JPS6038795A - リフレツシユ制御回路 - Google Patents

リフレツシユ制御回路

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JPS6038795A
JPS6038795A JP58146869A JP14686983A JPS6038795A JP S6038795 A JPS6038795 A JP S6038795A JP 58146869 A JP58146869 A JP 58146869A JP 14686983 A JP14686983 A JP 14686983A JP S6038795 A JPS6038795 A JP S6038795A
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JP
Japan
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refresh
circuit
address
generation circuit
refresh address
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Application number
JP58146869A
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English (en)
Inventor
Kunio Ono
大野 邦夫
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、データ処理装置のダイナミックランダムアク
セスメモリ(Random Access Memor
y 以下、RAMという。)のリフレッシュ制御回路に
関する。
〔従来技術の説明〕
従来、情報処理装置の主記憶装置には、ダイナミックR
AMが使用されることが一般的である。
この種の記憶素子は、記憶セルが微小容量のコンデンサ
から構成されているので、時間の経過とともに、その容
量に蓄えられていた電荷が失われる。
すなわち、記憶内容が破壊されるため、定められた時間
内に電荷を再充電する必要がある。この動作をリフレッ
シュ動作と称しているが、この動作のための従来のリフ
レッシュ回路は、第1図に示すように構成されている。
第1図において、1はオツシレー°夕で32μe周期パ
ルスを発生する回路、2はリフレッシュアドレス制御回
路、3はリフレッシュアドレスカウンタ、4はロワアド
レスレジ5はコラムアドレスレジスタ(以下、OOLU
MNアドレスレジスタという。)、6はリフレッシュロ
ウアドレス切換回路(以下、リフレッシュROWアドレ
ス切換回路という。)、7はロウ−コラムアドレス切換
回路(以下、ROW −00LUMNアドレス切換回路
という。)、8はダイナミックRAMを示す。
第1図に示す例は64KWのチップMO8工Cを示すが
、他の容量の記憶素子でも同様である。また、ダイナミ
ックRAM8の動作については、特に説明しないが一般
に市販されているものであるとする。
オツシレータ1により発生された32μe周期のパ# 
スK ヨりリフレッシュアドレス制御回路2が起動され
、リフレッシュモード設定、通常の書込み、読出し動作
へのリフレッシュ割込信号発生が行われるとともに、リ
フレッシュアドレスカウンタ3に信号を出力し、リフレ
ッシュアドレスをカウントアツプする。リフレッシュア
ドレスは32μeごとに「+1」されリフレッシュアド
レスを発生する。リフレッシュアドレスは64KW//
fツブのダイナミックRAM8であるから8ビツトが必
要と力る。したがって、8ビツトのカウンタによシ構成
すレる。リフレッシュアドレスはリフレッシュROWア
ドレス切換回路6に送られ、ROWアドレスレジスタ4
の出力との切換選択が行われる。
リフレッシュ時には、リフレッシュアドレスが選択され
、通常動作時には、ROWアドレスが選択される。リフ
レッシュROWアドレス切換回路6により選択されたリ
フレッシュアドレスは、ROW −COLUMNアドレ
ス切換回路7に送られリフレッシュ時には、ROW −
COLUMNアドレス切換回路はROWアドレス側を選
択しているため、リフレッシュアドレスがダイナミック
RAM8に送られることKなる。
一般に1市販されているダイナミックRAMは、16ビ
ンのD工P (Dua:L工n Line Packa
ge )タイプのものでTTLレベルでインタフェース
されている。したがって、そのアドレス回路等の周辺回
路は、一般のTTLレベルの回路として構成されること
が多い。一方、最近のLSI化の進展にiり、記憶装置
の制御回路についてもLSI化は例外ではなく、カウン
タレジスタ等ゲート数の多いリフレッシュ回路も1.+
81化がなされている。その場合に1リフレッシュ回路
をLSI内に入れると、リフレッシュアドレス8本は、
ダイナミックRAMとその周辺回路がD工Pで構成され
ているので、LSIの外部に出力する必要があり、限ら
れたLSIの入出力ビンを8ピン使用することになる。
これではLSIの入出力ビンを他の信号に使用でき力く
なる。
〔発明の目的〕
本発明は、前記の問題点を解決し、リフレッシュ回路を
LSI内にとりこみ、かつ、入出力ビンの削減ができる
リフレッシュ制御回路を提供することを目的とする。
〔発明の特徴〕
本R明ハ、1)フレッシュアドレスをリフレッシュ周期
内に順次選択して時分割するためのりフレツシュアドレ
スビット選択回路と、前記リフレッシュアドレスビット
選択回路の選択信号を発生するアドレスビット選択信号
発生回路と、前記アドレスビット選択信号発生回路のタ
イミング信号を発生するタイミング発生回路と、前記リ
フレッシュアドレスビット選択回路により順次選択され
た結果直列データとなったリフレッシュアドレスデータ
を並列データに戻すためのシフトレジスタ回路と、前記
シフトレジスタ回路のシフトタイミング発生回路と、前
記シフトレジスタ回路の並列出力をリフレッシュ周期間
にわたり保持するためのアドレスレジスタ回路と、前記
アドレスレジスタ回路のタイミングを発生するセットタ
イミング発生回路とを備えたことを特徴とする。また、
前記リフレッシュアドレスビット選択回路、前記リフレ
ッシュタイミング発生回路、前記シフトタイミング発生
回路および前記セットタイミング発生回路を同一基板内
に収容しリフレッシュアドレスを直列変換した1ビツト
の出力をする集積回路から構成されたことを特徴とする
〔実施例による説明〕
次に、本発明について、図面を参照して詳細に説明する
。第2図は本発明一実施例リフレッシュ制御回路のブロ
ック構成図である。第2図において、第1図と同一の機
能の回路は同一の符号で示す。オツシレータ1の出力に
は、パスt、を介してリフレッシュタイミング発生回路
100が接続される。リフレッシュタイミング発生回路
loOの第一%32μ8周期のタイミング信号T1の出
力には、パスt、。を介してリフレッシュアドレス制御
回路2の一方の入力が接続される。リフレッシュタイミ
ング発生回路100の第二の4μ8周期のタイミング信
号T2の出力には、パスt++を介してリフレッシュア
ドレスビット選択信号発生回路101が接続される。第
三の4μe周期のタイミング信号T3の出力には、パス
t12を介してシフトレジスタ102が接続される。リ
フレッシュアドレス制御回路2の第一のリフレッシュ割
込信号の出力には、パスt20を介してリクエスト受付
制御回路103の一方の入力に接続される。リクエスト
受付制御回路103の他の入力には、パスt21を介し
てリクエストが入力される。リクエスト受付制御回路1
03の出力には、パスt22を介してリフレッシュアド
レス制御回路2の他の入力が接続される。リフレッシュ
アドレス制御回路2の第二のリフレッシュ動作を開始す
るための制御信号の出力が、パスt30を介して送出さ
れる。リフレッシュアドレス制御回路2の第三のカウン
トアツプ信号の出力には、パスt31を介してリフレッ
シュアドレスカウンタ3が接続される。リフレッシュア
ドレス制御回路2の第四のセット信号の出力には、パス
’52を介してリフレッシュアドレスレジスタ104が
接続される。
リフレッシュアドレスカウンタ3の出力には、パスt4
0− t47 ヲ介してリフレッシュアドレスビット選
択回路1.05が接続される。リフレッシュアドレスビ
ット選択信号発生回路101の出力には、パスt50 
”””52を介してリフレッシュアドレスビット選択回
路105が接続される。シフトレジスタ102の出力に
は、パスt70 ” t77を介してリフレッシュアド
レスレジスタ104が接続される。リフレッシュアドレ
スレジスタ104の出力には、パスt80〜t87を介
してリフレッシュROWアドレス切換回路6が接続され
る。またROWアドレスレジスタ4の出力には、パスt
90 ”” t97を介してリフレッシュROWアドレ
ス切換回路6が接続される。リフレッシュROWアドレ
ス切換回路6の出力には、パスLI On 〜tI 0
7を介してROW −001,UMNアドレス切換回路
7が接続される。また、OOLUMNアドレスレジスタ
5には、パスtI+。〜t、17を介してROW −0
0LUMNアドレス切換回路7が接続される。
ROW −00LUMNアドレス切換回路7の出力には
、パス’+20”” t127を介してダイナミックR
AM3が接続される。
このように構成されたダイナミックRAMのリフレッシ
ュ制御回路の動作について第2図および第6図を用いて
説明する。第5図は、本発明のリフレッシュ制御回路の
電気信号のタイムチャートである。第2図における、X
印で示す箇所の符号は電気信号波形を示す。オツシレー
タlから発生された1μ8周期の信号は、リフレッシュ
タイミング発生回路100に送られ、32μ6周期のタ
イミング4J号T4.4μB周期のタイミング信号T2
、T5を発生する。タイミング信号T2とタイミング信
号T、は1μ8の位相づれをもっている。パルス幅は1
μBとする。62μB周期のタイミング信号T、は、リ
フレッシュアドレス制御回路2に入力され、リフレッシ
ュ割込信号を発生する。リフレッシュ割込信号は、パス
t2Gを介してリクエスト受付制御回路103に入力さ
れ、通常動作のリクエスト信号(R’1lli Q ’
)とリフレッシュ割込信号との親会が制御され、リフレ
ッシュ割込信号が受付されると、リフレッシュアクセプ
ト信号がリクエスト受付制御回路103から出力され、
パスt22を介してリフレッシュ制御回路2に送られる
リフレッシュ制御回路2では、このリフレッシュアクセ
プト信号によりリフレッシュ動作を開始するための制御
信号をバス’50を介して出力する。
リフレツンユ割込動作と同じタイミングでリフレッシュ
アドレスカウンタ3のカクントアップ信号をパスL6.
を介してリフレッシュアドレスカウンタ3に送りアドレ
スのカシントアツプを行う。
リフレッシュアドレスカウンタ3の出力は、ここでは8
本の信号RAO〜RA7よりなる。 したがって、′リ
フレッシュアドレスは62μ日ごとに「+1jずつ更新
される。リフレッシュタイミング発生回路100から発
生されたタイミング信号T2は、バスt4.’r:介し
てリフレッシュアドレスビット選択信号発生回路101
に送られ、4μB周期で切換る3ビツトの出力信号CO
〜C2を発生する。そのタイムチャートを第3図に示す
。リフレッシュアドレスカウンタ3の出力信号RAO〜
RJ7は、バスt4o−t47ヲ介してリフレッシュア
ドレスビット選択回路105に送られる。リフレッシュ
アドレスビット選択信号発生回路101の出力信号CO
〜C2も同じくバスtso ’= t52を介してリフ
レッシュアドレスビット選択回路105の選択信号とし
て送うれ、リフレッシュアドレスの1ピツ)t−順次4
μBごとに選択する。
これKより、8ビツトの並列データは1ビツトの直列デ
ータに変換される。直列に変換されたリフレッシュアド
レスは、さらに、タイミング信号T3によりシフトレジ
スタ102に送られ、4μ日ごとに1ビツトずつシフト
インされ32μθ内にリフしツシュアドレスビットの全
ビットがシフトレジスタ102にシフトインされる。シ
フトレジスタ102はシフトインデータ入力と8ビツト
のパラレルアウトデータ出力を持つような構成であり、
その出力8ビツトは次のタイミング信号T、が送られて
くる、1にはリフレッシュアドレス8ビツトが出力され
ていることになる。
シフトレジスタ102の出力信号は、リフレッシュアド
レスレジスタ104に送られ、リフレッシュアドレス制
御回路2からパス’52を介して送られてくるセット信
号によりタイミング信号T、とほぼ同じタイミングにて
、リフレッシュアドレスレジスタ104にセットされる
。ROWアドレスレジスタ4、C!OLUMNアドレス
レジスタ5、IJフレッシュRoWアドレス切換回路6
、ROW −COLUMNアドレス切換回路7、ダイナ
ミックRAMgの各回路の動作については従来技術と同
じであり、特に変化するとζろはない。
第2図如おいて、一点鎖線で囲った部分についてLSI
化を計ったときに、リフレッシュアドレスを直列変換し
リフレッシュ周期内に直−並列変換することによって信
号ビンを削減することが可能となる。このLsI化に適
した回路構成とすることにより、リフレッシュアドレス
8ビツトが制御信号と会わせて3ビツト分に、すなわち
、バス1.2.1.、t6Gの3本に節約′でき、その
ための回路増はわずかである。また、リフレッシュの性
能等に関しては伺ら変るところがない。
〔発明の効果〕
本発明は、以上説明したように、リフレッシュアドレス
を直列データに一度変換し、さらに、再び並列データに
戻す回路を構成することにより、LSI化した場合の人
出方ビンの削減をはかることができる優れた効果がある
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のリフレッシュ制御回路のプロッり構成図
。 第2図は本発明一実施例リフレッシュ制御回路のブロッ
ク構成図。 第3図はそめ電気信号波形のタイミングチャート。 1・・・オツシレータ、2・・・リフレッシュアドレス
制御回路、3・・・リフレッシュアドレスカウンタ、4
・・・ROWアドレスレジスタ、5・・・COLUMN
アドレスレジスタ、6・・・リフレッシュROWアドレ
ス切換回路、7・・・RO’W、−COLUMNアドレ
ス切換回路、8・・・ダイナミックRAM%100・・
・リフレッシュタイミング発生回路、lOl・・・リフ
レッシュアドレスピット選択信号発生回路、102・・
・シフトレジスタ、103・・・リクエスト受付制御回
路、104・・・リフレッシュアドレスレジスタ、10
5・・・リフレッシュアドレスビット選択回路。 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 井 出 直 孝

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) リフレッシュを必要とするダイナミックランダ
    ムアクセスメモリを備えた情報処理装置のリフレッシュ
    制御回路において、 複数のリフレッシュアドレスをリフレッシュ周期内に順
    次選択するリフレッシュアドレスビット選択回路と、 前記リフレッシュアドレスビット選択回路の選択信号を
    発生するアドレスビット選択信号発生回路と、 前記アドレスビット選択信号発生回路のタイミング4g
    号を発生するリフレッシュタイミング発生回路と、 前記アドレスビット選択信号発生回路により順次選択さ
    れて直列データとなったリフレッシュアドレスデータを
    並列データに変換し並列出力を与えるシフトレジスタ回
    路と、 前記シフトレジスタ回路のタイミング信号を発生するシ
    フトタイミング発生回路と、 前記シフトレジスタ回路の並列出力をリフレッシュ周期
    間にわたり保持するアドレスレジスタ回路と、 前記アドレスレジスタ回路のタイミング(i号を発生す
    るセットタイミング発生回路と を備えたことを特徴とするリフレッシュ制御回路。
  2. (2) 前記リフレッシュアドレスビット選択回路、前
    記アドレスビット選択信号発生回路、前記リフレッシュ
    タイミング発生回路、前記シフトタイミング発生回路お
    よび前記セットタイミング発生回路が同一基板内に収容
    され、その基板の外部接続用のピンにはリフレッシュア
    ドレスが直列変換された信号が導かれた特許請求の範囲
    第1項記載のリフレッシュ制御回路。
JP58146869A 1983-08-11 1983-08-11 リフレツシユ制御回路 Pending JPS6038795A (ja)

Priority Applications (1)

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JP58146869A JPS6038795A (ja) 1983-08-11 1983-08-11 リフレツシユ制御回路

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JP58146869A JPS6038795A (ja) 1983-08-11 1983-08-11 リフレツシユ制御回路

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JPS6038795A true JPS6038795A (ja) 1985-02-28

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ID=15417403

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JP58146869A Pending JPS6038795A (ja) 1983-08-11 1983-08-11 リフレツシユ制御回路

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