JPS6029934A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPS6029934A JPS6029934A JP58138447A JP13844783A JPS6029934A JP S6029934 A JPS6029934 A JP S6029934A JP 58138447 A JP58138447 A JP 58138447A JP 13844783 A JP13844783 A JP 13844783A JP S6029934 A JPS6029934 A JP S6029934A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- recording medium
- film
- magnetic recording
- magnetic
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/725—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing a lubricant, e.g. organic compounds
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/726—Two or more protective coatings
Landscapes
- Lubricants (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高密度磁気記録用として好適な磁性薄膜型の
磁気記録媒体およびその製造方法に関し、さらに#L<
は、磁性薄膜媒体の表面に密着性且つ潤滑性の曖れたポ
リケイ酸被膜を設けた磁気記録媒体およびその製造方法
に関するものである。
磁気記録媒体およびその製造方法に関し、さらに#L<
は、磁性薄膜媒体の表面に密着性且つ潤滑性の曖れたポ
リケイ酸被膜を設けた磁気記録媒体およびその製造方法
に関するものである。
近年、磁気記録の分野におい工は、記録・再生装置が小
型化され、さらに記録媒体としては、高密度記録可能な
媒体の必要性が高まっている。このようなすう勢に対し
て従来性われているr−Fe303塗布型媒体に代る磁
性薄膜媒体、具体的には、真空蒸着法、イオンシレーテ
ィング法、メッキ法等によるCo −Ni 、 Co−
P 、 Co−N1−P等およびスパッタリング法によ
るr−Fe205、スパッタリング法によるCo−Cr
垂直磁化媒体等々が注目され、一部実用化されるに至っ
ている。これらの高密度記録媒体には、磁気記録再生時
に磁気ヘッドと接触する磁気テープ、またはフロッピー
ディスクおよび磁気ヘッドが媒体面から浮上している磁
気ディスクまたは磁気Vラムがある。磁気ヘッドが浮上
する機構としては、磁気ヘラrと磁気記録媒体が接触状
態でセットされた後、磁気記録媒体が回転することによ
り磁気ヘッドと磁気記録媒体の間に空気層を生じて浮上
するいわゆるコンタクト・スタート・ストップ方式(以
4088方式と言5)が採用されている。
型化され、さらに記録媒体としては、高密度記録可能な
媒体の必要性が高まっている。このようなすう勢に対し
て従来性われているr−Fe303塗布型媒体に代る磁
性薄膜媒体、具体的には、真空蒸着法、イオンシレーテ
ィング法、メッキ法等によるCo −Ni 、 Co−
P 、 Co−N1−P等およびスパッタリング法によ
るr−Fe205、スパッタリング法によるCo−Cr
垂直磁化媒体等々が注目され、一部実用化されるに至っ
ている。これらの高密度記録媒体には、磁気記録再生時
に磁気ヘッドと接触する磁気テープ、またはフロッピー
ディスクおよび磁気ヘッドが媒体面から浮上している磁
気ディスクまたは磁気Vラムがある。磁気ヘッドが浮上
する機構としては、磁気ヘラrと磁気記録媒体が接触状
態でセットされた後、磁気記録媒体が回転することによ
り磁気ヘッドと磁気記録媒体の間に空気層を生じて浮上
するいわゆるコンタクト・スタート・ストップ方式(以
4088方式と言5)が採用されている。
いづれの磁気記録媒体および磁気記録方式においても、
磁気記録媒体と磁気へツーとは、なんらかの形で摺動す
ることになる。
磁気記録媒体と磁気へツーとは、なんらかの形で摺動す
ることになる。
この磁気へツーと磁気記録媒体の摺動により磁気記録媒
体が、損傷するのを防ぐために、磁気記録媒体の表面に
保護膜もしくは潤滑膜を設ける必要がある。とくに、金
属薄膜媒体の場合は、耐摩耗性以外に腐食を防止するた
めに耐食性も必要であるため、この保護膜は必須のもの
となる。
体が、損傷するのを防ぐために、磁気記録媒体の表面に
保護膜もしくは潤滑膜を設ける必要がある。とくに、金
属薄膜媒体の場合は、耐摩耗性以外に腐食を防止するた
めに耐食性も必要であるため、この保護膜は必須のもの
となる。
高密度磁気記録媒体の場合には、磁気・ヘッドと磁気記
録媒体との隙間が大きいと出力が減少する、いわゆるス
ペーシングロスを生じる。これは、記録周波数が高い高
密度磁気記録の場合にとくに著しい低下をともなう。
録媒体との隙間が大きいと出力が減少する、いわゆるス
ペーシングロスを生じる。これは、記録周波数が高い高
密度磁気記録の場合にとくに著しい低下をともなう。
従って、これら保護膜は、より薄くてかつピンホールが
ない強靭なものが要求される。
ない強靭なものが要求される。
従来、用いられてきた保護膜は、囮、Cr等の金属薄膜
や酸化コバルト、81・0等の酸化物がある。
や酸化コバルト、81・0等の酸化物がある。
Rh、Cr等は、メッキ法により形成させる方法である
が、十分な耐摩耗性を有しない欠点がある。
が、十分な耐摩耗性を有しない欠点がある。
また、酸化コバルト保護膜の展成法には、化成処理法に
よるコバルト磁性層の一部を酸化物に変える方法(特公
告昭50−30443号)や陽極酸化法(特開昭52−
100206号)がある。しかしこれらの方法では、生
成した酸化物層が薄いために磁気ヘッドとの接触(対し
て十分な耐摩耗性を有する保護膜が得られない。
よるコバルト磁性層の一部を酸化物に変える方法(特公
告昭50−30443号)や陽極酸化法(特開昭52−
100206号)がある。しかしこれらの方法では、生
成した酸化物層が薄いために磁気ヘッドとの接触(対し
て十分な耐摩耗性を有する保護膜が得られない。
ポリケイ酸(以下5io2という)薄膜の形成は、スパ
ッタリング法により作製されるが、量産性が悪く製作費
も高いd 8102保護膜のもう一つの形成法としては、アルコキ
シシランの加水分解生成物とシランカップリング剤とを
含む溶液を磁気記録媒体上に塗布し、加熱することによ
りSin、被膜を形成させる方法が提案されている(特
開昭、52−20804号)。
ッタリング法により作製されるが、量産性が悪く製作費
も高いd 8102保護膜のもう一つの形成法としては、アルコキ
シシランの加水分解生成物とシランカップリング剤とを
含む溶液を磁気記録媒体上に塗布し、加熱することによ
りSin、被膜を形成させる方法が提案されている(特
開昭、52−20804号)。
しかし、この方法は、金属磁性薄膜と6102被膜との
密着力が大きな問題となる。そのため、シラ/カップリ
ング剤をアンカーコートする方法やCo11性層を化成
処理し、その反応処理面に8102被膜を形成させる方
法あるいはクロム−コンプレックス処理方法などが提案
されている。しかし、これらの方法を用いて8102保
5IllIを形成させたものでも、ヘッド摺動試験後は
、磁性合金界3面で8102のはく離が観測される。
密着力が大きな問題となる。そのため、シラ/カップリ
ング剤をアンカーコートする方法やCo11性層を化成
処理し、その反応処理面に8102被膜を形成させる方
法あるいはクロム−コンプレックス処理方法などが提案
されている。しかし、これらの方法を用いて8102保
5IllIを形成させたものでも、ヘッド摺動試験後は
、磁性合金界3面で8102のはく離が観測される。
一方、ζ聞滑膜としては、摩擦係数が比較的小さい物質
である高級脂肪酸、シリコンオイルおよびフッ素オイル
等の薄膜を形成する方法が、研究されている。
である高級脂肪酸、シリコンオイルおよびフッ素オイル
等の薄膜を形成する方法が、研究されている。
これら保護膜および禰滑膜は各々単独で用いられる場合
および保護膜の上に更に+4 Pill膜が併用される
場合もある。
および保護膜の上に更に+4 Pill膜が併用される
場合もある。
上記の保護膜は、いずれも磁気ヘッドの摺動に対する耐
傘耗性が十分ではない。従って、潤滑膜との併用が一般
的に行なわれているのが実状である。しかし、潤滑膜は
、磁気記録媒体または保護膜との親和力が十分でないた
めに、磁気ヘッドとの摺動下で十分な耐久性をもたすこ
とは離しく、またCps方式の場合には、磁気ヘッドが
磁気記録媒体面に吸着しやすいという欠点がある。
傘耗性が十分ではない。従って、潤滑膜との併用が一般
的に行なわれているのが実状である。しかし、潤滑膜は
、磁気記録媒体または保護膜との親和力が十分でないた
めに、磁気ヘッドとの摺動下で十分な耐久性をもたすこ
とは離しく、またCps方式の場合には、磁気ヘッドが
磁気記録媒体面に吸着しやすいという欠点がある。
本発明は、上記の従来法忙より製造される磁気記録媒体
の欠点な屏決したもつであり、保護膜は、金属w&性薄
膜との密着性に優れた810□薄膜層と潤滑性を有する
slo、 IN膜層の2層構造からなる十分な潤滑性を
示し、かつ耐摩耗性及び耐食性を有する磁気記録媒体及
びその製造方法を提供するものである。
の欠点な屏決したもつであり、保護膜は、金属w&性薄
膜との密着性に優れた810□薄膜層と潤滑性を有する
slo、 IN膜層の2層構造からなる十分な潤滑性を
示し、かつ耐摩耗性及び耐食性を有する磁気記録媒体及
びその製造方法を提供するものである。
を形成したことをまた非riB性基体上に磁性合金薄膜
させてなるアルコキシシランの部分加水分解生成物を含
有する溶液を2層に塗布し、加熱することKよってポリ
ケイ酸被膜を形成させたことを特徴とする。
させてなるアルコキシシランの部分加水分解生成物を含
有する溶液を2層に塗布し、加熱することKよってポリ
ケイ酸被膜を形成させたことを特徴とする。
本発明の密着性の優れた5in2薄膜は、アルコキシシ
ランの加水分解生成物とリン酸エステル類、亜リン酸エ
ステル類、無機リン酸類、チタネートカップリング剤及
びアミン類の1種または2種以上とを混合した組成の溶
液を磁性合金薄膜上に塗布することによって形成するこ
とができし、あるいは磁性合金層上にリン酸エステル類
、亜リン酸エステル類、無機リン酸類、チタネートカッ
プリング剤及びアミン類の1種または2種以上を含んだ
溶液を塗布することによって前処理層を形成し、その後
アルコキシシランの加水分解生成物を含む溶液を塗布し
、SiO□被膜を形成させる。
ランの加水分解生成物とリン酸エステル類、亜リン酸エ
ステル類、無機リン酸類、チタネートカップリング剤及
びアミン類の1種または2種以上とを混合した組成の溶
液を磁性合金薄膜上に塗布することによって形成するこ
とができし、あるいは磁性合金層上にリン酸エステル類
、亜リン酸エステル類、無機リン酸類、チタネートカッ
プリング剤及びアミン類の1種または2種以上を含んだ
溶液を塗布することによって前処理層を形成し、その後
アルコキシシランの加水分解生成物を含む溶液を塗布し
、SiO□被膜を形成させる。
以上の様な方法で金属磁性薄膜上に密着力の優れた81
0B薄膜を形成し、引き続き潤滑性の優れた5102膜
を第2層目に形成する。
0B薄膜を形成し、引き続き潤滑性の優れた5102膜
を第2層目に形成する。
潤滑性を有する5102薄膜は、アルコキシシランの加
水分解生成物と炭化水素系潤滑剤、シリコンオイル、フ
ッ素オイル及び固体潤滑剤の1種または2種以上とを混
合した組成の溶液を第1層目のSiO□薄膜上に塗布し
形成する。
水分解生成物と炭化水素系潤滑剤、シリコンオイル、フ
ッ素オイル及び固体潤滑剤の1種または2種以上とを混
合した組成の溶液を第1層目のSiO□薄膜上に塗布し
形成する。
アルコキシシランの部分加水分解生成物を含むアルコー
ル溶液を磁性合金薄膜上に塗布後形成される5102薄
膜は、表面にかなりの”=8x OHが残存している。
ル溶液を磁性合金薄膜上に塗布後形成される5102薄
膜は、表面にかなりの”=8x OHが残存している。
そのため第1層を形成直後に第2層を形成すれば、第1
層と第2層、との界面で5i−OH基の脱水縮合反応が
起こり、十分な接着を示す様になる。また第1層形成後
に加熱等を行ない硬化がかなり促進しすぎた場合には、
表面の5i−OHが減少し、第2層目との接着が不充分
となる。
層と第2層、との界面で5i−OH基の脱水縮合反応が
起こり、十分な接着を示す様になる。また第1層形成後
に加熱等を行ない硬化がかなり促進しすぎた場合には、
表面の5i−OHが減少し、第2層目との接着が不充分
となる。
さらに、亜リン酸エステル類、リン酸エステル類、無機
リン酸類及びアミン類の接着促進剤とアルコキシシラン
の部分加水分解生成物との塗布液中に潤滑剤を混合し、
S10.薄膜を単層で形成させる方法も考えられるが、
この場合は、潤滑剤が含有しているために、磁性合金薄
膜との密着力がかなり低下し、耐久性の優れたポリケイ
酸膜は、得られない。
リン酸類及びアミン類の接着促進剤とアルコキシシラン
の部分加水分解生成物との塗布液中に潤滑剤を混合し、
S10.薄膜を単層で形成させる方法も考えられるが、
この場合は、潤滑剤が含有しているために、磁性合金薄
膜との密着力がかなり低下し、耐久性の優れたポリケイ
酸膜は、得られない。
すなわち、第2層目のSi0g薄膜形成後焼成すること
忙より、さらに脱水反応が進行し、強固な薄膜となる。
忙より、さらに脱水反応が進行し、強固な薄膜となる。
焼成温度は、300℃以下の温度で行なう必要がある。
300℃を越える焼成は、下地層であるニッケルが磁性
を帯びることや磁性層の磁気特性に急影響を及はすので
好ましくない。
を帯びることや磁性層の磁気特性に急影響を及はすので
好ましくない。
本発明のポリケイ酸保護膜の厚みは、1層と2層とを合
わせて0o02〜0.2μmが望ましい。
わせて0o02〜0.2μmが望ましい。
0.02μ未満では、十分な強度をもつ膜が侍られ(<
<、0.2μを越えるとスペーシングロス、が大きくな
りすぎる。そのため1層目を薄くした場合は、2層目を
厚くし、1層目を厚くした場合は2層目を薄くする必要
がある。
<、0.2μを越えるとスペーシングロス、が大きくな
りすぎる。そのため1層目を薄くした場合は、2層目を
厚くし、1層目を厚くした場合は2層目を薄くする必要
がある。
ここでアルコキシシランのうちテトラアルコキシシラン
は、一般式として81 (0R)4で現わされ、Rはア
ルキル基であり、メ優ル基、エチル基、プロピル基、ブ
チτ基等がある。ただし、加水分解なおよび液の安定性
から、エチル基であるテトラエトキシシランが一般的に
使用、される。テトラエトキシシランは塩酸等の無機酸
により部分的に加水分解されてテトラヒドロキシシラン
になる。部分的に加水分解されて生成したテトラヒドロ
キシシランは、エタール、プロパツール、シタノールお
よびペンタノール等の低級アルコールに可溶であり、比
較的安定に存在する。さらにこの溶液にゲル化防止、塗
布後の硬化速度の調整、白化防止などのために渕えば、
ギ酸、酢酸、ゾロピオン酸、酪酸などの有機酸な適、量
加えφことが出来る。この溶直な塗布・乾燥することに
より、脱水縮含反応が起り8102被膜が形成される。
は、一般式として81 (0R)4で現わされ、Rはア
ルキル基であり、メ優ル基、エチル基、プロピル基、ブ
チτ基等がある。ただし、加水分解なおよび液の安定性
から、エチル基であるテトラエトキシシランが一般的に
使用、される。テトラエトキシシランは塩酸等の無機酸
により部分的に加水分解されてテトラヒドロキシシラン
になる。部分的に加水分解されて生成したテトラヒドロ
キシシランは、エタール、プロパツール、シタノールお
よびペンタノール等の低級アルコールに可溶であり、比
較的安定に存在する。さらにこの溶液にゲル化防止、塗
布後の硬化速度の調整、白化防止などのために渕えば、
ギ酸、酢酸、ゾロピオン酸、酪酸などの有機酸な適、量
加えφことが出来る。この溶直な塗布・乾燥することに
より、脱水縮含反応が起り8102被膜が形成される。
このようなテトラアルコキシシランの部分加水分解生成
物のアルコール溶液は、市販されており、例えばコルコ
ート社製、商品名[HAs−10Jおよび東京応化(株
)製、商品名「OCD」等がある。
物のアルコール溶液は、市販されており、例えばコルコ
ート社製、商品名[HAs−10Jおよび東京応化(株
)製、商品名「OCD」等がある。
第1層の8102と薄膜形成の際に塗布液中に混合する
リン酸エステル類、亜リン酸エステル類、無機リン酸類
、チタネートカップリング剤及びアミン類は、5102
と磁性合金薄膜との密着力を向上させるものであり、次
の様な構造である。
リン酸エステル類、亜リン酸エステル類、無機リン酸類
、チタネートカップリング剤及びアミン類は、5102
と磁性合金薄膜との密着力を向上させるものであり、次
の様な構造である。
リン酸エステル類は、一般式(RO)nP(OXOH)
3−n(n=1.2.3)で表わされ、n = 5の場
合は、トリアルキルエステル類、コ=2の場合は、ジア
ルキルエステル類、n=1の場合は、モノアルキルエス
テル類と呼ばれる。これらの代表的な例としてはリン酸
トリエチルCP (0)(OC2H5)3)、リン酸ト
リエチルI:P(OXOC4H9)3]、リン酸トリイ
ソノロビル[P(0)(OCyH7)3〕、ブチルアシ
ッドホスフェ−) ((CaHoO)nP(OXOH)
s−n(F:1+2) ] 、5デトキシエテルアシ?
、ドホスフエート ((CaHoOCjHaO)nP(0)(OH)3−z
l (n= 1 + 2 、) ) 、β−クロロエチ
、ルアジッドホスフェート [(CA’CH,CH,0)nP(0)COH)3−n
(n71.、2 ) ) 、 (2,−ヒドロキシエチ
ル)メタクリレート・アシツrホスフェ−)−[(CH
g=CICOOCgHaO)nP(OXOH)3−n(
−n=H3 ホスホリックトリアミド([(CH3)51N)3F=
0 )竺がある。 2.− 亜リン酸エステル類は、一般式−(OR)nF’(OH
)a−n(n71 、2 、3 )で表わされる。これ
らの代表的な例としては、トリ刊チルホスファイト[(
c、a、o)sP]、トリn−ブチルホスファイト((
n=C4H90) sP )、トリス(2−エチルへキ
ック)ホスファイト[:(C8H170)3P)、トリ
ステアリルホスファイト((C18H3〕0)3P)、
ジフェニルモノ(トリデシル)ホスファイト[Cz5H
t+yOP(0@ )gl、無機リン酸類としては、五
酸化りンP2O5、ピ日リン酸H,P20.、メ、タリ
ン酸HPO,、リン酸H3P0゜等が知られている。ま
た、これらの化合物は、水溶液忙シて用いることも可能
である。
3−n(n=1.2.3)で表わされ、n = 5の場
合は、トリアルキルエステル類、コ=2の場合は、ジア
ルキルエステル類、n=1の場合は、モノアルキルエス
テル類と呼ばれる。これらの代表的な例としてはリン酸
トリエチルCP (0)(OC2H5)3)、リン酸ト
リエチルI:P(OXOC4H9)3]、リン酸トリイ
ソノロビル[P(0)(OCyH7)3〕、ブチルアシ
ッドホスフェ−) ((CaHoO)nP(OXOH)
s−n(F:1+2) ] 、5デトキシエテルアシ?
、ドホスフエート ((CaHoOCjHaO)nP(0)(OH)3−z
l (n= 1 + 2 、) ) 、β−クロロエチ
、ルアジッドホスフェート [(CA’CH,CH,0)nP(0)COH)3−n
(n71.、2 ) ) 、 (2,−ヒドロキシエチ
ル)メタクリレート・アシツrホスフェ−)−[(CH
g=CICOOCgHaO)nP(OXOH)3−n(
−n=H3 ホスホリックトリアミド([(CH3)51N)3F=
0 )竺がある。 2.− 亜リン酸エステル類は、一般式−(OR)nF’(OH
)a−n(n71 、2 、3 )で表わされる。これ
らの代表的な例としては、トリ刊チルホスファイト[(
c、a、o)sP]、トリn−ブチルホスファイト((
n=C4H90) sP )、トリス(2−エチルへキ
ック)ホスファイト[:(C8H170)3P)、トリ
ステアリルホスファイト((C18H3〕0)3P)、
ジフェニルモノ(トリデシル)ホスファイト[Cz5H
t+yOP(0@ )gl、無機リン酸類としては、五
酸化りンP2O5、ピ日リン酸H,P20.、メ、タリ
ン酸HPO,、リン酸H3P0゜等が知られている。ま
た、これらの化合物は、水溶液忙シて用いることも可能
である。
チタネートカップリング剤は、中心元素であるチタンに
結合して、いる親水基及び親油基の種類により一々のも
のがある。1例を上げると、イソシリ(ジオクチルパイ
ロホスフェート)チタネート0讐 ソゾロピルビス(ジオクチルホスファイト)+94−ト
((CH3−CH−0九’I’i[P−GOCsHzy
)aOH”h) イソプロピル■ 一イソプロピルトリ(ジオクチルホスフェート)チ(ジ
オクチルパイロホスフェート)オキシアセテビス(ジオ
クチルパイロホスフェート)エチレンがある。
結合して、いる親水基及び親油基の種類により一々のも
のがある。1例を上げると、イソシリ(ジオクチルパイ
ロホスフェート)チタネート0讐 ソゾロピルビス(ジオクチルホスファイト)+94−ト
((CH3−CH−0九’I’i[P−GOCsHzy
)aOH”h) イソプロピル■ 一イソプロピルトリ(ジオクチルホスフェート)チ(ジ
オクチルパイロホスフェート)オキシアセテビス(ジオ
クチルパイロホスフェート)エチレンがある。
さらにアミン類は、炭化水素残基の数によって、プロピ
ルアミン[CH3(CH2)2NH2]、ジメチルアミ
ン[(CH3)、NH)、ジエチルアミン[(CH3C
H2)2NH] 、 )リメテルアミン〔(CH3)、
N〕、トリエチルアミン(: (CN3C:N2 )3
N) 、モ/ エタ/ −ルアミ7 [:CN2CH2
QHNH21ジエタノールアミン[(CH2CH20H
) 2NHI、トリエタノールアミン[(CN2C!H
,OH)、N1等がある。
ルアミン[CH3(CH2)2NH2]、ジメチルアミ
ン[(CH3)、NH)、ジエチルアミン[(CH3C
H2)2NH] 、 )リメテルアミン〔(CH3)、
N〕、トリエチルアミン(: (CN3C:N2 )3
N) 、モ/ エタ/ −ルアミ7 [:CN2CH2
QHNH21ジエタノールアミン[(CH2CH20H
) 2NHI、トリエタノールアミン[(CN2C!H
,OH)、N1等がある。
これらの化合物の中で特に鏝れ1こ効果があるも[:N
3”04] 、イソプロピルトリス(ジオクチルパイ。
3”04] 、イソプロピルトリス(ジオクチルパイ。
ロホスフエート)チタネート
タノールアミン[(CH2CH20H)、N]である。
これらの接着促進剤は、5i02固形分に対して0.0
1〜60重量係で添加して用いることができ好ましい濃
度は、0.01〜15重量係の範囲である。0.01重
量−未満の濃度では、接着効果が乏しく、60重量%を
越えると5in2の被膜自身の強度を弱める結果となる
。
1〜60重量係で添加して用いることができ好ましい濃
度は、0.01〜15重量係の範囲である。0.01重
量−未満の濃度では、接着効果が乏しく、60重量%を
越えると5in2の被膜自身の強度を弱める結果となる
。
本発明で用いるこれらの接着促進剤は、アルコキシシラ
ンの部分加水分解生成物と反応し得るため、塗布液作製
後の熟成時間が重要である。
ンの部分加水分解生成物と反応し得るため、塗布液作製
後の熟成時間が重要である。
接着促進剤を添加した直後の塗布液を用いて磁性合金層
上に8102被膜を形成させても、大きな効果は>1い
。熟成時間は、用いる接着促進剤の種類と濃度、アルコ
キシシランの部分加水分解生成物の濃度、熟成時間Kか
なり影響される。例えば、アルコキシシランの部分加水
分解生成物を1.5重量係官むエタノール溶液にリン酸
を0.08重量係加えた場合には、少なくとも4時間以
上の室温での放置を行なう必要がある。
上に8102被膜を形成させても、大きな効果は>1い
。熟成時間は、用いる接着促進剤の種類と濃度、アルコ
キシシランの部分加水分解生成物の濃度、熟成時間Kか
なり影響される。例えば、アルコキシシランの部分加水
分解生成物を1.5重量係官むエタノール溶液にリン酸
を0.08重量係加えた場合には、少なくとも4時間以
上の室温での放置を行なう必要がある。
これは、放置熟成することにより、アルコキシシランの
部分加水分解生成物とリン酸とが反応し、これが磁性層
との接着に大きな効果をもたらす。
部分加水分解生成物とリン酸とが反応し、これが磁性層
との接着に大きな効果をもたらす。
また、これらの接着促進剤は、5102の硬化作用をも
有している。これは、接着促進剤が、ン5i−OH基の
脱水触媒作用があるため5i02自身の膜の強度を向上
させている。特に、エチレングリコールモノアシッドホ
ス7エートやリン酸では、その効果は大きい。この様に
接着促進剤は、接着力のみならず、5io2の硬化速度
をも速めている。
有している。これは、接着促進剤が、ン5i−OH基の
脱水触媒作用があるため5i02自身の膜の強度を向上
させている。特に、エチレングリコールモノアシッドホ
ス7エートやリン酸では、その効果は大きい。この様に
接着促進剤は、接着力のみならず、5io2の硬化速度
をも速めている。
次に以上の様な方法で形成した第1層の8102薄膜を
塗布形成直後に潤滑剤を含んだSiO□薄膜を第2層目
に形成する。5i02中Kid合し得る潤滑剤には、仄
の様な株類がある。
塗布形成直後に潤滑剤を含んだSiO□薄膜を第2層目
に形成する。5i02中Kid合し得る潤滑剤には、仄
の様な株類がある。
炭化水素系潤滑剤には、ラウリン酸、ミリスチン酸、パ
ルミチン酸、ステアリン酸等の高級脂肪酸及びこれらの
エステル化合物であるステアリン酸エチル、ステアリン
酸エチル、ステアリン酸ステアレート、ミリスチン酸ミ
リステレート等、金属セッケンであるステアリン酸アル
ミニウム、ステアリン酸カルシウム等、ラウリルアルコ
ール、ミリスチルアルコール、ステアリルアルコール等
のアルコール類、ステアリルアルデヒr等のアルデヒド
類、ステアリルアミン等のアミン類、ステアリルアミげ
等のアミ−類、n−ドデシルエーテル、n−テトラドデ
シルエーテル等のエーテル類がある。さらには、流動パ
ラフィン、パラフィン系高級炭化水素、オレフィン系高
級炭化水素、ロウ類がある。
ルミチン酸、ステアリン酸等の高級脂肪酸及びこれらの
エステル化合物であるステアリン酸エチル、ステアリン
酸エチル、ステアリン酸ステアレート、ミリスチン酸ミ
リステレート等、金属セッケンであるステアリン酸アル
ミニウム、ステアリン酸カルシウム等、ラウリルアルコ
ール、ミリスチルアルコール、ステアリルアルコール等
のアルコール類、ステアリルアルデヒr等のアルデヒド
類、ステアリルアミン等のアミン類、ステアリルアミげ
等のアミ−類、n−ドデシルエーテル、n−テトラドデ
シルエーテル等のエーテル類がある。さらには、流動パ
ラフィン、パラフィン系高級炭化水素、オレフィン系高
級炭化水素、ロウ類がある。
シリコン系潤滑剤は、主としてジメチルシロキサン結合
を主鎖にした構造でジメチルシリコン単独のものや、側
鎖の部分に親水部としてポリエーテル、サルフエー)、
NN3Cjll基等をもつものがある。
を主鎖にした構造でジメチルシリコン単独のものや、側
鎖の部分に親水部としてポリエーテル、サルフエー)、
NN3Cjll基等をもつものがある。
フッ素系潤滑剤には、パーフルオロアルキルカルボン酸
塩、パーフルオロアルキルアミン化合物、パーフルオロ
アルキルアンモニウム塩、パーフルオロアルキルベタイ
ン、パーフルオロアルキルエチL/ンオキシド付加物、
パーフルオロアルキルエデン、ボロンナイトライV等が
ある。
塩、パーフルオロアルキルアミン化合物、パーフルオロ
アルキルアンモニウム塩、パーフルオロアルキルベタイ
ン、パーフルオロアルキルエチL/ンオキシド付加物、
パーフルオロアルキルエデン、ボロンナイトライV等が
ある。
これらの潤滑剤を添加したSiO□薄膜の表面を#A歳
鏡で観察すると、用いる潤滑剤の種類により表面へのデ
リートする量、分散状態が大きく異なることがわかる。
鏡で観察すると、用いる潤滑剤の種類により表面へのデ
リートする量、分散状態が大きく異なることがわかる。
そのため、潤滑剤の最適添加量も種類により違ってくる
が、通常は、5102固形分九対して0.01〜60重
量mより好ましい濃度は、0.01〜10重11%であ
る。600重量部越える濃度では、 5in2の被膜内
片の強度と弱める結果となり、0.011重量部満では
、接着強度が弱(なる。
が、通常は、5102固形分九対して0.01〜60重
量mより好ましい濃度は、0.01〜10重11%であ
る。600重量部越える濃度では、 5in2の被膜内
片の強度と弱める結果となり、0.011重量部満では
、接着強度が弱(なる。
また、塗布方法によっても潤滑剤の分散状態は、異なる
し、望ましい潤滑剤は、SiO□表面に均一にわずかの
量プリー )Fするものが好ましい。
し、望ましい潤滑剤は、SiO□表面に均一にわずかの
量プリー )Fするものが好ましい。
これらの潤滑剤の中で、より効果的なものは、ステアリ
ン酸ステアレート、ミリスチン酸ミリステレート、パー
フルオロアルキルエチレンオキシV付加物である。
ン酸ステアレート、ミリスチン酸ミリステレート、パー
フルオロアルキルエチレンオキシV付加物である。
以上の様に接着促進剤を含んだ5102薄膜と潤滑剤を
含んだSiO□薄膜の2層構造にすれば非常に密着性が
良く、表面に潤滑剤を塗布することなく、耐久性に優れ
た保護膜を形成することができる。
含んだSiO□薄膜の2層構造にすれば非常に密着性が
良く、表面に潤滑剤を塗布することなく、耐久性に優れ
た保護膜を形成することができる。
次に本発明を実施例を挙けて詳細に説明する。
実施例1
所定寸法に旋・盤加工され、た直径2 ’00 m/H
のアルミニウム円盤(非磁性下地層として50μmの厚
みの無電解N1メッキな捲した。この表面を表面粗さで
0.01μ島まで鏡面研摩して、その上に無電解メッキ
九より0.1μmの厚みのCo−N1−P磁性合金層を
形成する。
のアルミニウム円盤(非磁性下地層として50μmの厚
みの無電解N1メッキな捲した。この表面を表面粗さで
0.01μ島まで鏡面研摩して、その上に無電解メッキ
九より0.1μmの厚みのCo−N1−P磁性合金層を
形成する。
この様にして得られた磁性合金薄膜上に、次の様な組成
の塗、薄液を用いて2層構造の81011保繰膜を作製
する。
の塗、薄液を用いて2層構造の81011保繰膜を作製
する。
テトラエトキシシランの部分加水分解生成物のアルコー
ル溶液(コルコート社製、商品名、 HA8−10)を
8102換算で2.5重量部になるようにtert−ア
ミルアルコールで希釈する。その溶液K、Ti系カップ
リング剤38S(ケンリツチペトロケミカルズ社製、商
品名、プレンアクト)、EoAp (エチレングリコー
ルアシッドホスフェート)を8102固形分に対してそ
れぞれ5重量係ずつ添加し、1日放置する。
ル溶液(コルコート社製、商品名、 HA8−10)を
8102換算で2.5重量部になるようにtert−ア
ミルアルコールで希釈する。その溶液K、Ti系カップ
リング剤38S(ケンリツチペトロケミカルズ社製、商
品名、プレンアクト)、EoAp (エチレングリコー
ルアシッドホスフェート)を8102固形分に対してそ
れぞれ5重量係ずつ添加し、1日放置する。
このffI液を磁性合金薄膜上に回転塗布法により塗布
し5102の第1層を形成する。次に、テトラエトキシ
シランの部分加水分解生成物のアルコール溶液(コルコ
ート社製、商品名HA8−10 )を8102換算で2
.5重量部になるようにtart−アミルアルコールで
希釈し、ミリスチン酸ミリステレートを8102固形分
に対して3重量%添加する。
し5102の第1層を形成する。次に、テトラエトキシ
シランの部分加水分解生成物のアルコール溶液(コルコ
ート社製、商品名HA8−10 )を8102換算で2
.5重量部になるようにtart−アミルアルコールで
希釈し、ミリスチン酸ミリステレートを8102固形分
に対して3重量%添加する。
この溶液を用いて、回転塗布法により、8102の第1
層上に塗布し、5102の第2層を形成させ、150’
C,20時間空気中で焼成した。
層上に塗布し、5102の第2層を形成させ、150’
C,20時間空気中で焼成した。
得られた保II膜の厚みは、0.11μmであり、密着
力Klれていた。C,B、F3.試験の結果、20 、
000回後も損傷がないものであった。
力Klれていた。C,B、F3.試験の結果、20 、
000回後も損傷がないものであった。
実tIA例2
磁気記録媒体は、実施例1と同じ方法−より製造したも
のを用いた。
のを用いた。
テトラエトキシシランの部分加水分解生成物のアルコー
ル溶液(コルコート社製、商品名RAS−10)をsi
o□換算で2.5重量部になるよ5Kter多−アミル
アルコールで希釈し、Ti系カップリング剤(388)
、FiGAPをSiO□固形分に対してそれぞれ5重量
%ずつ添、加し1日放置する。この溶液を用いて磁性合
金薄膜上に回転塗布法により塗布し、5102の第1層
を形成する。
ル溶液(コルコート社製、商品名RAS−10)をsi
o□換算で2.5重量部になるよ5Kter多−アミル
アルコールで希釈し、Ti系カップリング剤(388)
、FiGAPをSiO□固形分に対してそれぞれ5重量
%ずつ添、加し1日放置する。この溶液を用いて磁性合
金薄膜上に回転塗布法により塗布し、5102の第1層
を形成する。
41層を形成直後に、第1層目に用いた塗布液にステア
リン酸ステアレートを8102固形分に対して1.0重
量%添加した液を用いて5102の第2層を形成し、1
50℃、20時間焼成した。得られた保誦膜の厚みは、
0.08μmであり、C,8,S。
リン酸ステアレートを8102固形分に対して1.0重
量%添加した液を用いて5102の第2層を形成し、1
50℃、20時間焼成した。得られた保誦膜の厚みは、
0.08μmであり、C,8,S。
試験の結果、20,000回後も損傷がないものであっ
た。
た。
実砲例3
磁気記録媒体は、実施例1と同じ方法により製造したも
のを用いた。
のを用いた。
5i02の第1層は、実施例2と同じ方法により形成し
た。次に、第1層を形成直後に、ステアリン酸、ステア
リン酸エチル、ステアリン酸エチルを8102固形分に
対してそれぞれ0.4重量%含むテトラエトキシシラン
の部分加水分解生成物のアル−コール溶液(コルコー)
if、商品名RAS −10)を8102換算で2.
5重量部になるようにtert−アミルアルコールで希
釈し%、、 5io2の第2層を形成し、150℃、2
0時間焼成した。
た。次に、第1層を形成直後に、ステアリン酸、ステア
リン酸エチル、ステアリン酸エチルを8102固形分に
対してそれぞれ0.4重量%含むテトラエトキシシラン
の部分加水分解生成物のアル−コール溶液(コルコー)
if、商品名RAS −10)を8102換算で2.
5重量部になるようにtert−アミルアルコールで希
釈し%、、 5io2の第2層を形成し、150℃、2
0時間焼成した。
得られた保護膜は、厚みが0.08μmであり、20.
000回のC,F3.B、試験後も損傷がないものであ
った。
000回のC,F3.B、試験後も損傷がないものであ
った。
実施例4
磁気記録媒体は、実施例1と同じ方法により製造したも
のを用いた。
のを用いた。
テトラエトキシシランの部分加水分解生成物のアルコー
ル溶液(コルコート社製、商品名RAS −10)を8
102換算で2.5重量部になるようにter t−ア
ミルアルコールで希釈し、Ti系カップリング剤(38
8)、EGAP 1 リン酸を8i02固形分に対して
それぞれ3重量%ずつ添加し6時間放置する。この溶液
を用いて磁性合金薄膜上に回転塗布法により塗布し、5
in2の第1層を形成する。
ル溶液(コルコート社製、商品名RAS −10)を8
102換算で2.5重量部になるようにter t−ア
ミルアルコールで希釈し、Ti系カップリング剤(38
8)、EGAP 1 リン酸を8i02固形分に対して
それぞれ3重量%ずつ添加し6時間放置する。この溶液
を用いて磁性合金薄膜上に回転塗布法により塗布し、5
in2の第1層を形成する。
次に、第1層を形成直後に、ミリスチン酸ミリステレー
ト、ステアリン酸ステアレート、ジメチルシリコンオイ
ルを8102固形分に対してそれぞれ0.3重量%含む
テトラエトキシシランの部分加水分解生成物のアルコー
ル溶液(コルコート社製、商品名RAS−10)を81
0.換算で2.5重量部になるようにtert−アミル
アルコールで希釈し、5102の第2層を形成し、15
0℃、20時間焼成する。
ト、ステアリン酸ステアレート、ジメチルシリコンオイ
ルを8102固形分に対してそれぞれ0.3重量%含む
テトラエトキシシランの部分加水分解生成物のアルコー
ル溶液(コルコート社製、商品名RAS−10)を81
0.換算で2.5重量部になるようにtert−アミル
アルコールで希釈し、5102の第2層を形成し、15
0℃、20時間焼成する。
得られた保護膜の厚みは0.07μであり、20.00
0回のC,S、S、試験後も損傷がないものであった。
0回のC,S、S、試験後も損傷がないものであった。
実施例5
磁気記録媒体は実mflllと同じ方法により製造した
ものを用いた。
ものを用いた。
テトラエトキシシランの部分加水分解生成物のアルコー
ル溶液(コルコート社製、商品名RAS −10)を8
102換算で2.5重量部になるようにtert−アミ
ルアルコールで希釈し、亜リン酸、EGAPをSiO2
固形分に対してそれぞれ3重量%ずつ添加し、20時間
放置する。この溶液を用いて磁性合金薄膜上に回転塗布
法により塗布し、8i02の第1層を形成する。
ル溶液(コルコート社製、商品名RAS −10)を8
102換算で2.5重量部になるようにtert−アミ
ルアルコールで希釈し、亜リン酸、EGAPをSiO2
固形分に対してそれぞれ3重量%ずつ添加し、20時間
放置する。この溶液を用いて磁性合金薄膜上に回転塗布
法により塗布し、8i02の第1層を形成する。
次に第1層を形成直後に、ラウリルアルコール、ステア
リルアルコールを8102固形分に対してそれぞれ0.
7重量%ずつ含有するテトラエトキシシランの部分加水
分解生成物のアルコール溶液(コルコート社製、商品名
RAS −10)をSi0g換算で2.5重量部になる
よう1ctert−アミルアルコールで希釈し、S i
O2の第2層を形成し、150℃、20時間焼成する
。
リルアルコールを8102固形分に対してそれぞれ0.
7重量%ずつ含有するテトラエトキシシランの部分加水
分解生成物のアルコール溶液(コルコート社製、商品名
RAS −10)をSi0g換算で2.5重量部になる
よう1ctert−アミルアルコールで希釈し、S i
O2の第2層を形成し、150℃、20時間焼成する
。
得られた保護膜の膜厚は、08.07μmであり、20
.0 (J 0回の0.8.8.試験後も損傷はなかっ
た。
.0 (J 0回の0.8.8.試験後も損傷はなかっ
た。
実施例6
磁気記録媒体は、実施例1と同じ方法により製造したも
のを用いた 5in2の第1層は、実施例4と同じ方法により形成し
た。第1層を形成直後vc@滑剤とし℃ステアリルトリ
ニドキシンラン[CtaHssSi(OCzHs)s)
を5io2固形分に対して7重量%含むテトラエトキン
7ランの部分加水分解生成物のアルコール#液(コルコ
ート社製、商品名RAS −10)を8 i 02換算
で2.5重量部になるようにtert−アシルアルコー
ルで希釈し、810□の第2層を形成し、150℃、2
0時間焼成した。
のを用いた 5in2の第1層は、実施例4と同じ方法により形成し
た。第1層を形成直後vc@滑剤とし℃ステアリルトリ
ニドキシンラン[CtaHssSi(OCzHs)s)
を5io2固形分に対して7重量%含むテトラエトキン
7ランの部分加水分解生成物のアルコール#液(コルコ
ート社製、商品名RAS −10)を8 i 02換算
で2.5重量部になるようにtert−アシルアルコー
ルで希釈し、810□の第2層を形成し、150℃、2
0時間焼成した。
得られた保護膜の厚みは1.0.09μmであり、20
.000回の0.8.S、試験後も損傷はなかった。
.000回の0.8.S、試験後も損傷はなかった。
実施例7
磁気記録媒体は、実施例1と同じ方法により製造したも
のを用いた。
のを用いた。
Ti系カップリング剤(38B)を0.1重量%含むn
−シタノール溶液を磁性合金薄膜上に回転塗布法により
塗布し、前処理層を形成する。さらにテトラエトキシシ
ランの部分加水分解生成物のアルコール溶液(コルコー
ト社製、商品名HA8−10)を8102換算で2.5
重量部になるようにtert−アミルアルコールで希釈
し、 5io2の第1層を形成する。5io2層を形成
直後、フッ素系潤滑剤(ダイキン工業(株)製、商品名
D81401゜402)をSiO□固形分に対して、そ
れぞれ0.7重量%、0.4重量係官むテトラエトキシ
シランの部分加水分解生成物のアルコールm液(コルコ
ート社製、商品名RAS −10)を5io2換算テ2
.5重量部(なるよ5 K tert、−アミルアルコ
ールで希釈L、B102I)第2層を形成し、200’
C110時間焼成した。
−シタノール溶液を磁性合金薄膜上に回転塗布法により
塗布し、前処理層を形成する。さらにテトラエトキシシ
ランの部分加水分解生成物のアルコール溶液(コルコー
ト社製、商品名HA8−10)を8102換算で2.5
重量部になるようにtert−アミルアルコールで希釈
し、 5io2の第1層を形成する。5io2層を形成
直後、フッ素系潤滑剤(ダイキン工業(株)製、商品名
D81401゜402)をSiO□固形分に対して、そ
れぞれ0.7重量%、0.4重量係官むテトラエトキシ
シランの部分加水分解生成物のアルコールm液(コルコ
ート社製、商品名RAS −10)を5io2換算テ2
.5重量部(なるよ5 K tert、−アミルアルコ
ールで希釈L、B102I)第2層を形成し、200’
C110時間焼成した。
得られた保繰膜は、0.1μmの厚みであり、20.0
00回のC,S、S、試験後も損傷がないものであった
。
00回のC,S、S、試験後も損傷がないものであった
。
実施例8
AB8樹脂(電気化学工業(株)、商品名、デンカAB
S −ME )を直径9 Q m/mの円盤形に射出成
形した後、クロム酸−硫酸溶液を用いてエツチングし、
50μmの厚みの無電解N1メッキを施した。
S −ME )を直径9 Q m/mの円盤形に射出成
形した後、クロム酸−硫酸溶液を用いてエツチングし、
50μmの厚みの無電解N1メッキを施した。
この表面を表面粗さで0.02μmまで鏡面研摩して、
0.1μmの厚みのCo−N1−P磁性合金層を無電解
メッキした。
0.1μmの厚みのCo−N1−P磁性合金層を無電解
メッキした。
この様にして得られた磁性合金薄膜上に次の様な組成の
塗布液を用いて2層構造の8102保膜膜を作製する。
塗布液を用いて2層構造の8102保膜膜を作製する。
テトラエトキシシランの部分加水分解生成物のアルコー
ル溶液(コルコーを社i、a品名RAS −10)を5
io2換算で2.5重量部になるよ5 K tert−
アミルアルコールで希釈し、Ti系カップリング剤(3
8B)、リン酸、 EGAPをSiO□固形分に対して
それぞれ重量で3%、2%、2%ずつ添加し、10時間
、放置する。この溶液を用いて磁性合金薄膜上に回転塗
布法により塗布し、5io2の第1層を形成する。
ル溶液(コルコーを社i、a品名RAS −10)を5
io2換算で2.5重量部になるよ5 K tert−
アミルアルコールで希釈し、Ti系カップリング剤(3
8B)、リン酸、 EGAPをSiO□固形分に対して
それぞれ重量で3%、2%、2%ずつ添加し、10時間
、放置する。この溶液を用いて磁性合金薄膜上に回転塗
布法により塗布し、5io2の第1層を形成する。
次に、第1層を形成直後に、ステアリン酸ステアレート
、ミリスチン酸ミリステレートを5io2固形分に対し
て、それぞれ0.5重1111g6ずつ含有するテトラ
エトキシシランの部分加水分解生成物のアルコール−液
(コルコート社製、商品名RAS −10)をSiO□
換算で2.5重量部になるようにtert−アミルアル
コールで希釈し、S10□の第2層を形成し、100℃
、48時間焼成した。
、ミリスチン酸ミリステレートを5io2固形分に対し
て、それぞれ0.5重1111g6ずつ含有するテトラ
エトキシシランの部分加水分解生成物のアルコール−液
(コルコート社製、商品名RAS −10)をSiO□
換算で2.5重量部になるようにtert−アミルアル
コールで希釈し、S10□の第2層を形成し、100℃
、48時間焼成した。
得られた保鐵膜は、0.09μmの厚みであり、密着性
及び潤滑性tC[れていた。C,S、8.試験の結果、
20,000回後も損傷がないものであった。
及び潤滑性tC[れていた。C,S、8.試験の結果、
20,000回後も損傷がないものであった。
実施例9
ポリエチレンテレフタレートフィルムをアルカリエツチ
ングし、5nC12−PdC12コロイr触媒を付着さ
せ無電解N1メッキを0.1μmの厚みで施した。その
上に、無電解メッキにより、0.1μmの厚みでCo−
N1−P磁性合金層を形成した。
ングし、5nC12−PdC12コロイr触媒を付着さ
せ無電解N1メッキを0.1μmの厚みで施した。その
上に、無電解メッキにより、0.1μmの厚みでCo−
N1−P磁性合金層を形成した。
この様にして得られた磁気シートフィル゛ム上に次の様
な組成の塗布液を用いて2層構造の8102保1膜を作
製する。
な組成の塗布液を用いて2層構造の8102保1膜を作
製する。
テトラアルコキシシランの部分加水分解生成物のアルコ
ール溶液(コルコート社製、商品名HA8−10)を5
102換算で2.5重量部となるように希釈し、Ti系
カッシリング剤、(588) 、リン酸、IflGAP
1f!:8102固形分に対して、それぞれ重量で5
96.2%、2憾ずつ添加し、10時間放置する。この
溶液を用いて磁性合金薄膜上に、浸漬法により塗布し、
8102の第1層を形成する。
ール溶液(コルコート社製、商品名HA8−10)を5
102換算で2.5重量部となるように希釈し、Ti系
カッシリング剤、(588) 、リン酸、IflGAP
1f!:8102固形分に対して、それぞれ重量で5
96.2%、2憾ずつ添加し、10時間放置する。この
溶液を用いて磁性合金薄膜上に、浸漬法により塗布し、
8102の第1層を形成する。
次に、第1層を形成直後に、ステアリン酸ステアレート
、ミリスチン酸ミリステレート、ジメチルシリコンオイ
ルを8102固形分に対して、それぞれ0.2重1%ず
つ含むテトラアルコキシシランの部分加水分解生成物の
アルコール溶液(コルコート社製、商品名RAS−10
)を8102換算で2.5重量部になるように希釈し、
5102の第2層を形成し、50℃、40時間焼成した
。
、ミリスチン酸ミリステレート、ジメチルシリコンオイ
ルを8102固形分に対して、それぞれ0.2重1%ず
つ含むテトラアルコキシシランの部分加水分解生成物の
アルコール溶液(コルコート社製、商品名RAS−10
)を8102換算で2.5重量部になるように希釈し、
5102の第2層を形成し、50℃、40時間焼成した
。
祷られた保護膜は、厚みが0.06μ?ルであり、密着
性に曖ル強固なものであった。C,S、S、試験の結果
、20,000回後も損傷がないものであった。
性に曖ル強固なものであった。C,S、S、試験の結果
、20,000回後も損傷がないものであった。
比較ガ1
磁°気記録媒体は、実施例1と同じ方法により製造した
ものを用いた。
ものを用いた。
テトラアルコキシシランの部分加水分解生成物のアルコ
ール溶液(コルコー) 社製、商ab名RAS−10)
を5io2換算で2.5重量部になるようにtert−
アミルアルコールを希釈し、0.1μmのフィルターで
濾過し、磁性合金薄膜上に塗布した。
ール溶液(コルコー) 社製、商ab名RAS−10)
を5io2換算で2.5重量部になるようにtert−
アミルアルコールを希釈し、0.1μmのフィルターで
濾過し、磁性合金薄膜上に塗布した。
その後150°0120時間焼成した。
得られた磁気記録媒体を用いて、C,S、S、試験を行
なった結果、4000回で損傷した。
なった結果、4000回で損傷した。
特許出願人 電気化学工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)、非磁性基体上に設けられた磁性合金薄膜上罠前処
理層を介してまたは介さずに、第1層には接着促進剤、
第2層には潤滑剤を含有させてなるポリケイ酸被膜の2
層構造を形成したことを特徴とする磁気記録媒体。 2)、前処理層が亜リン酸エステル類、リン酸エステル
類、無機リン酸類、チタネートカップリング剤およびア
ミン類の1種または2種以上からなることを特徴とする
特ff請求の範囲第1項記載の磁気記録媒体。 6)、ポリケイ酸被膜の第1層に含有させる接着促進剤
が、亜リン酸エステル類、リン酸エステル類、無機リン
酸類、チタネートカップリング剤およびアミン類の1a
!または2種以上からなることを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載の磁気記録媒体。 滑剤の1mまたは2種以上からなることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の磁気記録媒体。 5)、非磁性基体上に磁性合金薄膜を設け、この上罠前
処理層形成溶液を塗布乾燥後、または前処理層を形成せ
ずに、第1層には接着促進剤、第2層にはd@、滑剤を
含有させてなるアルコキシシランの部分加水分解生成物
を含有する溶液を2層に塗布し、加熱することによって
ポリケイ酸破膜を形成させてなることを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法。 6)。前処理層が亜リン酸エステル類、リン酸エステル
類、無機リン酸類、チタネートカップリング剤およびア
ミン類の1種または2種以上からなることを特徴とする
特許請求の範囲第5項記載の磁気記録媒体の製造方法。 7)、アルコキンシランの部分加水分解生成物を含む塗
布液中に含有させる接着促進剤が、亜リン酸エステル類
、リン酸エステル類、無機りン酸類、チタネート力、ツ
ゾリング剤およびアミン類を1種または2種以上からな
り、ポリケイ酸被膜の第1層を形成させたことを特徴と
する特許請求の範囲第5項記載の磁気記録媒体の製造方
法。 8)、アルコキシシランの部分加水分解m生成たは2種
以上からなり、ポリケイ酸被膜の第2層を形成させたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第5項記載の磁気記録媒
体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58138447A JPS6029934A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58138447A JPS6029934A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6029934A true JPS6029934A (ja) | 1985-02-15 |
Family
ID=15222212
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58138447A Pending JPS6029934A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6029934A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61204833A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-10 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
US5178954A (en) * | 1989-07-21 | 1993-01-12 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Magnetic recording medium having a metallic magnetic thin film layer, a primer layer comprising an amino alkoxysilane and a lubricant layer comprising a functional perfluoropolyether |
-
1983
- 1983-07-28 JP JP58138447A patent/JPS6029934A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61204833A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-10 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
US5178954A (en) * | 1989-07-21 | 1993-01-12 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Magnetic recording medium having a metallic magnetic thin film layer, a primer layer comprising an amino alkoxysilane and a lubricant layer comprising a functional perfluoropolyether |
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