JPS602686A - 活性電極 - Google Patents
活性電極Info
- Publication number
- JPS602686A JPS602686A JP58111573A JP11157383A JPS602686A JP S602686 A JPS602686 A JP S602686A JP 58111573 A JP58111573 A JP 58111573A JP 11157383 A JP11157383 A JP 11157383A JP S602686 A JPS602686 A JP S602686A
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- Japan
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- electrode
- active electrode
- electrolysis
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、水の電解またはアルカリ金属ハロゲン化物の
電気分解用電極に関するものである。
電気分解用電極に関するものである。
更に詳しくは、特にアルカリ金属ハロゲン化物水溶液の
電解用に適した低い水素発生電位と十分な耐久性を有す
る電解用陰極に関するものである。
電解用に適した低い水素発生電位と十分な耐久性を有す
る電解用陰極に関するものである。
従来、アルカリ金属化合物あるいは水の電解において隔
膜あるいはイオン交換膜を使用した電解槽の陰極は、パ
ンチング軟鋼板あるいは軟鋼金網等が使用されて来た。
膜あるいはイオン交換膜を使用した電解槽の陰極は、パ
ンチング軟鋼板あるいは軟鋼金網等が使用されて来た。
これらの材料は価格、耐アルカリ性、加工性等において
は、他ノ材料に比較し極めて有利な材料である。また軟
鉄の水素過電圧は通常の運転条件にお論では０３〜０．
４■であり、白金族金属類を除けば比較的低い水素過電
圧を有する金属である。
は、他ノ材料に比較し極めて有利な材料である。また軟
鉄の水素過電圧は通常の運転条件にお論では０３〜０．
４■であり、白金族金属類を除けば比較的低い水素過電
圧を有する金属である。
し刀）しながら近年のエネルギーコストの急騰により、
軟鉄製の水素発生用陰極の水素過電圧をさらに低下させ
、エネルギーコストを減少させる必要性が増加して来て
おり、種々の陰極が発表されている。改良された陰極の
大部分は安価で加工性も良く、入手が容易な鉄系金属を
陰極基体とし、この上に低水素過電圧被覆を形成したも
のである。
軟鉄製の水素発生用陰極の水素過電圧をさらに低下させ
、エネルギーコストを減少させる必要性が増加して来て
おり、種々の陰極が発表されている。改良された陰極の
大部分は安価で加工性も良く、入手が容易な鉄系金属を
陰極基体とし、この上に低水素過電圧被覆を形成したも
のである。
例えばニッケルあるいはタングステンカーバイドの粉末
を鉄系陰極基体上に溶射被覆した電極（特開昭５２−３
２８３２）、コバルトとジルコニアを溶射被覆ｌ−た電
極（特開昭５２−３６５８２）、溶射被覆後浸出処理し
たニッケルまたはコバル） ７１−ら成る電極（特開昭
５２−３６５８３ ）、まｆ？ｃ電極基体にラネーニッ
ケルを溶剤被覆した後、被覆層中の犠牲金属をアルカリ
溶出した電極（特開昭５５−１２２８８７ ）、耐アル
カリ金属を陰極基体上に溶射被覆した後その表面に白金
族金属をつけた電極（特開昭５５−１８１１８９−同５
５−１５８２８８ ）、あるいはメッキ法により活性な
層を陰極基材上に形成させる方法、例えば特開昭５４−
１ ］ ０９８３に見られるようにＮ）−中に白金族金
属粒子を分散させた電極、又はＮｉ中にラネーニッケル
を分散させた電極（特開昭５４−１１２７８５）等が知
られている。
を鉄系陰極基体上に溶射被覆した電極（特開昭５２−３
２８３２）、コバルトとジルコニアを溶射被覆ｌ−た電
極（特開昭５２−３６５８２）、溶射被覆後浸出処理し
たニッケルまたはコバル） ７１−ら成る電極（特開昭
５２−３６５８３ ）、まｆ？ｃ電極基体にラネーニッ
ケルを溶剤被覆した後、被覆層中の犠牲金属をアルカリ
溶出した電極（特開昭５５−１２２８８７ ）、耐アル
カリ金属を陰極基体上に溶射被覆した後その表面に白金
族金属をつけた電極（特開昭５５−１８１１８９−同５
５−１５８２８８ ）、あるいはメッキ法により活性な
層を陰極基材上に形成させる方法、例えば特開昭５４−
１ ］ ０９８３に見られるようにＮ）−中に白金族金
属粒子を分散させた電極、又はＮｉ中にラネーニッケル
を分散させた電極（特開昭５４−１１２７８５）等が知
られている。
しかし、これら従来の活性陰極は耐火性に劣るか、ある
いは経済的にコストがｆＪｈ ｆ）ｚりすぎるという欠
点がある。特に高温高濃度の苛性ソーダ液にさらされる
イオン交換脱法電解用電極としては甚々、不十分なもの
である。即ち、導電性微粒子、例えはラネーニッケルを
含むＮｉ又はＮｊ−合金被覆層を形成せしめる方法にお
いて微粒子含有量が少ない場合、例えば約２０％以下の
場合には密着性の強い強固な被覆層を形成し得るものの
、性能が不十分である。反対に導電性微粒子含有量が多
い場合、例えば約４５％を超える場合には活性の高い被
覆層が得られるが、密着性、強度共不十分なものしか得
られない。従って活性が高く、密着性、強度において十
分に満足し得る電極を作ることは困難である。
いは経済的にコストがｆＪｈ ｆ）ｚりすぎるという欠
点がある。特に高温高濃度の苛性ソーダ液にさらされる
イオン交換脱法電解用電極としては甚々、不十分なもの
である。即ち、導電性微粒子、例えはラネーニッケルを
含むＮｉ又はＮｊ−合金被覆層を形成せしめる方法にお
いて微粒子含有量が少ない場合、例えば約２０％以下の
場合には密着性の強い強固な被覆層を形成し得るものの
、性能が不十分である。反対に導電性微粒子含有量が多
い場合、例えば約４５％を超える場合には活性の高い被
覆層が得られるが、密着性、強度共不十分なものしか得
られない。従って活性が高く、密着性、強度において十
分に満足し得る電極を作ることは困難である。
本発明者らはかかる実情に鑑み上記問題点を解決すべく
鋭意研究の結果、より活性の高い微粒子を、比較的少量
でＮｉ又はＮｊ−合金中に分散させることにより、密着
性、強度、耐久性が共に優れ、かつ活性の高い優秀な電
極を開発するに至った。
鋭意研究の結果、より活性の高い微粒子を、比較的少量
でＮｉ又はＮｊ−合金中に分散させることにより、密着
性、強度、耐久性が共に優れ、かつ活性の高い優秀な電
極を開発するに至った。
即ち、本発明は白金族金属及び／又はその酸化物を保持
してなる導電性微粒子を含むＮ１又はＮｉ合金被覆層を
有してなる電極を提供するものである。本発明の陰極は
、白金族金属及び／又はその酸化物を保持した導電性微
粒子をＮｉ又はＮｉ合金中に分散した状態で被覆したも
ので、従来の鉄陰極に比べて２００〜３００ｍ’Ｖも水
素発生電位を低下させることが出来る。
してなる導電性微粒子を含むＮ１又はＮｉ合金被覆層を
有してなる電極を提供するものである。本発明の陰極は
、白金族金属及び／又はその酸化物を保持した導電性微
粒子をＮｉ又はＮｉ合金中に分散した状態で被覆したも
ので、従来の鉄陰極に比べて２００〜３００ｍ’Ｖも水
素発生電位を低下させることが出来る。
本発明の電解用陰極は基材として鉄、ステンレス、Ｎ１
−等が好適に用いられるが、ＮｉあるいはＮ１−合金、
例えばＮｊ−−Ｍｏ 、 Ｎ１−Ｗ等、ヲコーティング
した鉄も用いることが出来る。
−等が好適に用いられるが、ＮｉあるいはＮ１−合金、
例えばＮｊ−−Ｍｏ 、 Ｎ１−Ｗ等、ヲコーティング
した鉄も用いることが出来る。
被覆層としては＝Ｎｉ又はＮｉ−−Ｍｏ 、 Ｎｊ−Ｗ
等のＮｉ合金を母体として用いることが出来る。さらに
Ｎｉ−及びＮｉ酸化物の混合体も好適に用いるこ酸化物
を単独又は組合せて使用することが出来る。
等のＮｉ合金を母体として用いることが出来る。さらに
Ｎｉ−及びＮｉ酸化物の混合体も好適に用いるこ酸化物
を単独又は組合せて使用することが出来る。
上記金属を保持する導電性微粒子としては、導電性で表
面積が太きぐ、苛性アルカリに対する耐食性が優れてお
れば良く、例えばギ酸ニッケルあるいはニッケルカルボ
ニルより合成される多孔質Ｎ’＋−粒子、活性炭等の炭
素粒子、あるいはラネーニッケル、ラネーコバルト、ラ
ネー銀等である。ラネーニッケル合金を用いる場合は被
覆層を形成後、常法により展開する必要がある。例えば
、濃度１０〜３０％、温度４０〜６゜°Ｃの苛性ソーダ
水溶液中に１時間以上浸漬すれば十分な活性が得られる
。該粒子に前記白金族金属を保持させる方法は従来技術
を用いることが出来る。例えば化学メッキ法、置換メッ
キ法、電気メツキ法、蒸着法あるいは熱溶融により合金
とする方法等により保持させることが出来る。
面積が太きぐ、苛性アルカリに対する耐食性が優れてお
れば良く、例えばギ酸ニッケルあるいはニッケルカルボ
ニルより合成される多孔質Ｎ’＋−粒子、活性炭等の炭
素粒子、あるいはラネーニッケル、ラネーコバルト、ラ
ネー銀等である。ラネーニッケル合金を用いる場合は被
覆層を形成後、常法により展開する必要がある。例えば
、濃度１０〜３０％、温度４０〜６゜°Ｃの苛性ソーダ
水溶液中に１時間以上浸漬すれば十分な活性が得られる
。該粒子に前記白金族金属を保持させる方法は従来技術
を用いることが出来る。例えば化学メッキ法、置換メッ
キ法、電気メツキ法、蒸着法あるいは熱溶融により合金
とする方法等により保持させることが出来る。
前記微粒子はＮｉ又はＮ１合金中に均一に分散させて被
覆するので、微細であることが望ましい。
覆するので、微細であることが望ましい。
微粒子の粒径は特に限定されないが、１００メツシユ程
度以下、好ましくは２００メツシユ程度以下である。上
述の微粒子に保持される白金族金属及び／又はその酸化
物の割合は０．０１％以上であれば充分活性を有する陰
極を製作することが出来る。又、上記割合が５０％を超
えると経済的に不利となる。被覆の厚さは特に制限はな
いが、経済性等を考慮すれば８００ ｔｔ ｍ以下が好
１しく、更には４００μｍ以下が好ましい。又、活性の
効果を長期的に持続させる為には、少なくとも１０μｍ
以上が好ましく、更には５０μｍ以上が好ましい。
度以下、好ましくは２００メツシユ程度以下である。上
述の微粒子に保持される白金族金属及び／又はその酸化
物の割合は０．０１％以上であれば充分活性を有する陰
極を製作することが出来る。又、上記割合が５０％を超
えると経済的に不利となる。被覆の厚さは特に制限はな
いが、経済性等を考慮すれば８００ ｔｔ ｍ以下が好
１しく、更には４００μｍ以下が好ましい。又、活性の
効果を長期的に持続させる為には、少なくとも１０μｍ
以上が好ましく、更には５０μｍ以上が好ましい。
本発明の技術を実施し活性陰極として用いる電極基材の
形状については特に制限はなく、エクスパンデッドメタ
ル、パンチトメタル、金網、非有孔性板等が用いられる
。特に陽イオン交換膜を隔膜として塩化アルカリ金属水
溶液の電解に用いる電解槽では、エネルギーコストヲ出
来るだけ低下させる為に極間距離を３順以下あるいは２
ｙｎｙｎ以下の如く短小化して電解する方法がとられ
る場合があり、そのような場合には非有孔性の平板電極
が膜中のミ〃口の電流密度分布を均一化し得る点で非常
に好ましい。さらに、非有孔性平板の場合は、被覆を形
成する方法として＋ Ｎ１−又はＮ１−合金と共に白金
族金属及び／又はその酸化物を保持した導電性微粒子を
密着性良く基体」−に形成出来る方法であれば従来技術
、例えば、プラズマ溶射、化学メッキ、電気メッキ等を
好適に用いることが出来る。
形状については特に制限はなく、エクスパンデッドメタ
ル、パンチトメタル、金網、非有孔性板等が用いられる
。特に陽イオン交換膜を隔膜として塩化アルカリ金属水
溶液の電解に用いる電解槽では、エネルギーコストヲ出
来るだけ低下させる為に極間距離を３順以下あるいは２
ｙｎｙｎ以下の如く短小化して電解する方法がとられ
る場合があり、そのような場合には非有孔性の平板電極
が膜中のミ〃口の電流密度分布を均一化し得る点で非常
に好ましい。さらに、非有孔性平板の場合は、被覆を形
成する方法として＋ Ｎ１−又はＮ１−合金と共に白金
族金属及び／又はその酸化物を保持した導電性微粒子を
密着性良く基体」−に形成出来る方法であれば従来技術
、例えば、プラズマ溶射、化学メッキ、電気メッキ等を
好適に用いることが出来る。
本発明技術を実施するに当り、必要な面積のみ処理すれ
ば足り、即ち陽イオン交換膜と略同等面積の処理を実施
するのみで良い。
ば足り、即ち陽イオン交換膜と略同等面積の処理を実施
するのみで良い。
７ −
さらに有孔電極の場合、電解槽の運転時にはその孔近辺
のエツジ等に電流が集中し易く、電極上に電流密度の不
均一を生じる。このため、被覆層基体のニッケル又はニ
ッケル合金が部分的に腐食する等の問題が生じる。従っ
て、孔やエツジを有しない平板構造の電極基材に本発明
技術を実施することが好ましい。
のエツジ等に電流が集中し易く、電極上に電流密度の不
均一を生じる。このため、被覆層基体のニッケル又はニ
ッケル合金が部分的に腐食する等の問題が生じる。従っ
て、孔やエツジを有しない平板構造の電極基材に本発明
技術を実施することが好ましい。
前述の如くして得られる本発明による陰極は、水電解あ
るいはアルカリ金属ハロゲン化物の電解等、Ｈ２ガスを
発生する電極として好適に用いることが出来る。
るいはアルカリ金属ハロゲン化物の電解等、Ｈ２ガスを
発生する電極として好適に用いることが出来る。
以下、塩化ナトリウム水溶液の電解による水酸化す）
ｌ］ウムの製造の場合について詳しく説明するが、本発
明はこれに限定されるものではなくＫＯＨの製造、水の
電解等に適用できるのは勿論である。
ｌ］ウムの製造の場合について詳しく説明するが、本発
明はこれに限定されるものではなくＫＯＨの製造、水の
電解等に適用できるのは勿論である。
実施例１
平均粒径８１１ｍのＮｉ粒子に重量％で４％となるよう
ルテニウムを電気メッキした。
ルテニウムを電気メッキした。
上記ルテニウムを含むＮｉ−粒子と平均粒径５４８−
７１ｍのＮｉ粒子を３ニアの割合にまぜて４ ｃｍ ｘ
４αのブラスト処理したニッケル板に厚み２００μｍ
となるようプラズマ溶射した。
４αのブラスト処理したニッケル板に厚み２００μｍ
となるようプラズマ溶射した。
上記テストピースを陰極とし、ＤＳＥ（ベルメレツク社
製）を陽極とし、′ナフィオン９０１’（デュポン社製
）を陽イオン交換膜とし、陰極液濃度３２％にコントロ
ールしつつ電流密度２５Ａ／ｄ、ｎ？、陰極液温度９０
°Ｃで連続的に塩化ナトリウム水溶液の電解を行った。
製）を陽極とし、′ナフィオン９０１’（デュポン社製
）を陽イオン交換膜とし、陰極液濃度３２％にコントロ
ールしつつ電流密度２５Ａ／ｄ、ｎ？、陰極液温度９０
°Ｃで連続的に塩化ナトリウム水溶液の電解を行った。
水素過電圧はカレント・インクラブター法にて測定した
。
。
上記方法で作製した陰極の水素過電圧は０．０７〜０．
０９ Ｖであり１０００日以上電解に使用しても性能の
劣化は認められなかった。水素過電圧の推移を第１図に
示した。
０９ Ｖであり１０００日以上電解に使用しても性能の
劣化は認められなかった。水素過電圧の推移を第１図に
示した。
比較例１
平均粒径８ ｔｔ ｍのＮｉ単体粒子を２００ ｔｔ
ｍの厚みに実施例１と同じテストピースにプラズマ溶射
した。
ｍの厚みに実施例１と同じテストピースにプラズマ溶射
した。
このように作製した１０枚のテストピースを実施例１と
同一の条件で電解に供したところ、初期０．０８〜０．
０９ Ｖの過電圧を示したが、約５０日〜１５０日の間
にすべてのテストピースが急激な過電圧の上昇を示した
。断面を電子顕微鏡で観察したところ、すべてのテスト
ピースに内部クラックが認められた。
同一の条件で電解に供したところ、初期０．０８〜０．
０９ Ｖの過電圧を示したが、約５０日〜１５０日の間
にすべてのテストピースが急激な過電圧の上昇を示した
。断面を電子顕微鏡で観察したところ、すべてのテスト
ピースに内部クラックが認められた。
比較例２
平均粒径５４ ｔｔ ｍのＮｉ単体粒子を比較例１と同
じ様にプラズマ溶射し、実施例１と同様に電解に供した
。
じ様にプラズマ溶射し、実施例１と同様に電解に供した
。
初期０．１５Ｖの水素過電圧を示し、５０日目で０．２
３ Ｖまで上昇した。
３ Ｖまで上昇した。
実施例２
＝ ツｌｒ ｔｖ ４８．９ Ｗｊ％、Ａｌ ５ Ｑ
ｗｔ％、白！１．１ｗｔ％よりなる３元合金ラネーニッ
ケルを粉砕分ｉ［，２００メツシユ・パスの粒子をＮｉ
Ｃ／２・６６Ｈ２Ｏ３００周、ＨａＢＯａ ４０ダ／ｌ
に調整したメッキ浴中に５ ｆ／／β分散させ、１時間
攪拌しながらエージングした。
ｗｔ％、白！１．１ｗｔ％よりなる３元合金ラネーニッ
ケルを粉砕分ｉ［，２００メツシユ・パスの粒子をＮｉ
Ｃ／２・６６Ｈ２Ｏ３００周、ＨａＢＯａ ４０ダ／ｌ
に調整したメッキ浴中に５ ｆ／／β分散させ、１時間
攪拌しながらエージングした。
４×４αのニッケル板テストピースを１１の上記メッキ
液に浸漬し、電解ニッケルを陽極とし０．４８ Ａの直
流を通し、５０°Ｃで攪拌しながら９０分メッキしたラ
ネーニッケルの含有率は２５．６％で被覆層厚みは２５
０μｍであった。
液に浸漬し、電解ニッケルを陽極とし０．４８ Ａの直
流を通し、５０°Ｃで攪拌しながら９０分メッキしたラ
ネーニッケルの含有率は２５．６％で被覆層厚みは２５
０μｍであった。
上記テストピースを２０％苛牲ソーダ水溶液中で８０°
Ｃ１２時間展開した。展開したテストピースを陰極とし
て下記の条件で電解し、カレントインクラブグー法によ
り水素過電圧を測定した。
Ｃ１２時間展開した。展開したテストピースを陰極とし
て下記の条件で電解し、カレントインクラブグー法によ
り水素過電圧を測定した。
上記方法により作製した陰極の水素過電圧は０．０６〜
０．０８ Ｖで８００口後も性能の劣化は認められなか
った。水素過電圧の推移を第２図に示した。
０．０８ Ｖで８００口後も性能の劣化は認められなか
った。水素過電圧の推移を第２図に示した。
電解条件：
陽 極 液Ｎａ、Ｃ，ｇ ２２０１／（Ｊ陰 極 液
ＮａＯＨ３０％ 温 度 ８５°Ｃ 陽 極 不溶性電極 イオン交換膜 ゞナフィオン９０１′ 実施例３ ニッケル４５．７ ｗｔ％、アルミ５ Ｑ ｗｔ％、ル
ー １１ − テニウム４．３ ｗｔ％よりなる３元合金ラネーニッケ
ルを用いた以外は実施例２と同様なテストピースを製作
し、実施例２と同じ条件で電解した。
ＮａＯＨ３０％ 温 度 ８５°Ｃ 陽 極 不溶性電極 イオン交換膜 ゞナフィオン９０１′ 実施例３ ニッケル４５．７ ｗｔ％、アルミ５ Ｑ ｗｔ％、ル
ー １１ − テニウム４．３ ｗｔ％よりなる３元合金ラネーニッケ
ルを用いた以外は実施例２と同様なテストピースを製作
し、実施例２と同じ条件で電解した。
水素過電圧は０．０７〜０．０８ Ｖで、７５０日後も
性能の劣化は認められなかった。また、この間５回シャ
ットダウンをそれぞれ１週間実施したが、その前後で劣
化は認められなかった。
性能の劣化は認められなかった。また、この間５回シャ
ットダウンをそれぞれ１週間実施したが、その前後で劣
化は認められなかった。
実施例４
実施例２．３により得られた３元合金を粉砕し、２００
メツシユ・パスの粒子を前もってブラスト処理した４
ｃｍ Ｘ ４０ｎのテストピースにプラズマ溶射により
２００μｍの厚さの被覆層を得た。
メツシユ・パスの粒子を前もってブラスト処理した４
ｃｍ Ｘ ４０ｎのテストピースにプラズマ溶射により
２００μｍの厚さの被覆層を得た。
実施例２と同様に電解したが、水素過電圧はそれぞれＲ
−Ｎｉ −Ｐｔ ： ０．０．６ Ｖ、ｆ３−Ｎｉ−Ｒ
ｕ；０、０７ Ｖであり、６５０日後も性能の劣化は認
められな７１ｈつた。この間１５回のシャットダウン（
それぞれ１週間）を実施したが、前後で性能の変化は観
察されなかった。
−Ｎｉ −Ｐｔ ： ０．０．６ Ｖ、ｆ３−Ｎｉ−Ｒ
ｕ；０、０７ Ｖであり、６５０日後も性能の劣化は認
められな７１ｈつた。この間１５回のシャットダウン（
それぞれ１週間）を実施したが、前後で性能の変化は観
察されなかった。
比較例３
− １２ ＝
２００メツシユ・パスのニッケル５ Ｑ ｗｔ％、了ル
ミ５０ｗｔ％のラネーニッケルを実施例２と同様に分散
メッキし、同様に電解に供した。
ミ５０ｗｔ％のラネーニッケルを実施例２と同様に分散
メッキし、同様に電解に供した。
水素過電圧は０．１０ Ｖで、１００日後の水素過電圧
は０．１８ Ｖであった。この間５回のシャットタウン
（各１週間）を行ったが、各シャットダウン毎に平均０
．０１Ｖの劣化が観測された。
は０．１８ Ｖであった。この間５回のシャットタウン
（各１週間）を行ったが、各シャットダウン毎に平均０
．０１Ｖの劣化が観測された。
第１図及び第２図はそれぞれ実施例１、実施例２におけ
る運転日数と水素過電圧との関係を示すグラフである。 特許出願人 鐘淵化学工業株式会社
る運転日数と水素過電圧との関係を示すグラフである。 特許出願人 鐘淵化学工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、 白金族金属及び／又はその酸化物を保持してなる
導電性微粒子を含むＮｉ又はＮｉ合金被覆層を有してな
る活性電極。 ２、 導電性微粒子がＮｉ粒子である特許請求の範囲第
１項記載の活性電極。 ３６ 導電性微粒子が炭素粒子である特許請求の範囲第
１項記載の活性電極。 ４、 導電性微粒子がラネーニッケルである特許請求の
範囲第１項記載の活性電極。 ５、 導電性微粒子がラネーコバルトである特許請求の
範囲第１項記載の活性電極。 ６、 導電性微粒子がラネー銀である特許請求の範囲第
１項記載の活性電極。 ７、 白金族金属がＰｔ、Ｒｕ、工ｒ、Ｒｈ、Ｐｄ。 Ｏｓ、から選ばれた少なくとも１種である特許請求の範
囲第１項記載の活性電極。 ８、 被覆層がプラズマ溶射法により形成される特許請
求の範囲第１項記載の活性電極。 ９、 被覆層が電気メッキにより形成される特許請求の
範囲第１項記載の活性電極。 １０、？ｌＥ極基極左材、Ｎ１−、クロム、ステンレス
スチール又はこれらの合金である特許請求の範囲第１項
記載の活性電極。 １１、電極構造が非有孔注板である特許請求の範囲第１
項記載の活性電極。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58111573A JPS602686A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | 活性電極 |
| DE8484106905T DE3469042D1 (en) | 1983-06-20 | 1984-06-16 | A low hydrogen overvoltage cathode and method for producing the same |
| EP84106905A EP0129231B1 (en) | 1983-06-20 | 1984-06-16 | A low hydrogen overvoltage cathode and method for producing the same |
| CA000456868A CA1260427A (en) | 1983-06-20 | 1984-06-19 | Low hydrogen overvoltage cathode and method for producing the same |
| IN454/MAS/84A IN161189B (ja) | 1983-06-20 | 1984-06-23 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58111573A JPS602686A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | 活性電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS602686A true JPS602686A (ja) | 1985-01-08 |
Family
ID=14564797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58111573A Pending JPS602686A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | 活性電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS602686A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6641713B2 (en) * | 2000-06-27 | 2003-11-04 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Apparatus and system for refining sodium |
| EP1643014A3 (en) * | 2004-10-01 | 2011-12-07 | Permelec Electrode Ltd. | Hydrogen evolving cathode |
-
1983
- 1983-06-20 JP JP58111573A patent/JPS602686A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6641713B2 (en) * | 2000-06-27 | 2003-11-04 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Apparatus and system for refining sodium |
| EP1643014A3 (en) * | 2004-10-01 | 2011-12-07 | Permelec Electrode Ltd. | Hydrogen evolving cathode |
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