JPS60254676A - 薄膜熱電対 - Google Patents
薄膜熱電対Info
- Publication number
- JPS60254676A JPS60254676A JP59110329A JP11032984A JPS60254676A JP S60254676 A JPS60254676 A JP S60254676A JP 59110329 A JP59110329 A JP 59110329A JP 11032984 A JP11032984 A JP 11032984A JP S60254676 A JPS60254676 A JP S60254676A
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- JP
- Japan
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- thin film
- zone
- pair
- side contact
- electrode
- Prior art date
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- Granted
Links
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 29
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/81—Structural details of the junction
- H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
゛本発明は、例えばマイクロ波帯の電力検出素子等どし
て用いられる薄膜熱雷対に関するものである。
て用いられる薄膜熱雷対に関するものである。
（従来技術）
従来の薄膜熱電対は、第２図に示すように、第１の電極
１に第１の対構成体２が直接接触して第１の低温側接点
３が形成され、第２の電極４に第２の対構成体５が直接
接触して第２の低温側接点６が形成され、第１．第２の
対構成体２，５が直接接触されて高温側接点７が形成さ
れた構造であった。
１に第１の対構成体２が直接接触して第１の低温側接点
３が形成され、第２の電極４に第２の対構成体５が直接
接触して第２の低温側接点６が形成され、第１．第２の
対構成体２，５が直接接触されて高温側接点７が形成さ
れた構造であった。
（発明が解決しようとする問題点）
このように従来の薄膜熱電対にあっては、対構成体が直
接相互に接触していたので、特に高温接点７での対構成
体２．５相互間での相互拡散１合金化等、相変化及び原
子移動による特性変化が熱起電力特性に影響を与え、長
期間に亘る安定性に問題があった。例えば、マイクロ波
検出用の薄膜熱電対によく使用されているＳｂ、−Ｂｉ
蒸着薄膜熱電対においては、長期間使用後に３ｉ蒸着薄
膜のｓｂ蒸着薄膜側への拡散等が発生し、両者の接点で
の抵抗上昇と温度検出感度変化が発生し、長期間の安定
性の点で問題があった。
接相互に接触していたので、特に高温接点７での対構成
体２．５相互間での相互拡散１合金化等、相変化及び原
子移動による特性変化が熱起電力特性に影響を与え、長
期間に亘る安定性に問題があった。例えば、マイクロ波
検出用の薄膜熱電対によく使用されているＳｂ、−Ｂｉ
蒸着薄膜熱電対においては、長期間使用後に３ｉ蒸着薄
膜のｓｂ蒸着薄膜側への拡散等が発生し、両者の接点で
の抵抗上昇と温度検出感度変化が発生し、長期間の安定
性の点で問題があった。
（発明の目的）
本発明の目的は、経時的な特性劣化を防止できる薄膜熱
雷対を提供するにある。
雷対を提供するにある。
（問題点を解決する本発明の手段）
本発明に係る薄膜熱雷対は、少なくとも高温接点部分に
拡散防止帯が介在されていることを特徴とするものであ
る。
拡散防止帯が介在されていることを特徴とするものであ
る。
このように対構成体を直接接合させず拡散防止帯を介し
て接合させると、各対構成体と拡散防止帯との相互拡散
及び拡散防止帯を介しての各対構成体の相互拡散を非常
に低く抑えることができる。
て接合させると、各対構成体と拡散防止帯との相互拡散
及び拡散防止帯を介しての各対構成体の相互拡散を非常
に低く抑えることができる。
従って、経時的な特性劣化を防止することができる。
（実施例）
以下本発明の実施例を第１図を参照して詳細に説明する
。なお、前述した第１図と対応する部材には同一符号を
付して示している。本実施例の薄膜熱雷対は、第１の電
極１と第１の対構成体２とが拡散防止帯８を介して接合
されて第１の低温側接点３が形成され、第２の電極４と
第２の対構成体５とが拡散防止帯９を介して接合されて
第２の低温側接点６が形成され、第１．第２の対構成体
２．５が拡散防止帯１０を介して接合されて高温側接点
７が形成されている。
。なお、前述した第１図と対応する部材には同一符号を
付して示している。本実施例の薄膜熱雷対は、第１の電
極１と第１の対構成体２とが拡散防止帯８を介して接合
されて第１の低温側接点３が形成され、第２の電極４と
第２の対構成体５とが拡散防止帯９を介して接合されて
第２の低温側接点６が形成され、第１．第２の対構成体
２．５が拡散防止帯１０を介して接合されて高温側接点
７が形成されている。
５ｂ−Ｂ ｉＷＪ膜熱雷対の揚台では、例えば第１゜第
２の電極１．４はＡｇ又はＡＵで形成し、第１の対構成
体２はｓｂで形成し、第２の対構成体５は１３ｉで形成
し、拡散防止帯８，８．１０はＮｉ。
２の電極１．４はＡｇ又はＡＵで形成し、第１の対構成
体２はｓｂで形成し、第２の対構成体５は１３ｉで形成
し、拡散防止帯８，８．１０はＮｉ。
Ｐｄ等で形成する。
よく知られているように異種金属（半導体の場合も同じ
）間の接合面間には電位差が発生し、所謂熱雷対が構成
されているので、本実施例の構成でも複数熱電対の直列
接続が形成されたことになる。この場合、拡散防１に帯
８．９．１０の長さを温度分布からみ（黙視できる程麿
に短くすると、各拡散防止帯８，９．１０の両側での熱
起電力を無視することができる。
）間の接合面間には電位差が発生し、所謂熱雷対が構成
されているので、本実施例の構成でも複数熱電対の直列
接続が形成されたことになる。この場合、拡散防１に帯
８．９．１０の長さを温度分布からみ（黙視できる程麿
に短くすると、各拡散防止帯８，９．１０の両側での熱
起電力を無視することができる。
拡散防止帯１０の材質及び膜厚等を適当に選択すること
により、第１．第２の対構成体２，５と拡散防止帯１０
間の相互拡散及び拡散防止帯１０を通しての第１．第２
の対構成体２，５の相互拡散を非常に低く抑えることが
できる。また、低温接点３，６側の第１．第２の電極１
，４（通常は熱電対部分より遥かに膜厚も厚く、低温で
はあっても熱雷対自身の起電力の影響はあり、対構成体
材料の電極材中への拡散も無視できない。）中への拡散
し拡散防止帯８，９の介在により十分低く抑えることが
できる。
により、第１．第２の対構成体２，５と拡散防止帯１０
間の相互拡散及び拡散防止帯１０を通しての第１．第２
の対構成体２，５の相互拡散を非常に低く抑えることが
できる。また、低温接点３，６側の第１．第２の電極１
，４（通常は熱電対部分より遥かに膜厚も厚く、低温で
はあっても熱雷対自身の起電力の影響はあり、対構成体
材料の電極材中への拡散も無視できない。）中への拡散
し拡散防止帯８，９の介在により十分低く抑えることが
できる。
なお、本発明は高温側接点７にのみ拡散防止帯１０を設
ける構造でも、特性劣化の防止効果は人きい。
ける構造でも、特性劣化の防止効果は人きい。
（発明の効果）
以上説明したように本発明に係る薄膜熱電対では、高温
側接点に拡散防止帯を介在させたので、対構成体の相互
拡散を非常に低く抑えることができ、従って経時的な特
性劣化を防止ぐき、長期間に口って安定した性能の薄膜
熱電対を提供することができる。
側接点に拡散防止帯を介在させたので、対構成体の相互
拡散を非常に低く抑えることができ、従って経時的な特
性劣化を防止ぐき、長期間に口って安定した性能の薄膜
熱電対を提供することができる。
第１図は本発明に係る薄膜熱電対の一実施例の平面図、
第２図は従来の薄膜熱電対の平面図である。 １．４・・・第１．第２の電極、２，５・・・第１．第
２の対構成体、３．６・・・第１．第２の低湿側接点、
７・・・高温側接点、８．９．１０・・・拡散防止帯。
第２図は従来の薄膜熱電対の平面図である。 １．４・・・第１．第２の電極、２，５・・・第１．第
２の対構成体、３．６・・・第１．第２の低湿側接点、
７・・・高温側接点、８．９．１０・・・拡散防止帯。
Claims (1)
- 少なくとも高温接点部分に拡散防止帯が介在されている
ことを特徴とする薄膜熱雷対。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59110329A JPS60254676A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 薄膜熱電対 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59110329A JPS60254676A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 薄膜熱電対 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254676A true JPS60254676A (ja) | 1985-12-16 |
| JPH0237705B2 JPH0237705B2 (ja) | 1990-08-27 |
Family
ID=14532976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59110329A Granted JPS60254676A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 薄膜熱電対 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60254676A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02288378A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱電装置 |
-
1984
- 1984-05-30 JP JP59110329A patent/JPS60254676A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02288378A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱電装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0237705B2 (ja) | 1990-08-27 |
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