JPS6031409B2 - レ−ザ・マイクロフォン - Google Patents
レ−ザ・マイクロフォンInfo
- Publication number
- JPS6031409B2 JPS6031409B2 JP55098078A JP9807880A JPS6031409B2 JP S6031409 B2 JPS6031409 B2 JP S6031409B2 JP 55098078 A JP55098078 A JP 55098078A JP 9807880 A JP9807880 A JP 9807880A JP S6031409 B2 JPS6031409 B2 JP S6031409B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- back surface
- semiconductor laser
- diaphragm
- laser microphone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザ光の直接変調を可能とするレーザ
・マイクロフオンに関す。
・マイクロフオンに関す。
近時エレクトロニクスの進歩著しく、その主役をなす半
導体レーザも、主力をなしていたＧ２ＡＳ系、ＡｌＡＳ
系半導体から、更に石英系光フアィバに使用して伝送損
失の小さい長波長（１．３〜１．６ｒ）光で発生する四
元半導体（例えばｌｎＧａＡｓＰ）の出現を見るに到り
、その出力も数の、ｗから１０の、ｗを越すものまで得
られるようになった。
導体レーザも、主力をなしていたＧ２ＡＳ系、ＡｌＡＳ
系半導体から、更に石英系光フアィバに使用して伝送損
失の小さい長波長（１．３〜１．６ｒ）光で発生する四
元半導体（例えばｌｎＧａＡｓＰ）の出現を見るに到り
、その出力も数の、ｗから１０の、ｗを越すものまで得
られるようになった。
光ファイバーの伝送損失も今は長距離通信に広く使用さ
れている同軸ケーブルより遥かに少し、。光通信には伝
送すべき信号のための変調・復調作用を必要とするが、
総て電子回路によっている。本発明は半導体レーザ光を
直接音波によって変調するレーザ・マイクロフオンを提
供するものである。第１図イに側面略図で示すように半
導体レーザ１は上下に加えられる励振電流の特定範囲で
固有周波数のし−ザ光をそのＰＮ接合面より発するが背
面に近接して反射板２を設けた場合、前面に発するレー
ザ光の出力Ｐは、半導体レーザ１と反射板２との距離ｄ
によって、固有波長入の１′２の周期で同図口に示すよ
うに変動する。図は総事由に光出力Ｐを横軸に距離ｄを
とった特性曲線を示す。従って同図ハに拡大して示すよ
うに該特性曲線Ｃの上昇曲線の略中央Ｍを動作点とする
ように反射板２の位置ｄを定め、該反射板を音波Ｖで励
振すれば、レーザ光出力Ｐは該音波で振幅変調されたも
のとする。音波Ｖで励振させる反射板２としては、ジュ
ラルミン、鉄等の金属簿板が使用でき、レーザ光の反射
率をたかめるために、該反射板の裏面該当部分に反射率
の極めて大きい（９９％以上に達する）誘電体多層膜、
例えば酸化シリコン（Ｓｉ０２）、酸化チタン（Ｔｉ０
２）、酸化アルミ（ＡＩ２０３）の薄膜をスパッタリン
グ、電子ビーム蒸着筆で蒸着すれば、反射率の低い材料
も使用できる。
れている同軸ケーブルより遥かに少し、。光通信には伝
送すべき信号のための変調・復調作用を必要とするが、
総て電子回路によっている。本発明は半導体レーザ光を
直接音波によって変調するレーザ・マイクロフオンを提
供するものである。第１図イに側面略図で示すように半
導体レーザ１は上下に加えられる励振電流の特定範囲で
固有周波数のし−ザ光をそのＰＮ接合面より発するが背
面に近接して反射板２を設けた場合、前面に発するレー
ザ光の出力Ｐは、半導体レーザ１と反射板２との距離ｄ
によって、固有波長入の１′２の周期で同図口に示すよ
うに変動する。図は総事由に光出力Ｐを横軸に距離ｄを
とった特性曲線を示す。従って同図ハに拡大して示すよ
うに該特性曲線Ｃの上昇曲線の略中央Ｍを動作点とする
ように反射板２の位置ｄを定め、該反射板を音波Ｖで励
振すれば、レーザ光出力Ｐは該音波で振幅変調されたも
のとする。音波Ｖで励振させる反射板２としては、ジュ
ラルミン、鉄等の金属簿板が使用でき、レーザ光の反射
率をたかめるために、該反射板の裏面該当部分に反射率
の極めて大きい（９９％以上に達する）誘電体多層膜、
例えば酸化シリコン（Ｓｉ０２）、酸化チタン（Ｔｉ０
２）、酸化アルミ（ＡＩ２０３）の薄膜をスパッタリン
グ、電子ビーム蒸着筆で蒸着すれば、反射率の低い材料
も使用できる。
又該反射板（振動板）２を特性曲線の動作点Ｍ（第１図
ハ）の該当位置に維持するためには、先づ機械的に動作
点Ｍ近傍にまで調整した後、半導体レーザ光の波長が励
振電流によって若干変化する原理を利用してその出力Ｐ
を測りながら徴調整すればよいｏレーザ通信であっては
受信は所謂フオトダィオード‘こよって行われる故、送
信レーザ波長の微少なずれは問題にならない。
ハ）の該当位置に維持するためには、先づ機械的に動作
点Ｍ近傍にまで調整した後、半導体レーザ光の波長が励
振電流によって若干変化する原理を利用してその出力Ｐ
を測りながら徴調整すればよいｏレーザ通信であっては
受信は所謂フオトダィオード‘こよって行われる故、送
信レーザ波長の微少なずれは問題にならない。
第２図は本発明になるレーザマィクロフオンの一実施例
を側断面図を以て示すもので、円筒形崖体３の前面は音
波を受ける円錐形に形成されその開□部に振動板２がリ
ング状ダンパー４上に調整固定リングねじ５によって固
定されている。
を側断面図を以て示すもので、円筒形崖体３の前面は音
波を受ける円錐形に形成されその開□部に振動板２がリ
ング状ダンパー４上に調整固定リングねじ５によって固
定されている。
振動板２の背面中央附近に誘電体多層膜６が装着されそ
の前面に近接して半導体レーザ１が台座７を介して叢体
３下部内面に固定され、上下に励振電極８，９が導出さ
れている。鯵体３の背面中央に保護被膜を備える光ファ
イバー１０が微細調整取付ねじ１１を介して取付けられ
、その先端々面を半導体レーザ１の発光部に近接して配
置されている。蟹体背面の貫通孔１２は内部空間１３の
振動板２の振動ステイフネスに及ぼす影響を防止するに
役立つ。第３図は音波によって直接変調されたレーザ光
を空中伝播させるのに適したマイクロフオンの一側を側
断面図で示すもので、この場合管体３の背面には、集光
レンズ１４が取付枠１５に固定されてねじ止めされ、半
導体レーザ１の発光部に近接して配置されている。
の前面に近接して半導体レーザ１が台座７を介して叢体
３下部内面に固定され、上下に励振電極８，９が導出さ
れている。鯵体３の背面中央に保護被膜を備える光ファ
イバー１０が微細調整取付ねじ１１を介して取付けられ
、その先端々面を半導体レーザ１の発光部に近接して配
置されている。蟹体背面の貫通孔１２は内部空間１３の
振動板２の振動ステイフネスに及ぼす影響を防止するに
役立つ。第３図は音波によって直接変調されたレーザ光
を空中伝播させるのに適したマイクロフオンの一側を側
断面図で示すもので、この場合管体３の背面には、集光
レンズ１４が取付枠１５に固定されてねじ止めされ、半
導体レーザ１の発光部に近接して配置されている。
レーザ光は音波Ｖによって振動する振動板２によって変
調され、集光レンズ１４を介して直線状ビームとして放
射される。本発明は元より図示実施例に限定されるもの
でなく、特許請求の範囲内で適宜変形実施し得るもので
ある。
調され、集光レンズ１４を介して直線状ビームとして放
射される。本発明は元より図示実施例に限定されるもの
でなく、特許請求の範囲内で適宜変形実施し得るもので
ある。
第１図は本発明マイクロフオンの動作原理を示すもので
イはその基本構成を側面図で、口は半導体レーザ光の出
力に及ぼす反射板の影響を示す特性曲線を、ハはその一
部を拡大して音波による影響を示す特性曲線を、第２図
、第３図は本発明によるレーザ・マイクロフオンの２個
の実施例を１部断面とした側面図で示す。 図において１は半導体レーザ、２は反射板（振動板）、
Ｐは光出力、ｄは半導体レーザ背面から反射板までの距
離、Ｖは音波、３は萱体、５は振動板を固定するりング
状止めねじ、７は台座、８，９は電極、１０１ま光ファ
イバー、１４は集光レンズを示す。 発１図 箱２図 ※３図
イはその基本構成を側面図で、口は半導体レーザ光の出
力に及ぼす反射板の影響を示す特性曲線を、ハはその一
部を拡大して音波による影響を示す特性曲線を、第２図
、第３図は本発明によるレーザ・マイクロフオンの２個
の実施例を１部断面とした側面図で示す。 図において１は半導体レーザ、２は反射板（振動板）、
Ｐは光出力、ｄは半導体レーザ背面から反射板までの距
離、Ｖは音波、３は萱体、５は振動板を固定するりング
状止めねじ、７は台座、８，９は電極、１０１ま光ファ
イバー、１４は集光レンズを示す。 発１図 箱２図 ※３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 振動板の背面に半導体レーザの発光背面が相対向し
て配置されてなることを特徴とするレーザマイクロフオ
ン。 ２ 発光背面に相対向する振動板の背面が誘電体多層膜
よりなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
レーザ・マイクロフオン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55098078A JPS6031409B2 (ja) | 1980-07-17 | 1980-07-17 | レ−ザ・マイクロフォン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55098078A JPS6031409B2 (ja) | 1980-07-17 | 1980-07-17 | レ−ザ・マイクロフォン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5723342A JPS5723342A (en) | 1982-02-06 |
| JPS6031409B2 true JPS6031409B2 (ja) | 1985-07-22 |
Family
ID=14210307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55098078A Expired JPS6031409B2 (ja) | 1980-07-17 | 1980-07-17 | レ−ザ・マイクロフォン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6031409B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59216102A (ja) * | 1983-05-24 | 1984-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロホン |
| JPS616618A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光マイクロホン |
| JPS6118300A (ja) * | 1984-07-04 | 1986-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的マイクロホン |
| JP2001119796A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-04-27 | Kenwood Corp | 光マイクロフォン素子および光マイクロフォン装置 |
| DE1239698T1 (de) | 1999-12-13 | 2003-04-10 | Kenwood Corp | Optischer elektroakustischer wandler |
-
1980
- 1980-07-17 JP JP55098078A patent/JPS6031409B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5723342A (en) | 1982-02-06 |
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