JPS60257130A - ラジカルビ−ムを用いた薄膜形成方法 - Google Patents
ラジカルビ−ムを用いた薄膜形成方法Info
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- JPS60257130A JPS60257130A JP11342384A JP11342384A JPS60257130A JP S60257130 A JPS60257130 A JP S60257130A JP 11342384 A JP11342384 A JP 11342384A JP 11342384 A JP11342384 A JP 11342384A JP S60257130 A JPS60257130 A JP S60257130A
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- chamber
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＶＬＳＩ日路等の半導体製造技術に関し、特
に電気的に中性で化学的に活性な分子線を用いて低温で
高品質の薄膜を精密に形成する方法に関する。
に電気的に中性で化学的に活性な分子線を用いて低温で
高品質の薄膜を精密に形成する方法に関する。
シリコン等の半導体のエピタキシャル層を、低温下で高
精度に形成させる方法の１つに分子線エピタキシ法（通
常、ＭＢＥ法と呼ばれている）がある。第３図はその概
念図であり、３１は超高真空の成長室、３２は蒸発源、
３３は電子銃、３４は冷却用の液体窒素シュラウド、３
５はシャッタ。
精度に形成させる方法の１つに分子線エピタキシ法（通
常、ＭＢＥ法と呼ばれている）がある。第３図はその概
念図であり、３１は超高真空の成長室、３２は蒸発源、
３３は電子銃、３４は冷却用の液体窒素シュラウド、３
５はシャッタ。
３６は薄膜を形成する基板を表わしている。
電子銃３３から放射された電子ビームは、蒸発源３２の
物質、たとえばシリコンＳ、のインゴット表面をたたき
、そこから蒸発源物質の原子または分子（以下分子と略
記）を蒸発させる。蒸発した分子は、シャッタ３５を通
り、基板３６上にエピタキシャル層を形成させる。なお
１図では省略− されているが、成長室３１内に・２ シリコン中へ適当
な不純物を添加する手段が設けられている。
物質、たとえばシリコンＳ、のインゴット表面をたたき
、そこから蒸発源物質の原子または分子（以下分子と略
記）を蒸発させる。蒸発した分子は、シャッタ３５を通
り、基板３６上にエピタキシャル層を形成させる。なお
１図では省略− されているが、成長室３１内に・２ シリコン中へ適当
な不純物を添加する手段が設けられている。
この従来の分子綿エピタキシ法の欠点の１つは。
蒸発＃、３２を電子ビームが照射することにより。
必然的に温度が上昇することであり、このため液体窒素
シュラウド３４を用いて冷却を行なう必要がある。
シュラウド３４を用いて冷却を行なう必要がある。
また他の欠点としては、シリコンのエピタキシャル成長
では電子ビームの照射が蒸発源の中央部に集中すること
により９表面に凹部を生しることである。これにより、
基板３６上に入射される分子線の均質性あるいはコリメ
ート性が悪化して。
では電子ビームの照射が蒸発源の中央部に集中すること
により９表面に凹部を生しることである。これにより、
基板３６上に入射される分子線の均質性あるいはコリメ
ート性が悪化して。
薄膜の厚さが場所により異なるなどの精度の低下が生じ
る。
る。
またＧ、Ａ、のエピタキシャル層を形成する場合には蒸
発源はるつぼに入れたガリウムやひ素をそれぞれヒータ
ー加熱しているが、成長室内がＡ５ガスで充満して、成
長室内側や分析器等が析出したＡＳにより汚染されると
いう問題がある。このため、一般には分析室と成長室と
を分離するなどの対策が講しられているが、メインテナ
ンス負担が大きいものとなる。
発源はるつぼに入れたガリウムやひ素をそれぞれヒータ
ー加熱しているが、成長室内がＡ５ガスで充満して、成
長室内側や分析器等が析出したＡＳにより汚染されると
いう問題がある。このため、一般には分析室と成長室と
を分離するなどの対策が講しられているが、メインテナ
ンス負担が大きいものとなる。
従来の分子線エピタキシ法は、低温動作が困難であり２
分子線源として適用できる物質も制限され、たとえば、
絶縁膜のエピタキシあるいは蒸着ができず、また長時間
の薄膜成長における均一性などの精度にも問題がある。
分子線源として適用できる物質も制限され、たとえば、
絶縁膜のエピタキシあるいは蒸着ができず、また長時間
の薄膜成長における均一性などの精度にも問題がある。
本発明はそのため。
従来よりもさらに多様な物質を分子線源として使用でき
るようにし、しかも低温での動作を可能にして、冷却手
段を不要もしくは簡単なもので済ませることができるよ
うにし、また形成される薄膜を超高精度で制御できるよ
うにすることである。
るようにし、しかも低温での動作を可能にして、冷却手
段を不要もしくは簡単なもので済ませることができるよ
うにし、また形成される薄膜を超高精度で制御できるよ
うにすることである。
本発明は９分子線源として従来のような電子ビームやヒ
ータなどの熱的手段によらずに、ガスをソースとする放
電プラズマ法を用い、さらに分子線源と成長室とを分離
して、これらの間をオリフィスをそなえかつ差動排気さ
れた輸送管で結合する手段を用いるものである。
ータなどの熱的手段によらずに、ガスをソースとする放
電プラズマ法を用い、さらに分子線源と成長室とを分離
して、これらの間をオリフィスをそなえかつ差動排気さ
れた輸送管で結合する手段を用いるものである。
本発明の分子線源は、放電プラズマを用いることにより
高い励起状態にある電気的に中性の原子または分子３す
なわちラジカルを多く発生ずることができる。このラジ
カルは、輸送管のオリフィスにより、コリノートされた
ラジカルビームとなって成長室内に放射され、基板が所
定の温度に保たれていれば、付着したラジカルが表面反
応して結晶相が析出し、薄膜を成長させる。また分子線
源の放電室は比較的高い圧力をもつが、輸送管における
差動排気により成長室内を超高真空に維持することがで
きる。
高い励起状態にある電気的に中性の原子または分子３す
なわちラジカルを多く発生ずることができる。このラジ
カルは、輸送管のオリフィスにより、コリノートされた
ラジカルビームとなって成長室内に放射され、基板が所
定の温度に保たれていれば、付着したラジカルが表面反
応して結晶相が析出し、薄膜を成長させる。また分子線
源の放電室は比較的高い圧力をもつが、輸送管における
差動排気により成長室内を超高真空に維持することがで
きる。
さらに、ラジカルビームとエツチングガスとを基板面に
同時に放射し、これにレーザ等により紫外線を局所的に
照射することにより１選択的なエツチングと結晶成長を
同時に行なうこともできる。
同時に放射し、これにレーザ等により紫外線を局所的に
照射することにより１選択的なエツチングと結晶成長を
同時に行なうこともできる。
以下に本発明の詳細を実施例にしたがって説明する。
第１図は２本発明によるラジカルビーム薄膜製造装置の
１実施例の要部構成図であり、第２図はその全体構成図
である。
１実施例の要部構成図であり、第２図はその全体構成図
である。
両図において、１は放電室、２は輸送管、３は成長室、
４は放電電極、５はガス導入０．６は第１オリフイス、
７は第２オリフイス、８は基板。
４は放電電極、５はガス導入０．６は第１オリフイス、
７は第２オリフイス、８は基板。
９はイオン銃、１０は中速電子回折電子銃、１１は中速
電子回折スクリーン、１２はのぞき窓、１３は４極質量
分析計、１４．１５はバルブＢ、Ｖ、。
電子回折スクリーン、１２はのぞき窓、１３は４極質量
分析計、１４．１５はバルブＢ、Ｖ、。
１６ばメカニカルブースタポンプＭ、Ｂ、、１７はロー
クリポンプＲ，Ｐ、、１８は拡散ポンプＤ、Ｐ、、１９
Ｌｌ： Ｅｌ −夕ＩＪポンプＲ，Ｐ、、２０はゲート
バルブＧ、Ｖ、。
クリポンプＲ，Ｐ、、１８は拡散ポンプＤ、Ｐ、、１９
Ｌｌ： Ｅｌ −夕ＩＪポンプＲ，Ｐ、、２０はゲート
バルブＧ、Ｖ、。
２１はソープションポンプＳ、Ｐ、、２２はロータリポ
ンプＲ，Ｐ、、２３．２４は拡散ポンプＤ、Ｐ、、２５
はロータリポンプＲ，Ｐ、を表わしている。
ンプＲ，Ｐ、、２３．２４は拡散ポンプＤ、Ｐ、、２５
はロータリポンプＲ，Ｐ、を表わしている。
放電室ｌへはガス導入口５からソースとなるガス、たと
えばシリコンエピタキシの場合にはモノシランガスＳｉ
Ｈ，が注入される。注入されたガスは放電電極４のグロ
ー放電により解離（シランキング）され、ラジカルが生
成される。このとき同時にイオンも生成されるが、ラジ
カルに対する比率は極く僅かであり、輸送管の中に設げ
られたイオンコレクタで容易に除去することができる。
えばシリコンエピタキシの場合にはモノシランガスＳｉ
Ｈ，が注入される。注入されたガスは放電電極４のグロ
ー放電により解離（シランキング）され、ラジカルが生
成される。このとき同時にイオンも生成されるが、ラジ
カルに対する比率は極く僅かであり、輸送管の中に設げ
られたイオンコレクタで容易に除去することができる。
グロー放電の圧ノＪｖ４域は、およそ０．１〜１．０Ｔ
ｏｒｒ程度で使用され、そのため放電室内はメカニカ
ルブースクボンプ１６およびロータリポンプ１７により
排気されている。
ｏｒｒ程度で使用され、そのため放電室内はメカニカ
ルブースクボンプ１６およびロータリポンプ１７により
排気されている。
輸送管２は、第１オリフイス６および第２オリフイス７
をそれぞれ有する２つのオリフィス板に挟まれた室を形
成している。これら２つのオリフィスは放電室１から噴
射されたラジカルをコリメートされたビームにして成長
室３へ放射させる。
をそれぞれ有する２つのオリフィス板に挟まれた室を形
成している。これら２つのオリフィスは放電室１から噴
射されたラジカルをコリメートされたビームにして成長
室３へ放射させる。
輸送管の室内は拡散ポンプ１８およびロータリポンプ１
９によりたとえば１０−’Ｔｏｒｒ以下に排気されてい
る。成長室３内のバンクグランドの真空度は１０−７〜
１０−９程度となっているので、輸送管内は放電室１と
成長室３との間の差圧を維持する機能を果している。ゲ
ートバルブ２０は５装置の不使用時に成長室３を高真空
状態に保持しておくために使用さね、る。
９によりたとえば１０−’Ｔｏｒｒ以下に排気されてい
る。成長室３内のバンクグランドの真空度は１０−７〜
１０−９程度となっているので、輸送管内は放電室１と
成長室３との間の差圧を維持する機能を果している。ゲ
ートバルブ２０は５装置の不使用時に成長室３を高真空
状態に保持しておくために使用さね、る。
図示の例では、第１オリフイス６の直径は１１ｍ。
第２オリフイス７の直径は３龍である。ラジカルビーム
のフラックス密度を上げるには、放電室１内のプラズマ
の圧力を高めることと、オリフィスの直径を大きくする
ことが有効となるが、そのためには輸送管２内の排気能
力が十分に大きいことが条件となる。また２つのオリフ
ィス間の距離をラジカルの平均自由行程よりも長くする
程、形成される薄膜の均質性は高くなる。
のフラックス密度を上げるには、放電室１内のプラズマ
の圧力を高めることと、オリフィスの直径を大きくする
ことが有効となるが、そのためには輸送管２内の排気能
力が十分に大きいことが条件となる。また２つのオリフ
ィス間の距離をラジカルの平均自由行程よりも長くする
程、形成される薄膜の均質性は高くなる。
次に、ラジカルビーム形成における反応と基板上での薄
膜形成に関与する化学反応について述べる。
膜形成に関与する化学反応について述べる。
グロー放電中では、放電空間中で電子が電界により加速
され、得られたエネルギーが分子との衝突の際に非弾性
的に渡されることによりソースガスを解離させる。通常
のグロー放電プラズマ中の電子の平均的なエネルギーは
、大体４〜５ｅＶであるが、実際の電子分布関数上での
高エネルギー領域は１０ｅＶ程度まで延びているため、
大抵の分子は解離される。たとえばシリコン薄膜の形成
の場合、モノシランガスＳえＨ４が使用されるが。
され、得られたエネルギーが分子との衝突の際に非弾性
的に渡されることによりソースガスを解離させる。通常
のグロー放電プラズマ中の電子の平均的なエネルギーは
、大体４〜５ｅＶであるが、実際の電子分布関数上での
高エネルギー領域は１０ｅＶ程度まで延びているため、
大抵の分子は解離される。たとえばシリコン薄膜の形成
の場合、モノシランガスＳえＨ４が使用されるが。
Ｓ ｉ Ｉ（、が解離するのに必要なエネルギーは６．
７ｅＶ程度である。この解離により、Ｓｉ旧ｓ 、 Ｈ
２などのラジカルと同時に原子状態のシリコン、水素、
５ｔＨｚも生成される。これらには基底状態のちのと励
起状態のものとが含まれている。
７ｅＶ程度である。この解離により、Ｓｉ旧ｓ 、 Ｈ
２などのラジカルと同時に原子状態のシリコン、水素、
５ｔＨｚも生成される。これらには基底状態のちのと励
起状態のものとが含まれている。
基板上では、上記のラジカルビームが照射されると。
ＳＩＨ＋Ｈ−＋Ｓ□（ｓ） ＋ Ｈｔ （ｇ）・・・（
１）のように、Ｓ、Ｈラジカルと原子状態の水素とが反
応し、シリコンが析出して水素分子が離脱する現象が生
じるものと考えられる。
１）のように、Ｓ、Ｈラジカルと原子状態の水素とが反
応し、シリコンが析出して水素分子が離脱する現象が生
じるものと考えられる。
ここで基板に到達したラジカルビーム中には。
基底状態のＳ、ＨおよびＨとともに、確率的に励起状態
のＳ、ＨおよびＨも含まれており、この励起状態のＳ
、 ＨおよびＨの存在により、上記（１）式の反応は極
めて低温度で起ることになる。
のＳ、ＨおよびＨも含まれており、この励起状態のＳ
、 ＨおよびＨの存在により、上記（１）式の反応は極
めて低温度で起ることになる。
次に、ボロンナイトライド薄膜の形成の場合について述
べる。このときは、ジボランとアンモニアの電子衝突解
離反応が使用され、Ｂ２Ｈ４からＢＨラジカルが生成さ
れ、そしてアンモニアからＮＨラジカルが生成される。
べる。このときは、ジボランとアンモニアの電子衝突解
離反応が使用され、Ｂ２Ｈ４からＢＨラジカルが生成さ
れ、そしてアンモニアからＮＨラジカルが生成される。
これら２つのラジカルが基板上で反応することにより、
ストイキオメトリ−なボロンナイトライドが析出され、
薄膜が形成される。この反応は次のようなものと考えら
れている。
ストイキオメトリ−なボロンナイトライドが析出され、
薄膜が形成される。この反応は次のようなものと考えら
れている。
Ｂ Ｈ十ＮＨ＝Ｂ Ｎ（ｓ） ＋ Ｈｚ（ｇ） ・・・
（２）次に、ガリウムひ素の場合には、たとえばＡ。
（２）次に、ガリウムひ素の場合には、たとえばＡ。
Ｈ３とガリウムクロライドＧ、ＣＱ３とを放電解離して
、Ｇ、ＣＱとＡ、Ｈのラジカルを作り。
、Ｇ、ＣＱとＡ、Ｈのラジカルを作り。
Ｇ、Ｃρ＋ＡｓＨ−＋Ｇ、Ａｓ（ｓ）＋ＨＣρ（ｇ）・
・・（３）のような表面反応を起させる。
・・（３）のような表面反応を起させる。
さらにこれにアルミニウムを加えたい場合には。
Ｇ−ＣＱｓに対してＡ Ｑ ＣＱ ｓを置換して行けば
よい。
よい。
このように、シリコン、ボロンナイトライド。
ガリウムひ素、あるいはアルミニウムガリウムひ素など
の材料を放電解離されたラジカルビームを用いて低温下
で合成することが可能である。
の材料を放電解離されたラジカルビームを用いて低温下
で合成することが可能である。
本発明に基づくラジカルビームエピタキシ技術の特色は
１分子線が放電解離、により生成されてい０ ることにより、熱的制約から解放されることと。
１分子線が放電解離、により生成されてい０ ることにより、熱的制約から解放されることと。
ラジカルがもつ化学エネルギーおよび励起エネルギーを
基板表面で解放することにより５表面の数原子層に局所
的に励起される熱振動が、吸着した分子の表面移動を高
め、エピタキシ温度を下げる効果をもつことにある。
基板表面で解放することにより５表面の数原子層に局所
的に励起される熱振動が、吸着した分子の表面移動を高
め、エピタキシ温度を下げる効果をもつことにある。
次に、第１図および第２図に示す装置を用いてシリコン
のエピタキシャル成長を行なわせた１実施例について述
べる。
のエピタキシャル成長を行なわせた１実施例について述
べる。
Ｓ□を含むラジカルの発生には、純モノシランガス（ｓ
ｔｒ−＋４： １００％）を使用し、直流グロー放電を
行なわせた。放電室１にＳムＨ４ガスを流量１５３ＣＣ
Ｍ流し、圧力はＱ、 ３ Ｔｏｒｒに保ってグロー放電
させ、ラジカルを発生させた。発生したラジカルはＳ工
、ＳｉＨ，ＳｉＨ２，５ＩＨ３゜′ Ｈであり、直径１
＋ｕの第１オリフイス６から、予め１０−８Ｔｏｒｒ
まで真空引きされた輸送管２を通り、予め３ Ｘ １０
−９Ｔｏｒｒ以下に真空引きされた成長室３内の８１単
結晶の基板８を照射する。なお基板８は、３００〜６０
０℃に保たれている。
ｔｒ−＋４： １００％）を使用し、直流グロー放電を
行なわせた。放電室１にＳムＨ４ガスを流量１５３ＣＣ
Ｍ流し、圧力はＱ、 ３ Ｔｏｒｒに保ってグロー放電
させ、ラジカルを発生させた。発生したラジカルはＳ工
、ＳｉＨ，ＳｉＨ２，５ＩＨ３゜′ Ｈであり、直径１
＋ｕの第１オリフイス６から、予め１０−８Ｔｏｒｒ
まで真空引きされた輸送管２を通り、予め３ Ｘ １０
−９Ｔｏｒｒ以下に真空引きされた成長室３内の８１単
結晶の基板８を照射する。なお基板８は、３００〜６０
０℃に保たれている。
１
この時の動作状態における輸送管２および成長室３内の
圧力は、それぞれ〜１０−’Ｔｏｒｒ 、 〜１０−６
Ｔ ｏｒｒであった。基板８は、′ａ常の化学的な溶液
を用いて洗浄した後、成長室に入れ、真空度１Ｏ−ＢＴ
ｏｒｒにおいて、８００℃で１０分間の加熱を行ない、
基板表面の清浄化を行なったものである。
圧力は、それぞれ〜１０−’Ｔｏｒｒ 、 〜１０−６
Ｔ ｏｒｒであった。基板８は、′ａ常の化学的な溶液
を用いて洗浄した後、成長室に入れ、真空度１Ｏ−ＢＴ
ｏｒｒにおいて、８００℃で１０分間の加熱を行ない、
基板表面の清浄化を行なったものである。
なお５作成されたＳ、薄膜は、ラマン散乱分光および中
速電子線回折によりエピタキシャル成長していることが
確認されている。
速電子線回折によりエピタキシャル成長していることが
確認されている。
以上のように本発明によれば、成長室と分子線源とが分
離されるため成長室内の温度上昇や汚染を抑制すること
ができ、高精度での制御が可能になるとともにメインテ
ナンスも容易となる。
離されるため成長室内の温度上昇や汚染を抑制すること
ができ、高精度での制御が可能になるとともにメインテ
ナンスも容易となる。
また、放電により生成するラジカルを使用するため、高
い励起状態のラジカルが含まれ、低温での薄膜成長が可
能となる。さらに絶縁膜のエピタキシあるいはデポジシ
ョンのように適用可能な材料の範囲を拡大することがで
きる。
い励起状態のラジカルが含まれ、低温での薄膜成長が可
能となる。さらに絶縁膜のエピタキシあるいはデポジシ
ョンのように適用可能な材料の範囲を拡大することがで
きる。
２
第１図は本発明の１実施例装置の要部構成図。
第２図は全体構成図、第３図は従来の分子線エピクキシ
法の概念図である。 図中、１は放電室、２は輸送管、３は成長室、４は放電
電極、６は第１オリフイス、７は第２オリフイス、８は
基板を示す。 特許出願人 新技術開発事業団 代理人弁理士 長 谷 川 文 廣 ３
法の概念図である。 図中、１は放電室、２は輸送管、３は成長室、４は放電
電極、６は第１オリフイス、７は第２オリフイス、８は
基板を示す。 特許出願人 新技術開発事業団 代理人弁理士 長 谷 川 文 廣 ３
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 放電電極をそなえて入力ガスをグロー放電によリプラズ
マ解離し、ラジカルを生成する放電室と。 高真空状態に保持され、内部に薄膜を形成すべき基板を
そなえている成長室と、上記放電室と成長室とを連結し
、放電室より噴射されたラジカルをオリフィスによりコ
リメートしてビームに形成し。 成長室内に出力する輸送管とにより構成される装置にお
いて、所定のガスを上記放電室内へ入力し。 輸送管より出力されたその解離ガスのラジカルビームを
成長室内の基板に照射して、該基板表面でラジカルの化
学反応を生じさせることにより目的物質を析出させるこ
とを特徴とするラジカルビームを用いた薄膜形成方法。 １４
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11342384A JPS60257130A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | ラジカルビ−ムを用いた薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11342384A JPS60257130A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | ラジカルビ−ムを用いた薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60257130A true JPS60257130A (ja) | 1985-12-18 |
| JPH0231491B2 JPH0231491B2 (ja) | 1990-07-13 |
Family
ID=14611859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11342384A Granted JPS60257130A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | ラジカルビ−ムを用いた薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60257130A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6132417A (ja) * | 1984-07-24 | 1986-02-15 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
| NL1017849C2 (nl) * | 2001-04-16 | 2002-10-30 | Univ Eindhoven Tech | Werkwijze en inrichting voor het deponeren van een althans ten dele kristallijne siliciumlaag op een substraat. |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5244174A (en) * | 1975-10-06 | 1977-04-06 | Hitachi Ltd | Plasma treatment device |
| JPS57159016A (en) * | 1981-03-26 | 1982-10-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Manufacture of amorphous silicon film |
-
1984
- 1984-06-01 JP JP11342384A patent/JPS60257130A/ja active Granted
Patent Citations (2)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0231491B2 (ja) | 1990-07-13 |
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