JPS6031035B2 - 磁気バブル記憶装置 - Google Patents
磁気バブル記憶装置Info
- Publication number
- JPS6031035B2 JPS6031035B2 JP8919880A JP8919880A JPS6031035B2 JP S6031035 B2 JPS6031035 B2 JP S6031035B2 JP 8919880 A JP8919880 A JP 8919880A JP 8919880 A JP8919880 A JP 8919880A JP S6031035 B2 JPS6031035 B2 JP S6031035B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic bubble
- loops
- storage device
- circuit
- data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は1個以上の磁気バブルメモリデバイスを用いた
磁気バブルメモリ装置の改良に関する。
磁気バブルメモリ装置の改良に関する。
従来より1乃至複数個のメジャ−マィナ−型の磁気バブ
ルメモリヂバィスを用いた磁気バブルメモリ装置が用い
られているが、磁気バブルメモリデバイスはその結晶の
欠陥やパーマロィによるバブルの伝播路の形成時に生ず
る欠陥などによりマイナーループの中に不良ループが生
ずることが避けられない。従って磁気バブルメモリデバ
イスにはある程度の不良ループを許すような冗長性をも
たせている。今磁気バブルメモリデバイスのループ数を
N,、不良ループ数の最大がN2、実際にデータを記憶
させるループ数をN3とすればN,一N2≧N3 でなければならない。
ルメモリヂバィスを用いた磁気バブルメモリ装置が用い
られているが、磁気バブルメモリデバイスはその結晶の
欠陥やパーマロィによるバブルの伝播路の形成時に生ず
る欠陥などによりマイナーループの中に不良ループが生
ずることが避けられない。従って磁気バブルメモリデバ
イスにはある程度の不良ループを許すような冗長性をも
たせている。今磁気バブルメモリデバイスのループ数を
N,、不良ループ数の最大がN2、実際にデータを記憶
させるループ数をN3とすればN,一N2≧N3 でなければならない。
この時N2は0からN,一N3の間にていずれの値でも
良い。このような磁気バブルメモリデバイスを用いた従
来の磁気バブル記憶装置は、第1図に示す如く不良ルー
プ記憶用RAMIを有する制御回路2に磁気バブルメモ
リデバイスD,〜Dnが接続され、各磁気気バブルメモ
リデバイスD,〜○nは第2図の如くバブル発生器3、
バブル検出器4を有するメジャーライン5及び6の間に
複数個のマイナーループm,〜mnを持ち各マイナール
ープm,〜mnにはデータを記憶する領域外に特定のペ
ージ7を設け、良ループは“1”、不良ループは“0”
として記入されている。
良い。このような磁気バブルメモリデバイスを用いた従
来の磁気バブル記憶装置は、第1図に示す如く不良ルー
プ記憶用RAMIを有する制御回路2に磁気バブルメモ
リデバイスD,〜Dnが接続され、各磁気気バブルメモ
リデバイスD,〜○nは第2図の如くバブル発生器3、
バブル検出器4を有するメジャーライン5及び6の間に
複数個のマイナーループm,〜mnを持ち各マイナール
ープm,〜mnにはデータを記憶する領域外に特定のペ
ージ7を設け、良ループは“1”、不良ループは“0”
として記入されている。
このように構成された磁気バブルメモリ装置において読
出し又は書き込みをするため、あるデバイスを選んだと
きはその不良ループデータを一度制御回路2の中のRA
MIに記憶させておき、デ−夕の読出し又は書き込みは
このRAMIに記憶された不良ループデータにより不良
あ‐ブを飛び越しながら講出し又は書込むように制御さ
れる。この場合良ループは全て“1”として記入されて
いるため、不良ループデータに誤りが生じた場合、例え
ば“0”が“1”に、あるいは‘11”が“0”に変化
しても良ループの数が増減するのみでN,下N2≦N3
の条件が満足していれば制御回路は誤りを検出すること
ができない。本発明はこの欠点を改良するために案内さ
れたものである。このため本発明においては、不良ルー
プ記憶用RAMを持つ制御回路と、該制御回路に接続さ
れた1個以上のメジャーマイナー型磁気バブルメモリデ
バイスとを具備し、該デバイスの中の各マィナーループ
の情報格納領域外に不良ループのデータを格納する磁気
バブル記憶装置において、規定ループ数を計数するカウ
ンタ回路と、該カウンタ回路の出力と不良ループデータ
とのアンドをとる回路とを付加したことを特徴とするも
のである。
出し又は書き込みをするため、あるデバイスを選んだと
きはその不良ループデータを一度制御回路2の中のRA
MIに記憶させておき、デ−夕の読出し又は書き込みは
このRAMIに記憶された不良ループデータにより不良
あ‐ブを飛び越しながら講出し又は書込むように制御さ
れる。この場合良ループは全て“1”として記入されて
いるため、不良ループデータに誤りが生じた場合、例え
ば“0”が“1”に、あるいは‘11”が“0”に変化
しても良ループの数が増減するのみでN,下N2≦N3
の条件が満足していれば制御回路は誤りを検出すること
ができない。本発明はこの欠点を改良するために案内さ
れたものである。このため本発明においては、不良ルー
プ記憶用RAMを持つ制御回路と、該制御回路に接続さ
れた1個以上のメジャーマイナー型磁気バブルメモリデ
バイスとを具備し、該デバイスの中の各マィナーループ
の情報格納領域外に不良ループのデータを格納する磁気
バブル記憶装置において、規定ループ数を計数するカウ
ンタ回路と、該カウンタ回路の出力と不良ループデータ
とのアンドをとる回路とを付加したことを特徴とするも
のである。
以下添付図面に基づいて本発明の実施例につき詳細に説
明する。第3図に実施例の要部の構成図を示す。
明する。第3図に実施例の要部の構成図を示す。
図について説明すると符号8はデータレジスタ、9はデ
ータレジスタ8と外部装置とを接続するインターフェー
ス、10はシフトレジスタ、11はフアンクションドラ
ィバであって、これらは従来の制御回路に具備されてい
るものである。本発明の要点はシフトレジスタ10とフ
アンクシヨンドライバとの間にカゥンタ回路12と、該
カゥンタ回路の出力とシフトレジスタ10より出力され
るデータとのアンドのとれるAND回路13とが挿入さ
れたことである。このように構成された本実施例の動作
について次に説明する。
ータレジスタ8と外部装置とを接続するインターフェー
ス、10はシフトレジスタ、11はフアンクションドラ
ィバであって、これらは従来の制御回路に具備されてい
るものである。本発明の要点はシフトレジスタ10とフ
アンクシヨンドライバとの間にカゥンタ回路12と、該
カゥンタ回路の出力とシフトレジスタ10より出力され
るデータとのアンドのとれるAND回路13とが挿入さ
れたことである。このように構成された本実施例の動作
について次に説明する。
今磁気バブルメモリデバイスに情報を書き込む場合、外
部装置よりインターフェース9を介してデータレジス夕
8に入力されたデータはシフトレジスタ10により並列
−直列変換されて出力される。カウンター回路12はこ
れを計数し、規定のループ数までは“1”を出力し、そ
れ以上は“0”を出力する。従ってAND回路I3を通
るデータは規定の数までがファンクションドライバ11
を介して磁気バブルメモリデバイスのマイナーループに
記入され、規定数を越えたものはAND回路13によっ
て阻止され、規定数を越えたマイナーループは良ループ
であっても不良ループ扱となっても何も記入されないこ
とになる。従って磁気バブルメモリデバイスより情報を
読み出すときに、もし不良ループデータに誤りが生ずれ
ば、規定のループ数に対して増減が生じ、制御回路はこ
の誤りをチェックすることが可能となる。以上説明した
如く本発明の磁気バブル記憶装置は、規定のループ数以
外は不良ループ扱とする回路を設けることにより誤りの
チェックを可能とし、その信頼性を向上したものである
。
部装置よりインターフェース9を介してデータレジス夕
8に入力されたデータはシフトレジスタ10により並列
−直列変換されて出力される。カウンター回路12はこ
れを計数し、規定のループ数までは“1”を出力し、そ
れ以上は“0”を出力する。従ってAND回路I3を通
るデータは規定の数までがファンクションドライバ11
を介して磁気バブルメモリデバイスのマイナーループに
記入され、規定数を越えたものはAND回路13によっ
て阻止され、規定数を越えたマイナーループは良ループ
であっても不良ループ扱となっても何も記入されないこ
とになる。従って磁気バブルメモリデバイスより情報を
読み出すときに、もし不良ループデータに誤りが生ずれ
ば、規定のループ数に対して増減が生じ、制御回路はこ
の誤りをチェックすることが可能となる。以上説明した
如く本発明の磁気バブル記憶装置は、規定のループ数以
外は不良ループ扱とする回路を設けることにより誤りの
チェックを可能とし、その信頼性を向上したものである
。
第1図は従来の磁気バブル記憶装置の1例の構成図、第
2図はメジャーマイナー型磁気バブルメモリデバイスの
ループ構成図、第3図は本発明にかかる実施例の磁気バ
ブル記憶装置の要部を示した構成図である。 2・・・・・・制御回路、D,〜Dn…・・・磁気バブ
ルメモリデバイス、8……データレジスタ、9……イン
タフエース、10……シフトレジスタ、11……フアン
クシヨンドライバ、12……カウンタ回路、13・・・
・・・AND回路。 第1図 第2図 第3図
2図はメジャーマイナー型磁気バブルメモリデバイスの
ループ構成図、第3図は本発明にかかる実施例の磁気バ
ブル記憶装置の要部を示した構成図である。 2・・・・・・制御回路、D,〜Dn…・・・磁気バブ
ルメモリデバイス、8……データレジスタ、9……イン
タフエース、10……シフトレジスタ、11……フアン
クシヨンドライバ、12……カウンタ回路、13・・・
・・・AND回路。 第1図 第2図 第3図
Claims (1)
- 1 不良ループ記憶用RAMを持つ制御回路と、該制御
回路に接続された1個以上のメジヤーマイナー型磁気バ
ブルメモリデバイスとを具備し、該デバイスの中の各マ
イナーループの情報格納領域外に不良ループのデータを
格納する磁気バブル記憶装置において、規定ループ数を
計数するカウンタ回路と、該カウンタ回路の出力と不良
ループデータとのアンドをとる回路とを制御回路に付加
したことを特徴とする磁気バブル記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8919880A JPS6031035B2 (ja) | 1980-07-02 | 1980-07-02 | 磁気バブル記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8919880A JPS6031035B2 (ja) | 1980-07-02 | 1980-07-02 | 磁気バブル記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5715282A JPS5715282A (en) | 1982-01-26 |
JPS6031035B2 true JPS6031035B2 (ja) | 1985-07-19 |
Family
ID=13964008
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8919880A Expired JPS6031035B2 (ja) | 1980-07-02 | 1980-07-02 | 磁気バブル記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6031035B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019198664A1 (ja) | 2018-04-12 | 2019-10-17 | 株式会社トクヤマ | フォトクロミック光学物品及びその製造方法 |
WO2020204176A1 (ja) | 2019-04-03 | 2020-10-08 | 株式会社トクヤマ | フォトクロミック光学物品およびその製造方法 |
-
1980
- 1980-07-02 JP JP8919880A patent/JPS6031035B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019198664A1 (ja) | 2018-04-12 | 2019-10-17 | 株式会社トクヤマ | フォトクロミック光学物品及びその製造方法 |
WO2020204176A1 (ja) | 2019-04-03 | 2020-10-08 | 株式会社トクヤマ | フォトクロミック光学物品およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5715282A (en) | 1982-01-26 |
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