JPS6037649Y2 - 文字読取装置 - Google Patents
文字読取装置Info
- Publication number
- JPS6037649Y2 JPS6037649Y2 JP19803981U JP19803981U JPS6037649Y2 JP S6037649 Y2 JPS6037649 Y2 JP S6037649Y2 JP 19803981 U JP19803981 U JP 19803981U JP 19803981 U JP19803981 U JP 19803981U JP S6037649 Y2 JPS6037649 Y2 JP S6037649Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- slice level
- character
- pattern
- level
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Character Input (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、光学的文字読取装置(以下OCRという)等
の如き文字読取装置の改良に関するものである。
の如き文字読取装置の改良に関するものである。
通常のOCRに於いては、光学的に検出された入力図形
を光電変換した後、適当なスライスレベルでスライスし
白黒を示す2値量子化信号に変換し、これを後段の文字
認識回路への入力信号として用いている。
を光電変換した後、適当なスライスレベルでスライスし
白黒を示す2値量子化信号に変換し、これを後段の文字
認識回路への入力信号として用いている。
この時上記スライスレベルは、紙面のヨゴレ等の記入文
字に対する影響を取り除き、かつ文字濃度の変化に対応
できるように最適な値が選択されるが、特に手書文字の
読取りの場合にように、ペンの太さや筆圧等に依って文
字濃度の変化が大きい時には、2値量子化された文字パ
ターンが大幅に変化し認識不可能な状態あるいは誤認識
を起こす状態となる事が多い。
字に対する影響を取り除き、かつ文字濃度の変化に対応
できるように最適な値が選択されるが、特に手書文字の
読取りの場合にように、ペンの太さや筆圧等に依って文
字濃度の変化が大きい時には、2値量子化された文字パ
ターンが大幅に変化し認識不可能な状態あるいは誤認識
を起こす状態となる事が多い。
このような現象を解決するものとして、数段階のスライ
スレベルを設け、入力信号を各レベルでスライスして複
数個の2値量子化パターンを得て、それぞれのパターン
について文字認識を行い、その認識結果を比較する事に
依り、最終的な文字判定を行う装置が提案されている。
スレベルを設け、入力信号を各レベルでスライスして複
数個の2値量子化パターンを得て、それぞれのパターン
について文字認識を行い、その認識結果を比較する事に
依り、最終的な文字判定を行う装置が提案されている。
そころがこの装置において、複数個の2値量子化パター
ンについて文字認識を並列に行なえば、認識装置の増大
をきたし、また直列に行なえば認識のための処理時間が
増大する欠点を有している。
ンについて文字認識を並列に行なえば、認識装置の増大
をきたし、また直列に行なえば認識のための処理時間が
増大する欠点を有している。
本考案はかかる点に関して為されたもので、文字の濃淡
に応じて最適なスライスレベルを自動的に設定するよう
にして、装置あるいは処理時間の増大を招くことなく、
極めて正確に文字を読取り、認識する事を可能とした文
字読取装置を提供するものであり、以下に実施例をあげ
て詳細に説明する。
に応じて最適なスライスレベルを自動的に設定するよう
にして、装置あるいは処理時間の増大を招くことなく、
極めて正確に文字を読取り、認識する事を可能とした文
字読取装置を提供するものであり、以下に実施例をあげ
て詳細に説明する。
第1図は手書きされた文字パターンを16X 14メツ
シユのエリヤの投影したものを示し、第2図イ9口、ハ
は、第1図に示した文字がかなり濃く書かれている場合
イ、普通の濃さで書かれている場合咀かなり薄く書かれ
ている場合へについて高低2種のスライスレベルでスラ
イスした2値量子化パターンを示す。
シユのエリヤの投影したものを示し、第2図イ9口、ハ
は、第1図に示した文字がかなり濃く書かれている場合
イ、普通の濃さで書かれている場合咀かなり薄く書かれ
ている場合へについて高低2種のスライスレベルでスラ
イスした2値量子化パターンを示す。
この第2図で格子状の斜線部分は高い(濃い)スライス
レベルでスライスした2値量子化パターンを、この格子
状部分をも含めて斜線部分は低い(薄い)スライスレベ
ルでスライスした場合の2値量子化パターンを示してい
る。
レベルでスライスした2値量子化パターンを、この格子
状部分をも含めて斜線部分は低い(薄い)スライスレベ
ルでスライスした場合の2値量子化パターンを示してい
る。
今第2図から明かな様に、濃く書かれた文字の場合程2
段階のスライスレベルで2値化されたパターンの差異が
少く、薄い文字程その差が大きくなる。
段階のスライスレベルで2値化されたパターンの差異が
少く、薄い文字程その差が大きくなる。
図イの場合低いスライスレベルでスライスした時のメツ
シュ数は75.高いスライスレベルの時は36であり、
図口では75.27、図へでは60.14である。
シュ数は75.高いスライスレベルの時は36であり、
図口では75.27、図へでは60.14である。
図口の状態を高いスライスレベルでスライスしたパター
ンについて、読取り可能な最大限の状態とすると、図イ
の場合は高いスライスレベル読取可能であり、図への場
合は低いスライスレベルでしか読取が行なわれない。
ンについて、読取り可能な最大限の状態とすると、図イ
の場合は高いスライスレベル読取可能であり、図への場
合は低いスライスレベルでしか読取が行なわれない。
従って読取装置に於いて図イ及び口の場合は高いスライ
スレベルでスライスしたパターンを文字認識の対象とし
、図への場合は低いスライスレベルでのパターンを文字
認識の対象とする判断が必要であり、本考案の文字読取
装置ではこの判断を高低両レベルでスライスして得たパ
ターンに於ける、両レベルでのメツシュ数の相対的な大
小に依って決定するものである。
スレベルでスライスしたパターンを文字認識の対象とし
、図への場合は低いスライスレベルでのパターンを文字
認識の対象とする判断が必要であり、本考案の文字読取
装置ではこの判断を高低両レベルでスライスして得たパ
ターンに於ける、両レベルでのメツシュ数の相対的な大
小に依って決定するものである。
第2図に示す実施例では、高いスライスレベルでのメツ
シュ数が、低いスライスレベルでのそれに比べ173以
上あった時、高いスライスレベルでの認識を行い、それ
以下の場合は低いスライスレベルでの認識を行うように
している。
シュ数が、低いスライスレベルでのそれに比べ173以
上あった時、高いスライスレベルでの認識を行い、それ
以下の場合は低いスライスレベルでの認識を行うように
している。
この両スライスレベルでのメツシュ数の比率を定める値
(この実施例の場合は113)は、それぞれのスライス
レベルの設定値により変化し、実験的に最適なものが定
められる。
(この実施例の場合は113)は、それぞれのスライス
レベルの設定値により変化し、実験的に最適なものが定
められる。
第3図は第2図に示した実施例に関し、文字の濃淡を判
断しスライスレベルを決定するための回路をブロック図
で示したものであり、さらに第4図はこのスライスレベ
ル決定回路をも含めて、本考案による文字読取装置を示
すブロック図である。
断しスライスレベルを決定するための回路をブロック図
で示したものであり、さらに第4図はこのスライスレベ
ル決定回路をも含めて、本考案による文字読取装置を示
すブロック図である。
まず第3図を参照しながらスライスレベル決定回路を説
明すると、第3図に示すものは高・低2個のスライスレ
ベルで判定を行う実施例であって、両レベルでスライス
されて得られた2値量子化パターンより得られる、両レ
ベルに於けるメツシュ数のデータは、図示する如く個々
に第1、第2のメモリー1.2(スライスレベル決定回
路には属さない)にメモリーされると共に、第1、第2
のカウンター3,4にてその数も計数され、比較回路5
で両者の値を比較される。
明すると、第3図に示すものは高・低2個のスライスレ
ベルで判定を行う実施例であって、両レベルでスライス
されて得られた2値量子化パターンより得られる、両レ
ベルに於けるメツシュ数のデータは、図示する如く個々
に第1、第2のメモリー1.2(スライスレベル決定回
路には属さない)にメモリーされると共に、第1、第2
のカウンター3,4にてその数も計数され、比較回路5
で両者の値を比較される。
この時第1のカウンター3から出力される低レベルデー
タ数は、割算回路6で一定数、第2図に示す実施例では
3、での割算が行なわれ、その数値が第2のカウンター
4の出力として得られる高レベルデータ数らの数値と比
較され、大小が判定される。
タ数は、割算回路6で一定数、第2図に示す実施例では
3、での割算が行なわれ、その数値が第2のカウンター
4の出力として得られる高レベルデータ数らの数値と比
較され、大小が判定される。
このようにして比較回路5の出力信号に依り、入力図形
の文字の濃淡が判定され、上記高・低両レベルのうち最
適のスライスレベルが決定される。
の文字の濃淡が判定され、上記高・低両レベルのうち最
適のスライスレベルが決定される。
例えば第2図イに示すように高レベルデータ数が、低レ
ベルデータ数の173よりも多い場合高いスライスレベ
ルに於ける2値論理パターンを採用すべく指令する信号
が、一方第2図へに示す場合のように高レベルデータ数
が、低レベルデータ数の113より少ない場合は、低い
スライスレベルに於ける2値論理パターンを文字判定に
採用すべき指令信号が、この回路より出力される。
ベルデータ数の173よりも多い場合高いスライスレベ
ルに於ける2値論理パターンを採用すべく指令する信号
が、一方第2図へに示す場合のように高レベルデータ数
が、低レベルデータ数の113より少ない場合は、低い
スライスレベルに於ける2値論理パターンを文字判定に
採用すべき指令信号が、この回路より出力される。
第4図は上述したように本考案に依る読取装置の一実施
例をブロック図で示したものであり、この図に従って読
取の動作を説明すると、まず光学的に読取られた文字パ
ターンは光電変換装置10に依って電気信号に変換され
、2値量子化回路11に於いてあらかじめ設定された数
段階のスライスレベル、第2、第3図に示した実施例で
は高低2段階でスライスされ数種の2値量子化パターン
が得られる。
例をブロック図で示したものであり、この図に従って読
取の動作を説明すると、まず光学的に読取られた文字パ
ターンは光電変換装置10に依って電気信号に変換され
、2値量子化回路11に於いてあらかじめ設定された数
段階のスライスレベル、第2、第3図に示した実施例で
は高低2段階でスライスされ数種の2値量子化パターン
が得られる。
このパターンから得られた各レベルに於けるデータは、
第3図に示したようにメモリ13にメモリされると同時
に、スライスレベル決定回路14に入力しここで上述の
如くあらかじめ設定された数段階の固定スライスレベル
より最適のスライスレベルが選択される。
第3図に示したようにメモリ13にメモリされると同時
に、スライスレベル決定回路14に入力しここで上述の
如くあらかじめ設定された数段階の固定スライスレベル
より最適のスライスレベルが選択される。
ここで最適スライスレベルが選択されると、メモリ13
のメモリ内容が導入される認識回路15に於いて、最適
のスライスレベルに依る上記2値量子化パターンが選択
され、このパターンに依って文字判定が行なわれる。
のメモリ内容が導入される認識回路15に於いて、最適
のスライスレベルに依る上記2値量子化パターンが選択
され、このパターンに依って文字判定が行なわれる。
本考案装置では以上の様にして文字の読取りが行なわれ
るが、この時上記スライスレベル決定回路に於いて文字
の濃淡に対応した固定スライスレベルが自動的に選択さ
れるため、その認識の精度は高く文字の濃淡のかなり大
きなバラツキに充分に対応できる。
るが、この時上記スライスレベル決定回路に於いて文字
の濃淡に対応した固定スライスレベルが自動的に選択さ
れるため、その認識の精度は高く文字の濃淡のかなり大
きなバラツキに充分に対応できる。
また上記スライスレベル決定のための回路は、各スライ
スレベルに依るメツシュデータの個数の相対的な大小を
比較するという、極めて簡単な原理に基ずくものであり
、この回路を特徴とする本考案装置に依れば従来装置の
如く複雑かつ大型な回路構成を必要とする事なく、少し
の補助回路を附加するのみで、しかも認識に要する時間
を増大することなく文字認識が行え、実用価値の高い安
価な読取装置が得られる。
スレベルに依るメツシュデータの個数の相対的な大小を
比較するという、極めて簡単な原理に基ずくものであり
、この回路を特徴とする本考案装置に依れば従来装置の
如く複雑かつ大型な回路構成を必要とする事なく、少し
の補助回路を附加するのみで、しかも認識に要する時間
を増大することなく文字認識が行え、実用価値の高い安
価な読取装置が得られる。
尚上述した実施例は数段階のスライスレベルから最適ス
ライスレベルを選択し、文字判定を行う場合であるが、
文字認識は高いレベル(実験上最適と考えられる濃さで
書かれた文字が認識できるレベル)だけで行うものとし
、薄く書かれた文字はリジェクトとするような読取装置
にも、本考案装置を採用する事に依り文字の部分的なカ
スレ等に依る誤認識を低減する事ができる。
ライスレベルを選択し、文字判定を行う場合であるが、
文字認識は高いレベル(実験上最適と考えられる濃さで
書かれた文字が認識できるレベル)だけで行うものとし
、薄く書かれた文字はリジェクトとするような読取装置
にも、本考案装置を採用する事に依り文字の部分的なカ
スレ等に依る誤認識を低減する事ができる。
第1図は手書きされた文字を16X 14メツシユのエ
リヤに投影した図、第2図は第1図に示す文字を数段階
のスライスレベルでスライスした時の2値量子化パター
ンを示す図、第3図は本考案装置おけるスライスレベル
決定回路のブロック図、第4図は本考案装置のブロック
図である。 3.4・・・・・・カウンタ、5・・・・・・比較回路
、10・・・・・・光電変換回路、11・・・・・・2
値量子化回路、12・・・・・・メモリ、13・◆・・
◆・スライスレベル決定回路、14・・・・・・認識回
路。
リヤに投影した図、第2図は第1図に示す文字を数段階
のスライスレベルでスライスした時の2値量子化パター
ンを示す図、第3図は本考案装置おけるスライスレベル
決定回路のブロック図、第4図は本考案装置のブロック
図である。 3.4・・・・・・カウンタ、5・・・・・・比較回路
、10・・・・・・光電変換回路、11・・・・・・2
値量子化回路、12・・・・・・メモリ、13・◆・・
◆・スライスレベル決定回路、14・・・・・・認識回
路。
Claims (1)
- 入力図形信号を少くとも2個以上の固定スライスレベル
でスライスし、2個以上の2値量子化信号パターンを得
るスライス手段と、各2値量子化信号パターンについて
信号数を計数する計数手段と、相互の2値量子化信号パ
ターン間で上記計数された信号数の比率が所定の比率よ
り大きいか小さいかを判定する判定手段と、該判定結果
に依り上記複数の固定スライスレベルから所定の1を選
択する選択手段と、該選択された固定スライスレベルで
スライスされた2値量子化信号パターンに依って文字の
認識を行う認識手段とを備えたことを特徴とする文字読
取装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19803981U JPS6037649Y2 (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 文字読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19803981U JPS6037649Y2 (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 文字読取装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57118466U JPS57118466U (ja) | 1982-07-22 |
JPS6037649Y2 true JPS6037649Y2 (ja) | 1985-11-09 |
Family
ID=29996313
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19803981U Expired JPS6037649Y2 (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 文字読取装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6037649Y2 (ja) |
-
1981
- 1981-12-26 JP JP19803981U patent/JPS6037649Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57118466U (ja) | 1982-07-22 |
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