impedance differs between the center frequency F2 and the minimum frequency f1 and the maximum frequency f3, so that uniformity cannot be obtained. Therefore, the reflection coefficient of the high-frequency signal in the parallel resonance circuit 13 varies depending on the oscillation frequency.
The / N characteristic becomes unstable and the oscillation output becomes unstable depending on the oscillation frequency.

【0028】[0028]

【実施例】本発明者は、バイアス抵抗R3とグランド電
位に接続する本発明のインピーダンス制御回路23と、
従来の並列共振回路13との構成について、以下のよう
に設定した。例えば、従来の並列共振回路13で、ある
電気長を持ったインダクタンスL2と、コンデンサC7
の値を1.5pFに設定し、共振周波数を3600MH
zとした。この時、実施のインピーダンス特性として、
電圧制御発振回路の発振周波数の可変周波数範囲で最小
周波数f1が3300MHzで、インピーダンス150
Ω、中心周波数f2が3600MHzで、インピーダン
ス1400Ω、最大周波数f3が3900MHzで、イ
ンピーダンス140Ωであった。これに対して、例え
ば、本発明に示すインピーダンス制御回路23で、互い
に電気長の異なるストリップラインL2・L3に対し
て、コンデンサC7の値を0.5pFに設定し、共振周
波数を3600MHzとした。この時、実施のインピー
ダンス特性として、電圧制御発振回路の発振周波数の可
変周波数範囲で最小周波数f1が3300MHzで、イ
ンピーダンス370Ω、中心周波数f2が3600MH
zで、インピーダンス520Ω、最大周波数f3が39
00MHzで、インピーダンス360Ωであった。即
ち、本発明では、電圧制御発振回路の発振周波数の可変
周波数帯域で、安定した特性インピーダンスが得られ
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The inventor of the present invention has an impedance control circuit 23 of the present invention connected to a bias resistor R3 and a ground potential;
The configuration with the conventional parallel resonance circuit 13 was set as follows. For example, in the conventional parallel resonance circuit 13, an inductance L2 having a certain electrical length and a capacitor C7
Is set to 1.5 pF, and the resonance frequency is set to 3600 MHz.
z. At this time, as the impedance characteristics of the implementation,
In the variable frequency range of the oscillation frequency of the voltage controlled oscillation circuit, the minimum frequency f1 is 3300 MHz and the impedance is 150
Ω, the center frequency f2 was 3600 MHz, the impedance was 1400 Ω, the maximum frequency f3 was 3900 MHz, and the impedance was 140 Ω. On the other hand, for example, in the impedance control circuit 23 according to the present invention, the value of the capacitor C7 is set to 0.5 pF for the strip lines L2 and L3 having different electric lengths, and the resonance frequency is set to 3600 MHz. At this time, as the implemented impedance characteristics, the minimum frequency f1 is 3300 MHz, the impedance is 370Ω, and the center frequency f2 is 3600 MHz in the variable frequency range of the oscillation frequency of the voltage controlled oscillation circuit.
z, the impedance is 520Ω, and the maximum frequency f3 is 39.
At 00 MHz, the impedance was 360Ω. That is, in the present invention, a stable characteristic impedance can be obtained in the variable frequency band of the oscillation frequency of the voltage controlled oscillation circuit.

【0029】尚、電圧制御発振回路の可変周波数帯域の
帯域幅によって、インピーダンス制御回路23の回路定
数を変更して、発振周波数の帯域で安定したインピーダ
ンスを得られるようにすればよい。例えば、インピーダ
ンス制御回路23の安定したインピーダンスを、低い周
波数側に全体をシフトさせるには、例えば、インダクタ
ンスL2の電気長を長くすればよい。また、高い周波数
側に全体をシフトさせるには、例えば、インダクタンス
L2の電気長を短くすればよい。また、均一化したイン
ピーダンスの帯域を広げるには、例えば、C7を小さく
し、インダクタンスL3の電気長を大きくすればよい。
The circuit constant of the impedance control circuit 23 may be changed according to the bandwidth of the variable frequency band of the voltage controlled oscillation circuit so that a stable impedance can be obtained in the oscillation frequency band. For example, to shift the entire stable impedance of the impedance control circuit 23 to the lower frequency side, for example, the electrical length of the inductance L2 may be increased. Further, in order to shift the whole to a higher frequency side, for example, the electrical length of the inductance L2 may be shortened. Further, in order to widen the band of the uniformized impedance, for example, C7 may be reduced and the electrical length of the inductance L3 may be increased.

【0030】本発明は、コルピッツ回路を用いた発振器
すべてに適用可能である。
The present invention is applicable to all oscillators using Colpitts circuits.

【0031】尚、本発明において、インダクタンスL
2、L3は、インダクタ成分をもつ素子を用いているこ
とができ、例えば、実際にはストリップラインやマイク
ロストリップラインやチップインダクタ素子等が適用可
能である。また、上述の電圧制御発振回路は、増幅回路
部Zの構成に係るものであるが、電圧制御発振回路を構
成する他の回路部、即ち、共振回路部Xの共振手段とし
て、コンデンサとストリップラインやマイクロストリッ
プを組み合わせたり、誘電体共振器を共振手段として用
いても構わない。また、負性抵抗回路部Yの構成は、種
々の目的に応じて変更しても構わない。
In the present invention, the inductance L
For 2, L3, an element having an inductor component can be used. For example, a strip line, a microstrip line, a chip inductor element, or the like can be actually used. Further, the above-described voltage-controlled oscillation circuit relates to the configuration of the amplifier circuit portion Z. However, as another resonance portion of the voltage-controlled oscillation circuit, that is, as a resonance means of the resonance circuit portion X, a capacitor and a strip line are used. Or a microstrip, or a dielectric resonator may be used as resonance means. Further, the configuration of the negative resistance circuit section Y may be changed according to various purposes.

【0032】[0032]

【発明の効果】本発明の電圧制御発振回路は、発振用ト
ランジスタの直流バイアスを規定するバイアス抵抗に、
インピーダンスを所望の発振周波数帯(f1〜f3間)
において均一化させることができるインピーダンス制御
回路が接続されている。従って、発振出力の全周波数帯
域で安定状態でインピーダンスを大きくとれ、発振回路
の正帰還量を均一に増大させることが可能となるため、
C/N特性の向上を得る。
According to the voltage controlled oscillation circuit of the present invention, the bias resistor for defining the DC bias of the oscillation transistor includes:
Set the impedance to the desired oscillation frequency band (between f1 and f3)
Is connected to an impedance control circuit that can make the impedance uniform. Therefore, the impedance can be increased in a stable state in the entire frequency band of the oscillation output, and the positive feedback amount of the oscillation circuit can be uniformly increased.
The C / N characteristics are improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の電圧制御発振回路の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of a voltage controlled oscillation circuit according to the present invention.

【図2】従来の電圧制御発振回路の回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional voltage controlled oscillation circuit.

【図3】本発明によるインピーダンス制御回路部でのイ
ンピーダンス特性を特性を示す特性図である。
FIG. 3 is a characteristic diagram showing impedance characteristics in an impedance control circuit unit according to the present invention.

【図4】従来の並列共振回路部でのインピーダンス特性
を特性を示す特性図である。
FIG. 4 is a characteristic diagram showing characteristics of impedance characteristics in a conventional parallel resonance circuit unit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

X・・共振回路部 Y・・負性抵抗回路部 Z・・増幅回路部 Q1・・発振用トランジスタ Q2・・増幅用トランジスタ L2・・インダクタンス素子 L3・・インダクタンス素子 C7・・コンデンサ X: Resonant circuit section Y: Negative resistance circuit section Z: Amplifying circuit section Q1: Oscillating transistor Q2: Amplifying transistor L2: Inductance element L3: Inductance element C7: Capacitor

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 共振手段と、該共振手段と並列接続され
る可変容量ダイオードとを含む共振回路部と、 前記共振回路部と接続し、該共振回路部の共振周波数に
基づいて発振条件を整え、且つ発振信号を出力する発振
用トランジスタを含む負性抵抗回路部と、 前記負性抵抗回路部に接続し、前記発振信号を増幅する
増幅用トランジスタと、該増幅用トランジスタ、前記発
振用トランジスタに直流バイアス電流を供給する電源電
圧端子を含む増幅回路部とから成る電圧制御発振回路に
おいて、 前記発振用トランジスタは、そのエミッタ部には直流バ
イアス電流を規定するバイアス抵抗を接続するととも
に、該バイアス抵抗と接地電位との間に、容量成分と第
1のインダクタンス成分との直列共振回路部と、該直列
共振回路部に並列接続された第2のインダクタンス成分
とから成るインピーダンス制御回路部を配置したことを
特徴とする電圧制御発振回路。
1. A resonance circuit unit including a resonance unit, a variable capacitance diode connected in parallel to the resonance unit, and a resonance circuit unit connected to the resonance circuit unit, wherein an oscillation condition is adjusted based on a resonance frequency of the resonance circuit unit. And a negative resistance circuit portion including an oscillation transistor that outputs an oscillation signal, an amplification transistor connected to the negative resistance circuit portion, and amplifying the oscillation signal, an amplification transistor, and the oscillation transistor. A voltage-controlled oscillation circuit comprising a power supply voltage terminal for supplying a DC bias current, and an amplification circuit including a power supply voltage terminal. Between the capacitor and the first inductance component, and a second resonance circuit connected in parallel to the series resonance circuit. A voltage-controlled oscillation circuit, comprising an impedance control circuit section comprising:
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