JPS60253812A - 非接触変位検出装置 - Google Patents
非接触変位検出装置Info
- Publication number
- JPS60253812A JPS60253812A JP10932284A JP10932284A JPS60253812A JP S60253812 A JPS60253812 A JP S60253812A JP 10932284 A JP10932284 A JP 10932284A JP 10932284 A JP10932284 A JP 10932284A JP S60253812 A JPS60253812 A JP S60253812A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- detected
- light
- reflected
- optical axis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C3/00—Measuring distances in line of sight; Optical rangefinders
- G01C3/02—Details
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、例えば変形しやすい工業製品、生体、文化財
等の物体の形状測定や、生産ラインでの物体の厚さ測定
、あるいは物体に生じた傷等の大きさや位置の測定たと
に用いられるレーザ利用の非接触変位検出装置に関し、
特に可視レーザ光を用いて測定点の目視を可能とした非
接触変位検出装置に関する。
等の物体の形状測定や、生産ラインでの物体の厚さ測定
、あるいは物体に生じた傷等の大きさや位置の測定たと
に用いられるレーザ利用の非接触変位検出装置に関し、
特に可視レーザ光を用いて測定点の目視を可能とした非
接触変位検出装置に関する。
従来よシレーザ光を被検出物に照射し、被検出物で反射
・散乱された光を検出してその位置や強度の変化から被
検出物の変位を検出する各種の装置が用いらノｔでいる
が、その場合、照射点つまシ測定点を目視で容易に確認
できることが、操作上ないし危険防止上要求される場合
がある。
・散乱された光を検出してその位置や強度の変化から被
検出物の変位を検出する各種の装置が用いらノｔでいる
が、その場合、照射点つまシ測定点を目視で容易に確認
できることが、操作上ないし危険防止上要求される場合
がある。
第１図に、従来用いられているこの棋の装置の構成例を
示し、波長６３２．８ｎｍの可視のレーザ光を発するＨ
ｅ−Ｎｅガスレーザ１、音響光学変調器２、反射鏡３、
集光レンズ４および光半導体装置検出器５を同一ケース
内に組み込んだ構成を有する。
示し、波長６３２．８ｎｍの可視のレーザ光を発するＨ
ｅ−Ｎｅガスレーザ１、音響光学変調器２、反射鏡３、
集光レンズ４および光半導体装置検出器５を同一ケース
内に組み込んだ構成を有する。
上記構成において、被検出物の検出は次のように行なわ
れる。まず、Ｈｅ−Ｎｅガスレーザ１から出射されたレ
ーザ光６は、音響光学変調器２によって強度変調される
とともに透過光７と回折光８とに分離される。このうち
、透過光７は、反射鏡３による光軸調整の結果スリット
９の壁によって遮断され、回折光８のみか、外部に出射
され、被検出物１０の光照射点１１に照射される。この
光照射点１１で反射・散乱された光と被検出物１０の周
囲の背景光の一部１２は、集光レンズ４によシ、光半導
体装置検出器５の受光面上の集光点１３に集光される。
れる。まず、Ｈｅ−Ｎｅガスレーザ１から出射されたレ
ーザ光６は、音響光学変調器２によって強度変調される
とともに透過光７と回折光８とに分離される。このうち
、透過光７は、反射鏡３による光軸調整の結果スリット
９の壁によって遮断され、回折光８のみか、外部に出射
され、被検出物１０の光照射点１１に照射される。この
光照射点１１で反射・散乱された光と被検出物１０の周
囲の背景光の一部１２は、集光レンズ４によシ、光半導
体装置検出器５の受光面上の集光点１３に集光される。
半導体装置検出器５は、この集光点１３の位置を電気信
号として出力し、演算回路１４でその電気信号を検出し
て被検出物１０の位置を算出する。その結果は、プロッ
タやＣＲＴなどの表示部１５に表示される。なお、被検
出物１０による反射０散乱光１２、すなわち信号光によ
る電気信号と背景光による雑音とのＳ／Ｎ比を向上させ
るため、演算回路１４における信号検出は音響光学変調
器２による変調と同期して行なわれる。
号として出力し、演算回路１４でその電気信号を検出し
て被検出物１０の位置を算出する。その結果は、プロッ
タやＣＲＴなどの表示部１５に表示される。なお、被検
出物１０による反射０散乱光１２、すなわち信号光によ
る電気信号と背景光による雑音とのＳ／Ｎ比を向上させ
るため、演算回路１４における信号検出は音響光学変調
器２による変調と同期して行なわれる。
一方、回折光８の光軸上を所定距離移動した被検出物１
０′については、光照射点１１′で反射・散乱した光１
２′が集光点１３′に集光され、上述したと同様に被検
出物１０’の位置がめられる。
０′については、光照射点１１′で反射・散乱した光１
２′が集光点１３′に集光され、上述したと同様に被検
出物１０’の位置がめられる。
このような非接触変位検出装置において、より変位量の
大きな物体の測定を可能にするためには、光源であるＨ
ｅ−Ｎｅガスレーザの出力を太きくし、被検出物が遠い
位置にある場合にも検出器５に必要な強度の反射・散乱
光が得られるようにしなければなら々い。
大きな物体の測定を可能にするためには、光源であるＨ
ｅ−Ｎｅガスレーザの出力を太きくし、被検出物が遠い
位置にある場合にも検出器５に必要な強度の反射・散乱
光が得られるようにしなければなら々い。
ところが、Ｈｅ−Ｎｅガスレーザは、高出力化に伴い形
状や重量および発熱量が大きくなシ、移動が困難になる
とともに、検出器５や集光レンズ４が熱の影響を受けて
その検出精度が低下するという問題を生ずる。
状や重量および発熱量が大きくなシ、移動が困難になる
とともに、検出器５や集光レンズ４が熱の影響を受けて
その検出精度が低下するという問題を生ずる。
本発明はこのような事情ＫＷ（ｉみてなされたもので、
その目的は、光源の高出力化による測定範囲の拡大を可
能とし、しかも小形・軽量・低発熱で高い検出精度が得
られる非接触変位検出装置を提供することにある。
その目的は、光源の高出力化による測定範囲の拡大を可
能とし、しかも小形・軽量・低発熱で高い検出精度が得
られる非接触変位検出装置を提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明は、検出用光
源として半導体レーザな用い、Ｈｅ−Ｎｅガスレーザの
ような可視光レーザは目視用として低出力かつ小形のも
ので足るようＫしたものである。以下、実施例を用いて
本発明の詳細な説明する。
源として半導体レーザな用い、Ｈｅ−Ｎｅガスレーザの
ような可視光レーザは目視用として低出力かつ小形のも
ので足るようＫしたものである。以下、実施例を用いて
本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明の一実施例を示す構成図である。
同図において、本装置は、目視用の可視光を発するＨｅ
−Ｎｅガスレーザ（波長６３２．８ｎｍ、出力０．５ｍ
Ｗ）２１、検出用光を発する半導体レーザ（波長８３０
ｎｍ 、出力５ｍＷ）２２、半導体レーザ２１を駆動
・変調する変調駆動回路２３、コリメート用レンズ２４
、波長６３２．８ ｎｍの光は９０％以上透過し波長８
３０ｎｍ帯の光は９０％以上反射するダイクロイックミ
ラー２５、被検出物１０からの反射・散乱光と背景光の
一部１２を集光するレンズ４、−次元位置検出用ＰＡＤ
−８１３５２（浜松ホトニクス製、有効受光面積３４Ｘ
２．５ｍｍ）からなる光半導体装置検出器５、および演
算回路１４を含む。
−Ｎｅガスレーザ（波長６３２．８ｎｍ、出力０．５ｍ
Ｗ）２１、検出用光を発する半導体レーザ（波長８３０
ｎｍ 、出力５ｍＷ）２２、半導体レーザ２１を駆動
・変調する変調駆動回路２３、コリメート用レンズ２４
、波長６３２．８ ｎｍの光は９０％以上透過し波長８
３０ｎｍ帯の光は９０％以上反射するダイクロイックミ
ラー２５、被検出物１０からの反射・散乱光と背景光の
一部１２を集光するレンズ４、−次元位置検出用ＰＡＤ
−８１３５２（浜松ホトニクス製、有効受光面積３４Ｘ
２．５ｍｍ）からなる光半導体装置検出器５、および演
算回路１４を含む。
上記構成において、半導体レーザ２２から変調周波数２
ＫＨｚで変調されて出射したレーザ光２６は、コリメー
ト用レンズ２４によってほぼ平行光となシ、ダイクロイ
ックミラー２５を透過して外部へ出射され、被検出物１
０の光照射点１１に照射される。一方、Ｈｅ−Ｎｅガス
レーザ２１から出射したレーザ光２７は、ダイクロイッ
クミラー２５によって上記レーザ光２６と同一光軸上に
のせられ、同様に被検出物１０の光照射点１１に照射さ
れる。そして、ここで反射・散乱した光と背景晃の一部
１２は、集光レンズ４によって光半導体装置検出器５の
受光面上の集光点１３に集光され、光半導体装置検出器
５はこの集光点１３の位置を電気信号として出カスる。
ＫＨｚで変調されて出射したレーザ光２６は、コリメー
ト用レンズ２４によってほぼ平行光となシ、ダイクロイ
ックミラー２５を透過して外部へ出射され、被検出物１
０の光照射点１１に照射される。一方、Ｈｅ−Ｎｅガス
レーザ２１から出射したレーザ光２７は、ダイクロイッ
クミラー２５によって上記レーザ光２６と同一光軸上に
のせられ、同様に被検出物１０の光照射点１１に照射さ
れる。そして、ここで反射・散乱した光と背景晃の一部
１２は、集光レンズ４によって光半導体装置検出器５の
受光面上の集光点１３に集光され、光半導体装置検出器
５はこの集光点１３の位置を電気信号として出カスる。
演算回路１４は、この電気信号を半導体レーザ２２の変
調と同期して検出し、その検出結果から被検出物１０の
位置を算出し、プロッタやＣＲＴなどの表示部１５に表
示させる。
調と同期して検出し、その検出結果から被検出物１０の
位置を算出し、プロッタやＣＲＴなどの表示部１５に表
示させる。
ここで、変調された半導体レーザ光の反射・散乱光は、
検出光として集光され電気信号に変換され演算回路１４
によって効率良く検出される。これに対し、Ｈｅ−Ｎｅ
ガスレーザ光は低出力でｓｂかつ変調されていないため
、その反射・散乱光は −背景光と同様に雑音として扱
われ、その意味で、被検出物１０の変位検出に直接寄与
しないが、これによシ被検出物上の光照射点つまシ測定
点を目視することができる。すなわち、半導体レーザ２
２のみでは波長の関係からその光照射点を見ることは困
難であるが、Ｈｅ−Ｎｅガスレーザ２１を目視用に使用
することにより容易に測定点の確認が行なえ、また検出
動作中であることがわかるだめ危険の防止にもなる。ま
た、このような目視用としての役割を果たし得る範囲で
、Ｈｅ −Ｎ ｅガスレーザ２１は小形、低出力のもの
でよく、他方、半導体レーザ２２はきわめて小形・軽量
で高出力が得られ、発熱もほとんどないため、高出力で
しかも小形・軽量かつ高精度の非接触変位検出装置が得
られる。
検出光として集光され電気信号に変換され演算回路１４
によって効率良く検出される。これに対し、Ｈｅ−Ｎｅ
ガスレーザ光は低出力でｓｂかつ変調されていないため
、その反射・散乱光は −背景光と同様に雑音として扱
われ、その意味で、被検出物１０の変位検出に直接寄与
しないが、これによシ被検出物上の光照射点つまシ測定
点を目視することができる。すなわち、半導体レーザ２
２のみでは波長の関係からその光照射点を見ることは困
難であるが、Ｈｅ−Ｎｅガスレーザ２１を目視用に使用
することにより容易に測定点の確認が行なえ、また検出
動作中であることがわかるだめ危険の防止にもなる。ま
た、このような目視用としての役割を果たし得る範囲で
、Ｈｅ −Ｎ ｅガスレーザ２１は小形、低出力のもの
でよく、他方、半導体レーザ２２はきわめて小形・軽量
で高出力が得られ、発熱もほとんどないため、高出力で
しかも小形・軽量かつ高精度の非接触変位検出装置が得
られる。
また、検出精度を向上させるためにレーザ光を変調する
場合に、従来のＨｅ −Ｎ ｅガスレーザを用いたもの
では音響光学変調器を用いて行なったが、一般に音響光
学変調器は振動や熱の影響で回折角が変化し測定点の変
動によって検出精度が悪化するという問題があった。こ
れに対し、半導体レーザは容易に直接変調が行なえるこ
とから音響光学変調器およびその駆動回路が不要となり
、上述した問題が解決されるとともに、この点でも小形
・軽量化がはかれる。
場合に、従来のＨｅ −Ｎ ｅガスレーザを用いたもの
では音響光学変調器を用いて行なったが、一般に音響光
学変調器は振動や熱の影響で回折角が変化し測定点の変
動によって検出精度が悪化するという問題があった。こ
れに対し、半導体レーザは容易に直接変調が行なえるこ
とから音響光学変調器およびその駆動回路が不要となり
、上述した問題が解決されるとともに、この点でも小形
・軽量化がはかれる。
なお、本実施例では２本のレーザ光を同一光軸上にのせ
る手段としてダイクロイックミラー２５を用いたが、本
発明はこれに限定されるものではなく、ハーフミラ−、
ビームスプリッタ、その他２本のレーザ光を同一光軸上
にのせることが可能なものであればよい。ただし、効率
良く合成するためには、波長選択性によってエネルギー
損失の小さいダイクロイックミラーが好ましい。
る手段としてダイクロイックミラー２５を用いたが、本
発明はこれに限定されるものではなく、ハーフミラ−、
ビームスプリッタ、その他２本のレーザ光を同一光軸上
にのせることが可能なものであればよい。ただし、効率
良く合成するためには、波長選択性によってエネルギー
損失の小さいダイクロイックミラーが好ましい。
まだ、本実施例では光半導体装置検出器５の分光感度特
性から半導体レーザとして波長が８３０ｎ１７１のもの
を用いたが、これに限定されるものではなく、例えば７
８０ ｎｍなど上記位置検出器の感度との関係で適宜選
択すればよい。なお、上記位置検出器はＰＳＤに限らず
、ＣＣＤやＭＯＳイメージセンサなと照射された光の位
置を検出できるものであればよい。
性から半導体レーザとして波長が８３０ｎ１７１のもの
を用いたが、これに限定されるものではなく、例えば７
８０ ｎｍなど上記位置検出器の感度との関係で適宜選
択すればよい。なお、上記位置検出器はＰＳＤに限らず
、ＣＣＤやＭＯＳイメージセンサなと照射された光の位
置を検出できるものであればよい。
以上、レーザ光軸上の被検出物の変位を、反射・散乱光
の光半導体装置検出器上での照射点の変位として検出す
る方式について説明したが、本発明けこれに限定される
ものではなく、レーザ光を被検出物に照射し、その反射
・散乱光を検出して被検出物の変位を検出するものであ
れば、他の方式、例えば焦点利用法を用いた装置にも同
様に適用可能である。
の光半導体装置検出器上での照射点の変位として検出す
る方式について説明したが、本発明けこれに限定される
ものではなく、レーザ光を被検出物に照射し、その反射
・散乱光を検出して被検出物の変位を検出するものであ
れば、他の方式、例えば焦点利用法を用いた装置にも同
様に適用可能である。
以上説明したように、本発明によれば、光源を検出用と
目視用とに分離し、前者に半導体レーザ後者Ｋ Ｈｅ
−Ｎ ｅガスレーザを用いたことにょシ、測定範囲の拡
大による高出方化にかかわらず小形・軽量で発熱量が小
さくて検出精度が高く、シかも測定点の目視による確認
が容易に行なえるレーザ利用の非接触変位検出装置が実
現できる。
目視用とに分離し、前者に半導体レーザ後者Ｋ Ｈｅ
−Ｎ ｅガスレーザを用いたことにょシ、測定範囲の拡
大による高出方化にかかわらず小形・軽量で発熱量が小
さくて検出精度が高く、シかも測定点の目視による確認
が容易に行なえるレーザ利用の非接触変位検出装置が実
現できる。
第１図は従来の非接触変位検出器を示す構成図、第２図
は本発明の一実施例を示す構成図である。 ４＠・・・集光レンズ、５・・・・半導体装置検出器、
１０・・・・被検出物、１１・・・・光照射点、１２・
・・・反射・散乱光、１３・・・・集光点、１４・・・
・演算回路、２１φ・・・目視用Ｈｅ −Ｎ ｅガスレ
ーザ、２２・・・・半導体レーザ、２３・・・９変調駆
動回路、２４・φΦ・コリメート用レンズ、２５・・・
φダイクロイックミラ一 時計出願人 株式会社 保谷硝子 代理人 山川政樹（３女１２名） 因怖のｉ’１Ｉｄｒ（内存に変更なし）第１図 ｄ 第２図 手続補正書（ｆ入） 特許庁長官殿 ５９，９、−６ １、事件の表示 昭和５５年特 許願第１０９３２Ｚ号 ２、卒白目の名称。 ９Ｆ悴（財）炙徘腺ホ装置 ３、補正をする者 事件との関係 特 許出願人 名称（氏名）１恥反会斥土１禾谷Ｆ肖テン、→、６ゆの
日イ」 昭和５１年 ｇ月と６日−ど ゛ と補正の対象 （１）明細書 （Ｚ） 図 面 一手続補正書（自発） 昭和 年 月 日 特許庁長官殿 ６０．１．１０ １、事件の表示 昭和５９年 臀 許 願第１０９３２２号２、発明の名
称 非接触変位検出装置 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人 名称（氏名） ホーヤ株式会社 ６、補正の内容 （１）明細書第３頁第３行の「半導体装置検出器」を［
光半導体装置検出器」と補正する。 （２）同書第５頁第４行の「半導体レーザ２１」を「半
導体レーザ２２」と補正する。 （３）回書同頁第７行の「透過し」を「−反射し」と、
また「反射する」を「透過する」とそれぞれ補正する。 （４） 回書同頁第１５行のｒ、ＫＨｚＪをｒ ｋＨｚ
Ｊと補正する。 （５）同書第６頁第１行の「によって」を「によって反
射されてｊ生補正する。 （６）同書第９頁第１５行の１非接加変位検出器」を「
非接触変位検出装置」と補正する。 （力 回書同頁第１７〜１８行の「半導体装置検出器」
を［光半導体装置検出器」と補正する。 以上
は本発明の一実施例を示す構成図である。 ４＠・・・集光レンズ、５・・・・半導体装置検出器、
１０・・・・被検出物、１１・・・・光照射点、１２・
・・・反射・散乱光、１３・・・・集光点、１４・・・
・演算回路、２１φ・・・目視用Ｈｅ −Ｎ ｅガスレ
ーザ、２２・・・・半導体レーザ、２３・・・９変調駆
動回路、２４・φΦ・コリメート用レンズ、２５・・・
φダイクロイックミラ一 時計出願人 株式会社 保谷硝子 代理人 山川政樹（３女１２名） 因怖のｉ’１Ｉｄｒ（内存に変更なし）第１図 ｄ 第２図 手続補正書（ｆ入） 特許庁長官殿 ５９，９、−６ １、事件の表示 昭和５５年特 許願第１０９３２Ｚ号 ２、卒白目の名称。 ９Ｆ悴（財）炙徘腺ホ装置 ３、補正をする者 事件との関係 特 許出願人 名称（氏名）１恥反会斥土１禾谷Ｆ肖テン、→、６ゆの
日イ」 昭和５１年 ｇ月と６日−ど ゛ と補正の対象 （１）明細書 （Ｚ） 図 面 一手続補正書（自発） 昭和 年 月 日 特許庁長官殿 ６０．１．１０ １、事件の表示 昭和５９年 臀 許 願第１０９３２２号２、発明の名
称 非接触変位検出装置 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人 名称（氏名） ホーヤ株式会社 ６、補正の内容 （１）明細書第３頁第３行の「半導体装置検出器」を［
光半導体装置検出器」と補正する。 （２）同書第５頁第４行の「半導体レーザ２１」を「半
導体レーザ２２」と補正する。 （３）回書同頁第７行の「透過し」を「−反射し」と、
また「反射する」を「透過する」とそれぞれ補正する。 （４） 回書同頁第１５行のｒ、ＫＨｚＪをｒ ｋＨｚ
Ｊと補正する。 （５）同書第６頁第１行の「によって」を「によって反
射されてｊ生補正する。 （６）同書第９頁第１５行の１非接加変位検出器」を「
非接触変位検出装置」と補正する。 （力 回書同頁第１７〜１８行の「半導体装置検出器」
を［光半導体装置検出器」と補正する。 以上
Claims (1)
- 検出用光を発する半導体レーザと、目視用の可視光を発
するレーザと、両レーザの出力光を同一光軸上にのせて
被検出物に照射する手段と、被検出物で反射・散乱され
た光を検出する検出手段とを備えたことを特徴とする非
接触変位検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10932284A JPS60253812A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 非接触変位検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10932284A JPS60253812A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 非接触変位検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60253812A true JPS60253812A (ja) | 1985-12-14 |
Family
ID=14507286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10932284A Pending JPS60253812A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 非接触変位検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60253812A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0238805A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-08 | Rikagaku Kenkyusho | 光学的３次元座標入力装置の構成 |
| JPH0449809U (ja) * | 1990-08-31 | 1992-04-27 | ||
| DE4130119A1 (de) * | 1991-09-11 | 1993-03-25 | Leuze Electronic Gmbh & Co | Optische distanzmesseinrichtung |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57127804A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-09 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | Device for measuring coordinate of hollow shape |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP10932284A patent/JPS60253812A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57127804A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-09 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | Device for measuring coordinate of hollow shape |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0238805A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-08 | Rikagaku Kenkyusho | 光学的３次元座標入力装置の構成 |
| JPH0449809U (ja) * | 1990-08-31 | 1992-04-27 | ||
| DE4130119A1 (de) * | 1991-09-11 | 1993-03-25 | Leuze Electronic Gmbh & Co | Optische distanzmesseinrichtung |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3768910A (en) | Detecting the position of a surface by focus modulating the illuminating beam | |
| ATE451866T1 (de) | Messung der oberflächentopographie und wellenaberration eines linsensystems | |
| JPS60253812A (ja) | 非接触変位検出装置 | |
| JP3590508B2 (ja) | 光学系の組立調整装置及び組立調整方法 | |
| Montgomery | New Interferometer for the Measurement of Modulation Transfer Functions | |
| JPS5979122A (ja) | レ−ザパワ−測定装置 | |
| JPS60253814A (ja) | 非接触変位検出装置 | |
| JPS60253813A (ja) | 非接触変位検出装置 | |
| JPH07280535A (ja) | 三次元形状測定装置 | |
| JPS6317166B2 (ja) | ||
| TW588152B (en) | A 3D measuring system using diffraction grating interferometry technique | |
| JPS60253945A (ja) | 形状測定装置 | |
| JPS612010A (ja) | 非接触変位検出装置 | |
| JPS61133813A (ja) | 面形状測定装置 | |
| JP2671667B2 (ja) | レーザドップラ速度計 | |
| Matsumoto et al. | Holographic Measurement of Optical Transfer Functions | |
| JP2553662B2 (ja) | ホログラム測距装置 | |
| JPS61189515A (ja) | 顕微鏡 | |
| JPS6114512A (ja) | 非接触変位検出装置 | |
| JPS55140102A (en) | Measuring device for flatness of inspected plane glass | |
| JPH0711413B2 (ja) | 非接触型の表面形状測定装置 | |
| SU821912A1 (ru) | Бесконтактный способ определени ОпТичЕСКОй длиНы МЕжду дВуМ пОлупРОзРАчНыМи пАРАллЕльНыМи пОВЕРХНОСТ Ми | |
| JPH10142078A (ja) | 非接触温度測定装置 | |
| JPH03231135A (ja) | 光パワーメータのリニアリティ測定器 | |
| JPS6275363A (ja) | レ−ザ−測距装置 |