JPS6035546A - 半導体装置の樹脂封止方法 - Google Patents

半導体装置の樹脂封止方法

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JPS6035546A
JPS6035546A JP58144715A JP14471583A JPS6035546A JP S6035546 A JPS6035546 A JP S6035546A JP 58144715 A JP58144715 A JP 58144715A JP 14471583 A JP14471583 A JP 14471583A JP S6035546 A JPS6035546 A JP S6035546A
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JP
Japan
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rom
film
transparent resin
semiconductor device
present
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JP58144715A
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Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
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Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はＨＰ−ＲＯＭ牛尋体記憶装置の構造に関する。
従来、ＩＰ−ＲＯＭは、第１図に示す如くセラミンク拳
ステム２に組み立てられたＢＰ　−ＲＯＭ素子１をセラ
ミンク舎キャンプ５で封止し、セラミック・キャンプ６
には石英めるいはＴ７アイヤからなるガラス窓４が取付
けられた構造となっている。
しかし、上記従来技術では、ＩＰ−ＲＯＭの封止部品の
コストが關〈つき、且つ、封止工数が大きいという欠点
があった。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくし、低コストで
且り封止工数の少ないＩＰ−ＲＯＭ装置を提供すること
を目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体装置において、１ｎＰ　−ＲＯＭ半導体素子が透明
樹脂に封止されて成ることを特徴とすること、及び、前
記透明樹脂封止ＥＰ−ＲＯＭの少なくとも透明樹脂表面
には、８１０□膜あるいはＡ１２Ｑ３喚が形成されて成
ることを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第２図は本発明の一実施例を示すＥｉＰ−ＲＯＭ装置の
断面図である。］！ｉＰ−ＲＯＭ素子１１はリードフレ
ーム１２に組立てられ、透明樹脂１５にて封止され、該
透明樹脂１５の表面にはスバンタ法あるいは元ＯＶＤ法
等により常温乃至２００℃程度で５１０２膜またはＡ１
４０３膜から成るガラス膜１４が形成されて成る。
本発明の如く、ＥＰ−ＲＯＭ素子を透明樹脂に封止する
ことにより、ＥＰ−ＲＯＭの光消去機能を保つｆｃま＼
、低コストで且つ封止工数の少ないＩＰ−ＦＯＭ！置が
製作できると共に、透明樹脂表面に５１０２膜またはＡ
１□０３膜を形成することにより、ＥＰ−］’ｔＯＭ装
置の耐湿性を光消去特性の劣化もなく向上させることが
できる等の効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来技術によるＢＰ−ＲＯＭ装置の断面図、第
２図は本発明の一実施例を示すＫＰ−ＲＯＭ装置の断面
図である。 １．１１・・・ＥＰ争ＲＯＭ素子、２・・・ステム、５
・・・キャンンー、４・・・ガラス窓、１２・・・フレ
ーム、１６・・・透明樹脂、１４・・・ガラス層。 以　上 第１図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （１１ＨＰ　−ＲＯＭ　（光消去、電気的書き込み可能
    ゼード・オンリー・メモリ）半導体素子が透明樹脂に封
    止されて成ることを特徴とする半導体装置。 （２）少なくとも透明樹脂表面には、５１０２膜あるい
    はＡ　Ｌ＠　ｏｓ嘆が形成されて成ることを特徴とする
    特許請求範囲第１項記載の半導体装置。
JP58144715A 1983-08-08 1983-08-08 半導体装置の樹脂封止方法 Granted JPS6035546A (ja)

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JPS6035546A true JPS6035546A (ja) 1985-02-23
JPH0562466B2 JPH0562466B2 (ja) 1993-09-08

Family

ID=15368608

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56142245U (ja) * 1980-03-25 1981-10-27

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5730351A (en) * 1980-07-30 1982-02-18 Nec Corp Resin-sealed type semiconductor device
JPS57164585A (en) * 1981-04-02 1982-10-09 Toshiba Corp Photosemiconductor device

Patent Citations (2)

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JPS56142245U (ja) * 1980-03-25 1981-10-27

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JPH0562466B2 (ja) 1993-09-08

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