JPS643081B2 - - Google Patents

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JPS643081B2
JPS643081B2 JP10877183A JP10877183A JPS643081B2 JP S643081 B2 JPS643081 B2 JP S643081B2 JP 10877183 A JP10877183 A JP 10877183A JP 10877183 A JP10877183 A JP 10877183A JP S643081 B2 JPS643081 B2 JP S643081B2
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JP
Japan
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capacitance
voltage
switching diode
diode
tuning
Prior art date
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Application number
JP10877183A
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Japanese (ja)
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JPS601904A (en
Inventor
Yoshio Fukutome
Akira Usui
Kazuhiko Kubo
Hiroyuki Nagai
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPS601904A publication Critical patent/JPS601904A/en
Publication of JPS643081B2 publication Critical patent/JPS643081B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/18Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
    • H03B5/1841Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ヘテロダイン方式を使用したシステ
ムにおける広帯域の局部発振回路として、テレビ
ジヨンチユーナー回路SHF用ダウンコンバータ
ー回路に用いることのできる発振回路に関するも
のである。
[Detailed Description of the Invention] Industrial Application Field The present invention relates to an oscillation circuit that can be used in a down converter circuit for a television tuner circuit SHF as a broadband local oscillation circuit in a system using a heterodyne system. .

従来例の構成とその問題点 分布定数回路における線路インピーダンスZin
は、特性インピーダンスZo、線路の終端インピ
ーダンスZR、線路長をlとすれば Zin=ZoZR+jZo・tanβl/Zo+jZR・tanβl ……(1) となる。但し、 β=2π/λ(λ:波長) ……(2) (1)式においてZR=0としたときに Zin=jZotanβl ……(3) となり、これをZoで規格した特性は、第1図の
ようになり、0からλ/4の間で誘導性、λ/4から λ/2の間で容量性、……、のような変化をする。
Conventional configuration and its problems Line impedance Zin in distributed constant circuit
If the characteristic impedance Zo, the terminal impedance Z R of the line, and the line length are l, then Zin=ZoZ R +jZo·tanβl/Zo+jZ R ·tanβl (1). However, β=2π/λ (λ: wavelength) ...(2) When Z R = 0 in equation (1), Zin=jZotanβl ...(3) The characteristic normalized by Zo is As shown in Figure 1, it changes as inductive between 0 and λ/4, capacitive between λ/4 and λ/2, and so on.

この線路の0からλ/4の間を利用し、これに容 量を接続して共振回路を構成することができる。 Utilizing the range between 0 and λ/4 of this line, Quantities can be connected to form a resonant circuit.

従来、この共振回路を増幅器に接続して反射型
の発振器を構成したものがある。これは、第2図
に示すように、第1の外部直流電圧により容量を
可変できる同調ダイオード(以下バラクターダイ
オードと略す)D1と、この同調ダイオードの他
端に接続され第2の外部直流電圧により導通、非
導通を切り換えることのできるスイツチダイオー
ドD2と、このスイツチダイオードD2に並列に接
続された容量CfDの合成容量によつて共振容量を
構成した発振回路である。図中、ブロツクAは共
振部、ブロツクBは増幅部である。また、L1
共振線路を示す。C1,C2は結合用の大容量であ
る。
Conventionally, there is a reflection type oscillator constructed by connecting this resonant circuit to an amplifier. As shown in Figure 2, this consists of a tuning diode (hereinafter referred to as varactor diode) D1 whose capacity can be varied by a first external DC voltage, and a second external DC voltage connected to the other end of this tuning diode. This is an oscillation circuit in which a resonant capacitor is formed by the combined capacitance of a switch diode D 2 that can be switched between conduction and non-conduction depending on a voltage, and a capacitor Cf D connected in parallel to this switch diode D 2. In the figure, block A is a resonant section, and block B is an amplification section. Moreover, L 1 indicates a resonant line. C 1 and C 2 are large capacitors for coupling.

共振は、線路L1とバラクターダイオードD1
容量CD1と回路の浮遊容量Cf及びスイツチングダ
イオードD2の容量CD2、スイツチングダイオード
D2に並列に接続された容量CfDの合成容量からな
る回路で構成される。この合成容量をCoとすれ
ば、共振点において、 1/ωoCo=Zotanβl ……(4) の関係があり、第2図の回路はこのωoで発振す
る。
The resonance is caused by the capacitance C D1 of the line L 1 and the varactor diode D 1 , the stray capacitance Cf of the circuit, the capacitance C D2 of the switching diode D 2 , and the switching diode
It consists of a circuit consisting of a composite capacitor of capacitance Cf D connected in parallel with D 2 . If this combined capacitance is Co, then at the resonance point there is the following relationship: 1/ωoCo=Zotanβl (4), and the circuit shown in Figure 2 oscillates at this ωo.

共振部ブロツクAは増幅器ブロツクBと結合容
量C1で接続され、高抵抗R1を通して同調電圧BT
が加えられている。結合容量C1と高抵抗R1の交
点には、バラクターダイオードD1のカソードが
接続され、バラクターダイオードD1のアノード
には共振線路L1が接続され、共振線路L1の一部
は高抵抗R2を通して接地される。共振線路L1
結合容量C2を通してスイツチングダイオードD2
に接続される。結合容量C2とスイツチングダイ
オードD2の交点は等価的にスイツチングダイオ
ードD2に並列接続される浮遊容量あるいはこの
浮遊容量に略等しい十分小さな容量のコンデンサ
と、非導通時に生ずる発生する逆バイアス容量
CfDにより接地される。また結合容量C2とスイツ
チングダイオードD2の交点には高抵抗R3を通し
てスイツチ電圧BSが与えられる。
The resonant block A is connected to the amplifier block B through a coupling capacitance C1 , and the tuning voltage BT is applied through a high resistance R1 .
has been added. The cathode of a varactor diode D 1 is connected to the intersection of the coupling capacitance C 1 and the high resistance R 1 , the resonant line L 1 is connected to the anode of the varactor diode D 1 , and a part of the resonant line L 1 Grounded through high resistance R2 . Resonant line L 1 passes through coupling capacitance C 2 to switching diode D 2
connected to. The intersection of the coupling capacitance C 2 and the switching diode D 2 is equivalent to the stray capacitance connected in parallel to the switching diode D 2 or a sufficiently small capacitor approximately equal to this stray capacitance, and the reverse bias that occurs when non-conducting. capacity
Grounded by Cf D. Further, a switch voltage B S is applied to the intersection of the coupling capacitance C 2 and the switching diode D 2 through a high resistance R 3 .

本共振部Aにおいて、スイツチングダイオード
D2が導通したときには、共振回路は結合容量C2
を通して直接接地された形となり、容量CfDの影
響はほとんどない。故に、共振容量はバラクター
ダイオードD1の同調容量CD1と結合容量C1,C2
増幅器ブロツクBを含めた浮遊容量Cfとの和に
なるが、結合容量C1,C2は同調容量CD1に対して
大きな値を用いるため実質上の合成容量Coは Co≒CD1+Cf ……(5) となる。
In this resonant part A, a switching diode
When D 2 conducts, the resonant circuit has a coupling capacitance C 2
The capacitance Cf D has almost no effect. Therefore, the resonant capacitance is the sum of the tuning capacitance C D1 of the varactor diode D 1 , the coupling capacitances C 1 and C 2 , and the stray capacitance Cf including the amplifier block B, but the coupling capacitances C 1 and C 2 are the tuning capacitance. Since a large value is used for C D1 , the effective combined capacitance Co becomes Co≈C D1 + Cf (5).

ところで、スイツチングダイオードD2が非導
通になると、スイツチングダイオードD2は容量
CfDを通して接地されるが、容量CfDは結合容量
C1,C2に対して極めて小さいため無視できず、 Co≒1/1/CD1+1/CfD+Cf ……(6) ≒CfD・CD1/CfD+CD1+Cf となる。
By the way, when the switching diode D2 becomes non-conductive, the switching diode D2 has a capacitance.
It is grounded through Cf D , but the capacitance Cf D is the coupling capacitance
Since it is extremely small compared to C 1 and C 2 , it cannot be ignored, and Co≒1/1/C D1 +1/Cf D +Cf (6) ≒Cf D・C D1 /Cf D +C D1 +Cf.

ここでCfD=1PF、Cf=0.5PF CD1=0.7PF〜6PFにすれば、 (5)式の合成容量Coの可変範囲は、1.2PF〜6.5PF
となり、共振線路L1をインピーダンス50Ω、線
路長14.2mmとすると周波数可変範囲は900MHz〜
1750MHzとなる。
Here, if Cf D = 1PF, Cf = 0.5PF C D1 = 0.7PF to 6PF, the variable range of the composite capacitance Co in equation (5) is 1.2PF to 6.5PF.
So, if the resonant line L1 has an impedance of 50Ω and a line length of 14.2mm, the frequency variable range is 900MHz ~
It becomes 1750MHz.

(6)式の場合は合成容量Coの変化は0.91PF〜
1.35PFになり、1700MHz〜1900MHzの周波数可
変範囲を得ることができる。
In the case of equation (6), the change in composite capacitance Co is 0.91PF~
It becomes 1.35PF and can obtain a frequency variable range of 1700MHz to 1900MHz.

従つて、第2図のスイツチ電圧BSによりスイ
ツチングダイオードD2を導通、非導通すること
によつて、900MHz〜1900MHzまでの周波数可変
範囲を得ようとするものであるが、BS端子に加
える正負の切換え電圧が必要であるという不便が
ある。
Therefore, by making the switching diode D2 conductive and non-conductive using the switch voltage B S shown in Fig. 2, a frequency variable range from 900MHz to 1900MHz is attempted to be obtained . There is the inconvenience that an applied positive/negative switching voltage is required.

発明の目的 本発明は、かかる従来の欠点を解消するもの
で、単一電源で使用でき、しかも同調電圧と連動
して切り換えることができる発振回路を提供する
ものである。
OBJECTS OF THE INVENTION The present invention eliminates the drawbacks of the prior art and provides an oscillation circuit that can be used with a single power supply and can be switched in conjunction with a tuning voltage.

発明の構成 本発明においては、第1の外部直流電位により
容量を可変できる同調ダイオードと、共振線路
と、基準電圧となる第2の外部直流電圧がアノー
ドに加えられるスイツチングダイオードを直列に
接続して、増幅回路を構成するトランジスタのベ
ースあるいはコレクタに接続し、このスイツチン
グダイオードに並列に容量を接続するとともに、
上記の同調ダイオードに加えている第1の外部直
流電圧をスイツチングダイオードのカソードに加
え、同調ダイオード、共振線路、スイツチングダ
イオードからなる直列回路の一端を交流的に接地
することにより、スイツチングダイオードの切り
換えを同調ダイオードに加えている第1の外部直
流電圧と連動して行うようにしたものであり、切
り換えを必要であつた正負の2電源を単一電源で
行なえるものである。
Structure of the Invention In the present invention, a tuning diode whose capacitance can be varied by a first external DC potential, a resonant line, and a switching diode whose anode is applied with a second external DC voltage serving as a reference voltage are connected in series. and connect it to the base or collector of the transistor that constitutes the amplifier circuit, and connect a capacitor in parallel to this switching diode,
By applying the first external DC voltage applied to the above tuning diode to the cathode of the switching diode, and grounding one end of the series circuit consisting of the tuning diode, the resonant line, and the switching diode in an alternating current manner, the switching diode The switching is performed in conjunction with the first external DC voltage applied to the tuning diode, and the two power supplies, positive and negative, which required switching, can be performed with a single power supply.

実施例の説明 以下、本発明の一実施例の発振回路について第
2,3図図面を参照して説明する。
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS An oscillation circuit according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 2 and 3.

第3図はその発振回路の構成を示すものであ
り、第3図において、ブロツクCは共振部、ブロ
ツクDは増幅部である。共振部ブロツクCは増幅
器ブロツクDと結合容量C1で接続され、高抵抗
R1を通して第1の外部直流電位である同調電圧
BTが加えられている。結合容量C1と高抵抗R1
交点には同調ダイオードD1のカソードが接続さ
れ、アノードには共振線路L1が接続され、共振
線路L1の一部は高抵抗R2を通して接地される。
共振線路L1は結合容量C2を通してスイツチング
ダイオードD2のアノードに接続される。結合容
量C2とスイツチングダイオードD2の交点には特
定の容量CfDの一端が接続され、CfDの他端はスイ
ツチングダイオードD2の他端カソードに接続さ
れる。また結合容量C2とスイツチングダイオー
ドD2の交点には、高抵抗R3を通して基準電圧と
なる第2の外部直流電圧BSが与えられる。スイ
ツチングダイオードD2の他端(カソード)は結
合容量C8によつて接地されている。また、スイ
ツチングダイオードD2と結合容量C8の交点には
高抵抗R7を通して、同調電圧BTあるいはこれを
高抵抗R7と抵抗R8にて分割した電圧VBが与えら
れる。本共振部Cにおいて、基準電圧BSとして
VSなる値の電圧を与えておく。
FIG. 3 shows the configuration of the oscillation circuit. In FIG. 3, block C is a resonant section and block D is an amplification section. The resonant block C is connected to the amplifier block D through a coupling capacitance C1 , which has a high resistance.
The tuning voltage which is the first external DC potential through R1
BT has been added. The cathode of the tuning diode D 1 is connected to the intersection of the coupling capacitance C 1 and the high resistance R 1 , the resonant line L 1 is connected to the anode, and a part of the resonant line L 1 is grounded through the high resistance R 2 .
Resonant line L 1 is connected to the anode of switching diode D 2 through coupling capacitance C 2 . One end of a specific capacitor Cf D is connected to the intersection of the coupling capacitor C 2 and the switching diode D 2 , and the other end of Cf D is connected to the cathode of the other end of the switching diode D 2 . Further, a second external DC voltage B S serving as a reference voltage is applied to the intersection of the coupling capacitance C 2 and the switching diode D 2 through a high resistance R 3 . The other end (cathode) of the switching diode D2 is grounded through a coupling capacitor C8 . Further, a tuning voltage B T or a voltage V B obtained by dividing the tuning voltage B T by the high resistance R 7 and the resistance R 8 is applied to the intersection of the switching diode D 2 and the coupling capacitance C 8 through the high resistance R 7 . In this resonant part C, as the reference voltage B S
Apply a voltage of value V S.

同調電圧としてBTにV1<(VS)<V2なる値の
電圧を与えると、V1≦VB<VSの範囲ではスイツ
チングダイオードD2が導通し、共振体は結合容
量C2,C8を通して接地された形となり、容量CfD
の影響はほとんどない。故に、共振容量は同調ダ
イオードD1の同調容量CD1と結合容量C1,C2,C8
と増幅器ブロツクDを含めた浮遊容量Cfとの合
成になるが、結合容量C1,C2,C8は同調容量CD1
に対して大きな値を用いるため実質上の結合合成
容量Coは Co≒CD1+Cf となる。
When a voltage with a value of V 1 < (V S ) < V 2 is applied to BT as a tuning voltage, the switching diode D 2 becomes conductive in the range of V 1 ≦V B < VS , and the resonator has a coupling capacitance C 2 , C 8 , and the capacitance Cf D
has almost no effect. Therefore, the resonant capacitance is the tuning capacitance C D1 of the tuning diode D 1 and the coupling capacitance C 1 , C 2 , C 8
and the stray capacitance Cf including the amplifier block D, but the coupling capacitances C 1 , C 2 , C 8 are the tuning capacitance C D1
Since a large value is used for , the effective combined combined capacitance Co becomes Co≈C D1 +Cf.

ところで同調電圧BTが変化し、その分割電圧
VBがVS<VB≦V2の範囲となると、スイツチング
ダイオードD2は非導通となり、容量CfDは結合容
量C1,C2,C8に対して極めて小さいため無視で
きず、合成容量Coは、 Co≒1/1/CD1+1/CfD+Cf ≒CfD・CD1/CfD+CD1+Cf となる。
By the way, when the tuning voltage B T changes, its divided voltage
When V B falls within the range of V S <V B ≦V 2 , the switching diode D 2 becomes non-conductive, and the capacitance Cf D is extremely small compared to the coupling capacitances C 1 , C 2 , and C 8 and cannot be ignored. The composite capacitance Co is Co≒1/1/C D1 +1/Cf D +Cf ≒Cf D ·C D1 /Cf D +C D1 +Cf.

このように本構成を採用することにより、基準
電圧BSを単一電源で用いることができ、同調電
圧BTと連動で切り換えることができる。
By employing this configuration in this way, the reference voltage B S can be used with a single power supply and can be switched in conjunction with the tuning voltage B T.

なお、共振部ブロツクCにおいて、同調ダイオ
ードD1には同調電圧BTの逆バイアス電圧、スイ
ツチングダイオードD2にはバイアス基準電圧BS
と共に同調電圧BTが与えられている点が重要で
あり、ダイオードD1,D2の向きは特に問題では
ない。
In the resonant block C, the tuning diode D 1 has a reverse bias voltage of the tuning voltage B T , and the switching diode D 2 has a bias reference voltage B S
What is important is that the tuning voltage B T is also applied, and the orientation of the diodes D 1 and D 2 does not particularly matter.

ブロツクDは前述のように増幅部を示し、ブロ
ツクCからトランジスタQ1のベースに共振部が
接続され、トランジスタQ1のコレクタはC6の大
容量で接地してある。トランジスタQ1のコレク
タには抵抗R5を通してバイアスが与えられてい
るとともに、抵抗R4をベースに帰還し、ベース
電圧を与えている。なお、ベースバイアスについ
ては自己帰還型でなくてもよい。トランジスタ
Q1のエミツターコレクタ間の容量C5はエミツタ
とアース間の最路距離を交流的に接地するもの
で、容量C5により広帯域の発振の安定性を改善
している。また、C3,C4はそれぞれバイパス容
量、L2はハイパワーをとり出すためにチヨーク
コイルである。R6はエミツタ抵抗であり、容量
C7を通して発振出力をとり出すもので、電流約
38mA時に約10dBmのパワーをとり出すことがで
きる。なお発振出力のとり出し方には、種々の方
法があり、C6の容量を10PF程度にしてコレクタ
からとり出す方法や、共振線路にインダクタンス
結合あるいは容量結合によつてとり出す方法も可
能である。
Block D represents the amplification section as described above, and the resonant section is connected from block C to the base of transistor Q1 , and the collector of transistor Q1 is grounded through the large capacitance C6 . A bias is applied to the collector of the transistor Q 1 through a resistor R 5 and is fed back to the base through a resistor R 4 to provide a base voltage. Note that the base bias does not need to be of the self-feedback type. transistor
The capacitor C 5 between the emitter collector of Q 1 is used to ground the shortest path between the emitter and the ground in an alternating current manner, and the capacitor C 5 improves the stability of broadband oscillation. Further, C 3 and C 4 are bypass capacitors, respectively, and L 2 is a chiyoke coil to extract high power. R 6 is the emitter resistance and the capacitance
The oscillation output is taken out through C7 , and the current is approximately
Approximately 10dBm of power can be extracted at 38mA. There are various ways to take out the oscillation output; it is also possible to take out the oscillation output from the collector by setting the capacitance of C6 to about 10PF, or to take it out by inductance or capacitance coupling to the resonant line. .

電力の点を考えれば、エミツタからとり出すの
が最適である。なお、出力のとり出し方、あるい
は共振線路の設定個所については、多くの方法が
あるが、本発明は、その共振体部のスイツチング
ダイオードに可変電圧を与え、同調電圧によつて
導通、非導通の制御を自動的に行なつているとい
うこと、そして切り換えに単一電源を用いること
ができるということが重要なポイントである。な
お、図示する例ではトランジスタQ1のベースに
共振体部を接続しているが、このトランジスタを
ベース接地型又はエミツタ接地型構成にして、そ
のコレクタに共振体部を接続してもよく、同様の
作用、効果が得られるものである。
Considering the power consumption, it is best to take it out from the emitter. There are many ways to extract the output or set the resonant line, but in the present invention, a variable voltage is applied to the switching diode in the resonator section, and the tuning voltage turns the switching diode into conduction and non-conduction. The important points are that the conduction is controlled automatically and that a single power supply can be used for switching. In the illustrated example, the resonator section is connected to the base of the transistor Q1 , but this transistor may be configured as a base-grounded type or emitter-grounded type and the resonator section connected to its collector. The action and effect can be obtained.

なお、本実施例では特定の容量CfDを有するコ
ンデンサをスイツチングダイオードに並列に接続
する構成としているが、スイツチングダイオード
の浮遊容量、逆バイアス容量によつて前述の十分
小さな容量が得られる場合は、上記コンデンサ
CfDを省略して同等の作用効果を実現できる。
In this example, a capacitor with a specific capacitance C fD is connected in parallel to a switching diode, but if the above-mentioned sufficiently small capacitance can be obtained by the stray capacitance and reverse bias capacitance of the switching diode, is the above capacitor
The same effect can be achieved by omitting C fD .

発明の効果 このように本発明によれば、発振回路の周波数
の切り換えを単一電源によつて自動的に行なうこ
とができ、構成の簡易な回路を実現することがで
きる。
Effects of the Invention As described above, according to the present invention, the frequency of the oscillation circuit can be automatically switched using a single power supply, and a circuit with a simple configuration can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は片側終端λ/4線路のインピーダンス
を示す特性図、第2図は従来例の発振回路の回路
図、第3図は本発明の一実施例における発振回路
の回路図、第4図はスイツチングダイオードの逆
バイアス電圧と逆バイアス容量の関係を示した特
性図である。 C……共振部、D……増幅器、L1……共振線
路、D1……バラクター(同調)ダイオード、D2
……スイツチングダイオード、Q1……トランジ
スタ、BT……第1の外部直流電圧、BS……基準
電圧。
Fig. 1 is a characteristic diagram showing the impedance of a one-side terminated λ/4 line, Fig. 2 is a circuit diagram of a conventional oscillation circuit, Fig. 3 is a circuit diagram of an oscillation circuit according to an embodiment of the present invention, and Fig. 4 is a characteristic diagram showing the relationship between reverse bias voltage and reverse bias capacitance of a switching diode. C... Resonant section, D... Amplifier, L 1 ... Resonant line, D 1 ... Varactor (tuning) diode, D 2
...Switching diode, Q1 ...Transistor, B T ...First external DC voltage, B S ...Reference voltage.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 浮遊容量あるいは並列に接続された小容量の
コンデンサと非導通時に生じる逆バイアス容量を
有するスイツチングダイオードと、共振線路と第
1の外部直流電圧により容量を可変できる同調ダ
イオードとを交流的に直列に接続し、この直列回
路の一端を増幅用トランジスタのベースあるいは
コレクタに電気的に結合するとともに他端を交流
的に接地しうるように接続し、上記スイツチング
ダイオードのアノードには抵抗またはチヨークコ
イルを通して上記第1の外部直流電圧の変化範囲
内にある第2の基準電圧を加え、上記スイツチン
グダイオードのカソード側には第1の外部直流電
圧を抵抗またはチヨークコイルを通して加え、こ
の第1の外部直流電圧を変化させることにより、
上記スイツチングダイオードを自動的に導通また
は非導通にすることを特徴とする発振回路。
1 A switching diode with a reverse bias capacitance that occurs when non-conducting with a stray capacitance or a small capacitor connected in parallel, and a tuning diode whose capacitance can be varied by a resonant line and a first external DC voltage are connected in AC series. One end of this series circuit is electrically coupled to the base or collector of the amplification transistor, and the other end is connected to the AC ground, and a resistor or chiyoke coil is connected to the anode of the switching diode. A second reference voltage within the variation range of the first external DC voltage is applied, a first external DC voltage is applied to the cathode side of the switching diode through a resistor or a chiyoke coil, and the first external DC voltage is By changing the
An oscillation circuit characterized in that the above-mentioned switching diode is automatically made conductive or non-conductive.
JP10877183A 1983-06-16 1983-06-16 Oscillating circuit Granted JPS601904A (en)

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JPS601904A (en) 1985-01-08

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