JP2529924B2 - 高周波粒子加速装置 - Google Patents
高周波粒子加速装置Info
- Publication number
- JP2529924B2 JP2529924B2 JP5077872A JP7787293A JP2529924B2 JP 2529924 B2 JP2529924 B2 JP 2529924B2 JP 5077872 A JP5077872 A JP 5077872A JP 7787293 A JP7787293 A JP 7787293A JP 2529924 B2 JP2529924 B2 JP 2529924B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cavity
- high frequency
- particle
- acceleration
- buncher
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Particle Accelerators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＶＨＦ帯およびＵＨＦ
帯等の高周波粒子加速装置に関するものである。
帯等の高周波粒子加速装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、放射線プロセッシングに用いられ
ている低、中エネルギーの電子加速器（５ＭｅＶ以下）
はすべて直流加速器である。
ている低、中エネルギーの電子加速器（５ＭｅＶ以下）
はすべて直流加速器である。
【０００３】従来より研究用に利用されてきた高周波線
形粒子（電子またはイオン）加速装置では、直流電圧で
引き出された荷電粒子を粒子加速空胴の最適の高周波加
速位相に合わせるため、高周波加速器と入射器との間に
バンチャー（粒子をバンチングする部所）を設置するよ
うにしていた。
形粒子（電子またはイオン）加速装置では、直流電圧で
引き出された荷電粒子を粒子加速空胴の最適の高周波加
速位相に合わせるため、高周波加速器と入射器との間に
バンチャー（粒子をバンチングする部所）を設置するよ
うにしていた。
【０００４】このような従来の高周波粒子加速装置にあ
っては、図５に示すように、入射器３０からの電子又は
イオンをバンチャー３１のバンチャー空胴及び高周波加
速器３２の高周波加速空胴を順次通過させて加速を行う
構成が採られている。この場合には、バンチャー３１及
び高周波加速器３２への高周波電力の供給は次のように
行うようにしている。すなわち、高周波信号発生器３３
の出力を高周波位相調整器３４ａ，３４ｂにてそれぞれ
位相を調整してから高周波増幅器（高周波振幅調整器）
３５ａ，３５ｂにてそれぞれ電力増幅し、この増幅され
た高周波電力をバンチャー３１及び高周波加速器３２に
それぞれ供給するようにしている。なお、これとは別
に、高周波加速器３２の高周波加速空胴よりピックアッ
プした高周波信号をバンチャー３１へ供給するように構
成する場合もある。
っては、図５に示すように、入射器３０からの電子又は
イオンをバンチャー３１のバンチャー空胴及び高周波加
速器３２の高周波加速空胴を順次通過させて加速を行う
構成が採られている。この場合には、バンチャー３１及
び高周波加速器３２への高周波電力の供給は次のように
行うようにしている。すなわち、高周波信号発生器３３
の出力を高周波位相調整器３４ａ，３４ｂにてそれぞれ
位相を調整してから高周波増幅器（高周波振幅調整器）
３５ａ，３５ｂにてそれぞれ電力増幅し、この増幅され
た高周波電力をバンチャー３１及び高周波加速器３２に
それぞれ供給するようにしている。なお、これとは別
に、高周波加速器３２の高周波加速空胴よりピックアッ
プした高周波信号をバンチャー３１へ供給するように構
成する場合もある。
【０００５】図６は上述の如き構成の高周波粒子加速装
置において加速粒子が時間的にどのような運動をするか
を示したものであり、同図において、横軸は時間（高周
波電圧位相角度）、縦軸は粒子の位置である。
置において加速粒子が時間的にどのような運動をするか
を示したものであり、同図において、横軸は時間（高周
波電圧位相角度）、縦軸は粒子の位置である。
【０００６】各時間にバンチャー３１を通過する電子
（またはイオン）はこのバンチャー３１で速度を変えら
れ、その後に一定速度で運動するので、時間が経つとと
もに図６において直線で示されるように運動する。バン
チャー３１の入口では電子が等間隔であるが、バンチャ
ー３１の入力電界に相応して速度が変化する。そのた
め、電子線が高周波加速空胴の入口に向けて走っていく
と、図６に示すように電子線に疎密が生じる。しかし
て、多くの電子線が高周波加速器３２内の加速ギャップ
の位置で高周波加速位相と同期するようにバンチャー電
圧と位相とが調整される。
（またはイオン）はこのバンチャー３１で速度を変えら
れ、その後に一定速度で運動するので、時間が経つとと
もに図６において直線で示されるように運動する。バン
チャー３１の入口では電子が等間隔であるが、バンチャ
ー３１の入力電界に相応して速度が変化する。そのた
め、電子線が高周波加速空胴の入口に向けて走っていく
と、図６に示すように電子線に疎密が生じる。しかし
て、多くの電子線が高周波加速器３２内の加速ギャップ
の位置で高周波加速位相と同期するようにバンチャー電
圧と位相とが調整される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述の如き従来の高周
波粒子加速装置は、この種の装置についての知識を充分
に持っている者にとっては非常に便利で極めて有用な装
置であるが、その知識があまり無い者が例えば産業用加
速器として利用する場合には操作が複雑であり、適切に
利用するのは困難である。
波粒子加速装置は、この種の装置についての知識を充分
に持っている者にとっては非常に便利で極めて有用な装
置であるが、その知識があまり無い者が例えば産業用加
速器として利用する場合には操作が複雑であり、適切に
利用するのは困難である。
【０００８】しかも、従来の高周波粒子加速装置には高
周波位相調整器３４ａ，３４ｂおよび高周波増幅器（高
周波振幅調整器）３５ａ，３５ｂが必要となり、装置と
して複雑になる。
周波位相調整器３４ａ，３４ｂおよび高周波増幅器（高
周波振幅調整器）３５ａ，３５ｂが必要となり、装置と
して複雑になる。
【０００９】さらに、バンチャー３１が高いＱ値を持つ
高周波加速空胴の場合には、バンチャー３１の共振周波
数、高周波位相、および高周波電圧の自動調整が必要と
なる。
高周波加速空胴の場合には、バンチャー３１の共振周波
数、高周波位相、および高周波電圧の自動調整が必要と
なる。
【００１０】本発明は、このような実状に鑑みてなされ
たものであって、その目的は、既述の高周波位相調整器
および高周波増幅器の如き回路を必要とせず極めて簡単
な構成でありながら、高周波電力を粒子加速空胴に供給
するのに応じてバンチャーにも加速空胴電圧位相と常に
同位相の高周波電力を自動的に供給することができ、従
って操作を非常に容易に行うことができるような高周波
粒子加速装置を提供することにある。
たものであって、その目的は、既述の高周波位相調整器
および高周波増幅器の如き回路を必要とせず極めて簡単
な構成でありながら、高周波電力を粒子加速空胴に供給
するのに応じてバンチャーにも加速空胴電圧位相と常に
同位相の高周波電力を自動的に供給することができ、従
って操作を非常に容易に行うことができるような高周波
粒子加速装置を提供することにある。
【００１１】上述の目的を達成するために、本発明で
は、ＴＭモードまたはＴＥＭモードの粒子加速空胴の内
部に、粒子線を高周波加速位相に同調させるためのバン
チャー空胴を配設すると共に、前記粒子加速空胴とバン
チャー空胴とを仕切る導体壁を、前記粒子加速空胴を形
成する外導体の一部分に対向配置することによりこれら
の間に容量結合部を設け、前記粒子加速空胴の高周波電
力が供給されるのに応じて前記容量結合部から容量分割
にて得られる高周波電力をバンチャー空胴励振用の高周
波電力としてバンチ用ギャップに供給することによっ
て、前記粒子加速空胴の加速ギャップに発生する高周波
電圧と同位相の高周波電圧を前記バンチ用ギャップに発
生させるように構成している。
は、ＴＭモードまたはＴＥＭモードの粒子加速空胴の内
部に、粒子線を高周波加速位相に同調させるためのバン
チャー空胴を配設すると共に、前記粒子加速空胴とバン
チャー空胴とを仕切る導体壁を、前記粒子加速空胴を形
成する外導体の一部分に対向配置することによりこれら
の間に容量結合部を設け、前記粒子加速空胴の高周波電
力が供給されるのに応じて前記容量結合部から容量分割
にて得られる高周波電力をバンチャー空胴励振用の高周
波電力としてバンチ用ギャップに供給することによっ
て、前記粒子加速空胴の加速ギャップに発生する高周波
電圧と同位相の高周波電圧を前記バンチ用ギャップに発
生させるように構成している。
【００１２】
【作用】粒子加速空胴に高周波電力を供給するのに応じ
て、この高周波電力は粒子加速空胴より容量分割にてバ
ンチ用ギャップにも自動的に供給されるため、そのバン
チ用ギャップに印加される高周波電圧の位相は粒子加速
空胴電圧の位相と常に同一（同位相）となる。
て、この高周波電力は粒子加速空胴より容量分割にてバ
ンチ用ギャップにも自動的に供給されるため、そのバン
チ用ギャップに印加される高周波電圧の位相は粒子加速
空胴電圧の位相と常に同一（同位相）となる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例について図１〜図４を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００１４】図１は本発明に係る高周波粒子加速装置１
の構造を示すものであって、同図において、２は外導
体、３はこの外導体２の内部に配設された内導体であ
る。上述の外導体２は、粒子加速空胴４を構成する本体
部２ａと、この本体部２ａに対してほぼ直角状に突出成
形された突設部２ｂとから成り、突設部２ｂには粒子線
の入口孔５が設けられ、本体部２ａにはこの入口孔５に
対応する出口孔６が設けられている。
の構造を示すものであって、同図において、２は外導
体、３はこの外導体２の内部に配設された内導体であ
る。上述の外導体２は、粒子加速空胴４を構成する本体
部２ａと、この本体部２ａに対してほぼ直角状に突出成
形された突設部２ｂとから成り、突設部２ｂには粒子線
の入口孔５が設けられ、本体部２ａにはこの入口孔５に
対応する出口孔６が設けられている。
【００１５】また、内導体３は、粒子線が入射される開
孔７を有する筒状のステム部８を備えており、このステ
ム部８の一端（前記開孔７とは反対側）には、前記ステ
ム部８の軸線と直交する平面上において放射方向に沿っ
て外側に延びる導体壁９が一体成形されている。
孔７を有する筒状のステム部８を備えており、このステ
ム部８の一端（前記開孔７とは反対側）には、前記ステ
ム部８の軸線と直交する平面上において放射方向に沿っ
て外側に延びる導体壁９が一体成形されている。
【００１６】そして、内導体３のステム部８が外導体２
の突設部２ｂ内に同軸上に収納配置され、前記入口孔
５、開孔７及び出口孔６が直列に配置されている。さら
に、内導体３の導体壁９が外導体２の本体部２ａの一部
分、すなわち、外導体２の突設部２ｂに連設された本体
部２ａの付け根部分１０に対して僅かな間隔を隔ててほ
ぼ平行に対向配置され、これにより、前記外導体２と導
体壁９とで結合容量部１１（結合容量Ｃ）が構成されて
いる。
の突設部２ｂ内に同軸上に収納配置され、前記入口孔
５、開孔７及び出口孔６が直列に配置されている。さら
に、内導体３の導体壁９が外導体２の本体部２ａの一部
分、すなわち、外導体２の突設部２ｂに連設された本体
部２ａの付け根部分１０に対して僅かな間隔を隔ててほ
ぼ平行に対向配置され、これにより、前記外導体２と導
体壁９とで結合容量部１１（結合容量Ｃ）が構成されて
いる。
【００１７】かくして、外導体２及び内導体３にてバン
チャー１２が構成されると共に、外導体２内の空胴は前
記導体壁９により本体部２ａの側の粒子加速空胴４と突
設部２ｂの側のバンチャー空胴１３とに仕切られてい
る。そして、内導体３のステム部８の先端と外導体２の
突設部２ｂとの間にバンチ用ギャップ１４が形成されて
いる。
チャー１２が構成されると共に、外導体２内の空胴は前
記導体壁９により本体部２ａの側の粒子加速空胴４と突
設部２ｂの側のバンチャー空胴１３とに仕切られてい
る。そして、内導体３のステム部８の先端と外導体２の
突設部２ｂとの間にバンチ用ギャップ１４が形成されて
いる。
【００１８】なお、本例の場合、粒子加速空胴４の形は
どのようなものであっても良いが、高周波励振モードは
ＴＭモードか、またはＴＥＭモードである。
どのようなものであっても良いが、高周波励振モードは
ＴＭモードか、またはＴＥＭモードである。
【００１９】このような構成の高周波粒子加速装置１に
あっては、粒子加速空胴４内に例えばＴＭ０１０の高周
波電場が発生している場合、その電気力線は図１におい
て点線で示すようになり、その高周波電流は粒子加速空
胴４の内壁面を実線の矢印Ａで示す方向に沿って流れ
る。
あっては、粒子加速空胴４内に例えばＴＭ０１０の高周
波電場が発生している場合、その電気力線は図１におい
て点線で示すようになり、その高周波電流は粒子加速空
胴４の内壁面を実線の矢印Ａで示す方向に沿って流れ
る。
【００２０】一方、既述の如く内導体３の導体壁９と外
導体２とは容量的に結合されて結合容量部１１を構成し
ているため、この際に流れる高周波電流ＩC と結合容量
部１１の静電容量Ｃとの作用によりバンチャー空胴１３
のバンチ用ギャップ１４に高周波電圧（バンチ電圧）Ｖ
b を発生する。
導体２とは容量的に結合されて結合容量部１１を構成し
ているため、この際に流れる高周波電流ＩC と結合容量
部１１の静電容量Ｃとの作用によりバンチャー空胴１３
のバンチ用ギャップ１４に高周波電圧（バンチ電圧）Ｖ
b を発生する。
【００２１】なお、この際に発生する高周波電圧Ｖb は
次式で与えられる。
次式で与えられる。
【００２２】
【数１】
【００２３】このことを集中定数回路（集中定数による
等価回路）で示すと、結合容量部１１の結合容量Ｃ、粒
子加速空胴４内の加速ギャップ１５の容量Ｃ0 および外
導体２のインダクタンスＬは図２に示す如き関係にな
る。すなわち、結合容量部１１の結合容量Ｃは、加速ギ
ャップ１５の容量Ｃ0 に対して直列に接続され、バンチ
ャー１２を励振する高周波電力は粒子加速空胴４より容
量分割で供給されることとなる。また、図２の回路から
明かなように、本例の高周波粒子加速装置１では、バン
チ電圧Ｖb は結合容量Ｃを変えることにより任意に設定
されるが、バンチ電圧Ｖb の位相は粒子加速空胴４の電
圧の位相と常に同じ（同位相）となる。
等価回路）で示すと、結合容量部１１の結合容量Ｃ、粒
子加速空胴４内の加速ギャップ１５の容量Ｃ0 および外
導体２のインダクタンスＬは図２に示す如き関係にな
る。すなわち、結合容量部１１の結合容量Ｃは、加速ギ
ャップ１５の容量Ｃ0 に対して直列に接続され、バンチ
ャー１２を励振する高周波電力は粒子加速空胴４より容
量分割で供給されることとなる。また、図２の回路から
明かなように、本例の高周波粒子加速装置１では、バン
チ電圧Ｖb は結合容量Ｃを変えることにより任意に設定
されるが、バンチ電圧Ｖb の位相は粒子加速空胴４の電
圧の位相と常に同じ（同位相）となる。
【００２４】この場合、バンチャー空胴１３は単なる電
圧発生のための空間であり、このバンチャー空胴１３自
身が共振しているわけではない。すなわち、このバンチ
ャー空胴１３は粒子加速空胴４の共振回路の一部を構成
しているのである。また、ステム部８の内部空間は電界
の無い部分である。
圧発生のための空間であり、このバンチャー空胴１３自
身が共振しているわけではない。すなわち、このバンチ
ャー空胴１３は粒子加速空胴４の共振回路の一部を構成
しているのである。また、ステム部８の内部空間は電界
の無い部分である。
【００２５】かくして、粒子線は前記バンチ用ギャップ
１４において前記電圧Ｖb にてバンチされ、その後に加
速ギャップ１５において加速される。
１４において前記電圧Ｖb にてバンチされ、その後に加
速ギャップ１５において加速される。
【００２６】また、図３は本発明の第２実施例を示すも
のであって、本例の高周波粒子加速装置１６は、外導体
１７内の粒子加速空胴１８に１／４波長同軸共振器を対
向配置して成るシングルギャップ式のリエントラント型
のものである。なお、図３において符号Ｆは電力フィー
ダーを示すものであり、本例の高周波のモードはＴＥＭ
プッシュプルモードである。
のであって、本例の高周波粒子加速装置１６は、外導体
１７内の粒子加速空胴１８に１／４波長同軸共振器を対
向配置して成るシングルギャップ式のリエントラント型
のものである。なお、図３において符号Ｆは電力フィー
ダーを示すものであり、本例の高周波のモードはＴＥＭ
プッシュプルモードである。
【００２７】上述の１／４波長同軸共振器は二つの内導
体（ステム）１９，２０にてそれぞれ構成されており、
入射側の内導体１９内にバンチャー空胴１３を設けると
共にその内部に電子源２１が配置されている。そして、
電子引き出し電源Ｅから内導体１９に供給される直流加
速電圧によって前記電子源２１から電子が引き出され、
引き出された電子は内導体１９内のバンチ用ギャップ２
２においてバンチされて、二つの内導体１９，２０間の
加速ギャップ２３において加速されるように構成されて
いる。
体（ステム）１９，２０にてそれぞれ構成されており、
入射側の内導体１９内にバンチャー空胴１３を設けると
共にその内部に電子源２１が配置されている。そして、
電子引き出し電源Ｅから内導体１９に供給される直流加
速電圧によって前記電子源２１から電子が引き出され、
引き出された電子は内導体１９内のバンチ用ギャップ２
２においてバンチされて、二つの内導体１９，２０間の
加速ギャップ２３において加速されるように構成されて
いる。
【００２８】さらに、入射側の内導体１９の付け根部分
に形成された導体壁２４が外導体１７に対して僅かの隙
間を隔ててほぼ平行状に対向配置されており、これらの
間に結合容量Ｃを有する結合容量部２５が設けられてい
る。
に形成された導体壁２４が外導体１７に対して僅かの隙
間を隔ててほぼ平行状に対向配置されており、これらの
間に結合容量Ｃを有する結合容量部２５が設けられてい
る。
【００２９】この場合には、高周波電界は前記結合容量
部２５の結合容量Ｃを通じて粒子加速空胴２６より容量
分割でバンチ用ギャップ２２に供給される。かくして、
電子源２１から引き出された電子線はバンチ用ギャップ
２２にてバンチングされて加速ギャップ２３で加速され
る。
部２５の結合容量Ｃを通じて粒子加速空胴２６より容量
分割でバンチ用ギャップ２２に供給される。かくして、
電子源２１から引き出された電子線はバンチ用ギャップ
２２にてバンチングされて加速ギャップ２３で加速され
る。
【００３０】本例においては、直流加速電圧と高周波電
圧は同一のギャップに供給されているため、先に述べた
実施例の原理と動作が若干異なるが、粒子加速空胴２６
に高周波電圧が供給されるのに応じて加速空胴電圧位相
と常に同相のバンチ電圧にて電子線をバンチすることが
できる。
圧は同一のギャップに供給されているため、先に述べた
実施例の原理と動作が若干異なるが、粒子加速空胴２６
に高周波電圧が供給されるのに応じて加速空胴電圧位相
と常に同相のバンチ電圧にて電子線をバンチすることが
できる。
【００３１】なお、高周波粒子加速装置１６の具体的な
寸法および形状の例を挙げると、次の通りである。すな
わち、外導体１７は内直径が５０ｃｍで長さが６３ｃｍ
の円筒、バンチ用ギャップ２２の間隔は３ｍｍ、入射側
の内導体１９内の電界の無い空間Ｂ（図３参照）は１５
ｍｍ、加速電圧のしみこむ領域は１５ｍｍ、加速ギャッ
プ２３の間隔は５０ｍｍである。この場合、電子引き出
し直流電圧２ＫＶ及び高周波電圧１．７５ＫＶをバンチ
用ギャップ２２に供給した場合、計算によれば高周波位
相が１００度〜２０度の間にバンチ用ギャップ２２を通
過した電子は、７０度〜１００度の位相内で加速ギャッ
プ２３に到達することが判明した。
寸法および形状の例を挙げると、次の通りである。すな
わち、外導体１７は内直径が５０ｃｍで長さが６３ｃｍ
の円筒、バンチ用ギャップ２２の間隔は３ｍｍ、入射側
の内導体１９内の電界の無い空間Ｂ（図３参照）は１５
ｍｍ、加速電圧のしみこむ領域は１５ｍｍ、加速ギャッ
プ２３の間隔は５０ｍｍである。この場合、電子引き出
し直流電圧２ＫＶ及び高周波電圧１．７５ＫＶをバンチ
用ギャップ２２に供給した場合、計算によれば高周波位
相が１００度〜２０度の間にバンチ用ギャップ２２を通
過した電子は、７０度〜１００度の位相内で加速ギャッ
プ２３に到達することが判明した。
【００３２】これは、バンチャーを通過した電子のうち
の約１／３にあたる。また、これらの電子の加速ギャッ
プ２３通過後のエネルギーの広がりは、±５％以内であ
る。
の約１／３にあたる。また、これらの電子の加速ギャッ
プ２３通過後のエネルギーの広がりは、±５％以内であ
る。
【００３３】図４は上述の高周波粒子加速装置１６にて
加速された電子線のエネルギー分布を示すものである。
なお、電子のエネルギーは、加速された電子線を磁場で
９０度曲げた時の磁場の強度と電子線の軌道半径より求
めた。この図４から明かなように、高周波電圧および電
子引き出し直流電圧が適切でなくても、電子線のエネル
ギーの広がりが非常に小さいことがわかる。
加速された電子線のエネルギー分布を示すものである。
なお、電子のエネルギーは、加速された電子線を磁場で
９０度曲げた時の磁場の強度と電子線の軌道半径より求
めた。この図４から明かなように、高周波電圧および電
子引き出し直流電圧が適切でなくても、電子線のエネル
ギーの広がりが非常に小さいことがわかる。
【００３４】なお、バンチャー１２と加速ギャップ２３
との間隔を２５ｃｍくらいにとれば、全電子の５０％以
上の電子を±５％程度以内の加速エネルギーの広がりで
加速できることが計算にて求められている。
との間隔を２５ｃｍくらいにとれば、全電子の５０％以
上の電子を±５％程度以内の加速エネルギーの広がりで
加速できることが計算にて求められている。
【００３５】
【発明の効果】以上の如く、本発明は、バンチャー空胴
を粒子加速空胴の内部に組込んで一体型としかつこれら
両者を高周波的に容量結合し、バンチャー空胴を励磁す
る高周波電力を粒子加速空胴より容量分割で供給するよ
うにしたものであるから、高周波電力を粒子加速空胴に
供給すればバンチャー空胴にも粒子加速空胴の加速キャ
ップに発生する高周波電圧と同位相の高周波電力が自動
的に発生されることとなるため、従来用いていたような
高周波位相調整器や高周波振幅調整器が不要となって面
倒な調整操作をする必要がなくなる。従って、構成が極
めて簡素で小型のものでありながら高性能を有し、しか
も操作が非常に簡単であるような高周波粒子加速装置を
提供できる。
を粒子加速空胴の内部に組込んで一体型としかつこれら
両者を高周波的に容量結合し、バンチャー空胴を励磁す
る高周波電力を粒子加速空胴より容量分割で供給するよ
うにしたものであるから、高周波電力を粒子加速空胴に
供給すればバンチャー空胴にも粒子加速空胴の加速キャ
ップに発生する高周波電圧と同位相の高周波電力が自動
的に発生されることとなるため、従来用いていたような
高周波位相調整器や高周波振幅調整器が不要となって面
倒な調整操作をする必要がなくなる。従って、構成が極
めて簡素で小型のものでありながら高性能を有し、しか
も操作が非常に簡単であるような高周波粒子加速装置を
提供できる。
【図１】本発明に係る高周波粒子加速装置の断面図であ
る。
る。
【図２】上述の高周波粒子加速装置の集中定数による等
価回路を示す回路図である。
価回路を示す回路図である。
【図３】本発明の第２実施例を示す高周波粒子加速装置
の断面図である。
の断面図である。
【図４】図３の高周波粒子加速装置を用いた場合の加速
粒子のエネルギー分布測定結果の一例を示すグラフであ
る。
粒子のエネルギー分布測定結果の一例を示すグラフであ
る。
【図５】従来の高周波粒子加速装置の構成を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図６】バンチャー通過後の粒子の運動を説明するため
の説明図である。
の説明図である。
１ 高周波粒子加速装置 ２ 外導体 ３ 内導体 ４ 粒子加速空胴 ９ 導体壁 １１ 結合容量部 １２ バンチャー １３ バンチャー空胴 １４ バンチ用ギャップ １５ 加速ギャップ １６ 高周波粒子加速装置 １７ 外導体 １８ 粒子加速空胴 １９，２０ 内導体（ステム） ２２ バンチ用ギャップ ２３ 加速ギャップ ２４ 導体壁 ２５ 結合容量部 Ｃ0 加速ギャップの容量 Ｃ バンチャー加速空胴の容量
Claims (1)
- 【請求項１】 ＴＭモードまたはＴＥＭモードの粒子加
速空胴の内部に、粒子線を高周波加速位相に同調させる
ためのバンチャー空胴を配設すると共に、前記粒子加速
空胴とバンチャー空胴とを仕切る導体壁を、前記粒子加
速空胴を形成する外導体の一部分に対向配置することに
よりこれらの間に容量結合部を設け、前記粒子加速空胴
の高周波電力が供給されるのに応じて前記容量結合部か
ら容量分割にて得られる高周波電力をバンチャー空胴励
振用の高周波電力としてバンチ用ギャップに供給するこ
とによって、前記粒子加速空胴の加速ギャップに発生す
る高周波電圧と同位相の高周波電圧を前記バンチ用ギャ
ップに発生させるように構成したことを特徴とする高周
波粒子加速装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5077872A JP2529924B2 (ja) | 1993-04-05 | 1993-04-05 | 高周波粒子加速装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5077872A JP2529924B2 (ja) | 1993-04-05 | 1993-04-05 | 高周波粒子加速装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06295799A JPH06295799A (ja) | 1994-10-21 |
| JP2529924B2 true JP2529924B2 (ja) | 1996-09-04 |
Family
ID=13646155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5077872A Expired - Fee Related JP2529924B2 (ja) | 1993-04-05 | 1993-04-05 | 高周波粒子加速装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2529924B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4903242A (en) * | 1987-05-06 | 1990-02-20 | Nec Corporation | Serial access memory circuit with improved serial addressing circuit composed of a shift register |
| JP2742770B2 (ja) * | 1995-04-12 | 1998-04-22 | 電気興業株式会社 | 高周波粒子加速装置 |
| DE102010021963A1 (de) * | 2010-05-28 | 2011-12-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektrostatischer Teilcheninjektor für HF-Teilchenbeschleuniger |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5820120A (ja) * | 1981-07-27 | 1983-02-05 | 長野木田工業株式会社 | きのこの栽培法 |
| JPH01107499A (ja) * | 1987-10-20 | 1989-04-25 | Mitsubishi Electric Corp | 定在波形加速管 |
-
1993
- 1993-04-05 JP JP5077872A patent/JP2529924B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06295799A (ja) | 1994-10-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Bell et al. | Electron cooling in ICE at CERN | |
| US3398376A (en) | Relativistic electron cyclotron maser | |
| US4780642A (en) | Electron cyclotron resonance ion source with coaxial injection of electromagnetic waves | |
| WO1996025757A1 (en) | Producing rf electric fields suitable for accelerating atomic and molecular ions in an ion implantation system | |
| US11596051B2 (en) | Resonator, linear accelerator configuration and ion implantation system having toroidal resonator | |
| JP2742770B2 (ja) | 高周波粒子加速装置 | |
| JPS61118938A (ja) | 超高周波イオン源点弧方法および装置 | |
| JP2529924B2 (ja) | 高周波粒子加速装置 | |
| Schoessow et al. | High power radio frequency generation by relativistic beams in dielectric structures | |
| TW202429507A (zh) | 具直流電光學之漂移管電極配置 | |
| JP3168903B2 (ja) | 高周波加減速器、および、その使用方法 | |
| US3171053A (en) | Plasma-beam signal generator | |
| US4825441A (en) | Free electron laser using a relativistic beam with spiralling electron | |
| US5350974A (en) | Coaxial electromagnetic wave injection and electron cyclotron resonance ion source | |
| US4754196A (en) | Axial injection orbitron | |
| JPH0558240B2 (ja) | ||
| JPS62140339A (ja) | マイクロ波イオン源 | |
| Nihei et al. | Performance characteristics of a microwave plasma source using an axial mirror and multipole magnetic fields | |
| SU344802A1 (ru) | Способ циклического ускорени зар женных частиц | |
| JP2587270B2 (ja) | アレイ電子加速器 | |
| JPH0589792A (ja) | サイクロトロン共鳴機能を備えたイオン源 | |
| US3067347A (en) | Reduction in tandem loading | |
| JPH03245499A (ja) | 四重極粒子加速器 | |
| SU556698A1 (ru) | Циклический ускоритель | |
| JPH0644007Y2 (ja) | イオン処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080614 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090614 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090614 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100614 Year of fee payment: 14 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |