JPS60261186A - 光モジユ−ル製造法 - Google Patents
光モジユ−ル製造法Info
- Publication number
- JPS60261186A JPS60261186A JP11665084A JP11665084A JPS60261186A JP S60261186 A JPS60261186 A JP S60261186A JP 11665084 A JP11665084 A JP 11665084A JP 11665084 A JP11665084 A JP 11665084A JP S60261186 A JPS60261186 A JP S60261186A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- junction element
- optical
- input
- mount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、マウント上に半導体ＰＮ接合素子を配設し、
そのマウント上にかかる半導体ＰＮ接合素子をけさんで
その両側に、当該半導体ＰＮ接合素子の活性層と光学的
に結合された１対の光入出力部、例えば入出力導波路ま
たは入出カレンＸＡを配設した、小型のハイブリッド形
光モジュールを製造するための光モジユール製造法に関
するものである。
そのマウント上にかかる半導体ＰＮ接合素子をけさんで
その両側に、当該半導体ＰＮ接合素子の活性層と光学的
に結合された１対の光入出力部、例えば入出力導波路ま
たは入出カレンＸＡを配設した、小型のハイブリッド形
光モジュールを製造するための光モジユール製造法に関
するものである。
との極光モジュールの一例として、かかる半導体ＰＮ接
合素子を有するレーザダイオード光スイッチ（ＬＤ光Ｓ
Ｗ）のモジュール構造の一例を第１図に示す。ここで、
１は半導体ＰＮ接合素子、２゜２′は半導体ＰＮ接合素
子１の活性層と光学的に結合された結合用球レンズ、３
．３’は球レンズ２に対して光学的に結合された結合用
集束性ロッドレンズ、４，４’けロッドレンズ４に対し
て光学的に結合された入出力用単一モードファイバであ
り、これら各部分１〜３をモジュール化用マウント５上
に配設する・Ｖは半、〒体ＰＨ接合素子１への電源端子
、Ｒは電流制限抵抗である。６は光ファイバ４に結合さ
れた光パワ）−タ、７は光ファイバー４に光を入射させ
る光源である。
合素子を有するレーザダイオード光スイッチ（ＬＤ光Ｓ
Ｗ）のモジュール構造の一例を第１図に示す。ここで、
１は半導体ＰＮ接合素子、２゜２′は半導体ＰＮ接合素
子１の活性層と光学的に結合された結合用球レンズ、３
．３’は球レンズ２に対して光学的に結合された結合用
集束性ロッドレンズ、４，４’けロッドレンズ４に対し
て光学的に結合された入出力用単一モードファイバであ
り、これら各部分１〜３をモジュール化用マウント５上
に配設する・Ｖは半、〒体ＰＨ接合素子１への電源端子
、Ｒは電流制限抵抗である。６は光ファイバ４に結合さ
れた光パワ）−タ、７は光ファイバー４に光を入射させ
る光源である。
従来は、このような光モジュールを以下のよう 。
な工程で製造していた。まず、半導体ＰＮ接合素子１を
マウント５に固定し、電流駆動端子■より発振闇値電流
以上の順方向電流を流して光を放射させる。しかる後に
、一方の側の球レンズ２をＸＩｙ、りの３軸方向に光軸
調整して半導体ＰＮ接合素子１からの出力光を平行ビー
ムにする。次に、集束性ロッドレンズ３の光軸を調整し
て光パワメータ６の振れが最大になるように調整する。
マウント５に固定し、電流駆動端子■より発振闇値電流
以上の順方向電流を流して光を放射させる。しかる後に
、一方の側の球レンズ２をＸＩｙ、りの３軸方向に光軸
調整して半導体ＰＮ接合素子１からの出力光を平行ビー
ムにする。次に、集束性ロッドレンズ３の光軸を調整し
て光パワメータ６の振れが最大になるように調整する。
次に、もう一方のレンズ系２’ 、 ３’ 、 ４”の
光軸合せを同様の手続きによって行う。最後に、光パワ
メータ６の代わりに光＠７を他端の光ファイバ４′に接
続して光スイツチング素子としてのＰＮ接合素子１を通
過する光が最大になるようにレンズ系３．３′の光軸調
整を行ってから、マウント５にこれら各部を固定して光
モジュールとする。
光軸合せを同様の手続きによって行う。最後に、光パワ
メータ６の代わりに光＠７を他端の光ファイバ４′に接
続して光スイツチング素子としてのＰＮ接合素子１を通
過する光が最大になるようにレンズ系３．３′の光軸調
整を行ってから、マウント５にこれら各部を固定して光
モジュールとする。
続′固定する場合には従来の方法を用いることができる
が、入出力用導波路があらかじめ形成されている所へ光
ＳＷ素子をマウントするようにしてノ・イブリッド形集
積化モジュールを製造する場合には、上述した従来の方
法を適用することはできない０ また、ＬＤ光ＳＷ素子を温度制御なしで使用する場合に
は、半導体ＰＮ接合素子１０両端面の反射率が１％以下
とする必要がある。したがって、実用上重要表紙反射率
の半導体ＰＮＮ金倉素子を光ＳＷ素子として用いる場合
には、大電流を注入してもレーザ発振に至らず、ＩＪ：
Ｄ動作となり、出力光パワは非常に小さい。
が、入出力用導波路があらかじめ形成されている所へ光
ＳＷ素子をマウントするようにしてノ・イブリッド形集
積化モジュールを製造する場合には、上述した従来の方
法を適用することはできない０ また、ＬＤ光ＳＷ素子を温度制御なしで使用する場合に
は、半導体ＰＮ接合素子１０両端面の反射率が１％以下
とする必要がある。したがって、実用上重要表紙反射率
の半導体ＰＮＮ金倉素子を光ＳＷ素子として用いる場合
には、大電流を注入してもレーザ発振に至らず、ＩＪ：
Ｄ動作となり、出力光パワは非常に小さい。
したがって、従来の製造法をとる場合においても、光パ
ワが小さいため、光軸調整は困難である。
ワが小さいため、光軸調整は困難である。
しかもまた、ＬＥＤ動作で発光した光パワで光軸を合わ
せた場合には、その調整位置は、半導体ＰＮ接合素子１
の導波モードの結合最適位置とは異なるという欠点があ
った。
せた場合には、その調整位置は、半導体ＰＮ接合素子１
の導波モードの結合最適位置とは異なるという欠点があ
った。
そこで、本発明の目的は、これらの欠点を解決す、るた
めに、半導体ＰＮ接合素子を発光させない状態で光軸合
わせを行う光モジュールの製造法を提供することにある
。
めに、半導体ＰＮ接合素子を発光させない状態で光軸合
わせを行う光モジュールの製造法を提供することにある
。
かかる目的を達成するために、本発明では、マウント上
に配設された半導体ＰＮ接合素子と、前記マウント上に
前記半導体ＰＮ接合素子をはさんで両側に配設され、前
記半導体ＰＮ接合素子の活性層と光学的に結合された１
対の先人中力部とを有する光モジュールを製造するにあ
たって、前記１対の巻入出力部を互の光軸を合わせて前
記マ？ント上に固定し、前記１対の入出力部から前記半
導体ＰＮ接合素子の両端面に異なる周波、数で変調され
た光信号をそれぞれ同時に入射さ、せ、前記周波数の各
々において前記半導体ＰＭ接合素子の端子電圧変化が最
大にな今ように前記半導体ＰＮ接合素子の位置を調整し
、その調整が終了した後に前記半導体ＰＮ接合素子を前
記マウント上に固定する。
に配設された半導体ＰＮ接合素子と、前記マウント上に
前記半導体ＰＮ接合素子をはさんで両側に配設され、前
記半導体ＰＮ接合素子の活性層と光学的に結合された１
対の先人中力部とを有する光モジュールを製造するにあ
たって、前記１対の巻入出力部を互の光軸を合わせて前
記マ？ント上に固定し、前記１対の入出力部から前記半
導体ＰＮ接合素子の両端面に異なる周波、数で変調され
た光信号をそれぞれ同時に入射さ、せ、前記周波数の各
々において前記半導体ＰＭ接合素子の端子電圧変化が最
大にな今ように前記半導体ＰＮ接合素子の位置を調整し
、その調整が終了した後に前記半導体ＰＮ接合素子を前
記マウント上に固定する。
以下に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
本発明によシ半導体ＰＭ接合素子１を発光させることな
く最適結合位置を検出するだめの構成の基本を第２図に
より説明する。ここで、７′は半導体ＰＨ接合素子１と
同程度の発振波長を持つ光源用レーザダイオード、８は
とのレーザダイオード７１にバイアス電流工０を印加す
るだめの直流電源、９．９′はレーザダイオード７′か
らの出力を半導体ＰＮ接合素子１に集光する集光用レン
ズ、１０はレンズ９と９′との間に配置した光アイソレ
ータ、１１は半導体ＰＮ接合素子１の負荷抵抗ＲＬに対
してコンデンサを介して結合した、例えば利得が２２
ｄＢのＲＦ増幅器、１２は増幅器１１からの出力、を受
けるトラッキングスコープを示す。
く最適結合位置を検出するだめの構成の基本を第２図に
より説明する。ここで、７′は半導体ＰＨ接合素子１と
同程度の発振波長を持つ光源用レーザダイオード、８は
とのレーザダイオード７１にバイアス電流工０を印加す
るだめの直流電源、９．９′はレーザダイオード７′か
らの出力を半導体ＰＮ接合素子１に集光する集光用レン
ズ、１０はレンズ９と９′との間に配置した光アイソレ
ータ、１１は半導体ＰＮ接合素子１の負荷抵抗ＲＬに対
してコンデンサを介して結合した、例えば利得が２２
ｄＢのＲＦ増幅器、１２は増幅器１１からの出力、を受
けるトラッキングスコープを示す。
このトラッキングスコープから、例えば１００ＭＨｚに
固定した電流を測定用光源７′に供給して、１００ Ｍ
Ｈｚで変調し、得られた出力光を２０倍の対物レンズ９
，９′で半導体ＰＮ接合素子１の活性層に注入する。こ
の素子１の端子電圧のＲＦパワをトラッキングスコープ
１２で測定する。
固定した電流を測定用光源７′に供給して、１００ Ｍ
Ｈｚで変調し、得られた出力光を２０倍の対物レンズ９
，９′で半導体ＰＮ接合素子１の活性層に注入する。こ
の素子１の端子電圧のＲＦパワをトラッキングスコープ
１２で測定する。
第３図は、このようにして、半導体ＰＮ接合素子１の端
子電圧で検出されるＲＦパワのビームスポット位置依存
性を測定した結果を示したものである。ここで、Δｙは
活性層の厚さ方向、ΔＸは活性層の平行方向、およびΔ
２は光軸方向にビームスポットをそれぞれ変位させたと
きのＲＦパワの変動を示す。
子電圧で検出されるＲＦパワのビームスポット位置依存
性を測定した結果を示したものである。ここで、Δｙは
活性層の厚さ方向、ΔＸは活性層の平行方向、およびΔ
２は光軸方向にビームスポットをそれぞれ変位させたと
きのＲＦパワの変動を示す。
この結果から、ＲＦパワが３ （ＩＢ落ちる変位量は、
ΔＸ、Δ２共に１５μｍ、Δｙは±１μｍと々ることが
わかる。したがって、レンズによる結合のかわりに入出
力用光導波路から光ビームを１０μｍ程度の間隙で活性
層に注入し、このＰＮ接合素子の端子電圧の変化を測定
することによって高精度に光軸合せを行うことができる
。
ΔＸ、Δ２共に１５μｍ、Δｙは±１μｍと々ることが
わかる。したがって、レンズによる結合のかわりに入出
力用光導波路から光ビームを１０μｍ程度の間隙で活性
層に注入し、このＰＮ接合素子の端子電圧の変化を測定
することによって高精度に光軸合せを行うことができる
。
本発明はかかる実験結果に基いてなしたものであって、
第４図は本発明を実施する一例を示す構成図である。こ
とで、１は結合用入出力導波路に対して光軸合せをした
後に固定されるべき半導体ＰＮ接合素子である。１３お
よび１４は光源としてのレーザダイオード７′および７
′をそれぞれ周波数ｆ、およびｆ２で変調するだめのド
ライバ、１５は変調周波数ｆ、およびｆ２に同調してＲ
Ｆパワを検出する選択レベルメータであり、ドライバ１
３および１４からの周波数ｆ１およびｆ２の信号によシ
、それぞれ独立に同調して、入力レベルを測定すること
ができる。１６および１６′はそれぞれ光ファイバ４お
よび４′に結合されたモジュール用入出力導波路のコア
であり、両コア１６と１６′との間に半導体ＰＮ接合素
子１を配置する。１７はこの素子１へ接続されたリード
ワイヤ、１８はＡｕめっき層などによる端子用導通層で
ある。
第４図は本発明を実施する一例を示す構成図である。こ
とで、１は結合用入出力導波路に対して光軸合せをした
後に固定されるべき半導体ＰＮ接合素子である。１３お
よび１４は光源としてのレーザダイオード７′および７
′をそれぞれ周波数ｆ、およびｆ２で変調するだめのド
ライバ、１５は変調周波数ｆ、およびｆ２に同調してＲ
Ｆパワを検出する選択レベルメータであり、ドライバ１
３および１４からの周波数ｆ１およびｆ２の信号によシ
、それぞれ独立に同調して、入力レベルを測定すること
ができる。１６および１６′はそれぞれ光ファイバ４お
よび４′に結合されたモジュール用入出力導波路のコア
であり、両コア１６と１６′との間に半導体ＰＮ接合素
子１を配置する。１７はこの素子１へ接続されたリード
ワイヤ、１８はＡｕめっき層などによる端子用導通層で
ある。
第４図に示した導波路部分をＧＶＤ法や、スパッタ法等
で形成した光導波路とした徊を第５図に示す。第５図に
おいて、２１は基板であり、熱伝導性を考慮してシリコ
ンやセラミックスガとを用いる。この基板２１上には上
述した端子用導通層１８を配置し、その導通層１８上に
ＯＶＤ法を用いてクラッド層２２を配置し、そのクラッ
ド層２２内に１本の連続したコア１６ 、１６’を埋め
込んで入出力導波路を構成する。この導波路の途中を反
応性スパッタ法やダイシングマシンなどで導通層１８ま
で切シ欠く。その切欠部にヒートシンク２３−を導電性
ロウ剤、たとえばハンダ２４によって固定する。ヒート
シンク２３上には半導体Ｐ−Ｎ接合素子１を載置し、以
てその両端面が入出力導波路と対向し、その活性層はコ
ア１６ 、１６’と対向するようにする。
で形成した光導波路とした徊を第５図に示す。第５図に
おいて、２１は基板であり、熱伝導性を考慮してシリコ
ンやセラミックスガとを用いる。この基板２１上には上
述した端子用導通層１８を配置し、その導通層１８上に
ＯＶＤ法を用いてクラッド層２２を配置し、そのクラッ
ド層２２内に１本の連続したコア１６ 、１６’を埋め
込んで入出力導波路を構成する。この導波路の途中を反
応性スパッタ法やダイシングマシンなどで導通層１８ま
で切シ欠く。その切欠部にヒートシンク２３−を導電性
ロウ剤、たとえばハンダ２４によって固定する。ヒート
シンク２３上には半導体Ｐ−Ｎ接合素子１を載置し、以
てその両端面が入出力導波路と対向し、その活性層はコ
ア１６ 、１６’と対向するようにする。
クラッド層２２を上部電極となし、ここにリードワイヤ
１７を接続し、ロウ剤２４により導通状態となっている
導通層１８を下部電極となして、これら両電極間の電圧
を選択レベルメータ１５に供給し、周波数ｆ１およびｆ
２の電圧のレベルを測定する。そのために、ドライバ１
３および１４からの信号により選択レベルメータ１５を
周波数ｆ１およびｆ２に同調させておき、その状態で、
光源７′および７′をそれぞれ周波数ｆ、およびｆ２で
変デすることにより、入出力導波路からそれぞれ異なっ
た周波数ｆ１およびｆ２で変調された光信号を半導体Ｐ
Ｎ接合素子１の活性層に注入する。ここで、選択レベル
メータ１５はｆｌおよびｆ２に各々独立して同一を取る
ことができるので、入射側お゛よび出射側とも別個に光
軸合せを行うことができ、したがって入出力導波路と半
導体ＰＮ接合素子とを容易に最適位置に合わすことがで
きる。そこで、ロウ剤２３を溶かした状態で、半導体Ｐ
Ｎ接合素子１を最適位置に定め、その位置でロウ剤２３
を冷却して素子１を固定する。々お、入出力導波路と半
導体ＰＮ接合素子１との間隙が１０μｍ以上になると、
結合損失が増大するので、ビームスポットサイズの整合
を取る必要がある。
１７を接続し、ロウ剤２４により導通状態となっている
導通層１８を下部電極となして、これら両電極間の電圧
を選択レベルメータ１５に供給し、周波数ｆ１およびｆ
２の電圧のレベルを測定する。そのために、ドライバ１
３および１４からの信号により選択レベルメータ１５を
周波数ｆ１およびｆ２に同調させておき、その状態で、
光源７′および７′をそれぞれ周波数ｆ、およびｆ２で
変デすることにより、入出力導波路からそれぞれ異なっ
た周波数ｆ１およびｆ２で変調された光信号を半導体Ｐ
Ｎ接合素子１の活性層に注入する。ここで、選択レベル
メータ１５はｆｌおよびｆ２に各々独立して同一を取る
ことができるので、入射側お゛よび出射側とも別個に光
軸合せを行うことができ、したがって入出力導波路と半
導体ＰＮ接合素子とを容易に最適位置に合わすことがで
きる。そこで、ロウ剤２３を溶かした状態で、半導体Ｐ
Ｎ接合素子１を最適位置に定め、その位置でロウ剤２３
を冷却して素子１を固定する。々お、入出力導波路と半
導体ＰＮ接合素子１との間隙が１０μｍ以上になると、
結合損失が増大するので、ビームスポットサイズの整合
を取る必要がある。
第６図は入出力導波路として光ファイバを用いた例であ
り、コア１６ 、１６’とクラッド２２とを光ファイバ
３０の形態とする。本例にｔいては、まず、導通層１８
の上に光ファイバ３０を固定層３１で固定する。固定層
３０の材料としては、接着剤あるいはハンダを用いるこ
とができる。次に、反応性スパッタ法やダイシングマシ
ンを用いて、光ファイバ３０から導通層１８にまで至る
切欠をうがち、導通層１８を露出させる。この段階で光
ファイバ３０の端面を緩衝濃酸で軽く選択エツチングす
ることによってそのコア１６ 、１６’を突出させて集
光レンズとして作用させる。次に、基板２１を加熱して
ロウ剤２４を溶かした状態で上述の光軸合せを行ってか
ら半導体ＰＮ接合素子１を最適位置で固定する。
り、コア１６ 、１６’とクラッド２２とを光ファイバ
３０の形態とする。本例にｔいては、まず、導通層１８
の上に光ファイバ３０を固定層３１で固定する。固定層
３０の材料としては、接着剤あるいはハンダを用いるこ
とができる。次に、反応性スパッタ法やダイシングマシ
ンを用いて、光ファイバ３０から導通層１８にまで至る
切欠をうがち、導通層１８を露出させる。この段階で光
ファイバ３０の端面を緩衝濃酸で軽く選択エツチングす
ることによってそのコア１６ 、１６’を突出させて集
光レンズとして作用させる。次に、基板２１を加熱して
ロウ剤２４を溶かした状態で上述の光軸合せを行ってか
ら半導体ＰＮ接合素子１を最適位置で固定する。
本発明では、入出力導波路の光軸はあらかじめ合ってい
るため、半導体ＰＮｉ合素子の位置の調整が容易である
。しかも、調整された位置の固定はｑつ剤を用いて行う
ため、光フアイバモジュールの作製時間が短かく１かつ
非常にコンパクトな光モジュールを作製することが・で
きる。
るため、半導体ＰＮｉ合素子の位置の調整が容易である
。しかも、調整された位置の固定はｑつ剤を用いて行う
ため、光フアイバモジュールの作製時間が短かく１かつ
非常にコンパクトな光モジュールを作製することが・で
きる。
なお、本発明の方法は、半導体ＰＮ接合素子に対する入
出力部にレンズ系を用いたモジュール構造の場合でも容
易に光軸合わせを行うことができることは自明である。
出力部にレンズ系を用いたモジュール構造の場合でも容
易に光軸合わせを行うことができることは自明である。
また、レーザ素子のように光出力を大きくとれる素子の
モジュール化においても、本発明の方法を有効に適用で
きることは明らかである。
モジュール化においても、本発明の方法を有効に適用で
きることは明らかである。
本発明の方法により製造される光モジュールとしては、
次のような種々の形態のものとすることができる。
次のような種々の形態のものとすることができる。
（１）発光モジュール
活性層の両側から発光する半導体ＰＮ接合素子を用いる
ことによって、両側の入出力導波路から光を取シ出す。
ことによって、両側の入出力導波路から光を取シ出す。
（２） スイッチモジュール
入力導波路から半導体ＰＮ接合素子に光を入れ、この半
導体ＰＮ接合素子に電流を流すか流さないかの制御によ
シ、出力導波路から出力光を取シ出すかあるいは遮断す
るかの制御を行う。
導体ＰＮ接合素子に電流を流すか流さないかの制御によ
シ、出力導波路から出力光を取シ出すかあるいは遮断す
るかの制御を行う。
（６）増幅モジュール
半導体ＰＮ接合素子に発振閾値以下の順方向電流を流し
ておくことにより、入力導波路から光信号が入射したと
きＫのみ、増幅された光信号を出力導波路から取シ出す
。
ておくことにより、入力導波路から光信号が入射したと
きＫのみ、増幅された光信号を出力導波路から取シ出す
。
以上のような機能をもつ光モジュールを、光集積回路の
中の一基本構成単位とすることができる。
中の一基本構成単位とすることができる。
以上説明したように、本発明によれば半導体ＰＮ接合素
子の入力部および出力部の双方からそれぞれ異攻っだ周
波数で変調された光信号をこの半導体ＰＮｉ合素子に注
入して光軸合わせな行うので、以下のような利点がある
。
子の入力部および出力部の双方からそれぞれ異攻っだ周
波数で変調された光信号をこの半導体ＰＮｉ合素子に注
入して光軸合わせな行うので、以下のような利点がある
。
（１） 完全無反射端の素子でもモジュール化できる。
（２）組み立て時に半導体ＰＭ接合素子に電流を注入し
て発光させるようにしないから、信頼度が高い。
て発光させるようにしないから、信頼度が高い。
（６） 入・出力側の光軸を同時に調整することができ
る０ （４）作製時間が短かい。、 （５） 変位検出感度が高い。
る０ （４）作製時間が短かい。、 （５） 変位検出感度が高い。
（６） 製造の自動化が容易である。
第１図は従来の光スイッチモジュール―適法の説明図、
第２図は半導体ＰＮ接合素子の端子電圧を測定する本発
明における測定系の原理を示す構成図、第３図はＭ２図
の測定系において半導体ＰＮ接合素子の端子電圧で検出
したＲＦパワのビームスポット位置依存性を示す図、 第４図は本発明の光スイツチモジュール製造法を実施す
るための系を示す構成図、 第５図は第４図における導波路として堆積型光導波路を
用いた例を示す断面図、 第６図は同じく導波路として光ファイバを用いた例を示
す断面図である。 １・・・半導体ＰＮ接合素子、 ２・・・球レンズ、 ３・・・集束性ロッドレンズ、 ４・・・光ファイバ、 ５・・・モジュール用マウント１ ６・・・光パワメータ、 ７．７’、？’・・・光源用レーザダイオード、８・・
・直流電源、 ９．９′・・・集光用レンズ、 １０・・・光アイソレータ、 １１・・・′ＲＦ増幅器、 １２・・・トラッキングスコープ、 １３．１４・・・ドライバ、 １５・・・選択レベルメータ、 １６ 、１６’・・・入出力用光導波路のコア、１７・
・・す、−ドワイヤ、 １８・・・導通層、 ２１・・・基板、 ２２・・・クラッド層、 ２３・・・ヒートシンク、 ２４・・・ロウ剤、 ３０・・・光ファイバ、 ３１・・・固定層。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 弁理士 谷 義 −
明における測定系の原理を示す構成図、第３図はＭ２図
の測定系において半導体ＰＮ接合素子の端子電圧で検出
したＲＦパワのビームスポット位置依存性を示す図、 第４図は本発明の光スイツチモジュール製造法を実施す
るための系を示す構成図、 第５図は第４図における導波路として堆積型光導波路を
用いた例を示す断面図、 第６図は同じく導波路として光ファイバを用いた例を示
す断面図である。 １・・・半導体ＰＮ接合素子、 ２・・・球レンズ、 ３・・・集束性ロッドレンズ、 ４・・・光ファイバ、 ５・・・モジュール用マウント１ ６・・・光パワメータ、 ７．７’、？’・・・光源用レーザダイオード、８・・
・直流電源、 ９．９′・・・集光用レンズ、 １０・・・光アイソレータ、 １１・・・′ＲＦ増幅器、 １２・・・トラッキングスコープ、 １３．１４・・・ドライバ、 １５・・・選択レベルメータ、 １６ 、１６’・・・入出力用光導波路のコア、１７・
・・す、−ドワイヤ、 １８・・・導通層、 ２１・・・基板、 ２２・・・クラッド層、 ２３・・・ヒートシンク、 ２４・・・ロウ剤、 ３０・・・光ファイバ、 ３１・・・固定層。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 弁理士 谷 義 −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マウント上に配設された半導体ＰＮ接合素子と、前記マ
ウント上に前記半導体ＰｔＪ接合素子をはさんで内側に
配設され、前記半導体ＰＨ接合素子の活性層と光学的に
結合された１対の光入出力部とを有する光モジュールを
製造するにあたって、前記１対の光入出力部を互の光軸
を合わせて前記マウント上に固定し、 前記１対の入出力部から前記半導体′ＰＮ接合素子の両
端面に異なる周波数で変調された光信号をそれぞれ同時
に入射させ、 前記周波数の各々において前記半導体ＰＮ接合素子の端
子電圧変化が最大になるように前記半導体ＰＮ接合素子
の位置を調整し、 その調整が終了した後に前記半導体ＰＮ接合素子を前記
マウント上に固定することを特徴とする光モジユール製
造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11665084A JPS60261186A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 光モジユ−ル製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11665084A JPS60261186A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 光モジユ−ル製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60261186A true JPS60261186A (ja) | 1985-12-24 |
| JPH0262958B2 JPH0262958B2 (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=14692477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11665084A Granted JPS60261186A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 光モジユ−ル製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60261186A (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0958495B1 (en) | 1997-02-06 | 2002-11-13 | Therasense, Inc. | Small volume in vitro analyte sensor |
| US8974386B2 (en) | 1998-04-30 | 2015-03-10 | Abbott Diabetes Care Inc. | Analyte monitoring device and methods of use |
| US9066695B2 (en) | 1998-04-30 | 2015-06-30 | Abbott Diabetes Care Inc. | Analyte monitoring device and methods of use |
| US8688188B2 (en) | 1998-04-30 | 2014-04-01 | Abbott Diabetes Care Inc. | Analyte monitoring device and methods of use |
| US8346337B2 (en) | 1998-04-30 | 2013-01-01 | Abbott Diabetes Care Inc. | Analyte monitoring device and methods of use |
| US8465425B2 (en) | 1998-04-30 | 2013-06-18 | Abbott Diabetes Care Inc. | Analyte monitoring device and methods of use |
| US6175752B1 (en) | 1998-04-30 | 2001-01-16 | Therasense, Inc. | Analyte monitoring device and methods of use |
| US6338790B1 (en) | 1998-10-08 | 2002-01-15 | Therasense, Inc. | Small volume in vitro analyte sensor with diffusible or non-leachable redox mediator |
| US6591125B1 (en) | 2000-06-27 | 2003-07-08 | Therasense, Inc. | Small volume in vitro analyte sensor with diffusible or non-leachable redox mediator |
| US6560471B1 (en) | 2001-01-02 | 2003-05-06 | Therasense, Inc. | Analyte monitoring device and methods of use |
| US7766829B2 (en) | 2005-11-04 | 2010-08-03 | Abbott Diabetes Care Inc. | Method and system for providing basal profile modification in analyte monitoring and management systems |
| US8226891B2 (en) | 2006-03-31 | 2012-07-24 | Abbott Diabetes Care Inc. | Analyte monitoring devices and methods therefor |
| US7620438B2 (en) | 2006-03-31 | 2009-11-17 | Abbott Diabetes Care Inc. | Method and system for powering an electronic device |
| US8123686B2 (en) | 2007-03-01 | 2012-02-28 | Abbott Diabetes Care Inc. | Method and apparatus for providing rolling data in communication systems |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5558590A (en) * | 1978-10-25 | 1980-05-01 | Fujitsu Ltd | Location adjustment of light emitting device |
-
1984
- 1984-06-08 JP JP11665084A patent/JPS60261186A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5558590A (en) * | 1978-10-25 | 1980-05-01 | Fujitsu Ltd | Location adjustment of light emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0262958B2 (ja) | 1990-12-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2533637B2 (ja) | 光電子デバイスとこれに結合された光導波管より成る素子の製造方法 | |
| JPS60261186A (ja) | 光モジユ−ル製造法 | |
| US7602823B2 (en) | Light-emitting element | |
| KR19980030121A (ko) | 브이홈에 정렬된 렌즈를 가진 광모듈 및 그 제작방법 | |
| US10396898B2 (en) | Optical module and optical transmitting apparatus installing a number of optical modules | |
| JPH1152190A (ja) | 光接続部品及びその製造方法 | |
| JPH09159880A (ja) | 光集束レンズを含むレーザモジュール及び光集束レンズ固定方法 | |
| JPWO2002089274A1 (ja) | 光通信装置 | |
| US10018791B2 (en) | Multi-channel optical subassembly and method of manufacturing the same | |
| JP2004179273A (ja) | 半導体レーザチップ部品及びこれを用いた半導体レーザモジュール | |
| JPS61238006A (ja) | 光結合部材の位置合せ方法 | |
| CN107850732A (zh) | 具有形成在半导体基板上的多模耦合器的光学模块 | |
| JP4352828B2 (ja) | 光受信器 | |
| JP3042453B2 (ja) | 受光モジュール | |
| JP2007266260A (ja) | 位相制御機能を有する光半導体装置 | |
| JPH07199006A (ja) | 光サブアセンブリ及び光モジュール | |
| JPS63187669A (ja) | 光電気集積回路 | |
| US7021835B1 (en) | Alignment of optical components in an optical subassembly | |
| JPH0996730A (ja) | 光素子搭載モジュールおよび光素子搭載方法および光素子搭載モジュールからなる光システム | |
| Vusirikala et al. | Flip-chip optical fiber attachment to a monolithic optical receiver chip | |
| JPH0527146A (ja) | 光機能装置 | |
| JP2003107299A (ja) | 双方向光モジュール | |
| US6862385B2 (en) | Tap monitor | |
| KR100583651B1 (ko) | 광송신 모듈의 패키징 방법 | |
| JPH07209560A (ja) | 光モジュール |