JPS6037194A - Hybrid integrated circuit device - Google Patents

Hybrid integrated circuit device

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Publication number
JPS6037194A
JPS6037194A JP14442783A JP14442783A JPS6037194A JP S6037194 A JPS6037194 A JP S6037194A JP 14442783 A JP14442783 A JP 14442783A JP 14442783 A JP14442783 A JP 14442783A JP S6037194 A JPS6037194 A JP S6037194A
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JP
Japan
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substrate
base body
integrated circuit
energy conversion
hybrid integrated
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Application number
JP14442783A
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Japanese (ja)
Inventor
公平 鈴木
斉藤 民雄
健一 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] 本発明は、光電変換素子9発熱抵抗体等のエネルギー変
換部を有するハイブリッド集積回路装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a hybrid integrated circuit device having an energy conversion section such as a photoelectric conversion element 9 and a heating resistor.

[発明の技術的背景とその問題点] 近年電子機器等の小型化C:伴ない、回路上での実装密
度の向上が要求されている。このような要望C二対処す
るため、配線パターン密度の向上、さらI:、集積回路
素子、抵抗体素子、コンデンサ素子等の電気素子、セン
サ等の機能素子等を同一基板上に実装することが行なわ
れている。同一基板上に形成すること(二より、+S器
の小型化さらIZは機器S二組込んだ場合のメインテナ
ンスの容易さ等多くの利点がある。
[Technical background of the invention and its problems] As electronic devices and the like have become smaller in recent years, there has been a demand for improved packaging density on circuits. In order to meet this demand, it is possible to improve wiring pattern density, and to mount electrical elements such as integrated circuit elements, resistor elements, and capacitor elements, and functional elements such as sensors on the same substrate. It is being done. Forming on the same substrate has many advantages such as miniaturization of the +S device and ease of maintenance when the IZ is incorporated into the device S2.

しかしながら、薄膜、厚膜技術を用いて高密度配線を行
なうと、不良が発生すると基板全部を取り換える必要が
あり、特に基板の面積が大きくなるとその確率空高くな
ってしまうため、歩留り゛が悪く製造コスiが上昇して
しまうという問題点がある。
However, when performing high-density wiring using thin-film or thick-film technology, if a defect occurs, the entire board must be replaced, and the probability of this happening increases especially as the area of the board increases, resulting in poor yields and manufacturing problems. There is a problem that the cost i increases.

特C,光電変換素子1発熱抵抗体等のエネルギー変換部
を同一基板上C一体化した場合、既l二形成されている
導体パターンが、エネルギー変換部形成の際の影響をう
け、パターンの剥離等が生じてし捷う問題点がある。こ
の傾向は導体パターンの高密度化C二伴ない顕著となる
。さらに、従来は、このような影響をうけCユくいAu
を導体パターンとして用いていたが、いまだ十分ではな
く、またコスト増の点でも問題があった。
Special C: When the energy conversion parts such as the heat generating resistors of the photoelectric conversion element 1 are integrated on the same substrate, the conductor pattern that has already been formed may be affected by the formation of the energy conversion part, causing the pattern to peel off. There is a problem that this may occur. This tendency becomes more noticeable as the density of the conductor pattern increases. Furthermore, in the past, due to this influence, C
has been used as a conductor pattern, but it is still not sufficient and there is also a problem in terms of increased cost.

又、エネルギー変換部形成後■ニハンダ付処理、集積回
路チップ等の電気素子の実装等を行なった場合、このエ
ネルギー変換膜が損傷をうけてしまう問題もめった。
In addition, when the energy conversion portion is formed and then subjected to a second soldering process or mounting of an electric element such as an integrated circuit chip, the energy conversion film is often damaged.

このように一体化によるメリット大なるハイブリッド集
積回路ではあるが、大面積ζ二なるにつれ、エネルギー
変換部と回路パターンの歩留が低下し、さらC二全体と
しての歩留はその積となるため、全体の歩留をあげるこ
とは困難であった。
Although this is a hybrid integrated circuit with great benefits from integration, as the area becomes larger, the yield of the energy conversion section and the circuit pattern decreases, and the yield of the entire C2 becomes the product of these. However, it was difficult to increase the overall yield.

[発明の目的] 本発明は以上の点を考慮してなされたもので、歩留りが
良く、安価かつ製造容易なハイブリッド集積回路装置を
提供することを目的とする。
[Object of the Invention] The present invention has been made in consideration of the above points, and an object of the present invention is to provide a hybrid integrated circuit device that has a high yield, is inexpensive, and is easy to manufacture.

[発明の概要] 本発明は、エネルギー変換部を備えた第1の基体と、 前記エネルギー変換部を駆動する電気素子が実装された
第2の基体と、 前記エネルギー変換部と前記半導体素子とを電気的C−
接続する接続手段と、 前記第1の基体及び第2の基体を固定する透光性の第3
の基体とを備え、 前記第1の基体及び第2の基体の第3の基体への固定手
段として光硬化性樹脂を用いたことを特徴とするハイブ
リッド集積回路装置である。
[Summary of the Invention] The present invention includes: a first base including an energy conversion section; a second base on which an electric element for driving the energy conversion section is mounted; and the energy conversion section and the semiconductor element. Electrical C-
a connecting means for connecting; and a third translucent member for fixing the first base and the second base.
A hybrid integrated circuit device comprising: a base body; and a photocurable resin is used as means for fixing the first base body and the second base body to the third base body.

すなわち、エネルギー変換部を備えた第1の基体と、駆
動用の電気素子を備えた第2の基体とを別個C二製造し
、その後第3の基体上に光硬化性樹脂を用いて固定し、
一体化されたハイブリッド集積回路装置である。
That is, a first base body equipped with an energy conversion part and a second base body equipped with an electric element for driving are manufactured separately, and then fixed onto a third base body using a photocurable resin. ,
It is an integrated hybrid integrated circuit device.

このよう(ユ製造時は分割し、その後一体化すること(
二より、エネルギー変換部の歩留を上げることができる
。これは、駆動用の電気素子用の導体パターン形成、素
子実装等の余分な処理工程を通すことなくエネルギー変
換部を形成することができるからである。またこのエネ
ルギー変換部を分離形成したことご二より、第2の基体
上の駆動用の導電パターン形成の制限がなくなるため、
高密度化に伴なう多層配線、高精細パターンの形成が容
易となる。また一体化した場合のサイズが大きい場合で
も、個々の基板は小さくてすむので、例えば着脱装置等
を大きくする必要がない。さらC二分割し、小型化され
た分10ットにはいる個数が増えるため、製造C′−要
する時間が短縮される。
In this way (separated when manufacturing, then integrated)
Second, the yield of the energy conversion section can be increased. This is because the energy converter can be formed without going through extra processing steps such as forming a conductor pattern for a driving electric element and mounting the element. Also, since this energy converter is formed separately, there is no restriction on the formation of a conductive pattern for driving on the second substrate.
This facilitates the formation of multilayer wiring and high-definition patterns that accompany increased density. Furthermore, even if the integrated size is large, the individual boards can be small, so there is no need to increase the size of the attachment/detachment device, for example. Furthermore, since C is divided into two parts and the number of pieces that can fit into 10 tons increases due to the miniaturization, the time required for manufacturing C' is shortened.

エネルギー変換部としては、例えばアモルファスシリコ
ン(a−8i)等の光電変換膜を用いたイメージセンサ
、発光ダイオード等を用いた発光素子アレイ等の光エネ
ルギーと電気エネルギーの変換を行なうもの、また、発
熱抵抗体アレイを用いたサーマルヘッド等の電気エネル
ギーを熱エネルギーに変換するもの吟が挙げられる。
Examples of energy conversion units include image sensors using a photoelectric conversion film such as amorphous silicon (A-8I), units that convert light energy and electrical energy, such as light emitting element arrays using light emitting diodes, and heat generating units. Examples include thermal heads that use resistor arrays to convert electrical energy into thermal energy.

第1の基体、第2の基体としては、ガラス基板。The first substrate and the second substrate are glass substrates.

セラミックス基板、樹脂基板1表面が絶縁化された金属
基板等各種のものを用いることができる0この基板は用
途により使い分けることができる。
Various types of substrates can be used, such as a ceramic substrate, a metal substrate whose surface is insulated, and the like.This substrate can be used depending on the purpose.

例えばエネルギー変換部として発熱抵抗体を用いたサー
マルヘッドの場合、第1の基体として例えばアルミナ等
の耐熱性の良い、セラミックス基板を用い、サーマルヘ
ッドの場合、大電流が流れるため第2の基体としては例
えば樹脂コートされた金属基板のような放熱性の良好な
基板を用いると良い。
For example, in the case of a thermal head that uses a heating resistor as an energy converter, a ceramic substrate with good heat resistance such as alumina is used as the first substrate, and in the case of a thermal head, the second substrate is used because a large current flows through it. For example, it is preferable to use a substrate with good heat dissipation such as a resin-coated metal substrate.

またエネルギー変換部としてa−8iの光電変換素子を
用いたイメージセンサを用いた場合、第1の基体として
はa−8+膜の着膜状態が良好なガラス基板又は表面1
ユグレ一ズ層が形成されたセラミックス基板を用い、第
2の基体としては、駆動用の半導体素子等の電気素子間
の高密度配線を行なう際の厚膜、薄膜処理の容易なセラ
ミックス基板を用いると良い。
In addition, when an image sensor using an a-8i photoelectric conversion element is used as an energy conversion part, the first substrate may be a glass substrate or a surface 1 on which the a-8+ film is well deposited.
A ceramic substrate on which a Yugle layer is formed is used, and a ceramic substrate that can be easily processed into thick and thin films is used as the second base when performing high-density wiring between electric elements such as driving semiconductor elements. Good.

また、第2の基体上C二実装される電気素子としては、
集積回路素子、コンデンサ素子、抵抗素子等があげられ
る。
Further, as the electric element to be mounted on the second substrate C2,
Examples include integrated circuit elements, capacitor elements, and resistance elements.

前述の第1の基体及び第2の基体は、光硬化性エポキシ
樹脂、光硬化性ウレタン樹脂等の光硬化性樹脂C二より
第3の基体C二固定される。従って第3の基体はこの光
硬化性樹脂を硬化させるための光が透過するように透明
基板を用いる。このような透明基板としては、硼珪酸ガ
ラス、ノ(リウム硼珪酸ガラス等を用いた光学がう・ス
基板が挙げられる。このような第3の基体上f:光硬化
性樹脂を滴下、塗布、印刷等の方法で設け、この光硬化
性樹脂上に第1及び第2の基体を配置し、第3の基体側
から硬化用の光を照射し、固定する。
The first and second substrates described above are fixed to the third substrate C2 by a photocurable resin C2 such as a photocurable epoxy resin or a photocurable urethane resin. Therefore, a transparent substrate is used as the third base so that the light for curing the photocurable resin is transmitted therethrough. Examples of such transparent substrates include optical glass substrates using borosilicate glass, borosilicate glass, etc. On such a third substrate, a photocurable resin is dropped and applied. , by a method such as printing, the first and second substrates are placed on this photocurable resin, and curing light is irradiated from the third substrate side to fix it.

このように光硬化性樹脂を用いて固定すること(−より
、第1及び第2の基体を第3の基体C二固定する際(二
例えば熱硬化性樹脂を用いた場合5;比べ、熱が加わる
ことがないため、エネルギー変換部の劣化を防止するこ
とができる。また硬化時間が一般S二短くてすむため、
生産性を向上することができる。また、硬化時の基体固
定治具の必要もない。
In this way, when fixing using a photocurable resin (-), when fixing the first and second substrates to the third substrate C (2), for example, when using a thermosetting resin (5); Since no energy is added, it is possible to prevent deterioration of the energy converting part.Also, the curing time is shorter than usual, so
Productivity can be improved. Further, there is no need for a substrate fixing jig during curing.

また第1の基体及び第2の基体間(ユおける電気的接続
を行なう接続手段としては、例えばボンディングワイヤ
I:よる接続、導電性ゴムの当接、導電パターンを有す
る絶縁性゛ゴムの描接等各種の手段が考えられる。
In addition, examples of connection means for electrically connecting the first substrate and the second substrate include, for example, connection by bonding wire I, contact with conductive rubber, and drawing contact with insulating rubber having a conductive pattern. Various methods are possible.

前記第1及び第2の基体は夫々複数個c L、ても良い
ことはいうまでもない。
It goes without saying that there may be a plurality of each of the first and second substrates.

[発明の効果] 以上説明したように、不発り」C二よればエネルギー変
換部を備えた基体と、駆動用の電気素子を備えた基体と
を別個C二製造することl二より1個々の歩留を上げる
ことができ、さらIニ一体化されたハイブリッド集積回
路装置の歩留も向上することができる。さら響二光硬化
性樹脂で一体化すること(二より、エネルギー変換部の
特性劣化等を生じることなく実質的IZ一枚の基体上に
形成したものと同様の効果を得ることができる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the "non-explosion" C2, it is possible to separately manufacture the base body equipped with the energy conversion section and the base body equipped with the drive electric element. The yield rate can be increased, and the yield rate of integrated hybrid integrated circuit devices can also be improved. Furthermore, by integrating the IZ with a photocurable resin (second, it is possible to obtain substantially the same effect as that formed on a single IZ substrate without causing any deterioration of the characteristics of the energy conversion section, etc.).

[発明の実施例] 以下に本発明の詳細な説明する。[Embodiments of the invention] The present invention will be explained in detail below.

この実施例はエネルギー変換部として光電変換素子を用
いた、−次元密着型のイメージセンサでおり、第1図(
−) lニイメージセンサの断面図を示す0第1の基体
(1)としてガラス基板を用い、Crを蒸着しフォトエ
ツチングC二より所望形状の下部電極(2)を形成する
。この下部電極は例えば8個/藺のピッチで一列r:p
数個形成する。この様子を第1図(b) r二部公平面
図として示す。次いでこの下部電極(2)上に例えば水
素含有のa −8i膜からなる光電変換膜(8)をCV
D法等6二より形成する0さら5二この光電変換膜(8
1上にITO等の透明電極(4)を形成し、いわゆるサ
ンドイッチ型構造のアレイ状の光センサ(5)を第1の
基体(1)上C二形成する。
This embodiment is a -dimensional close-contact type image sensor that uses a photoelectric conversion element as an energy conversion section, and is shown in Fig. 1 (
-) A glass substrate is used as the first substrate (1), and Cr is vapor-deposited and photo-etched to form a lower electrode (2) in a desired shape. These lower electrodes are arranged in a row r:p at a pitch of, for example, 8 electrodes/column.
Form several pieces. This situation is shown in FIG. 1(b) as a two-part fair view. Next, on this lower electrode (2), a photoelectric conversion film (8) made of, for example, a hydrogen-containing a-8i film is deposited by CVD.
This photoelectric conversion film (8
A transparent electrode (4) made of ITO or the like is formed on the first substrate (1), and an array-like optical sensor (5) having a so-called sandwich structure is formed on the first substrate (1).

次l二この光センサ(5)アレイの駆動部の形成1二つ
いて説明する。
Next, the formation of the drive section of the optical sensor (5) array will be explained.

第2の基体−としてアルミナ基板を用い、Auペースト
を印刷焼成して、導体パターン0ηを形成する。8本/
wJ1程度の為密度配線の場合、フォトリングラフイー
技術を用いることが好ましい。次いで前記光電変換素子
アレイを順次駆動するスイッチング機能をイ〕する集積
回路素子(2)を例えば導電性エポキシ等により導体パ
ターンαη上6二固足し、ボ・7ギ/T ソ/’ r7
1−? (1nl m In r h rLA 嬰%西
?綱カ形成する0 このように別個に形成された第1の基体、第2の基体を
夫々性能検査を行ない、良品を選出して第3の基体(財
)上C実装する。
Using an alumina substrate as the second substrate, an Au paste is printed and fired to form a conductor pattern 0η. 8 pieces/
Since wJ is about 1, it is preferable to use photophosphorography technology in the case of high-density wiring. Next, an integrated circuit element (2) having a switching function for sequentially driving the photoelectric conversion element array is fixed on the conductor pattern αη using, for example, conductive epoxy, and then the integrated circuit element (2) is fixed on the conductor pattern αη.
1-? (1nl m In r h rLA 彰%west?Strong force is formed 0 The performance of the first base body and the second base body formed separately in this way is conducted respectively, and a good product is selected and the third base body ( Goods) Implement upper C.

第3の基体(イ)としては、例えば350〜450nm
等の通常の紫外線を透過するバリウムホウケイ酸ガラス
(7059コ一ニング社製)等を用い、この第3の基体
(財)を水平5二配置し、固定手段として紫外線硬化樹
脂(21)を用い、この樹脂(2」jを第3の基体(財
)上に塗布する。その後、第1の基体(1)及び第2の
基体αQを位置合わせして第3の基体(社)上C配置す
る。次いで第3の基体(イ)を介して紫外M(図中α)
を照射し、紫外線硬化樹脂Hな硬化させ第1の基体(1
)及び第2の基体(至)を第3の基体(社)上C固定す
る。この硬化処理時間は通常1分間程度であるので非常
g二効率良く、さらg二熱処理を用いないため光電変換
素子アレイ5二悪影響を及ぼす恐れもない。
For example, the third substrate (a) has a thickness of 350 to 450 nm.
Using barium borosilicate glass (7059 manufactured by Koning Co., Ltd.) that transmits ordinary ultraviolet rays, etc., this third substrate is arranged horizontally, and an ultraviolet curing resin (21) is used as a fixing means. , apply this resin (2''j) on the third substrate (goods). Then, align the first substrate (1) and the second substrate αQ and arrange C on the third substrate (company). Next, ultraviolet M (α in the figure) is applied via the third substrate (a).
The first substrate (1
) and the second base (to) are fixed on the third base (to). Since this curing treatment time is usually about 1 minute, it is very efficient, and since no further heat treatment is used, there is no risk of adverse effects on the photoelectric conversion element array 5.

次5二第1の基体(1)及び第2の基体(2)の電気的
接続を行なう。本実施例では接続手段としてポンディン
グワイヤーを用いた。
Next, the first base (1) and the second base (2) are electrically connected. In this example, a bonding wire was used as the connection means.

このようC二基体を分割して製造すること(二より、イ
メージセンサ製造時の自由度が大幅C二増す。すなわち
、一般C二機器の小型化を図るため駆動回路部とセンサ
部を一体Cユ基板上に形成することが行なわれているが
、夫々製造プロセスが異なるため、多数工程が必要であ
り、時間もかかる。さらI:センサ部は一般ζ;熱処理
C:より特性の変化を生ずることが多いため、センサ部
を形成した後の工程C二制限が生ずる。
By manufacturing the C2 substrate by dividing it (2), the degree of freedom when manufacturing image sensors is greatly increased.In other words, in order to reduce the size of general C2 equipment, the drive circuit section and the sensor section are integrated into one C2. However, since the manufacturing process is different for each, multiple steps are required and it takes time.Furthermore, I: The sensor part is general ζ; Heat treatment C: Further changes in characteristics occur. Therefore, there are two limitations on process C after forming the sensor section.

しかしながら、このよう5二分害umにすること(二よ
り、センサ部、駆動回路部を夫々別個g:製造すること
ができるため、製造を並行して進めることができ、製造
C二要する時間が短縮される。また分割した基体は夫々
別個に製造されるため、製造工程の混合がなく、製造工
程が容易になる。
However, by making this 5-part harm um (from 2), the sensor part and the drive circuit part can be manufactured separately, so manufacturing can proceed in parallel, reducing the time required for manufacturing C2. Furthermore, since the divided substrates are manufactured separately, there is no need to mix manufacturing processes, which simplifies the manufacturing process.

また工8順序、処理条件等の制限が緩和されるため、製
造上の自由度が増す。
In addition, restrictions on process order, processing conditions, etc. are relaxed, increasing the degree of freedom in manufacturing.

さらに製造工程の混合がなくなることにより、各々の基
体上のセンサ、駆動回路等の個々の歩留が向上するとと
もC二、このように歩留、の良い基体イメージセンサの
場合、光電変換部は各工程を経ることによる特性変化を
生じやすく、この特性変化が暗電流の増加、充電変換効
率の低下等、致命的な欠陥となることがあるため、本発
明のごとく分割タイプにするととC;よるメリットは大
なるものである。
Furthermore, by eliminating the mixing of manufacturing processes, the individual yield of sensors, drive circuits, etc. on each substrate is improved. Characteristic changes are likely to occur as a result of passing through each process, and these characteristic changes can lead to fatal defects such as an increase in dark current and a decrease in charge conversion efficiency. The benefits are huge.

また最終的には同−基体上Cニ一体化されるため、同−
基体上Cユ混在してセンサ部と駆動回路部を形成した場
合と同様な、例えば取扱い容易、メインテナンス容易、
小型化容易等の効果も有する。イメージセンサ特S二蓄
積タイプで駆動するような場合、扱う信号が小さいため
、駆動回路とセンサ部はできるだけ近接して配置した方
が望1しく、単C二分割しただけでなく、第3の基体■
上に近接して一体化する必要がある。
In addition, since the C and C on the same substrate are eventually integrated, the same
For example, it is easy to handle, easy to maintain, and similar to the case where the sensor section and the drive circuit section are formed by coexisting C on the base body.
It also has effects such as easy miniaturization. When driving an image sensor with a special S dual storage type, the signals handled are small, so it is desirable to place the drive circuit and sensor part as close as possible. Base ■
It needs to be integrated close to the top.

前述の実施例ではボンディングワイヤを用いて基体間の
接続を行なったが、例えば絶縁性ゴム表面に導電パター
ンを形成したものを基体間に当接しても良い。
In the embodiments described above, bonding wires were used to connect the substrates, but for example, an insulating rubber surface with a conductive pattern formed thereon may be brought into contact between the substrates.

例えば前述の実施例c二おける下部電極が8本/藺程度
の密度で並んでいる場合、第2の基体上のこの電極と接
続されるべき導体パターンをこれと対向するようシニパ
ターン形成する。この両路体間の対向する方向に平行1
m、例えば16 本7緒程度の導体パターンを絶縁性ゴ
ム表面l二形成し、両基体に当接すれば良い。このよう
な方法C二よ九ば、第1及び第2の基体間の位置合わせ
さえ行なっておけば、単にゴムを当接するだけで、すべ
ての電気的接続を行なうことができるため、非常に製造
上有効である。捷だ久方性導電ゴムを用いても同様であ
る。
For example, in the case where the lower electrodes in the above-mentioned Example c2 are lined up at a density of about 8 electrodes/line, the conductor pattern to be connected to this electrode on the second substrate is formed in a thin pattern so as to face it. Parallel 1 in the opposing direction between these two road bodies
For example, a conductor pattern of approximately 16 conductor patterns may be formed on the insulating rubber surface and brought into contact with both substrates. In this method, as long as the first and second substrates are aligned, all electrical connections can be made simply by abutting the rubber, making it extremely easy to manufacture. The above is valid. The same thing can be said if a long-lasting conductive rubber is used.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図(a)は本発明の実施例を示すイメージセンサの
断ilf]]図、第1図(b)は本発明の実施例の第1
の基体の部分平面図。 1・・・第1の基体 5・・・光センサ(エネルギー変換部)10・・・第2
の基体 12・・・集積回路素子(電気素子) 20・・・第3の基体
FIG. 1(a) is a cross-sectional view of an image sensor showing an embodiment of the present invention, and FIG. 1(b) is a cross-sectional view of an image sensor showing an embodiment of the present invention.
FIG. 1... First base 5... Optical sensor (energy conversion unit) 10... Second
Base body 12... integrated circuit element (electrical element) 20... third base body

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1) エネルギー変換部を備えた第1の基体と、前記
エネルギー変換部を駆動する電気素子が実装された第2
の基体と、 前記エネルギー変換部と前記半導体素子とを電気的に接
続する接続手段と、 前記第1の基体及び第2の基体を固定する透光性の第3
の基体とを備え、 前記第1の基体及び第2の基体の第3の基体への固定手
段として光硬化性樹脂を用いたことを特徴とするハイブ
リッド集積回路装置。
(1) A first base body including an energy conversion unit, and a second base body on which an electric element for driving the energy conversion unit is mounted.
a base body; a connection means for electrically connecting the energy conversion section and the semiconductor element; and a translucent third base body for fixing the first base body and the second base body.
A hybrid integrated circuit device, comprising: a base body, and a photocurable resin is used as means for fixing the first base body and the second base body to the third base body.
(2)前記エネルギー変換部が光電変換素子であること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載のハイブリッド
集積回路装置。
(2) The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein the energy conversion section is a photoelectric conversion element.
JP14442783A 1983-08-09 1983-08-09 Hybrid integrated circuit device Pending JPS6037194A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14442783A JPS6037194A (en) 1983-08-09 1983-08-09 Hybrid integrated circuit device

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14442783A JPS6037194A (en) 1983-08-09 1983-08-09 Hybrid integrated circuit device

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ID=15361935

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JP14442783A Pending JPS6037194A (en) 1983-08-09 1983-08-09 Hybrid integrated circuit device

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JP (1) JPS6037194A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61199059U (en) * 1985-05-31 1986-12-12

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61199059U (en) * 1985-05-31 1986-12-12

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