JPS6038804A - 薄膜永久磁石 - Google Patents
薄膜永久磁石Info
- Publication number
- JPS6038804A JPS6038804A JP14638783A JP14638783A JPS6038804A JP S6038804 A JPS6038804 A JP S6038804A JP 14638783 A JP14638783 A JP 14638783A JP 14638783 A JP14638783 A JP 14638783A JP S6038804 A JPS6038804 A JP S6038804A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- alloy
- permanent magnet
- coercive force
- approximately
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/16—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing cobalt
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は高保磁力を有する薄膜磁性材料、特にCo−I
r台金からなる薄膜高保磁力材料もしくは薄膜永久磁
石に関する。
r台金からなる薄膜高保磁力材料もしくは薄膜永久磁
石に関する。
〔発明の背景J
磁気ディスク、磁気テープを用いた磁気記録技術は、年
々磁気記録密度が向上し、これに伴って磁気記録材料、
磁気記録方式、磁気記録システムの改良や改善が行なわ
れている。
々磁気記録密度が向上し、これに伴って磁気記録材料、
磁気記録方式、磁気記録システムの改良や改善が行なわ
れている。
磁気ディスク、磁気テープ等の磁気記録媒体ではrFe
2O3塗布型から鉄粉、斜の蒸着膜、スパッタrFe2
0s 、Co −P を薄膜、Co−Cr薄膜などが開
発されつつある。
2O3塗布型から鉄粉、斜の蒸着膜、スパッタrFe2
0s 、Co −P を薄膜、Co−Cr薄膜などが開
発されつつある。
本発明は上記のような磁気記録媒体、薄膜磁性デバイス
用永久磁石fW脆の提供ならびにその容易な製造方法の
提供を目的とする。
用永久磁石fW脆の提供ならびにその容易な製造方法の
提供を目的とする。
本発明の薄膜永久磁石は7.5〜25%の1rを含むC
0−4r合金からなるものである。■rが上記範囲外に
なると薄膜の保磁力が低下して好ましくない。Co−1
r合金HAへの製造にはスパッタリング法が最も適して
おシ、通當の真空A着法では薄膜永久磁石としての!1
ヶ性が実現できない。
0−4r合金からなるものである。■rが上記範囲外に
なると薄膜の保磁力が低下して好ましくない。Co−1
r合金HAへの製造にはスパッタリング法が最も適して
おシ、通當の真空A着法では薄膜永久磁石としての!1
ヶ性が実現できない。
以下に本発明を実施例を参照して詳細に説明する。
実施例1
第1図に出力200W、スパッタガス(Ar)圧力5
X 10−”l’orr 、スパッタガス導入前の到達
真空度10−”L’orrの多作でスパッタリングによ
シガラス基板上に形成した■rをθ〜40q6含む膜厚
800人のco−1r合金薄膜の保磁力1を示す。第1
図の曲線1から明らかなように、純Coの保磁力は約3
00eと極めて低いが、5%Ir合金では約18006
,7.5%Ir合金では約3000e、10%Ir合金
では約4500”s15%■r合金では約55008と
なる。保磁力は15%Ir合金で最大値を示したのち、
Ir量の増加とともに減少し、25%Ir合金で約30
0Qe、40%Ir合金では純Coと同等あるいはそれ
以下の低い保磁力となる。一方、スパッタしたC O−
Ir合金薄膜の残留磁束密U〔は第1図の2で示すよう
にIr量の増加とともに、はぼ直線的に減少する。磁気
記録媒体や薄膜磁気デバイスに応用するためには、大兄
保磁力が3(lOQe。
X 10−”l’orr 、スパッタガス導入前の到達
真空度10−”L’orrの多作でスパッタリングによ
シガラス基板上に形成した■rをθ〜40q6含む膜厚
800人のco−1r合金薄膜の保磁力1を示す。第1
図の曲線1から明らかなように、純Coの保磁力は約3
00eと極めて低いが、5%Ir合金では約18006
,7.5%Ir合金では約3000e、10%Ir合金
では約4500”s15%■r合金では約55008と
なる。保磁力は15%Ir合金で最大値を示したのち、
Ir量の増加とともに減少し、25%Ir合金で約30
0Qe、40%Ir合金では純Coと同等あるいはそれ
以下の低い保磁力となる。一方、スパッタしたC O−
Ir合金薄膜の残留磁束密U〔は第1図の2で示すよう
にIr量の増加とともに、はぼ直線的に減少する。磁気
記録媒体や薄膜磁気デバイスに応用するためには、大兄
保磁力が3(lOQe。
残留磁束密度が2500G以上あれば十分でるる。
したがって、これらの薄膜永久磁石としての特性条件を
満足するco−Ir @−金の■r含翁景範囲は7.5
〜25ヂであシ、この縄成範囲のCo−Ir合金?(ケ
膜は永久磁石薄膜として実用化できる。
満足するco−Ir @−金の■r含翁景範囲は7.5
〜25ヂであシ、この縄成範囲のCo−Ir合金?(ケ
膜は永久磁石薄膜として実用化できる。
実施例2
出力を50〜400W、スパッタガス圧力を1〜10
X 10−’Torr、スパッタガス導入前の到達真空
度を5 X 1. O−7〜10−”l’orrとした
条件でガラス基板上にスパッタリングした1ノヘ厚80
0人のCo−Ir合金薄膜の磁気/l’を性も201図
で示したものと同様の値であった。
X 10−’Torr、スパッタガス導入前の到達真空
度を5 X 1. O−7〜10−”l’orrとした
条件でガラス基板上にスパッタリングした1ノヘ厚80
0人のCo−Ir合金薄膜の磁気/l’を性も201図
で示したものと同様の値であった。
実施例3
実施例1.2と同様の条件でガラス基板上にスパッタし
だ膜厚200〜2000人のco−Ir合金薄膜の磁気
特性は第1図で示したl特性と同様であった。
だ膜厚200〜2000人のco−Ir合金薄膜の磁気
特性は第1図で示したl特性と同様であった。
以上述べた実施例から明らかなように、7.5〜25チ
のlrを含むCo−1:r合金は磁気記録媒体、薄膜磁
気デバイス用の永久磁石薄膜夙として十分実用化できる
良好な磁気特性を有する。また、本発明のCo −I
r薄膜はスパッタリング法で極めて容易に形成できるの
がq+j徴である。
のlrを含むCo−1:r合金は磁気記録媒体、薄膜磁
気デバイス用の永久磁石薄膜夙として十分実用化できる
良好な磁気特性を有する。また、本発明のCo −I
r薄膜はスパッタリング法で極めて容易に形成できるの
がq+j徴である。
第1図はC0−1r合金系薄膜の保磁力と残留磁束密度
の工r含有報依存性を示すグシフである。 1・・・保磁力を示す曲線、2・・・残留磁束密度を示
す曲線。 第 7 口 Iy′/。
の工r含有報依存性を示すグシフである。 1・・・保磁力を示す曲線、2・・・残留磁束密度を示
す曲線。 第 7 口 Iy′/。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、irf:ffl子チで7.5〜25%含み、残余C
。 からなることを特徴とする薄膜永久磁石。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14638783A JPS6038804A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | 薄膜永久磁石 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14638783A JPS6038804A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | 薄膜永久磁石 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6038804A true JPS6038804A (ja) | 1985-02-28 |
Family
ID=15406548
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14638783A Pending JPS6038804A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | 薄膜永久磁石 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6038804A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008088519A (ja) * | 2006-10-03 | 2008-04-17 | Nisshin Kasei Kk | イリジウム・コバルト合金めっき液 |
-
1983
- 1983-08-12 JP JP14638783A patent/JPS6038804A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008088519A (ja) * | 2006-10-03 | 2008-04-17 | Nisshin Kasei Kk | イリジウム・コバルト合金めっき液 |
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