JPS6037A - 螺旋状に走行する電子ビ−ムを用いる高周波電子管装置 - Google Patents
螺旋状に走行する電子ビ−ムを用いる高周波電子管装置Info
- Publication number
- JPS6037A JPS6037A JP10592383A JP10592383A JPS6037A JP S6037 A JPS6037 A JP S6037A JP 10592383 A JP10592383 A JP 10592383A JP 10592383 A JP10592383 A JP 10592383A JP S6037 A JPS6037 A JP S6037A
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- JP
- Japan
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- electron beam
- magnetic flux
- flux density
- cavity
- high frequency
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J25/00—Transit-time tubes, e.g. klystrons, travelling-wave tubes, magnetrons
- H01J25/02—Tubes with electron stream modulated in velocity or density in a modulator zone and thereafter giving up energy in an inducing zone, the zones being associated with one or more resonators
- H01J25/025—Tubes with electron stream modulated in velocity or density in a modulator zone and thereafter giving up energy in an inducing zone, the zones being associated with one or more resonators with an electron stream following a helical path
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の１文術汁・ｇｆ）
本発明は、ンヤイロトロン、ベニ第１・ロン、ジャイロ
ベニオドロンなどのような、所定モードの円筒空胴内Ｖ
Ｃ軸方向の静磁界が与えられ、この円筒空胴内を螺旋状
に走行する′電子ビームと電磁界との相互結合させるこ
とにより電磁界の発振・増幅を行わしめる高周波電子管
装置の改良に関する。
ベニオドロンなどのような、所定モードの円筒空胴内Ｖ
Ｃ軸方向の静磁界が与えられ、この円筒空胴内を螺旋状
に走行する′電子ビームと電磁界との相互結合させるこ
とにより電磁界の発振・増幅を行わしめる高周波電子管
装置の改良に関する。
上述の電子管装置の動作においては、信号角周波数（ω
。）と、サイクロトロン角周波数（ωＣ）との間に、 ω０さｎ×ωＣ・・・・ （ａ） 式が成立している。ここで、ｎは整数。
。）と、サイクロトロン角周波数（ωＣ）との間に、 ω０さｎ×ωＣ・・・・ （ａ） 式が成立している。ここで、ｎは整数。
ところが、ω０は相対論効果により′電子質量が変化す
るため円筒空胴の入口付近では上ｄピＩａ）式ｆｆ：４
足する如く同期がとれていても、軸方向にビームの下流
に進むにつれて（ω。〕が犬きくなシ、同期ずれとなっ
てしまい、効率低下の一因となる。
るため円筒空胴の入口付近では上ｄピＩａ）式ｆｆ：４
足する如く同期がとれていても、軸方向にビームの下流
に進むにつれて（ω。〕が犬きくなシ、同期ずれとなっ
てしまい、効率低下の一因となる。
本発明は螺旋状に走行する電子ビームのサイクロドロア
角周波数（ωυと信号角周波数（ω０）との同期を円筒
空胴の軸方向の全領域で確実に碍で、高効率動作を得る
螺旋状に走行′電子ビームを用いる高周波電子管装置を
提供するものである。
角周波数（ωυと信号角周波数（ω０）との同期を円筒
空胴の軸方向の全領域で確実に碍で、高効率動作を得る
螺旋状に走行′電子ビームを用いる高周波電子管装置を
提供するものである。
本発明は円筒空胴内における軸上の軸方向磁束密度を、
途中から下流にかけて階段状又はテーパ状ＶＣ減少する
外布とし、これによってサイクロトロン角周波数（ω０
）と信号角周阪数（ω。）と全はぼ全領域で確実に同期
させ、効率の改善を得るものでちる。
途中から下流にかけて階段状又はテーパ状ＶＣ減少する
外布とし、これによってサイクロトロン角周波数（ω０
）と信号角周阪数（ω。）と全はぼ全領域で確実に同期
させ、効率の改善を得るものでちる。
すなわち、サイクロトロン角周波ｉａ（ω０）は、ω０
＝εＢ ・・・ （＋）） ε＝ ｅ ／ ｍ ・・・・ （ｃＪ で与えられること７Ｃ沿目し、Ｃの増加に対応して磁束
密度（Ｂ）を紙少させて同期間係を保持することができ
る。上式において、（ｅ）は電子の電荷、（ｍ）は電子
のり里励貿霊でわる。
＝εＢ ・・・ （＋）） ε＝ ｅ ／ ｍ ・・・・ （ｃＪ で与えられること７Ｃ沿目し、Ｃの増加に対応して磁束
密度（Ｂ）を紙少させて同期間係を保持することができ
る。上式において、（ｅ）は電子の電荷、（ｍ）は電子
のり里励貿霊でわる。
以下本発明の￥施例を図面を参照しながら説明する。な
お同一部外は同一符号であられす。
お同一部外は同一符号であられす。
第１図および第２図に示す実施例は、本発明をジャイロ
トロンレζ適用した例である。管本体αυは、中空状′
電子ビームを放出する′電子銃部（１つ、モード７ イ
ｉｖ タ一部（１■、円筒仝胴α力、コレクタ部側、お
よび高周波出力部α６）を有してなる。そして管本体の
まわシに電磁石（１７） 、 （Ｊ８）か配置され、管
本体の電子ビーム走行路に軸方向の靜磁界を与えるよう
になっている。
トロンレζ適用した例である。管本体αυは、中空状′
電子ビームを放出する′電子銃部（１つ、モード７ イ
ｉｖ タ一部（１■、円筒仝胴α力、コレクタ部側、お
よび高周波出力部α６）を有してなる。そして管本体の
まわシに電磁石（１７） 、 （Ｊ８）か配置され、管
本体の電子ビーム走行路に軸方向の靜磁界を与えるよう
になっている。
そこで、円筒空胴αり内における軸上の磁束密度を、第
２図に曲線（ＢＯ）で示すように空胴の入口（１４ａ）
から電子ビームの下流の出口（１４ｂ） ［かけて、途
中から階段状に減少する分布にしである。
２図に曲線（ＢＯ）で示すように空胴の入口（１４ａ）
から電子ビームの下流の出口（１４ｂ） ［かけて、途
中から階段状に減少する分布にしである。
これは電磁石αηを分割コイルで構成し各々のコイルに
流す電流値の設定、あるいはコイルの巻き方等により設
定できる。
流す電流値の設定、あるいはコイルの巻き方等により設
定できる。
−このような本発明の構成により、円筒空胴内において
よシ一層軸方向の長い距離にわたり電子ビームのサイク
ロトロン角周波数（ω。）と旨周波信号の角周波数（ω
０）との同期を維持させることができ、また螺旋状回転
半径も拡大するため、尚効率動作を得ることができる。
よシ一層軸方向の長い距離にわたり電子ビームのサイク
ロトロン角周波数（ω。）と旨周波信号の角周波数（ω
０）との同期を維持させることができ、また螺旋状回転
半径も拡大するため、尚効率動作を得ることができる。
円筒空胴内における軸上の磁束密度は、上記実施例に限
らず、第３図に示すようにテーバ状に徐々に減少する外
布（ＢＯ）としてもよい。
らず、第３図に示すようにテーバ状に徐々に減少する外
布（ＢＯ）としてもよい。
また第４図に示すように、磁束密度（ＢＯ）の減少にと
もなって空胴の内径をテーバ状（又は階段状）に拡大す
ることが有効である。同図において符号（１４ｃ）はテ
ーバ状の拡大部をあられしている。
もなって空胴の内径をテーバ状（又は階段状）に拡大す
ることが有効である。同図において符号（１４ｃ）はテ
ーバ状の拡大部をあられしている。
これによって、磁束密度が低減することによって螺旋状
電子ビームの平均軌道が途中から大きくなった場合でも
最適の関周波電磁界外布の位置に電子ビームを流すこと
ができるため、′延磁界との結合が弱ｌることがなく、
高効率が維持される。
電子ビームの平均軌道が途中から大きくなった場合でも
最適の関周波電磁界外布の位置に電子ビームを流すこと
ができるため、′延磁界との結合が弱ｌることがなく、
高効率が維持される。
本発明は空胴内に２ける軸上の軸方向磁束密度を途中か
ら低下する分布とすることによシ、′１子のサイクロト
ロン角周波数（ω。）と信号角周波数（ω０）と＊ＸＶ
一層軸方同軸方向距離にわたって同期させることができ
、ちるいはまた電子の回転半径が途中から大きくなり結
合が増加するため高い効率を得ることができる。
ら低下する分布とすることによシ、′１子のサイクロト
ロン角周波数（ω。）と信号角周波数（ω０）と＊ＸＶ
一層軸方同軸方向距離にわたって同期させることができ
、ちるいはまた電子の回転半径が途中から大きくなり結
合が増加するため高い効率を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す概略断面図、第２図は
その空胴部の磁束密度外布を示す図、第３図、第４図は
各々本発明の他の実施例を示す空胴部およびその磁束密
度外布を示す図である。 Ｉ・・管本体、 （１７） 、 （１，１・・電磁石、
（１４）・・円筒空胴、（Ｂｏ） ・・・磁束晶度外布
、（１４ｃ）・・テーバ状拡太部。
その空胴部の磁束密度外布を示す図、第３図、第４図は
各々本発明の他の実施例を示す空胴部およびその磁束密
度外布を示す図である。 Ｉ・・管本体、 （１７） 、 （１，１・・電磁石、
（１４）・・円筒空胴、（Ｂｏ） ・・・磁束晶度外布
、（１４ｃ）・・テーバ状拡太部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｏ，） ｑ軸方向の静磁界が力えられた円筒空胴内を螺
旋状に走行する′電子ビームを用いる高周波電子管装置
において、上記円筒仝胴内に２ける軸上の軸方向磁束密
度を空胴の途中から下流方向にわたって減少する外布に
設定してなる上記高周波電子管装置。 （２）円筒受胴は、下流方向にわたって内径寸法が増加
する形状を・町する特許請求の範囲第１項記ｉ戊の高ノ
〜波′−子・Ｕ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10592383A JPS6037A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 螺旋状に走行する電子ビ−ムを用いる高周波電子管装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10592383A JPS6037A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 螺旋状に走行する電子ビ−ムを用いる高周波電子管装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037A true JPS6037A (ja) | 1985-01-05 |
| JPH0232734B2 JPH0232734B2 (ja) | 1990-07-23 |
Family
ID=14420379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10592383A Granted JPS6037A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 螺旋状に走行する電子ビ−ムを用いる高周波電子管装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4988956A (en) * | 1988-10-31 | 1991-01-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Auto-resonant peniotron having amplifying waveguide section |
| US6887525B2 (en) | 2000-06-30 | 2005-05-03 | 3M Innovative Properties Company | Insulation material for use in high-frequency electronic parts |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58186138A (ja) * | 1982-04-26 | 1983-10-31 | Toshiba Corp | クライストロン装置 |
-
1983
- 1983-06-15 JP JP10592383A patent/JPS6037A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58186138A (ja) * | 1982-04-26 | 1983-10-31 | Toshiba Corp | クライストロン装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4988956A (en) * | 1988-10-31 | 1991-01-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Auto-resonant peniotron having amplifying waveguide section |
| US6887525B2 (en) | 2000-06-30 | 2005-05-03 | 3M Innovative Properties Company | Insulation material for use in high-frequency electronic parts |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0232734B2 (ja) | 1990-07-23 |
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