JPS6033276B2 - 電気光学マトリツクス表示装置 - Google Patents
電気光学マトリツクス表示装置Info
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- JPS6033276B2 JPS6033276B2 JP52158538A JP15853877A JPS6033276B2 JP S6033276 B2 JPS6033276 B2 JP S6033276B2 JP 52158538 A JP52158538 A JP 52158538A JP 15853877 A JP15853877 A JP 15853877A JP S6033276 B2 JPS6033276 B2 JP S6033276B2
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/055—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect the active material being a ceramic
- G02F1/0551—Constructional details
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ディスプレイの分野、特に、横方向バイアス
・モードで動作し得る電気−光学板（ｅｌｅｃｔｒｏ−
ｏｐｔｉｃｐｌａｔｅ）を利用し、その板（プレート）
の１側面上に配置された交差電極（ｃｒｏｓｓ−ｏｖｅ
ｒｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）を具えるディスプレイ（表示装
置）に関する。
・モードで動作し得る電気−光学板（ｅｌｅｃｔｒｏ−
ｏｐｔｉｃｐｌａｔｅ）を利用し、その板（プレート）
の１側面上に配置された交差電極（ｃｒｏｓｓ−ｏｖｅ
ｒｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）を具えるディスプレイ（表示装
置）に関する。
電子−光学材料における最近の開発は、ディスプレイ装
置としてより有用な材料をもたらした。
置としてより有用な材料をもたらした。
高い透光性、重要な電気−光学特性、高い電気機械係数
及び多結晶質のセラミック構造を具えた材料をつくるた
めの開発が、ランタンにより修飾されたチタン酸ジルコ
ン酸鉛（ＰＬＺＴ）のような透明強談導体セラミック材
料において行なわれた。ディスプレイ装置にこれらの改
良された材料を使用することは、現在において、より実
行可能なものとなり、例えば、本発明のディスプレイ装
置にかような使用を許容するための方法や構造を必要と
している。広範な種類の適用が電子−光学材料の使用、
例えば、溶接機用の保護メガネ、写真の電子シャツ夕、
光学スイッチ、可変密度透過窓（ｖａｒｉａｂｌｅｄｅ
ｎｓｉツｔｒａｎｓｍｌｓｓｌｏｎｗｉＭｏｗ）、カラ
ー・フィル夕として提案された。ＰＬＺＴのような電気
−光学材料を使用する先行技術の装置は、米国特許第３
７３７２１１号に説明されている。
及び多結晶質のセラミック構造を具えた材料をつくるた
めの開発が、ランタンにより修飾されたチタン酸ジルコ
ン酸鉛（ＰＬＺＴ）のような透明強談導体セラミック材
料において行なわれた。ディスプレイ装置にこれらの改
良された材料を使用することは、現在において、より実
行可能なものとなり、例えば、本発明のディスプレイ装
置にかような使用を許容するための方法や構造を必要と
している。広範な種類の適用が電子−光学材料の使用、
例えば、溶接機用の保護メガネ、写真の電子シャツ夕、
光学スイッチ、可変密度透過窓（ｖａｒｉａｂｌｅｄｅ
ｎｓｉツｔｒａｎｓｍｌｓｓｌｏｎｗｉＭｏｗ）、カラ
ー・フィル夕として提案された。ＰＬＺＴのような電気
−光学材料を使用する先行技術の装置は、米国特許第３
７３７２１１号に説明されている。
可変密度光学フィル夕は、横モード（ｔｒａｎｓｅｖｅ
Ｒｅｍｏｄｅ）（光学軸が光伝播方向に垂直になってい
る）において動作する前記特許に記載されている。相互
ディジタル配列の（ｉｎｔｅｒｄｉｇ他１ ａｒｒａｙ
）共通面電極（ｃｏ−ｐｌａｎＭｒｅｌｅｃｔｒｏｄｅ
）は、電極間に印加される電界を有する薄いセラミック
・ゥヱハの１側面上に配置される場合について説明され
ている。
Ｒｅｍｏｄｅ）（光学軸が光伝播方向に垂直になってい
る）において動作する前記特許に記載されている。相互
ディジタル配列の（ｉｎｔｅｒｄｉｇ他１ ａｒｒａｙ
）共通面電極（ｃｏ−ｐｌａｎＭｒｅｌｅｃｔｒｏｄｅ
）は、電極間に印加される電界を有する薄いセラミック
・ゥヱハの１側面上に配置される場合について説明され
ている。
零電界状態において、光は、セラミック材料が光学的に
分離しているものであるために、１対の交差した偏光器
（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）を介して伝送されない。偏向電
圧が印力ロされると、電気−光学材料は、光の遅延（ｒ
ｅｔａｒｄａｔｊｏｎ）を与え、光の成分は交差した偏
光器の２次的な作用によって通過される。本発明の目的
は、横方向バイアス・モードで動作する改良された電気
−光学表示装置を提供することである。
分離しているものであるために、１対の交差した偏光器
（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）を介して伝送されない。偏向電
圧が印力ロされると、電気−光学材料は、光の遅延（ｒ
ｅｔａｒｄａｔｊｏｎ）を与え、光の成分は交差した偏
光器の２次的な作用によって通過される。本発明の目的
は、横方向バイアス・モードで動作する改良された電気
−光学表示装置を提供することである。
更に、本発明の目的は、その中にアパーチヤを有する第
１，第２交差導体を具える改良された表示装置を提供す
ることであり、その導体部分は、その間に比較的低電位
を印加するのに適合し、光が電気−光学板を介して透過
されるのを許容する。
１，第２交差導体を具える改良された表示装置を提供す
ることであり、その導体部分は、その間に比較的低電位
を印加するのに適合し、光が電気−光学板を介して透過
されるのを許容する。
更に、本発明の目的は、アパーチャを有する一連の交差
導体を具え、その導体は、アパーチャがマトリックス表
示器に組立てられるように配置され、電気−光学板の所
定領域が、選択された領域を介して光の透過を与えるよ
うに選択的に附勢され得るような表示器を提供すること
である。
導体を具え、その導体は、アパーチャがマトリックス表
示器に組立てられるように配置され、電気−光学板の所
定領域が、選択された領域を介して光の透過を与えるよ
うに選択的に附勢され得るような表示器を提供すること
である。
簡単に伝えば、本発明は、横方向バイアス・モード（ｔ
ｒａｎｓｖｅ岱ｅｂｉａｓｍｏｄｅ）で動作し得る電気
−光学板から成る。互いに絶縁され、互いに交差してい
る第１導体、第２導体は、交差点において実質的に一致
するアパーチヤを具えている。交差点において、各導体
部分は、前記板に沿うて位置し、それらの間に電界が印
加されるのに適合している。本発明によれば、電気−光
学板の所定領域は、ある第１，第２交差導体間に電位を
適用することによって横方向モードで選択的に駆動され
るのに適合している。本発明による表示装置は、更に、
ドット・マトリックス表示のような所定の形状に電気−
光学板の１側面上に配置された一連の第１，第２交差導
体を具える。ＰＬＺＴセラミックは、微視的スケール上
で単軸光学特性を示し、また、電界により附勢される場
合巨視的スケール上で単軸光学特性を示す。
ｒａｎｓｖｅ岱ｅｂｉａｓｍｏｄｅ）で動作し得る電気
−光学板から成る。互いに絶縁され、互いに交差してい
る第１導体、第２導体は、交差点において実質的に一致
するアパーチヤを具えている。交差点において、各導体
部分は、前記板に沿うて位置し、それらの間に電界が印
加されるのに適合している。本発明によれば、電気−光
学板の所定領域は、ある第１，第２交差導体間に電位を
適用することによって横方向モードで選択的に駆動され
るのに適合している。本発明による表示装置は、更に、
ドット・マトリックス表示のような所定の形状に電気−
光学板の１側面上に配置された一連の第１，第２交差導
体を具える。ＰＬＺＴセラミックは、微視的スケール上
で単軸光学特性を示し、また、電界により附勢される場
合巨視的スケール上で単軸光学特性を示す。
単軸結晶は、光学軸に沿うて配置される唯一の対称軸を
有する。この軸は．セラミックＰはＴにおける強議電性
の分極ベクトルを有する共通線（ｃｏ−ｌｉｎｅａｒ）
となり、２個の他の直交軸とは異なる光学特性を示す。
光学軸に沿うて附勢されたＰはＴ結晶を進行し、その軸
に直角な方向に振動する光は、光学軸に直角な方向に進
行し、その軸に平行な方向に振動する光とは異なる屈折
率を有するであろう。２個の屈折率間の差は、後屈折効
果（ｂｉｒｅｈｉｎｇｅｎｃｅ）として定義される。
有する。この軸は．セラミックＰはＴにおける強議電性
の分極ベクトルを有する共通線（ｃｏ−ｌｉｎｅａｒ）
となり、２個の他の直交軸とは異なる光学特性を示す。
光学軸に沿うて附勢されたＰはＴ結晶を進行し、その軸
に直角な方向に振動する光は、光学軸に直角な方向に進
行し、その軸に平行な方向に振動する光とは異なる屈折
率を有するであろう。２個の屈折率間の差は、後屈折効
果（ｂｉｒｅｈｉｎｇｅｎｃｅ）として定義される。
巨視的スケールで、適当な電界が印加される前は、材料
の複屈折効果は零に等しい。複屈折材料に入射して直線
的に分極した光は、２個の直角成分に効果的に分解され
る。２個の成分の伝播速度は、異なる屈折率のためにそ
の材料内部で異なる。
の複屈折効果は零に等しい。複屈折材料に入射して直線
的に分極した光は、２個の直角成分に効果的に分解され
る。２個の成分の伝播速度は、異なる屈折率のためにそ
の材料内部で異なる。
２個の成分の異なる伝播速度は、遅延（ｒｅｔａｒ船ｔ
ｉｏｎ）と呼ばれる移相ずれ（ｐｈａｓｅｓｈｉ８）を
もたらし、その遅延は、複屈折率と材料の厚さとの積に
等しくなる。
ｉｏｎ）と呼ばれる移相ずれ（ｐｈａｓｅｓｈｉ８）を
もたらし、その遅延は、複屈折率と材料の厚さとの積に
等しくなる。
１′２皮長の遅延は、特定の電位が材料に印加されると
、１成分に関し他の成分に対して達成される。
、１成分に関し他の成分に対して達成される。
これは、直線的に９０ｏだけ分極された光の合成振動方
向の回転に帰着し、光が第１偏光器（ｐｏｌａｒｉｚｅ
ｒ）に対して直角に配置された第２偏光器によって透過
されるのを許容し、第１偏光器は、光を最初に偏光する
のに使用される。遅延が零に等しい状態から遅延が１′
２皮長に等しい状態まで電気−光学セラミックの切換（
スイッチング）は、複屈折材料を通過する光がオン・オ
フをゲートすることを可能とする。電気−光学装置に一
般に使用される基本的な動作モードは、横モード及び鞠
モードである。
向の回転に帰着し、光が第１偏光器（ｐｏｌａｒｉｚｅ
ｒ）に対して直角に配置された第２偏光器によって透過
されるのを許容し、第１偏光器は、光を最初に偏光する
のに使用される。遅延が零に等しい状態から遅延が１′
２皮長に等しい状態まで電気−光学セラミックの切換（
スイッチング）は、複屈折材料を通過する光がオン・オ
フをゲートすることを可能とする。電気−光学装置に一
般に使用される基本的な動作モードは、横モード及び鞠
モードである。
軸万向の動作モードーこおいて、電界は、観察方向と平
行な方向に印加されるので、電気−光学板の厚さを介し
て透明電極の使用を必要とする。横モードにおいて、電
界は、電極間のギャップを介して伝送される光と共に、
電気−光学板の１表面上に配置された電極により観察方
向と垂直に印加される。第１図は、横モードで動作する
基本的な電気−光学表示システムを示す。
行な方向に印加されるので、電気−光学板の厚さを介し
て透明電極の使用を必要とする。横モードにおいて、電
界は、電極間のギャップを介して伝送される光と共に、
電気−光学板の１表面上に配置された電極により観察方
向と垂直に印加される。第１図は、横モードで動作する
基本的な電気−光学表示システムを示す。
任意に偏向された光源１０は、光源として作用し、その
光は、偏向軸１２を有する偏光器１１を通過する。偏光
器１１は、第１図に示されるような偏光光波形１３によ
り示されるように、光源１０から偏向軸１２に配列され
る光成分を伝送する。偏向光は、次に、通常光波に対し
て透明であり、光軸１５を有するＰはＴ電気−光学板１
４を通過する。横モードで動作せしめるためには、ＰＷ
Ｔ電気一光学板１４は、その上に附着された１対の指状
電極（ｉｎｔｅｒｄｉｇ雌ｔｅｄｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）
１ ６を具える。
光は、偏向軸１２を有する偏光器１１を通過する。偏光
器１１は、第１図に示されるような偏光光波形１３によ
り示されるように、光源１０から偏向軸１２に配列され
る光成分を伝送する。偏向光は、次に、通常光波に対し
て透明であり、光軸１５を有するＰはＴ電気−光学板１
４を通過する。横モードで動作せしめるためには、ＰＷ
Ｔ電気一光学板１４は、その上に附着された１対の指状
電極（ｉｎｔｅｒｄｉｇ雌ｔｅｄｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）
１ ６を具える。
制御回路１７は、電源１８から１対の電極１６に電位を
与え、それによって板１４の選択された領域間に電位を
印加し、電極１６間の材料に複屈折効果を与える。これ
は、遅延をもたらし、第１図に示されるように偏向光波
形２０の位相ずれを発生する。軸１２に直角な軸に沿う
て偏向された分析器２１は、移相され偏向された光波２
０を通過せしめる。第２図及び第３図を参照するに、電
気−光学板３０が示され、それはＰＬＺＴのような電気
−光学材料で構成され、光学的に透明であり、そこに印
加される制御電位に応動して複屈折効果を示すように準
備されている。
与え、それによって板１４の選択された領域間に電位を
印加し、電極１６間の材料に複屈折効果を与える。これ
は、遅延をもたらし、第１図に示されるように偏向光波
形２０の位相ずれを発生する。軸１２に直角な軸に沿う
て偏向された分析器２１は、移相され偏向された光波２
０を通過せしめる。第２図及び第３図を参照するに、電
気−光学板３０が示され、それはＰＬＺＴのような電気
−光学材料で構成され、光学的に透明であり、そこに印
加される制御電位に応動して複屈折効果を示すように準
備されている。
板３川ま、概して平行で、光学的特性の表面を有する比
較的薄い断面領域をもっている。板３０の第１側面３１
は、その上に第１表面３１と接触した第１導体３２を有
している。第１導体３２は、第１導体のストリップ３４
により分離された第１アパーチャを具えている。第１導
体は、例えば、半導体装置製造に共通に使用される金属
層蒸着技術により形成される。絶縁層３５は、第１導体
３２上に重ね合わされ、その中にアパーチャ３６を具え
ている。アパーチャ３６は、一般的に第１導体３２の第
１アパーチヤ３３の上に配置される。絶縁層は、例えば
二酸化シリコンのような誘電体材料で形成され、周知の
半導体製造技術を使用して第１導体３２の上に蒸着され
る。第２導体３７は、第１導体３２とは異なる平面内に
配置され、絶縁層３５により第１導体３２とは分離され
る。第２導体３７は、絶縁層アパーチャ３６及び第１ア
パーチャ３３によって概略限定される位置において第１
導体３２を横切る。横切る位置における導体３７は、第
１導体３２の第１アパーチャ３３及び絶縁層３５のアパ
ーチャ３６と殆んど一線に整列しているアパーチャ３８
を具える。第２導体３７は、半導体製造技術において周
知の金属蒸着技術によって絶縁層３５上に形成される。
ストリップ４０‘ま、板３０の第１側面３１上に存在し
、第２導体３７の主要部分から延長し、第２導体の延長
部分４１により接続されるように構成される。第２導体
のストリップ４０及び第１導体のストリップ３４は、板
３０の表面３１に沿うて、一般的に相互に平行となるよ
うに配列される。電位が第１，第２導体間に印加され、
第２図に示される附勢領域４２が、その電位によつて発
生される電界を受け、複屈折特性を示し、その結果、板
３０の附勢領域４２を通過する光の遅延現象と位相ずれ
とを発生せしめる。第３図に図示の如く、アパーチャ３
３に隣接し、ストリップ３４に対向して位置する第１導
体３２の端部４３は、第２導体３７のストリップ４‐０
と組合わされて、第２導体の１番外側のアバーチャ３８
によって確定される板領域間に電位差を与えるように作
用する。
較的薄い断面領域をもっている。板３０の第１側面３１
は、その上に第１表面３１と接触した第１導体３２を有
している。第１導体３２は、第１導体のストリップ３４
により分離された第１アパーチャを具えている。第１導
体は、例えば、半導体装置製造に共通に使用される金属
層蒸着技術により形成される。絶縁層３５は、第１導体
３２上に重ね合わされ、その中にアパーチャ３６を具え
ている。アパーチャ３６は、一般的に第１導体３２の第
１アパーチヤ３３の上に配置される。絶縁層は、例えば
二酸化シリコンのような誘電体材料で形成され、周知の
半導体製造技術を使用して第１導体３２の上に蒸着され
る。第２導体３７は、第１導体３２とは異なる平面内に
配置され、絶縁層３５により第１導体３２とは分離され
る。第２導体３７は、絶縁層アパーチャ３６及び第１ア
パーチャ３３によって概略限定される位置において第１
導体３２を横切る。横切る位置における導体３７は、第
１導体３２の第１アパーチャ３３及び絶縁層３５のアパ
ーチャ３６と殆んど一線に整列しているアパーチャ３８
を具える。第２導体３７は、半導体製造技術において周
知の金属蒸着技術によって絶縁層３５上に形成される。
ストリップ４０‘ま、板３０の第１側面３１上に存在し
、第２導体３７の主要部分から延長し、第２導体の延長
部分４１により接続されるように構成される。第２導体
のストリップ４０及び第１導体のストリップ３４は、板
３０の表面３１に沿うて、一般的に相互に平行となるよ
うに配列される。電位が第１，第２導体間に印加され、
第２図に示される附勢領域４２が、その電位によつて発
生される電界を受け、複屈折特性を示し、その結果、板
３０の附勢領域４２を通過する光の遅延現象と位相ずれ
とを発生せしめる。第３図に図示の如く、アパーチャ３
３に隣接し、ストリップ３４に対向して位置する第１導
体３２の端部４３は、第２導体３７のストリップ４‐０
と組合わされて、第２導体の１番外側のアバーチャ３８
によって確定される板領域間に電位差を与えるように作
用する。
かくして、アパーチャ３６によって概略限定される板３
０の全領域は、第１導体３２と第２導体３７間の電位差
の適用によって複屈折状態に附勢されることができる。
電気−光学板３川ま、高抵抗率を有しているから、第１
，第２導体を介して引出される電流は無視できる。これ
は、第１，第２導体を薄くすることを可能とする。この
ために、ストリップ３４，４川ま、また、長くしかも薄
くつくることができる。９０６軍塾Ｐ山Ｔ材料（モトロ
ーラ社製）を複屈折状態に駆動するのに必要な電界強度
は、１０寸の千分の一当り約２５Ｖである。
０の全領域は、第１導体３２と第２導体３７間の電位差
の適用によって複屈折状態に附勢されることができる。
電気−光学板３川ま、高抵抗率を有しているから、第１
，第２導体を介して引出される電流は無視できる。これ
は、第１，第２導体を薄くすることを可能とする。この
ために、ストリップ３４，４川ま、また、長くしかも薄
くつくることができる。９０６軍塾Ｐ山Ｔ材料（モトロ
ーラ社製）を複屈折状態に駆動するのに必要な電界強度
は、１０寸の千分の一当り約２５Ｖである。
第１，第２導体を駆動するためのスイッチング装置は、
若し１００Ｖ以下の露日課駆動がスイッチング装置より
要求される場合、より廉価になる。ストリップ３４，４
０の幅とアパーチヤ開孔との間の比１０：１を有すると
共に、電極間に１０寸の４′１０００以下の間隔が維持
されると、光の通過に対して充分な領域を与え、他方、
導体間の電位が僅か１００Ｖ必要とするにすぎない。相
互に絶縁され、前述したようなァパーチャとストリップ
とを有する一連の第１，第２導体は、第４図に示すよう
にドットーマトリックス表示装置５０として使用するた
めの所定形状に配列されたアパーチャを有するように配
置されることができる。
若し１００Ｖ以下の露日課駆動がスイッチング装置より
要求される場合、より廉価になる。ストリップ３４，４
０の幅とアパーチヤ開孔との間の比１０：１を有すると
共に、電極間に１０寸の４′１０００以下の間隔が維持
されると、光の通過に対して充分な領域を与え、他方、
導体間の電位が僅か１００Ｖ必要とするにすぎない。相
互に絶縁され、前述したようなァパーチャとストリップ
とを有する一連の第１，第２導体は、第４図に示すよう
にドットーマトリックス表示装置５０として使用するた
めの所定形状に配列されたアパーチャを有するように配
置されることができる。
けし、光発生源５１は、反射器ハウジング５夕２内に具
えられ、光が表示器偏向器５３上に集中せしめられる。
表示器偏向器５３は、表示器の正面５６近傍に配置した
表示分析器５５の偏向軸と直角にある偏光軸（ｐｏｌａ
ｒｉｚａｔｉｏｎａｘｉｓ）を具えている。表示用電気
−光学板５４は、その上に第１０導体３２及び第２導体
３７と同様な一連の導体を配置し、７×５ドットーマト
リックス表示器を構成するようにしている。導体は、一
連の列電極６０及び一連の行電極６１に配置される。個
々のドット、或いはドット群は、技術上周知のように、
対応する列及び行電極間に電圧を印加することによって
アドレスされることができる。適当な電圧が、１個の列
電極６０と１個の行電極６１に印加されると、電極交差
に対応する電気−光学板５４の領域には、複屈折効果が
発生する。これは、板を通過する光が９０ｏ回転され、
分析器５５を通過せしめる。かくして、表示器の特定の
所定領域即ちドットが、制御電圧の選択的適用によって
附勢されよう。
えられ、光が表示器偏向器５３上に集中せしめられる。
表示器偏向器５３は、表示器の正面５６近傍に配置した
表示分析器５５の偏向軸と直角にある偏光軸（ｐｏｌａ
ｒｉｚａｔｉｏｎａｘｉｓ）を具えている。表示用電気
−光学板５４は、その上に第１０導体３２及び第２導体
３７と同様な一連の導体を配置し、７×５ドットーマト
リックス表示器を構成するようにしている。導体は、一
連の列電極６０及び一連の行電極６１に配置される。個
々のドット、或いはドット群は、技術上周知のように、
対応する列及び行電極間に電圧を印加することによって
アドレスされることができる。適当な電圧が、１個の列
電極６０と１個の行電極６１に印加されると、電極交差
に対応する電気−光学板５４の領域には、複屈折効果が
発生する。これは、板を通過する光が９０ｏ回転され、
分析器５５を通過せしめる。かくして、表示器の特定の
所定領域即ちドットが、制御電圧の選択的適用によって
附勢されよう。
第１図は、横方向モードで動作する基本的電子−光学表
示システムの部分的透視図を示す。 第２図は、本発明による表示装置の部分的断面透視図を
示す。第３図は、電気−光学板、第１，第２導体、絶縁
層の分解透視図を示す。第４図は、本発明のドットーマ
トリックス表示システムの透視図を示す。第２図，第３
図において、３０は電気光学板、３２は第１導体、３５
は絶縁層、３７は第２導体、３３，３６，３８はアバー
チヤ、３４，４０はストリップ。 〃コ
示システムの部分的透視図を示す。 第２図は、本発明による表示装置の部分的断面透視図を
示す。第３図は、電気−光学板、第１，第２導体、絶縁
層の分解透視図を示す。第４図は、本発明のドットーマ
トリックス表示システムの透視図を示す。第２図，第３
図において、３０は電気光学板、３２は第１導体、３５
は絶縁層、３７は第２導体、３３，３６，３８はアバー
チヤ、３４，４０はストリップ。 〃コ
【 ．Ｚ
〃ュ【刀，Ｚ
〃広 ．ｙ
〃立】．少
Claims (1)
- １ 横バイアス・モードで動作し得る電気一光学板、該
板の１側面上に配置され、そこに形成された少なくとも
１個のアパーチヤを有する第１導体、該第１導体上に重
ね合わされ、第１導体のアパーチヤと殆んど一致する少
なくとも１個のアパーチヤを有する絶縁層、前記絶縁層
により前記第１導体とは絶縁された第２導体、該第２導
体は、第１導体に極めて接近して交差するものであり、
前記第２導体は、第１導体のアパーチヤと殆んど一致す
る少なくとも１個のアパーチヤを有し、かつ、第２導体
から延長し、前記板の１側面上に存在する少なくとも１
個の延長部を具え、それによつて、電気一光学板の所定
領域は、第１，第２導体間に電位を印加することによっ
て横バイアス・モードに選択的に附勢されるように適合
されることを特徴とする選択的に光を伝送するための電
気−光学表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/756,216 US4113352A (en) | 1977-01-03 | 1977-01-03 | Electro-optic matrix display |
| US756216 | 1977-01-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5386596A JPS5386596A (en) | 1978-07-31 |
| JPS6033276B2 true JPS6033276B2 (ja) | 1985-08-01 |
Family
ID=25042510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52158538A Expired JPS6033276B2 (ja) | 1977-01-03 | 1977-12-27 | 電気光学マトリツクス表示装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4113352A (ja) |
| JP (1) | JPS6033276B2 (ja) |
| CA (1) | CA1075388A (ja) |
| DE (1) | DE2757327A1 (ja) |
| GB (1) | GB1550576A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6358170U (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-18 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2050638B (en) * | 1979-04-30 | 1983-09-14 | Bell & Howell Co | Light gate assemblies and systems |
| DE3040953C2 (de) * | 1979-11-01 | 1984-03-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka | Bildanzeigeeinrichtung |
| DE3002956C2 (de) * | 1980-01-29 | 1983-12-15 | Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart | Elektrooptischer Schalter |
| DE3214584C2 (de) * | 1982-04-20 | 1984-05-03 | Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart | Elektrooptische Vorrichtung |
| GB2191014B (en) * | 1986-05-28 | 1990-07-04 | Plessey Co Plc | Spatial light modulator |
| EP0362839A1 (en) * | 1988-10-05 | 1990-04-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Display unit |
| KR100195102B1 (ko) * | 1995-12-15 | 1999-06-15 | 윤종용 | 디스플레이용 광량 조절 소자 |
| US10629408B2 (en) | 2016-07-28 | 2020-04-21 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3737211A (en) * | 1971-12-01 | 1973-06-05 | Atomic Energy Commission | Ferroelectric-type optical filter |
-
1977
- 1977-01-03 US US05/756,216 patent/US4113352A/en not_active Expired - Lifetime
- 1977-12-16 GB GB52511/77A patent/GB1550576A/en not_active Expired
- 1977-12-20 CA CA293,491A patent/CA1075388A/en not_active Expired
- 1977-12-22 DE DE19772757327 patent/DE2757327A1/de not_active Withdrawn
- 1977-12-27 JP JP52158538A patent/JPS6033276B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6358170U (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-18 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2757327A1 (de) | 1978-07-13 |
| GB1550576A (en) | 1979-08-15 |
| CA1075388A (en) | 1980-04-08 |
| JPS5386596A (en) | 1978-07-31 |
| US4113352A (en) | 1978-09-12 |
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