JPS60255427A - サ−マル・シ−ルド - Google Patents
サ−マル・シ−ルドInfo
- Publication number
- JPS60255427A JPS60255427A JP10965084A JP10965084A JPS60255427A JP S60255427 A JPS60255427 A JP S60255427A JP 10965084 A JP10965084 A JP 10965084A JP 10965084 A JP10965084 A JP 10965084A JP S60255427 A JPS60255427 A JP S60255427A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyimide film
- thermal
- shield
- film
- aluminum vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、サーマル・シールドに関するものであり、
とりわけ1人工衛星の熱制御を行うアルミ蒸着ポリイミ
ドフィルムでなるサーマル・シールドに関するものであ
る。
とりわけ1人工衛星の熱制御を行うアルミ蒸着ポリイミ
ドフィルムでなるサーマル・シールドに関するものであ
る。
従来この種のアルミ蒸着ポリイミドフィルムでなるチー
1ン働シールドとしては第1図に示すものがあった。図
におい℃、厚さがlλμ属〜、lコアμ暴程度のポリイ
ミドフィルムlの裏面に数ioo〜数10OOAの厚さ
までアルミニウム蒸着層コが形成され、このアルミニウ
ム蒸着層コが衛星構体と電気的に接続されてなるもので
ある。
1ン働シールドとしては第1図に示すものがあった。図
におい℃、厚さがlλμ属〜、lコアμ暴程度のポリイ
ミドフィルムlの裏面に数ioo〜数10OOAの厚さ
までアルミニウム蒸着層コが形成され、このアルミニウ
ム蒸着層コが衛星構体と電気的に接続されてなるもので
ある。
゛以上の構成になるサーマル・シールドは、衛星の表面
に取り付けられ人工衛星パ内部の搭載機器を適正な許容
温度範囲′内に保つ機能を有しているが。
に取り付けられ人工衛星パ内部の搭載機器を適正な許容
温度範囲′内に保つ機能を有しているが。
それは、サーマル・シールドの太陽光吸収率と赤外輻射
率により受動的圧なされる。太陽光吸収率は、ポリイミ
ド・フィルムlを透過してきた太陽光を裏面に蒸着され
たアルミニウム蒸着層コで反射する性質により決まり、
赤外輻射率は衛星内部で発生した熱をポリイミド・フィ
ルム/で吸収し赤外線として輻射する性質により決まる
。
率により受動的圧なされる。太陽光吸収率は、ポリイミ
ド・フィルムlを透過してきた太陽光を裏面に蒸着され
たアルミニウム蒸着層コで反射する性質により決まり、
赤外輻射率は衛星内部で発生した熱をポリイミド・フィ
ルム/で吸収し赤外線として輻射する性質により決まる
。
しかし、従来のサーマル・シールドi言以上のように構
成されていたので、宇宙側に露出したポリイミド・フィ
ルムlが太陽光スペクトルの中に含まれる紫外線により
劣化し、太陽光吸収率が増加するという欠点があった。
成されていたので、宇宙側に露出したポリイミド・フィ
ルムlが太陽光スペクトルの中に含まれる紫外線により
劣化し、太陽光吸収率が増加するという欠点があった。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、アルミ蒸着ポリイミドフィルム
の表面に高分子薄膜を形成することICより太陽光の紫
外線による劣化を防止しうるサーマル・シールドを提供
する。
ためになされたもので、アルミ蒸着ポリイミドフィルム
の表面に高分子薄膜を形成することICより太陽光の紫
外線による劣化を防止しうるサーマル・シールドを提供
する。
以下、この発明の一実施例を第1図と同一部分に同一符
号を付した第2図について説明する。第2図において、
ポリイミドフィルムlの表面にイオンビームスパッタリ
ング、プラズマ重合、クラスターイオンビーム法等の薄
膜形成技術により、フルオロエチレン−プロピレン共重
合体(FEp)。
号を付した第2図について説明する。第2図において、
ポリイミドフィルムlの表面にイオンビームスパッタリ
ング、プラズマ重合、クラスターイオンビーム法等の薄
膜形成技術により、フルオロエチレン−プロピレン共重
合体(FEp)。
またはポリテトラ−フルオロエチレン(PTFm)の高
分子でなる厚さ1μm程度の高分子薄膜3を形成してな
る。
分子でなる厚さ1μm程度の高分子薄膜3を形成してな
る。
上記のように構成されたサーマル・シールドにおいては
、FEPgたはPTFEの高分子薄膜3は太陽光スペク
トルの紫外領域に吸収があるにも拘らずポリイミドに比
較して紫外線劣化しにくいという性質を有しているので
、ポリイミド・フィルム/には紫外線が入射せず、紫外
線劣化が防止される。また、高分子薄膜3は可視光領域
においてほとんど透明であるので、太陽光吸収率は第1
図に示した従来のものとほぼ同等の初期特性を保持する
ものである。
、FEPgたはPTFEの高分子薄膜3は太陽光スペク
トルの紫外領域に吸収があるにも拘らずポリイミドに比
較して紫外線劣化しにくいという性質を有しているので
、ポリイミド・フィルム/には紫外線が入射せず、紫外
線劣化が防止される。また、高分子薄膜3は可視光領域
においてほとんど透明であるので、太陽光吸収率は第1
図に示した従来のものとほぼ同等の初期特性を保持する
ものである。
以上のように、この発明によれば、アルミ蒸着ポリイミ
ドフィルムの表面に高分子薄膜を形成した構成により、
紫外線劣化を防止でき、サーマル書シールドの長寿命化
をはかることができ、信頼性の高い衛星システムを構築
できるという効果がある。
ドフィルムの表面に高分子薄膜を形成した構成により、
紫外線劣化を防止でき、サーマル書シールドの長寿命化
をはかることができ、信頼性の高い衛星システムを構築
できるという効果がある。
第1図は従来のものの断面図、第2図はこの発明の一実
施例の断面図である。 /+16ポリイミドフイルム、コ・・アルミニウム蒸着
層、3・・高分子薄膜。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分をに1図 苑2図 ス 手続補正書(自発) 昭和6o隼3 F19B 特許庁長官殿 1、事件の表示 昭和j?年特許願第109410 号 2、発明の名称 サーマル・シールド 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号住 所
東京都千代田区丸の内二丁目4番1号ム 補正の内容 fll 特許請求の範囲を別紙のとおり補正する。 (2) 明細書第1頁第1デ行 「サーマンJを1サーマル」と補正する。 (別 紙) 特許請求の範囲 裏面忙アルミニウム蒸着層が形成されたポリイミドフィ
ルムと、このポリイミドフィルムの表面圧形成されフル
オロエチレン−プロピレン共重合体(FgP)およびポ
リテトラフルオロエチレン(PTFg )のいずれかで
なる高分子薄膜とを備えてなるサーマルOシールド。
施例の断面図である。 /+16ポリイミドフイルム、コ・・アルミニウム蒸着
層、3・・高分子薄膜。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分をに1図 苑2図 ス 手続補正書(自発) 昭和6o隼3 F19B 特許庁長官殿 1、事件の表示 昭和j?年特許願第109410 号 2、発明の名称 サーマル・シールド 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号住 所
東京都千代田区丸の内二丁目4番1号ム 補正の内容 fll 特許請求の範囲を別紙のとおり補正する。 (2) 明細書第1頁第1デ行 「サーマンJを1サーマル」と補正する。 (別 紙) 特許請求の範囲 裏面忙アルミニウム蒸着層が形成されたポリイミドフィ
ルムと、このポリイミドフィルムの表面圧形成されフル
オロエチレン−プロピレン共重合体(FgP)およびポ
リテトラフルオロエチレン(PTFg )のいずれかで
なる高分子薄膜とを備えてなるサーマルOシールド。
Claims (1)
- (1) 裏面にアルミニウム蒸着層が形成されたポリイ
ミドフィルムと、このボリエミドフイルムの表面に形成
されフルオロエチレン−プロピレン共重合体(FgP)
およびポリテトラフルオロエチレン(pTFm)のいず
れかでなる高分子薄膜とを備えてなるサーマル・シール
ド◎
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10965084A JPS60255427A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | サ−マル・シ−ルド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10965084A JPS60255427A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | サ−マル・シ−ルド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60255427A true JPS60255427A (ja) | 1985-12-17 |
Family
ID=14515661
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10965084A Pending JPS60255427A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | サ−マル・シ−ルド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60255427A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01175600A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Katsumi Yoshino | 宇宙飛翔体 |
US8022603B2 (en) * | 2006-02-14 | 2011-09-20 | Delphi Technologies Holding S.Arl | Piezoelectric actuator |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP10965084A patent/JPS60255427A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01175600A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Katsumi Yoshino | 宇宙飛翔体 |
US8022603B2 (en) * | 2006-02-14 | 2011-09-20 | Delphi Technologies Holding S.Arl | Piezoelectric actuator |
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