JPS60251731A - 光出力制御装置 - Google Patents
光出力制御装置Info
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- JPS60251731A JPS60251731A JP59107399A JP10739984A JPS60251731A JP S60251731 A JPS60251731 A JP S60251731A JP 59107399 A JP59107399 A JP 59107399A JP 10739984 A JP10739984 A JP 10739984A JP S60251731 A JPS60251731 A JP S60251731A
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- laser diode
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- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
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-
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- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光源として例えばレーザダイオードを用いた
光送出装置における光出力制御装置に関する。
光送出装置における光出力制御装置に関する。
光通信システム等で用いられる光送出装置は、光源に例
えばレーザダイオードを用い、このレーザダイオードの
出力光をレンスで光ファイバに導く構造となっており、
光出力を一定に制御するために自動パワー制御（Ａ Ｐ
Ｃ）回路を含む光出力制御装置を備えている。
えばレーザダイオードを用い、このレーザダイオードの
出力光をレンスで光ファイバに導く構造となっており、
光出力を一定に制御するために自動パワー制御（Ａ Ｐ
Ｃ）回路を含む光出力制御装置を備えている。
このような光送出装置を用いてパルス変調通信を行う場
合には、レーザダイオードに例えば第４図に示すような
波形の電流を印加する。第４図中、１ｔｈはレーザダイ
オードのしきい値電流であり、このしきい値電流よりも
やや低い値に直流バイアス電流Ｉ、を設定し、該直流バ
イアス電流１．にパルス符号に対応したタイミングでパ
ルス電流ＩＰを重畳させる。レーザダイオードによるレ
ーザ光の放出はパルス電流■、の部分で起こる。
合には、レーザダイオードに例えば第４図に示すような
波形の電流を印加する。第４図中、１ｔｈはレーザダイ
オードのしきい値電流であり、このしきい値電流よりも
やや低い値に直流バイアス電流Ｉ、を設定し、該直流バ
イアス電流１．にパルス符号に対応したタイミングでパ
ルス電流ＩＰを重畳させる。レーザダイオードによるレ
ーザ光の放出はパルス電流■、の部分で起こる。
光送出装置は光源周囲の温度が変化すると、それにとも
ない光出力の大きさも変化するという問題点がある。こ
れは、レーザダイオードの電流−光出力特性が温度によ
り変化すること、あるいはレーザダイオードと光ファイ
バとの結合特性が例えば集光レンズの焦点や光軸等の温
度変化により変化することなどに起因する。
ない光出力の大きさも変化するという問題点がある。こ
れは、レーザダイオードの電流−光出力特性が温度によ
り変化すること、あるいはレーザダイオードと光ファイ
バとの結合特性が例えば集光レンズの焦点や光軸等の温
度変化により変化することなどに起因する。
第５図はレーザダイオードの電流−光出力特性を示す図
であり、同図中、縦軸は光出力Ｌ （ｍＷ）、横軸は電
流１（ｍＡ）をあられし、レーザダイオード温度が２５
℃、５０℃、７０℃のときの各特性が示されている。同
図から明らかなように、レーザダイオードはそのしきい
値電流および電流−光出力特性が各温度で異なるものに
なる。。
であり、同図中、縦軸は光出力Ｌ （ｍＷ）、横軸は電
流１（ｍＡ）をあられし、レーザダイオード温度が２５
℃、５０℃、７０℃のときの各特性が示されている。同
図から明らかなように、レーザダイオードはそのしきい
値電流および電流−光出力特性が各温度で異なるものに
なる。。
したがって、光出力制御装置によりレーザダイオードの
光出力を第５図に示すような一定値Ｌ１に制御しようと
する場合には、レーザダイオードに印加するバイアス電
流ＩＢとパルス電流ＩＰを、２５℃のときにはＩＢＩと
ＩＰ、、５０℃のときには１、□とＩＰ２．７０℃のと
きにはＩＢ３とＩＰ３とすることが望ましいが、このよ
うなきめの細かい制御を行うことは現実にはなかなか難
しいことである。
光出力を第５図に示すような一定値Ｌ１に制御しようと
する場合には、レーザダイオードに印加するバイアス電
流ＩＢとパルス電流ＩＰを、２５℃のときにはＩＢＩと
ＩＰ、、５０℃のときには１、□とＩＰ２．７０℃のと
きにはＩＢ３とＩＰ３とすることが望ましいが、このよ
うなきめの細かい制御を行うことは現実にはなかなか難
しいことである。
本発明においては、発光手段と、該発光手段を駆動する
電流を印加する印加手段と、該発光手段の温度を検出す
る温度センサと、該発光手段の温一度に対応した印加電
流に関するデータが格納された固定記憶手段を包含し、
該温度センサからの温度情報により該固定記憶手段から
読み出したデータに基づいて該印加電流を補正しつつ該
発光手段の出力光の自動パワー制御を行う制御手段とを
具備する光出力制御装置が桿供される。
電流を印加する印加手段と、該発光手段の温度を検出す
る温度センサと、該発光手段の温一度に対応した印加電
流に関するデータが格納された固定記憶手段を包含し、
該温度センサからの温度情報により該固定記憶手段から
読み出したデータに基づいて該印加電流を補正しつつ該
発光手段の出力光の自動パワー制御を行う制御手段とを
具備する光出力制御装置が桿供される。
発光手段の温度特性に関するデータを予め固定記憶手段
に格納しておき、温度センサによって検出した発光手段
周囲の温度に応じて固定手段から読み出したデータに基
づいて発光手段への印加電流を制御する。
に格納しておき、温度センサによって検出した発光手段
周囲の温度に応じて固定手段から読み出したデータに基
づいて発光手段への印加電流を制御する。
本発明の一実施例としての光出力制御装置が第１図に示
される。第１図において、レーザダイオード１はバイア
ス電流制御回路２、レーザダイオード駆動回路３からそ
れぞれバイアス電流１．、パルス電流■、を供給される
。バイアス電流ＩＢはレーザダイオード１のしきい値電
流■いよりもやや低めに設定される直流電流であり、こ
のバイアス電流■、にパルス電流■１が重畳される。レ
ーザダイオード１はパルス電流■、の印加時にし一ザ光
を出力する。
される。第１図において、レーザダイオード１はバイア
ス電流制御回路２、レーザダイオード駆動回路３からそ
れぞれバイアス電流１．、パルス電流■、を供給される
。バイアス電流ＩＢはレーザダイオード１のしきい値電
流■いよりもやや低めに設定される直流電流であり、こ
のバイアス電流■、にパルス電流■１が重畳される。レ
ーザダイオード１はパルス電流■、の印加時にし一ザ光
を出力する。
レーザダイオード１の後方からモニタ用に出力される出
力光は、アバランシェホトダイオード（ＡＰＤ）４によ
って検出されて電気的な光モニタ信号Ｓ （ｍ）に変換
され、フィードハック制御のために自動パワー制御（Ａ
ＰＣ）回路５における比較器５１の一方の入力端に導か
れる。比較器５１の他方の入力端にはインタフェース回
路６から基準信号Ｓ （ｒ）が導かれる。この基準信号
Ｓ （ｒ）はレーザダイオード１の光出力を一定に保つ
ための電気基準となるものである。
力光は、アバランシェホトダイオード（ＡＰＤ）４によ
って検出されて電気的な光モニタ信号Ｓ （ｍ）に変換
され、フィードハック制御のために自動パワー制御（Ａ
ＰＣ）回路５における比較器５１の一方の入力端に導か
れる。比較器５１の他方の入力端にはインタフェース回
路６から基準信号Ｓ （ｒ）が導かれる。この基準信号
Ｓ （ｒ）はレーザダイオード１の光出力を一定に保つ
ための電気基準となるものである。
比較器５１の出力信号は駆動回路３に導かれる。
駆動回路３は比較器５１の出力信号に基づいて出力パル
ス電流Ｉ、の大きさを制御し、またインタフェース回路
６からの出力信号に基づいてパルス電流Ｉｐを発生する
時期を制御する。インタフェース回路６には端子７を介
してパルス電流発生タイミングと基準信号Ｓ （ｒ）と
に関するデータが入力される。
ス電流Ｉ、の大きさを制御し、またインタフェース回路
６からの出力信号に基づいてパルス電流Ｉｐを発生する
時期を制御する。インタフェース回路６には端子７を介
してパルス電流発生タイミングと基準信号Ｓ （ｒ）と
に関するデータが入力される。
温度センサ８はレーザダイオードｌの温度を検出するセ
ンサであり、その検出出力は自動パワー制御回路５内の
Ａ−Ｄ （アナログ−ディジタル）変換器５２に入力さ
れる。Ａ−Ｄ変換器５１のビットパラレル形式のディジ
ダル出力信号はＲＯＭ（読出し専用メモリ）５３のアド
レス入力に入力される。
ンサであり、その検出出力は自動パワー制御回路５内の
Ａ−Ｄ （アナログ−ディジタル）変換器５２に入力さ
れる。Ａ−Ｄ変換器５１のビットパラレル形式のディジ
ダル出力信号はＲＯＭ（読出し専用メモリ）５３のアド
レス入力に入力される。
ＲＯＭ ５３はレーザダイオード１の各温度に対応した
バイアス電流ＩＢに関するデータが格納されており、こ
の際、温度センサ８により検出された温度で指定される
アドレスに該温度に対応するデータが格納されるようア
ドレス付けされている。
バイアス電流ＩＢに関するデータが格納されており、こ
の際、温度センサ８により検出された温度で指定される
アドレスに該温度に対応するデータが格納されるようア
ドレス付けされている。
ＲＯＭ ５３のデータ出力はＤ−Ａ （ディジタル−ア
ナログ）変換器５４を介してアナログ信号に変換されて
バイアス電流制御回路２に導かれ、それによりバイアス
電流制御回路２は入力信号に対応した大きさの直流バイ
アス電流をレーザダイオード１に印加する。
ナログ）変換器５４を介してアナログ信号に変換されて
バイアス電流制御回路２に導かれ、それによりバイアス
電流制御回路２は入力信号に対応した大きさの直流バイ
アス電流をレーザダイオード１に印加する。
本実施例装置の動作が以下に説明される。レーザダイオ
ード周囲温度に対応してあらかしめ定められたバイアス
電流Ｉｎ、例えば第５図に示されるように温度２５℃、
５０℃、７０°ＣについてＴｇ＋、Ｉ＋＋□、ＩＢ３の
データがＲＯＭ ５３に格納されている。温度センサ８
によって検出された温度に基づいて該検出温度に対応す
るバイアス電流ＩＢの値がＲＯＭ ５３から読み取られ
る。
ード周囲温度に対応してあらかしめ定められたバイアス
電流Ｉｎ、例えば第５図に示されるように温度２５℃、
５０℃、７０°ＣについてＴｇ＋、Ｉ＋＋□、ＩＢ３の
データがＲＯＭ ５３に格納されている。温度センサ８
によって検出された温度に基づいて該検出温度に対応す
るバイアス電流ＩＢの値がＲＯＭ ５３から読み取られ
る。
読み取られた値はＤ−Ａ変換器５４を介してバイアス電
流制御回路２に入力され、それによりレーザダイオード
１へのバイアス電流Ｉｓは検出温度に対応する値にバイ
アス電流制御回路２によって制御される。
流制御回路２に入力され、それによりレーザダイオード
１へのバイアス電流Ｉｓは検出温度に対応する値にバイ
アス電流制御回路２によって制御される。
また、駆動回路３から印加されるパルス電流■１は、ア
バランシェホトダイオード４、比較器５１によるフィー
ドハックループによってレーザダイオード１の光出力が
一定となるように制御される。
バランシェホトダイオード４、比較器５１によるフィー
ドハックループによってレーザダイオード１の光出力が
一定となるように制御される。
本発明の実施にあたっては種々の変形形態とすることが
可能である。例えば前述の実施例では、制御方式として
バイアス電流１．のみを温度に応じてＲＯＭのデータで
制御卸するようにしたが、これに限られることなく、例
えばパルス電流Ｉ、とバイアス電流■６を温度に応じて
ＲＯＭのデータで制御する、あるいはバイアス電流■６
と光出力パワーを温度に応してＲＯＭのデータで制御す
るなどの制御方式とすることも可能である。さらにこれ
らの方式を組み合せた形態とすることも可能である。
可能である。例えば前述の実施例では、制御方式として
バイアス電流１．のみを温度に応じてＲＯＭのデータで
制御卸するようにしたが、これに限られることなく、例
えばパルス電流Ｉ、とバイアス電流■６を温度に応じて
ＲＯＭのデータで制御する、あるいはバイアス電流■６
と光出力パワーを温度に応してＲＯＭのデータで制御す
るなどの制御方式とすることも可能である。さらにこれ
らの方式を組み合せた形態とすることも可能である。
第２図には、パルス電流Ｉ、とバイアス電流ＩＢを温度
に応してＲＯＭのデータで制御する変形例が示される。
に応してＲＯＭのデータで制御する変形例が示される。
同図中、第１図装置と同じ構成要素には同じ参照符号が
付されている。第１図装置と相違するところは自動パワ
ー制御回路５ａの構成である。この変形例装置において
は、比較器５１の出力がＡ−Ｄ変換器５２ａを介してＲ
ＯＭ５３ａのアドレス入力に導かれる。ＲＯＭ ５３ａ
のデータ出力は、Ｄ−Ａ変換器５４ａを介してバイアス
電流制御回路２とレーザダイオード駆動回路３の各制御
入力端に、それぞれＩｒｒ制御用信号５（ＩＢ）、Ｉｒ
制御用信号５（ＩＰ）として導かれる。
付されている。第１図装置と相違するところは自動パワ
ー制御回路５ａの構成である。この変形例装置において
は、比較器５１の出力がＡ−Ｄ変換器５２ａを介してＲ
ＯＭ５３ａのアドレス入力に導かれる。ＲＯＭ ５３ａ
のデータ出力は、Ｄ−Ａ変換器５４ａを介してバイアス
電流制御回路２とレーザダイオード駆動回路３の各制御
入力端に、それぞれＩｒｒ制御用信号５（ＩＢ）、Ｉｒ
制御用信号５（ＩＰ）として導かれる。
第２図の変形例装置の動作が以下に説明される。
温度に応じてあらかじめ定められたバイアス電流１Ｂ、
パルス電流１．を１７０Ｍ５３２に格納しておき、温度
センサ８で検出された温度に応じてＲＯＭ５３ａからＩ
ｎ、Ｉｒ’、のデータを読み取り、読み取ったデータに
恭づいて制御回路２および駆動回路３によりレーザダイ
オード】に印加するバイアス電流Ｉｎおよびパルス電流
１．を検出冶、度に応した値に制御する。
パルス電流１．を１７０Ｍ５３２に格納しておき、温度
センサ８で検出された温度に応じてＲＯＭ５３ａからＩ
ｎ、Ｉｒ’、のデータを読み取り、読み取ったデータに
恭づいて制御回路２および駆動回路３によりレーザダイ
オード】に印加するバイアス電流Ｉｎおよびパルス電流
１．を検出冶、度に応した値に制御する。
このとき、レーザダイオードの光出力に所望値からの偏
差がある場合、この偏差は比較器５１により検出される
。この偏差に対するパルス電流Ｉｐ、バイアス電流１１
１の変化量はＲＯＭ５３ａに予め格納されており、比較
器５１の出力に応してＲＯＭ５３ａから読み出され、そ
れによりレーザダイオード１に実際に印加するパルス電
流１．、およびバイアス電流■、を、温度に応して決め
られたパルス電流■、およびバイアス電流ＩＢから変化
させる。
差がある場合、この偏差は比較器５１により検出される
。この偏差に対するパルス電流Ｉｐ、バイアス電流１１
１の変化量はＲＯＭ５３ａに予め格納されており、比較
器５１の出力に応してＲＯＭ５３ａから読み出され、そ
れによりレーザダイオード１に実際に印加するパルス電
流１．、およびバイアス電流■、を、温度に応して決め
られたパルス電流■、およびバイアス電流ＩＢから変化
させる。
第３図には、バイアス電流ＩＩｌと光出力パワーを温度
に応じてＲＯＭのデータで制御する変形例が示される。
に応じてＲＯＭのデータで制御する変形例が示される。
第２図の場合と同様に、第１図装置と同じ構成要素には
同じ参照符号が付されており、第１図装置とは自動パワ
ー制御回路５６の構成が相違している。
同じ参照符号が付されており、第１図装置とは自動パワ
ー制御回路５６の構成が相違している。
第３図の変形例装置においては、電気基準の補正を行う
基準回路５５が設けられており、該基準回路５５の入力
端にはそれぞれインタフェース回路６からの電気基準信
号Ｓ （ｒ）とＤ−Ａ変換器５４からの光出力補正信号
Ｓ （ｃ） ”とが導かれ、その出力端は比較器５１の
入力端に接続される。比較器５１の出力端は制御回路２
と駆動回路３の各制御入力端にそれぞれ接続される。
基準回路５５が設けられており、該基準回路５５の入力
端にはそれぞれインタフェース回路６からの電気基準信
号Ｓ （ｒ）とＤ−Ａ変換器５４からの光出力補正信号
Ｓ （ｃ） ”とが導かれ、その出力端は比較器５１の
入力端に接続される。比較器５１の出力端は制御回路２
と駆動回路３の各制御入力端にそれぞれ接続される。
第３図の変形例装置の動作が以下に説明される。
レーザダイオード１の光出力を温度に応じて可変するた
めに、各温度に対応する光出力基準値をＲＯＭ ５３に
あらかじめ格納しておき、温度センサ８の検出温度によ
って該光出力基準値をＲＯＭ ５３から読み取って基準
回路５５に送出−することにより該基準回路５５で電気
基準の補正を行う。
めに、各温度に対応する光出力基準値をＲＯＭ ５３に
あらかじめ格納しておき、温度センサ８の検出温度によ
って該光出力基準値をＲＯＭ ５３から読み取って基準
回路５５に送出−することにより該基準回路５５で電気
基準の補正を行う。
比較器５１は光モニター値Ｓ （ｒ）と補正された電気
基準との間で比較を行い、制御回路２および駆動回路３
によってバイアス電流ＩＩｌおよびパルス電流■２を制
御する。
基準との間で比較を行い、制御回路２および駆動回路３
によってバイアス電流ＩＩｌおよびパルス電流■２を制
御する。
本発明によれば、例えばレーザダイオード等の発光手段
の温度特性に関するデータを予めＲＯＭに格納゛してお
いて温度センサにより検出された発光手段周辺の温度に
応じてＲＯＭから読み出されたデータに基づいてバイア
ス電流やパルス電流を制御することができ、それにより
、より適切な発光手段の光出力制御が可能になる。
の温度特性に関するデータを予めＲＯＭに格納゛してお
いて温度センサにより検出された発光手段周辺の温度に
応じてＲＯＭから読み出されたデータに基づいてバイア
ス電流やパルス電流を制御することができ、それにより
、より適切な発光手段の光出力制御が可能になる。
第１図は本発明の一実施例としての光出力制御装置を示
すブロック図、第２図、第３図は本発明の変形例として
の光出力制御装置をそれぞれ示すブロック図、第４図は
レーザダイオードへの印加電流波形図、第５図はレーザ
ダイオードの電流−光出力特性図である。 １− レーザダイオード、 ２−バイアス電流制御回路、 ３−レーザダイオード駆動回路、 ４−アバランシェホトダイオード、 ５−自動パワー制御回路、 ５１−比較器、 ５３−ＲＯＭ、 ５５−基準回路、 ８一温度センサ。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士内田幸男 弁理士 山 口 昭 之 第１図 で 一ξ− ｅｌ ｅｎ 第２図 第３図
すブロック図、第２図、第３図は本発明の変形例として
の光出力制御装置をそれぞれ示すブロック図、第４図は
レーザダイオードへの印加電流波形図、第５図はレーザ
ダイオードの電流−光出力特性図である。 １− レーザダイオード、 ２−バイアス電流制御回路、 ３−レーザダイオード駆動回路、 ４−アバランシェホトダイオード、 ５−自動パワー制御回路、 ５１−比較器、 ５３−ＲＯＭ、 ５５−基準回路、 ８一温度センサ。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士内田幸男 弁理士 山 口 昭 之 第１図 で 一ξ− ｅｌ ｅｎ 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■１発光手段と、該発光手段を駆動する電流を印加する
印加手段と、該発光手段の温度を検出する温度センサと
、該発光手段の温度に対応した印加電流に関するデータ
が格納された固定記憶手段を包含し、該温度センサから
の温度情報により該固定記憶手段から読み出したデータ
に基づいて該印加電流を補正しつつ該発光手段の出力光
の自動パワー制御を行う制御手段とを具備する光出力制
御装置。 ２、発光素子はレーザダイオードであり、印加電流ば連
続的なバイアス電流とパルス電流とからなる特許請求の
範囲第１項記載の装置。 ３、固定記憶手段にはレーザダイオードの各温度に対応
したバイアス電流のデータが格納されており、温度セン
サの検出温度に応じてバイアス電流が制御される特許請
求の範囲第２項記載の装置。 ４、固定記憶手段にはレーザダイオードの各温度に対応
したバイアス電流およびパルス電流のデータが格納され
ており、温度センサの検出温度に応じてバイアス電流お
よびパルス電流が制御される特許請求の範囲第２項記載
の装置。 ５、固定記憶手段にはレーザダイオードの各温度に対応
した光出力ハワーに関するデータが格納されており、温
度センサの検出温度に応してバイアス電流および光出力
パワーが制御される特許請求の範囲第２項記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59107399A JPS60251731A (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | 光出力制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59107399A JPS60251731A (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | 光出力制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60251731A true JPS60251731A (ja) | 1985-12-12 |
Family
ID=14458158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59107399A Pending JPS60251731A (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | 光出力制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60251731A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2694423A1 (fr) * | 1992-07-30 | 1994-02-04 | France Telecom | Dispositif de contrôle de la puissance de sortie des diodes laser. |
| EP0793316A1 (en) * | 1996-02-27 | 1997-09-03 | Lucent Technologies Inc. | Laser driver with temperature sensor on an integrated circuit |
| US6292497B1 (en) | 1997-10-28 | 2001-09-18 | Nec Corporation | Laser diode driving method and circuit |
| EP1205924A2 (en) * | 2000-11-10 | 2002-05-15 | Pioneer Corporation | Recording apparatus for use with optical recording medium and method thereof |
-
1984
- 1984-05-29 JP JP59107399A patent/JPS60251731A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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