JPS6038791B2 - イオン注入バブルデバイス用コ−ナ−パタ−ン - Google Patents
イオン注入バブルデバイス用コ−ナ−パタ−ンInfo
- Publication number
- JPS6038791B2 JPS6038791B2 JP57070204A JP7020482A JPS6038791B2 JP S6038791 B2 JPS6038791 B2 JP S6038791B2 JP 57070204 A JP57070204 A JP 57070204A JP 7020482 A JP7020482 A JP 7020482A JP S6038791 B2 JPS6038791 B2 JP S6038791B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble
- ion implantation
- pattern
- cusp
- corner pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
- G11C19/0816—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using a rotating or alternating coplanar magnetic field
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/22—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of impact or pressure on a printing material or impression-transfer material
- B41J2/23—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of impact or pressure on a printing material or impression-transfer material using print wires
- B41J2/235—Print head assemblies
- B41J2/25—Print wires
Description
【発明の詳細な説明】
‘１｝ 発明の技術分野
本発明はイオン注入法で作成される磁気バブルメモリデ
バイスのコーナーパターンに関するものである。
バイスのコーナーパターンに関するものである。
‘２１ 技術の背景
磁気バブルを利用して情報の箸積、論理演算等を行なう
磁気バブル利用装置は、不揮発性高記憶密度及び低消費
電力等種々の特徴をもち、さらには機械的要素を全く含
まない団体素子であることから非常に高い信頼性を有し
ている。
磁気バブル利用装置は、不揮発性高記憶密度及び低消費
電力等種々の特徴をもち、さらには機械的要素を全く含
まない団体素子であることから非常に高い信頼性を有し
ている。
このような磁気バブルメモリ装置にも最近の情報量の増
加、装置の４・型化要求などにより記憶密度の増加が求
められている。このため最近、バブル転送略をイオン注
入法により形成し記憶密度を高度化する方法が開発され
ている。この方法は第１図の平面図および第２図の断面
図に示す如くガドリニウム・ガリウム・ガーネット基板
１の上にバブル用結晶となる磁性ガーネットの薄膜２を
液相ェピタキシヤル成長させて形成し、この磁性薄膜２
に対しパターン３以外の部分４に水素，ネオン，ヘリウ
ム等のイオンを注入するのである。このようにパターン
３を形成した素子はイオンを注入された部分４の磁化容
易軸方向が矢印ａの如く面内方向と一致し、パターン部
分３の磁化容易軸方向は矢印ｂの如くもとのままの面内
方向と垂直である。従ってバブル５は回転磁界によって
パターン３の間緑に沿って矢印ｃの如く転送される。そ
してこのパターンは円形や六角形をその一部が重なるよ
うにして列状の並べた形状であり、従来のパーマロィパ
ターンの如くギャップを必要としないため寸法精度が緩
くとも良く、従ってパターンが小さくでき高密度化が実
現される。このイオン注入法によりパターンを形成した
磁性薄膜には第３図に示す如くストライプ・アウトされ
やすい藤が３方向（１），（０），（ｍ）に１２０ｏの
間隔をなして存在し、これら１２０ｏの間隔をなす磁化
容易軸に対し、連接ディスクパターン３がいずれの方向
に一列に並んでいるかによってスーパー・トラックｓと
パッド・トラックｂとグッド・トラックｇの３通りのバ
ブル移動通路ができる。
加、装置の４・型化要求などにより記憶密度の増加が求
められている。このため最近、バブル転送略をイオン注
入法により形成し記憶密度を高度化する方法が開発され
ている。この方法は第１図の平面図および第２図の断面
図に示す如くガドリニウム・ガリウム・ガーネット基板
１の上にバブル用結晶となる磁性ガーネットの薄膜２を
液相ェピタキシヤル成長させて形成し、この磁性薄膜２
に対しパターン３以外の部分４に水素，ネオン，ヘリウ
ム等のイオンを注入するのである。このようにパターン
３を形成した素子はイオンを注入された部分４の磁化容
易軸方向が矢印ａの如く面内方向と一致し、パターン部
分３の磁化容易軸方向は矢印ｂの如くもとのままの面内
方向と垂直である。従ってバブル５は回転磁界によって
パターン３の間緑に沿って矢印ｃの如く転送される。そ
してこのパターンは円形や六角形をその一部が重なるよ
うにして列状の並べた形状であり、従来のパーマロィパ
ターンの如くギャップを必要としないため寸法精度が緩
くとも良く、従ってパターンが小さくでき高密度化が実
現される。このイオン注入法によりパターンを形成した
磁性薄膜には第３図に示す如くストライプ・アウトされ
やすい藤が３方向（１），（０），（ｍ）に１２０ｏの
間隔をなして存在し、これら１２０ｏの間隔をなす磁化
容易軸に対し、連接ディスクパターン３がいずれの方向
に一列に並んでいるかによってスーパー・トラックｓと
パッド・トラックｂとグッド・トラックｇの３通りのバ
ブル移動通路ができる。
ここでスーパー・トラックｓとは磁性薄膜バブル結晶の
Ｋ，方向と転送路の進行方向とが第３図に示す関係であ
り、該転送路のバイアス・マージンが大きいと一般に言
われている転送路であり、バブルが転送され易い通路で
ある。
Ｋ，方向と転送路の進行方向とが第３図に示す関係であ
り、該転送路のバイアス・マージンが大きいと一般に言
われている転送路であり、バブルが転送され易い通路で
ある。
パッド・トラックｂは第３図に示す関係でバイアス・マ
ージンが最も４・さし、とされている転送路でバブルが
転送され難い通路である。グッド・トラックｇはバブル
転送については中間的動作マージンを有する通路である
。そして第３図に示す如くスーパー・トラックｓに対し
て反対側の通路はパッド・トラックｂとなる。また磁性
薄膜バブル結晶のＫ，方向の連接ディスクパターンの通
路はいずれの通路もグッド・トラックｇとなる。これら
は磁性薄膜バブル結晶の結晶磁気異方性に起因してバブ
ル転送の特異性が現われるためである。（３｝ 従来技
術と問題点 このようなイオン注入法を用いた磁気バブルデバィァス
において、バブル転送路をメジャー・マイナー構成とし
、そのマイナー・ループを１８００折り返してＵ字形に
した場合、パッド・トラック側にカプスを持つインサィ
ドコーナについては既に提案されているが、スパー・ト
ラック側にカスプを持つィンサィドコーナは実現されて
いない。
ージンが最も４・さし、とされている転送路でバブルが
転送され難い通路である。グッド・トラックｇはバブル
転送については中間的動作マージンを有する通路である
。そして第３図に示す如くスーパー・トラックｓに対し
て反対側の通路はパッド・トラックｂとなる。また磁性
薄膜バブル結晶のＫ，方向の連接ディスクパターンの通
路はいずれの通路もグッド・トラックｇとなる。これら
は磁性薄膜バブル結晶の結晶磁気異方性に起因してバブ
ル転送の特異性が現われるためである。（３｝ 従来技
術と問題点 このようなイオン注入法を用いた磁気バブルデバィァス
において、バブル転送路をメジャー・マイナー構成とし
、そのマイナー・ループを１８００折り返してＵ字形に
した場合、パッド・トラック側にカプスを持つインサィ
ドコーナについては既に提案されているが、スパー・ト
ラック側にカスプを持つィンサィドコーナは実現されて
いない。
従ってスーパー・トラック側のコーナも実現すれば、他
方でも折り返しが可能となり設計の自由度が増すため、
この実現が要求されている。｛４｝ 発明の目的 本発明は上記要求に基づいて、イオン注入バブルデバィ
アスのスーパー・トラック側にカスプを持つコーナーパ
ターンを提供することを目的とするものである。
方でも折り返しが可能となり設計の自由度が増すため、
この実現が要求されている。｛４｝ 発明の目的 本発明は上記要求に基づいて、イオン注入バブルデバィ
アスのスーパー・トラック側にカスプを持つコーナーパ
ターンを提供することを目的とするものである。
【６｝ 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、磁気バブル結晶にイ
オン注入法によってバブルの転送路を形成したイオン注
入バブルデバィアスにおけるバブルの転送路を１８００
折り返すコーナーパターンであって、磁気バブル結晶の
スーパー・トラックと同方向にカスプ部を持ち、該カス
プ部はバブルの進行方向に偏り、且つ該カスプ部の最も
窪んだところが隣りのビットのカスプに対して直線的に
見通せないように非イオン注入領域の山を持つことを特
徴とするイオン注入バブルデバイス用コーナーパターン
を提供することによって達成される。
オン注入法によってバブルの転送路を形成したイオン注
入バブルデバィアスにおけるバブルの転送路を１８００
折り返すコーナーパターンであって、磁気バブル結晶の
スーパー・トラックと同方向にカスプ部を持ち、該カス
プ部はバブルの進行方向に偏り、且つ該カスプ部の最も
窪んだところが隣りのビットのカスプに対して直線的に
見通せないように非イオン注入領域の山を持つことを特
徴とするイオン注入バブルデバイス用コーナーパターン
を提供することによって達成される。
‘６｝ 発明の実施例以下本発明実施例を図面によって
詳述する。
詳述する。
第４図は本発明によるイオン注入バブルデバイス用コー
ナーパターンを示す図であり、ａはカスプがバルブ進行
方向に対して垂直である場合、ｂはカスプがバブル進行
方向に傾いている場合をそれぞれ示している。同図にお
いて６はイオン注入によって形成されたバブル転送パタ
ーン（ハッチングを施した部分がイオン注入領域）、７
はカスプ、ｂ及びｅは非イオン注入領域に形成された山
をそれぞれ示している。
ナーパターンを示す図であり、ａはカスプがバルブ進行
方向に対して垂直である場合、ｂはカスプがバブル進行
方向に傾いている場合をそれぞれ示している。同図にお
いて６はイオン注入によって形成されたバブル転送パタ
ーン（ハッチングを施した部分がイオン注入領域）、７
はカスプ、ｂ及びｅは非イオン注入領域に形成された山
をそれぞれ示している。
ａ図に示すコーナーパターンはカスブ７の最も窪んだと
ころの辺ｃｄの２等分点ｈと、山ｂ，ｅ間の２等分点ｇ
とを結んだ線軌が矢印ｐで示すバブルの進行方向に対し
て垂直に形成されており、非イオン注入領域の山ｂ，ｅ
はカスプ７の最も窪んだところが隣りのビットのカスプ
９及び１０１こ対して直線的に見通せないように形成さ
れている。
ころの辺ｃｄの２等分点ｈと、山ｂ，ｅ間の２等分点ｇ
とを結んだ線軌が矢印ｐで示すバブルの進行方向に対し
て垂直に形成されており、非イオン注入領域の山ｂ，ｅ
はカスプ７の最も窪んだところが隣りのビットのカスプ
９及び１０１こ対して直線的に見通せないように形成さ
れている。
ｂ図に示すコーナーパターンはカスプ７の最も窪んだと
ころの辺ｃｄの２等分点と、山ｂ，ｃ間の２等分点ｇと
を結んだ線ｇｈが矢印ｐで示すバブルの進行方向に傾い
て形成されていることがａ図の場合と異なっており、他
はａ図と同様である。
ころの辺ｃｄの２等分点と、山ｂ，ｃ間の２等分点ｇと
を結んだ線ｇｈが矢印ｐで示すバブルの進行方向に傾い
て形成されていることがａ図の場合と異なっており、他
はａ図と同様である。
なおこの場合、線分述が１つのストライプ容易方向ＥＳ
から時計回りｌこ測ったカスプの偏り角度Ｑは非イオン
注入領域の山“ｂ’’が存在する範囲までを限度とする
。第５図は本発明によるコーナーパターンの転送マージ
ンのパターン形状依存性を示した図である。
から時計回りｌこ測ったカスプの偏り角度Ｑは非イオン
注入領域の山“ｂ’’が存在する範囲までを限度とする
。第５図は本発明によるコーナーパターンの転送マージ
ンのパターン形状依存性を示した図である。
同図において横軸には駆動磁界を、縦軸にはバイアス磁
界をとり、曲線ＡによりＱ＝００の場合（第４図ａのパ
ターン）、曲線ＢによりＱ＝１７０の場合をそれぞれ示
した。なお曲線Ｃ，Ｄは比較のために示したもので曲線
ＣはＱ＝８０、曲線ＤはＱ＝−１００で、Ｄはカスプが
バブルの進行方向に対し逆の方向に偏っている場合であ
る。第６図はマージン偏の角度Ｑ依存性を示した図であ
る。同図において横軸にはカスプの偏り角度びをとり、
縦軸にはマージン幅△日８をとって、その関係を曲線Ｅ
により示している。第５図及び第６図より本発明のコー
ナーパターンはカスプがバブルの進行方向に対し逆方向
に偏っている場合に比して転送マージンが広いことがわ
かる。
界をとり、曲線ＡによりＱ＝００の場合（第４図ａのパ
ターン）、曲線ＢによりＱ＝１７０の場合をそれぞれ示
した。なお曲線Ｃ，Ｄは比較のために示したもので曲線
ＣはＱ＝８０、曲線ＤはＱ＝−１００で、Ｄはカスプが
バブルの進行方向に対し逆の方向に偏っている場合であ
る。第６図はマージン偏の角度Ｑ依存性を示した図であ
る。同図において横軸にはカスプの偏り角度びをとり、
縦軸にはマージン幅△日８をとって、その関係を曲線Ｅ
により示している。第５図及び第６図より本発明のコー
ナーパターンはカスプがバブルの進行方向に対し逆方向
に偏っている場合に比して転送マージンが広いことがわ
かる。
｛７）発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明のイオン注入バブ
ルデバイス用コーナーパターンはスーパートラック側に
カスプをもつィンサイドコーナ−を実現したものであり
、イオン注入バブルデバイスの設計の自由度を増加し得
るといった効果大なるものである。
ルデバイス用コーナーパターンはスーパートラック側に
カスプをもつィンサイドコーナ−を実現したものであり
、イオン注入バブルデバイスの設計の自由度を増加し得
るといった効果大なるものである。
第１図はイオン注入法により形成される磁気バブルメモ
リ素子の平面図、第２図は第１図のロー０線における断
面図、第３図は磁性薄膜バブル結晶の結晶方向との関係
を説明するための図、第４図は本発明によるイオン注入
バブルデバイス用コーナーパターンを示す図、第５図は
転送マージンのパタ−ン形状依存性を示した特性図、第
６図はマージン幅の角度Ｑ依存性を示した特性図である
。 図面において、６は転送パターン、７はカスプ、ｂ及び
ｅは非イオン注入領域に形成された山をそれぞれ示す。 第１図第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
リ素子の平面図、第２図は第１図のロー０線における断
面図、第３図は磁性薄膜バブル結晶の結晶方向との関係
を説明するための図、第４図は本発明によるイオン注入
バブルデバイス用コーナーパターンを示す図、第５図は
転送マージンのパタ−ン形状依存性を示した特性図、第
６図はマージン幅の角度Ｑ依存性を示した特性図である
。 図面において、６は転送パターン、７はカスプ、ｂ及び
ｅは非イオン注入領域に形成された山をそれぞれ示す。 第１図第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- １ 磁気バブル結晶にイオン注入法によつてバブルの転
送路を形成したイオン注入バブルデバイスにおけるバブ
ル転送路を１８０°折り返すコーナーパターンであつて
、磁気バブル結晶のスーパー・トラツクと同方向にカプ
スを持ち、該カプス部はバブルの進行方向に偏り、且つ
該カプス部の最も窪んだところが隣りのビツトのカプス
に対して直線的に見通せないように非イオン注入領域の
山を持つことを特徴とするイオン注入バブルデバイス用
コーナーパターン。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57070204A JPS6038791B2 (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | イオン注入バブルデバイス用コ−ナ−パタ−ン |
| DE8383300919T DE3365054D1 (en) | 1982-02-22 | 1983-02-22 | Ion-implanted magnetic bubble memory device |
| EP83300919A EP0087910B1 (en) | 1982-02-22 | 1983-02-22 | Ion-implanted magnetic bubble memory device |
| US06/468,707 US4462087A (en) | 1982-02-22 | 1983-02-22 | Ion-implanted bubble device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57070204A JPS6038791B2 (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | イオン注入バブルデバイス用コ−ナ−パタ−ン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58188386A JPS58188386A (ja) | 1983-11-02 |
| JPS6038791B2 true JPS6038791B2 (ja) | 1985-09-03 |
Family
ID=13424753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57070204A Expired JPS6038791B2 (ja) | 1982-02-22 | 1982-04-28 | イオン注入バブルデバイス用コ−ナ−パタ−ン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6038791B2 (ja) |
-
1982
- 1982-04-28 JP JP57070204A patent/JPS6038791B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58188386A (ja) | 1983-11-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6038791B2 (ja) | イオン注入バブルデバイス用コ−ナ−パタ−ン | |
| JPS6295713A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS6040116B2 (ja) | イオン注入バブルデバイスにおける駆動パタ−ンのアウトサイドタ−ン形状 | |
| JP4027040B2 (ja) | メモリセル装置およびその製造方法 | |
| US4462087A (en) | Ion-implanted bubble device | |
| JPS635837B2 (ja) | ||
| JPS6330716B2 (ja) | ||
| JPS645395B2 (ja) | ||
| JPS6342353B2 (ja) | ||
| US4745578A (en) | Magnetic bubble memory device | |
| JPS58179985A (ja) | イオン注入バブルデバイス用転送パタ−ン | |
| JPS59162684A (ja) | イオン注入バブルデバイス | |
| JPS6038788B2 (ja) | イオン注入バブルデバイス | |
| JPS60151884A (ja) | コンテイギユアスデイスク型磁気バブル素子 | |
| JPS61144784A (ja) | 磁気デイスク装置 | |
| JPS6117066B2 (ja) | ||
| JPS6369091A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS5933692A (ja) | イオン注入バブルデバイスのマイナ−ル−プコ−ナ−形状 | |
| JPS6032195A (ja) | 磁気バブル装置 | |
| JPS6148191A (ja) | 磁気記憶素子 | |
| US4559617A (en) | Magnetic bubble memory device | |
| CA1238111A (en) | Magnetic bubble memory device | |
| JPS58218016A (ja) | 釦型磁気ヘツド | |
| JP2616906B2 (ja) | ブロッホラインメモリ | |
| JPS5846633Y2 (ja) | 可動コイル型ピックアップカ−トリッジの磁気回路 |