JPS6029237B2 - 多層構造薄膜機能素子 - Google Patents
多層構造薄膜機能素子Info
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- JPS6029237B2 JPS6029237B2 JP50091913A JP9191375A JPS6029237B2 JP S6029237 B2 JPS6029237 B2 JP S6029237B2 JP 50091913 A JP50091913 A JP 50091913A JP 9191375 A JP9191375 A JP 9191375A JP S6029237 B2 JPS6029237 B2 JP S6029237B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2211/00—Indexing scheme relating to digital stores characterized by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C2211/56—Indexing scheme relating to G11C11/56 and sub-groups for features not covered by these groups
- G11C2211/561—Multilevel memory cell aspects
- G11C2211/5614—Multilevel memory cell comprising negative resistance, quantum tunneling or resonance tunneling elements
Landscapes
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属−絶縁物−金属（以下、ＭＩＭ構造と略称
）からなる多層構造薄膜機能素子（薄膜ダイオード）な
らびにその製造方法に関する。
）からなる多層構造薄膜機能素子（薄膜ダイオード）な
らびにその製造方法に関する。
一般に２つの金属電極の間に厚さがおよそ１００〜４０
００△の絶縁物を挟んだような構造は、ＭＩＭサンドイ
ッチ構造と呼ばれている。このようなＭＩＭサンドイッ
チ構造は、両電極間に数Ｖの電圧を印加しても初めは絶
縁物のため高低抗状態を示し、電流はほとんど流れない
が、該ＭＩＭサンドイッチを１０‐２Ｔｏｎ以下の真空
度を保った真空装置内に入れ、両電極間に直流電圧をＯ
Ｖから１０Ｖ位迄およそ５Ｖ／Ｓ以下の掃引速度で徐々
に印加し再びＯＶ迄減ずるというような操作を何回も繰
返していると、それまで絶縁性であったものが突然電流
が流れるようになり、以後電圧を下げたりあるいは休止
後再印放してもはじめの電流の小さし、状態には戻らな
い。このような導電性の遷移をフオーミングという。フ
オーミングされたＭＩＭサンドイッチ構造は第１図に示
すように２．５Ｖ〜３Ｖに最大電流値を有する電圧制御
形負性抵抗特性が出現し、またこの特性に付随してメモ
リ現象、スイッチング現象、電子放射、ェレクトロルミ
ネッセンスなどの諸現象も出現する。これらの現象の基
になるＭＩＭサンドイッチ構造の導電性遷移の発生機構
に関しては種々推測されている。しかしいずれも定説と
される迄には至っていない。このような特性を示すＭＩ
Ｍサンドイッチ構造は一般に電極物質として山，Ａｕ，
Ｔａ，Ｔｉなどが、また絶縁物として山２０３，ＳｉＯ
，Ｔｉ○，Ｔａ２０５の酸化物、ＣａＦ，ＬｉＦ，Ｚｎ
Ｓ，ＣｄＳなどの化合物、化合物半導体などが用いられ
、素子の作製法として、電極物質は真空黍着法で、絶縁
物は陽極酸化法、熱酸化法、スパッタリング法により形
成されている。
００△の絶縁物を挟んだような構造は、ＭＩＭサンドイ
ッチ構造と呼ばれている。このようなＭＩＭサンドイッ
チ構造は、両電極間に数Ｖの電圧を印加しても初めは絶
縁物のため高低抗状態を示し、電流はほとんど流れない
が、該ＭＩＭサンドイッチを１０‐２Ｔｏｎ以下の真空
度を保った真空装置内に入れ、両電極間に直流電圧をＯ
Ｖから１０Ｖ位迄およそ５Ｖ／Ｓ以下の掃引速度で徐々
に印加し再びＯＶ迄減ずるというような操作を何回も繰
返していると、それまで絶縁性であったものが突然電流
が流れるようになり、以後電圧を下げたりあるいは休止
後再印放してもはじめの電流の小さし、状態には戻らな
い。このような導電性の遷移をフオーミングという。フ
オーミングされたＭＩＭサンドイッチ構造は第１図に示
すように２．５Ｖ〜３Ｖに最大電流値を有する電圧制御
形負性抵抗特性が出現し、またこの特性に付随してメモ
リ現象、スイッチング現象、電子放射、ェレクトロルミ
ネッセンスなどの諸現象も出現する。これらの現象の基
になるＭＩＭサンドイッチ構造の導電性遷移の発生機構
に関しては種々推測されている。しかしいずれも定説と
される迄には至っていない。このような特性を示すＭＩ
Ｍサンドイッチ構造は一般に電極物質として山，Ａｕ，
Ｔａ，Ｔｉなどが、また絶縁物として山２０３，ＳｉＯ
，Ｔｉ○，Ｔａ２０５の酸化物、ＣａＦ，ＬｉＦ，Ｚｎ
Ｓ，ＣｄＳなどの化合物、化合物半導体などが用いられ
、素子の作製法として、電極物質は真空黍着法で、絶縁
物は陽極酸化法、熱酸化法、スパッタリング法により形
成されている。
ＭＩＭサンドイッチ構造、たとえばＡＩ−ＡＩ２，０３
一Ａｕ，Ｔｉ‐Ｔｊ○−Ａｕ Ｔａ−Ｔａ２０５一Ａｕ
などは上述のように興味ある現象を示す反面、先に述べ
たように真空中でのフオーミングという前処理が必要で
あること、絶縁物の厚さが３００Ａ以上になるとフオー
ミングされる迄平均２００〜３００回程度の電圧掃引を
必要としたり、あるいは場合によってフオーミングされ
ないということも起きる。
一Ａｕ，Ｔｉ‐Ｔｊ○−Ａｕ Ｔａ−Ｔａ２０５一Ａｕ
などは上述のように興味ある現象を示す反面、先に述べ
たように真空中でのフオーミングという前処理が必要で
あること、絶縁物の厚さが３００Ａ以上になるとフオー
ミングされる迄平均２００〜３００回程度の電圧掃引を
必要としたり、あるいは場合によってフオーミングされ
ないということも起きる。
またフオーミングされても定常状態に到達する迄さらに
倍近い竜圧掃引が必要であること、定常状態になっても
その後の電流−電圧特性は変動が大きいこと、大部分の
ＭＩＭサンドイッチ構造はフオーミングされた場合でも
一旦大気中に曝らすと先記の特性は消滅してしまうこと
、さらにフオーミングに伴ってＭＩＭサンドイッチは一
種の誘電破壊のような局所破壊を起こし、内部に小さな
ボィドが発生すること、などの欠点を有している。この
ため薄膜機能素子としての多くの性能を備えているにも
かかわらず実用化が遅れているのが実状である。本発明
の第１の目的は従来のＭＩＭサンドイッチ構造と異つた
タイプの導電現象を示し、かつ上述した欠点を解消した
素子を提供することにあり、また第２の目的は、上述の
ような特性を示す薄膜機能素子を作成するための手段を
提供することにある。
倍近い竜圧掃引が必要であること、定常状態になっても
その後の電流−電圧特性は変動が大きいこと、大部分の
ＭＩＭサンドイッチ構造はフオーミングされた場合でも
一旦大気中に曝らすと先記の特性は消滅してしまうこと
、さらにフオーミングに伴ってＭＩＭサンドイッチは一
種の誘電破壊のような局所破壊を起こし、内部に小さな
ボィドが発生すること、などの欠点を有している。この
ため薄膜機能素子としての多くの性能を備えているにも
かかわらず実用化が遅れているのが実状である。本発明
の第１の目的は従来のＭＩＭサンドイッチ構造と異つた
タイプの導電現象を示し、かつ上述した欠点を解消した
素子を提供することにあり、また第２の目的は、上述の
ような特性を示す薄膜機能素子を作成するための手段を
提供することにある。
本発明の第３の目的は前記素子の特性を応用したメモリ
素子、スイッチング素子、２値あるいは３値的論理素子
を提供することにある。即ちＹ−Ｙ２０３−Ｍ（Ｍ：Ａ
ｕ，Ａｇ，Ｎｊ，Ｃｕ，Ｐｔ等の金属電極）薄膜サンド
イッチは１０２Ｔｏｒｒ以下の真空中において両電極間
に１ぴ〜１０７Ｖ／肌程度の極めて高い電界を印加する
ことによりフオーミングされ、安定な電圧制御形負‘性
抵抗特性ならびにそれに付随してメモリ現象、スイッチ
ング現象、ェレクトロルミネッセンス、電子放射などの
諸現象が見し、出され、また雰囲気を大気中とした場合
にも前記電圧制御形賃性抵抗特性などがそのまま出現す
ること、更に下部電極のＹ表面にＹ２０３膜を形成した
のち特定範囲の条件で空気中または酸素を含むガス中で
熱処理を行い、さらに上部金属電極を形成したのち前述
と同機な方法により真空中でフオーミング処理を行うと
、第２図に示すような従釆観測された１一Ｖ特性とは異
質の、２つのピークを持った電圧制御形負・性抵抗特性
が出願することを見し、出した。このときの第１電流ピ
ークは２．５〜３Ｖの領域で現われ、また第２電流ピー
クは５〜６Ｖの領域で現われる。この２つの電流ピーク
は非常に安定に出現し、霜圧掃引毎の変動は土３％以内
であった。さりこ前述の２つの電流ピークは雰囲気を真
空中から空気中へ変えた場合においても消滅することは
なかった。一方、前述のような２つのピークを有する負
性特性は、真空中の熱処理ではまった〈観測されず、こ
の場合従来試料で観測されたと同じ負性特性のみであっ
た。したがって、本発明においては、空気中の熱処理が
極めて重要であるといえる。しかし先述の２つの電流ピ
ークを持った電圧制御形員性抵抗の発生機構に関しては
現時点で明らかでなく、現象的に確認されているにすぎ
ない。本発明の目的を達成するための熱処理条件は、加
熱温度と時間に強く依存することが判明し、種々検討の
結果、温度範囲１００〜４００ｏ○、加熱時間、５分〜
５０時間の範囲が適当であった。上記加熱条件において
、低温領域で処理を行なう場合、長時間を必要とし、ま
た高温領域で処理を行なう場合程短時間で良い。他の応
用としてＭＩＭサンドイッチ構造は、電圧制御形負性抵
抗特性を得たのち、該負性抵抗領域を与える電圧あるい
はそれ以上の電圧を印加し、急激に電圧を遮断すること
で高抵抗のメモリ状態を得ることができる。
素子、スイッチング素子、２値あるいは３値的論理素子
を提供することにある。即ちＹ−Ｙ２０３−Ｍ（Ｍ：Ａ
ｕ，Ａｇ，Ｎｊ，Ｃｕ，Ｐｔ等の金属電極）薄膜サンド
イッチは１０２Ｔｏｒｒ以下の真空中において両電極間
に１ぴ〜１０７Ｖ／肌程度の極めて高い電界を印加する
ことによりフオーミングされ、安定な電圧制御形負‘性
抵抗特性ならびにそれに付随してメモリ現象、スイッチ
ング現象、ェレクトロルミネッセンス、電子放射などの
諸現象が見し、出され、また雰囲気を大気中とした場合
にも前記電圧制御形賃性抵抗特性などがそのまま出現す
ること、更に下部電極のＹ表面にＹ２０３膜を形成した
のち特定範囲の条件で空気中または酸素を含むガス中で
熱処理を行い、さらに上部金属電極を形成したのち前述
と同機な方法により真空中でフオーミング処理を行うと
、第２図に示すような従釆観測された１一Ｖ特性とは異
質の、２つのピークを持った電圧制御形負・性抵抗特性
が出願することを見し、出した。このときの第１電流ピ
ークは２．５〜３Ｖの領域で現われ、また第２電流ピー
クは５〜６Ｖの領域で現われる。この２つの電流ピーク
は非常に安定に出現し、霜圧掃引毎の変動は土３％以内
であった。さりこ前述の２つの電流ピークは雰囲気を真
空中から空気中へ変えた場合においても消滅することは
なかった。一方、前述のような２つのピークを有する負
性特性は、真空中の熱処理ではまった〈観測されず、こ
の場合従来試料で観測されたと同じ負性特性のみであっ
た。したがって、本発明においては、空気中の熱処理が
極めて重要であるといえる。しかし先述の２つの電流ピ
ークを持った電圧制御形員性抵抗の発生機構に関しては
現時点で明らかでなく、現象的に確認されているにすぎ
ない。本発明の目的を達成するための熱処理条件は、加
熱温度と時間に強く依存することが判明し、種々検討の
結果、温度範囲１００〜４００ｏ○、加熱時間、５分〜
５０時間の範囲が適当であった。上記加熱条件において
、低温領域で処理を行なう場合、長時間を必要とし、ま
た高温領域で処理を行なう場合程短時間で良い。他の応
用としてＭＩＭサンドイッチ構造は、電圧制御形負性抵
抗特性を得たのち、該負性抵抗領域を与える電圧あるい
はそれ以上の電圧を印加し、急激に電圧を遮断すること
で高抵抗のメモリ状態を得ることができる。
該素子に再び電圧を加えると、初めは高抵抗状態を保っ
ているが、閥値電圧を超えると直ちに元の低抗状態に回
復する。この導電特性の遷移速度はおよそ１００ｎｓ程
度であり、上記特性を利用することによりメモリ素子あ
るいはスイッチング素子を作製することができる。本発
明のＹ−Ｙ２０３−Ｍサンドイッチ素子は前述のような
記憶特性やスイッチング特性を有している。メモリ特性
の場合２つの電流ピークのうち第１電流ピークのみがメ
モリ特性に関与する。一方、２つの電流ピークを持った
電圧制御形負性抵抗特性の存在は信号の増幅に応用でき
るほか、第３図に示すように本発明素子４（薄膜ダーィ
オ−ド）に抵抗３を直列に接続して負荷直線が第３図ａ
のように５，６，７，８，９，のようなダイオードの特
性と５点で交わるようにすると５，７，９は安定な点で
あるから図ｂの回路はこれだけで３値的な素子になり、
増幅能力を持ち、かつ関値論理を行なえる論理素子に適
用させることができる。以下本発明を実施例によって詳
細に説明する。
ているが、閥値電圧を超えると直ちに元の低抗状態に回
復する。この導電特性の遷移速度はおよそ１００ｎｓ程
度であり、上記特性を利用することによりメモリ素子あ
るいはスイッチング素子を作製することができる。本発
明のＹ−Ｙ２０３−Ｍサンドイッチ素子は前述のような
記憶特性やスイッチング特性を有している。メモリ特性
の場合２つの電流ピークのうち第１電流ピークのみがメ
モリ特性に関与する。一方、２つの電流ピークを持った
電圧制御形負性抵抗特性の存在は信号の増幅に応用でき
るほか、第３図に示すように本発明素子４（薄膜ダーィ
オ−ド）に抵抗３を直列に接続して負荷直線が第３図ａ
のように５，６，７，８，９，のようなダイオードの特
性と５点で交わるようにすると５，７，９は安定な点で
あるから図ｂの回路はこれだけで３値的な素子になり、
増幅能力を持ち、かつ関値論理を行なえる論理素子に適
用させることができる。以下本発明を実施例によって詳
細に説明する。
実施例 １第４図に示すようにガラス基板（ほかにサフ
ァイア、ガーネット、等酸化物絶縁性基板あるいはェポ
キシ、テフロン、ポリィミド等有機物絶縁性基板であっ
ても何んら差支えない）１１に１０‐６Ｔｏｒｒ以下の
真空度において第１層Ｙ１２を紬帯状に厚さ３０００Ａ
に蒸着したのち、６．４％アンモニウムベンタボレイト
、５７．１％エチレングリコールの水溶液を用いて定電
流化成法により電流密度０．１６ｍＡ／ｃ流で陽極酸化
し、第１層Ｙ１２の表面に厚さ４００Ａの第２層Ｙ２０
３膜１３を形成させる。
ァイア、ガーネット、等酸化物絶縁性基板あるいはェポ
キシ、テフロン、ポリィミド等有機物絶縁性基板であっ
ても何んら差支えない）１１に１０‐６Ｔｏｒｒ以下の
真空度において第１層Ｙ１２を紬帯状に厚さ３０００Ａ
に蒸着したのち、６．４％アンモニウムベンタボレイト
、５７．１％エチレングリコールの水溶液を用いて定電
流化成法により電流密度０．１６ｍＡ／ｃ流で陽極酸化
し、第１層Ｙ１２の表面に厚さ４００Ａの第２層Ｙ２０
３膜１３を形成させる。
ついでＡｕ１４を約１０００Ａの厚さに真空蒸着し薄膜
サンドイッチを作製した。この試料を１げびｏｒｒの真
空中に入れ、Ａｕ１４を正極として三角波状の電圧を０
．５Ｖ／ｓｅｃの掃引速度で徐々に印加すると、初め高
抵抗状態で電流はほとんど流れないが、引きつづきの電
圧婦引によって５〜飢付近の電圧値で電流ピークが現わ
れ電圧制御形負性抵抗特性を有する素子とすることがで
きる。このように一旦真空中でフオーミングしたのち、
雰囲気を大気圧中に変えてそのまま電圧婦引を続けたと
ころ、先に観測された電圧制御形負性抵抗特性はそのま
ま継続して現われ、しかも安定であった。実施例 ２ ガラス基板１１に１０‐６Ｔｏｍ以下の真空度において
、第１層Ｙ１２を細帯状に厚さ約３０００Ａに蒸着した
のち、６．４％アンモニウモベンタボレィト、５７．１
％エチレングリコールの水溶液を用いて定電流化成法に
より電流密度０．１８ｈＡ／めで陽極酸化し、第１層Ｙ
１２の表面に厚さ４００Ａの第２層Ｙ２０３膜１３を形
成させる。
サンドイッチを作製した。この試料を１げびｏｒｒの真
空中に入れ、Ａｕ１４を正極として三角波状の電圧を０
．５Ｖ／ｓｅｃの掃引速度で徐々に印加すると、初め高
抵抗状態で電流はほとんど流れないが、引きつづきの電
圧婦引によって５〜飢付近の電圧値で電流ピークが現わ
れ電圧制御形負性抵抗特性を有する素子とすることがで
きる。このように一旦真空中でフオーミングしたのち、
雰囲気を大気圧中に変えてそのまま電圧婦引を続けたと
ころ、先に観測された電圧制御形負性抵抗特性はそのま
ま継続して現われ、しかも安定であった。実施例 ２ ガラス基板１１に１０‐６Ｔｏｍ以下の真空度において
、第１層Ｙ１２を細帯状に厚さ約３０００Ａに蒸着した
のち、６．４％アンモニウモベンタボレィト、５７．１
％エチレングリコールの水溶液を用いて定電流化成法に
より電流密度０．１８ｈＡ／めで陽極酸化し、第１層Ｙ
１２の表面に厚さ４００Ａの第２層Ｙ２０３膜１３を形
成させる。
次に前記試料を空気中において２００ｑｏで６０分熱処
理を行なった。この際酸化膜２０Ａ程度のＹ２０３層の
増加が認められた。熱処理を終了した試料を再び真空蒸
着装層内に入れ、１０‐６Ｔｏｎ以下の真空中でＡｕ１
４を約１０００Ａの厚さに蒸着し薄膜サンドイッチを作
製した。この試料を１０‐２Ｔｏｎの真空中に入れＡｕ
１４を正極として三角波状の電圧を０．５Ｖ／ｓｅｃの
橋引速度で徐々に印加するとフオーミングされ第２図に
示すような二つの電流ピークを持った電圧制御形負性抵
抗特性を出現させることができる。次いで雰囲気を真空
中より大気中に変えても先の電圧制御形負性抵抗特性は
そのまま継続してあらわれ、前記機能を容易に具備させ
ることができる。なお前述したごと〈、安定した特性を
得るための熱処理は、温度と時間を選ぶ必要があり、お
およその目安として１００ｑｏの場合少くとも１０時間
以上、１５『０の場合２時間以上、２００ｑｏの場合３
雌ご以上４００ｏｏの場合５分程度が望ましい。またＹ
２０３の形成法についてここでは陽極酸化法のみについ
て述べたが、たとえば０２十ＣＦ４混合ガスによるプラ
ズマ酸化法、あるいはスパッタ法、ウェット酸素中にお
ける熱酸化法によっても全く同じ特性を得ることができ
る。さらに前記のような特性を有するＹ−Ｙ２０３一Ｍ
において、Ｙ２０３の膜厚は１００Ａ以下になると、バ
ルク内の電子の平均自由行程とほぼ同程度となり、導電
特性はトンネル特性を示し、先述の負・性特性は観測さ
れなくなる。
理を行なった。この際酸化膜２０Ａ程度のＹ２０３層の
増加が認められた。熱処理を終了した試料を再び真空蒸
着装層内に入れ、１０‐６Ｔｏｎ以下の真空中でＡｕ１
４を約１０００Ａの厚さに蒸着し薄膜サンドイッチを作
製した。この試料を１０‐２Ｔｏｎの真空中に入れＡｕ
１４を正極として三角波状の電圧を０．５Ｖ／ｓｅｃの
橋引速度で徐々に印加するとフオーミングされ第２図に
示すような二つの電流ピークを持った電圧制御形負性抵
抗特性を出現させることができる。次いで雰囲気を真空
中より大気中に変えても先の電圧制御形負性抵抗特性は
そのまま継続してあらわれ、前記機能を容易に具備させ
ることができる。なお前述したごと〈、安定した特性を
得るための熱処理は、温度と時間を選ぶ必要があり、お
およその目安として１００ｑｏの場合少くとも１０時間
以上、１５『０の場合２時間以上、２００ｑｏの場合３
雌ご以上４００ｏｏの場合５分程度が望ましい。またＹ
２０３の形成法についてここでは陽極酸化法のみについ
て述べたが、たとえば０２十ＣＦ４混合ガスによるプラ
ズマ酸化法、あるいはスパッタ法、ウェット酸素中にお
ける熱酸化法によっても全く同じ特性を得ることができ
る。さらに前記のような特性を有するＹ−Ｙ２０３一Ｍ
において、Ｙ２０３の膜厚は１００Ａ以下になると、バ
ルク内の電子の平均自由行程とほぼ同程度となり、導電
特性はトンネル特性を示し、先述の負・性特性は観測さ
れなくなる。
またＹ２０３がおよそ４０００△以上になると、電気的
なフオーミングは困難となる。また上部電極は導電性金
属ならば良い。なかでもＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｔ
，ＡＩが良い。以上述べたごと〈、本発明は、従来のＭ
ＩＭサンドイッチの１−Ｖ特性と全く異質の２つの電流
ピークを持った電圧制御形賃性抵抗特性を得ることが出
来、しかもそのような特性は大気中においても安定に得
ることができるうえ、新しい３値的論理機能や記憶機能
を持たせることができるなど、多くの特徴を具備した薄
膜機能素子を提供することが可能になった。
なフオーミングは困難となる。また上部電極は導電性金
属ならば良い。なかでもＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｔ
，ＡＩが良い。以上述べたごと〈、本発明は、従来のＭ
ＩＭサンドイッチの１−Ｖ特性と全く異質の２つの電流
ピークを持った電圧制御形賃性抵抗特性を得ることが出
来、しかもそのような特性は大気中においても安定に得
ることができるうえ、新しい３値的論理機能や記憶機能
を持たせることができるなど、多くの特徴を具備した薄
膜機能素子を提供することが可能になった。
第１図は多層構造薄膜機能素子の電流−電圧特性曲線を
示したもので、縦軸は電流を機軸は電圧を表わしている
。 第２図は本発明による多層構造薄膜機能素子の電流−電
圧特性曲線を示す。第３図は本発明の多層構造薄膜機能
素子の電圧制御形員性抵抗特性を利用した負荷特性曲線
で３値的論理素子の基本動作概念を示したものである。
第４図は多層構造薄膜機能素子の断面図を示す。劣／岬
多２図 第６図 多ム図
示したもので、縦軸は電流を機軸は電圧を表わしている
。 第２図は本発明による多層構造薄膜機能素子の電流−電
圧特性曲線を示す。第３図は本発明の多層構造薄膜機能
素子の電圧制御形員性抵抗特性を利用した負荷特性曲線
で３値的論理素子の基本動作概念を示したものである。
第４図は多層構造薄膜機能素子の断面図を示す。劣／岬
多２図 第６図 多ム図
Claims (1)
- １ ２枚の薄膜金属電極の間に、厚さ１００〜４０００
Åの薄い絶縁物を挾んだ薄膜多層構造素子において、前
記一方の薄膜金属電極をＹ金属薄膜で絶縁層をＹ＿２Ｏ
＿３で構成したことを特徴とする多層構造薄膜機能素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50091913A JPS6029237B2 (ja) | 1975-07-30 | 1975-07-30 | 多層構造薄膜機能素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50091913A JPS6029237B2 (ja) | 1975-07-30 | 1975-07-30 | 多層構造薄膜機能素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5216195A JPS5216195A (en) | 1977-02-07 |
| JPS6029237B2 true JPS6029237B2 (ja) | 1985-07-09 |
Family
ID=14039810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50091913A Expired JPS6029237B2 (ja) | 1975-07-30 | 1975-07-30 | 多層構造薄膜機能素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6029237B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57122477A (en) * | 1981-01-22 | 1982-07-30 | Suwa Seikosha Kk | Liquid crystal display device |
| JPS6262333A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-19 | Nec Corp | 薄膜二端子素子型アクテイブマトリツクス液晶表示装置の製造方法 |
-
1975
- 1975-07-30 JP JP50091913A patent/JPS6029237B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5216195A (en) | 1977-02-07 |
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