JPS60251693A - High density fanout metallurgy substrate and method of producing same - Google Patents

High density fanout metallurgy substrate and method of producing same

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JPS60251693A
JPS60251693A JP60006050A JP605085A JPS60251693A JP S60251693 A JPS60251693 A JP S60251693A JP 60006050 A JP60006050 A JP 60006050A JP 605085 A JP605085 A JP 605085A JP S60251693 A JPS60251693 A JP S60251693A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、半導体パッケージ用誘電体基板にメタラジ−
(金属工学的)相互接続組織を形成すること、さらに具
体的に言えば多層セラミック基板に高密度のファンアウ
ト・パターンを形成することに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention is directed to a dielectric substrate for semiconductor packages.
It relates to forming (metallurgical) interconnect structures, and more specifically to forming dense fan-out patterns in multilayer ceramic substrates.

[従来技術] 将来の半導体パッケージは、単一の基板に、それぞれ数
百の回路を含む高度集積された半導体装置を数多く取り
つけ、これらの装置を相互接続して機能的システムにす
ることが要求される。それには、パッケージ基板の面積
を、現在一般に使用されている単一および重複装置パッ
ケージ基板に比べて著しく増大し、配線密度を増し、半
導体装置への接続用に密な間隔で配置された結合端子を
沢山設けることが必要である。将来の高密度パッケージ
要件を充たすことができる可能性のある構造は、多層セ
ラミ”ツク基板である。この構造は、米国特許第424
5273号に詳しく記載されている。この基板には、メ
タラジ−線が埋め込まれ、非常に複雑な配線相互接続が
可能となっている。
[Prior Art] Future semiconductor packages will require many highly integrated semiconductor devices, each containing hundreds of circuits, mounted on a single substrate and interconnected into functional systems. Ru. This includes significantly increasing the area of the package substrate compared to single and overlapping device package substrates commonly used today, increasing wiring density, and providing closely spaced bonding terminals for connection to semiconductor devices. It is necessary to provide a large number of A structure that may be able to meet future high-density packaging requirements is a multilayer ceramic substrate. This structure is described in U.S. Pat.
It is described in detail in No. 5273. This substrate is embedded with metallurgy lines, allowing for highly complex wiring interconnections.

その基本的プロセスは、粒状セラミック材料、樹脂接着
剤、接着剤用溶剤のセラミック・スラリを作って、この
スラリをドクタ・ブレード処理し、乾燥してセラミック
・グリーン・シートを生成し。
The basic process is to create a ceramic slurry of granular ceramic material, resin adhesive, and adhesive solvent, doctor blade the slurry, and dry it to produce ceramic green sheets.

グリーン・シートに穴をあけて導線をスクリーニングし
、シートを張り合せて、焼結することからなっている。
It consists of drilling holes in green sheets, screening conductors, pasting the sheets together, and sintering them.

[発明が解決しようとする問題点] 集積回路装置は、ますます高密度で大型になりつつあり
、そのためにより多くの端子が必要とされ、その端子も
ますます密な間隔になってきている。はんだ接合法を用
いた通常の多層セラミック基板では、トップ・シートは
半導体装置の端子構造に合った穴あきバイア構造を備え
ている。メタラジ−線のファンアウトが、複数の基礎層
で行われる。しかし、バイア・ホールが密な間隔のとき
、バイア中の導体材料と基板のセラミック材料の熱膨張
率が異なるために、焼結中にバオアの間に亀裂ができる
ことがある。これは収率の損失をもたらし、また初期短
絡が起こらない場合は将来問題を起こす可能性がある。
[Problems to be Solved by the Invention] Integrated circuit devices are becoming increasingly dense and large, which requires more terminals, and the terminals are becoming more closely spaced. In a typical multilayer ceramic substrate using solder bonding, the top sheet has a perforated via structure that matches the terminal structure of the semiconductor device. Fan-out of metallurgy lines is performed in multiple base layers. However, when the via holes are closely spaced, cracks may form between the vias during sintering due to the different coefficients of thermal expansion of the conductive material in the vias and the ceramic material of the substrate. This results in a loss of yield and can cause future problems if the initial short circuit does not occur.

その上、多数の端子を密な間隔で配置するには、メタラ
ジ−線のファンアウトを実現するためにますます多くの
基礎層が必要であり、基板のコストが大幅に増す。
Moreover, the close spacing of a large number of terminals requires more and more base layers to achieve metallurgy wire fan-out, significantly increasing the cost of the board.

米国特許第396819.3号によって示唆されるよう
に、基板頂面に端子のついた表面メタラジ−・ファンア
ウト・パターンを実現することが知られている。この1
層または多層からなる表面メタラジ−組織は基板を焼結
した後、マスクを通してまたはフォトリソグラフィ技術
を使ってスクリーニングすることによって実現できる。
It is known to implement surface metallurgy fan-out patterns with terminals on the top surface of the substrate, as suggested by US Pat. No. 3,968,19.3. This one
A surface metallurgical structure consisting of a layer or multiple layers can be achieved by screening the substrate through a mask or using photolithographic techniques after sintering the substrate.

しかし、焼結中に基板は約17%収縮する。この収縮は
、未焼結の基板を収縮分だけ大きく設計することによっ
て対応できる。こめ収縮は必ずしも基板の全領域で均一
ではない。より大きくまたはより小さく収縮する領域が
でてきて、表面上のバイアのパターンが歪んでしまうこ
とがある。スクリーニング・マスクまたはレジスタ露出
マスクをパターン・バイアに揃えることができないこと
もある。パターン・バイアは、基板の内部メタラジ−と
の接触が確立されるように接続しなければならない。バ
イアが小さくなり、シートが大きくなるにつけて、この
問題は一層重大になる。
However, during sintering the substrate shrinks by about 17%. This shrinkage can be accommodated by designing the unsintered substrate to be larger by the shrinkage. Shrinkage is not necessarily uniform over the entire area of the substrate. Areas of larger or smaller shrinkage may appear, distorting the pattern of vias on the surface. It may not be possible to align the screening mask or resistor exposure mask to the pattern vias. The pattern vias must be connected so that contact is established with the internal metallurgy of the board. As the vias get smaller and the sheets get bigger, this problem becomes more critical.

したがって、内部メタラジ−・パターンに相互接続され
た導電性表面ファンアウト・パターンをもつ、半導体パ
ッケージ基板を形成する方法を提供することが、本発明
の一目的である。
Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method of forming a semiconductor package substrate having a conductive surface fan-out pattern interconnected to an internal metallurgy pattern.

他の目的は、内部メタラジ−組織と一緒に相互接続され
た導電性表面線パターンからなる人出カメタラジー・パ
ターンをもつ基板を提供することである。
Another object is to provide a substrate with a traffic metallurgy pattern consisting of an interconnected conductive surface line pattern with an internal metallurgy structure.

他の目的は、トップ・シートにますます密な間隔のバイ
アを必要とせず、下側にある内部メタラジ−を表面メタ
ラジ−・パターンと接触させる実際的で信頼できる方式
を提供する、半導体装置に接続するための密な間隔の端
子パターンおよびファンアウト・メタラジ−・パターン
を基板上に形成する方法を提供することである。
Another object is to provide a practical and reliable method for contacting underlying internal metallurgy with surface metallurgy patterns without requiring increasingly closely spaced vias in the top sheet. It is an object of the present invention to provide a method for forming closely spaced terminal patterns and fan-out metallurgy patterns on a substrate for making connections.

[問題点を解決するための手段] 上記の目的にもとづき、集積回路半導体装置を支持基板
に電気的に接続するための高密度相互接続パターンとメ
タラジ−組織を形成するための本発明の方法は、未焼結
のグリーン・セラミック基板に、頂面の導電性金属ペー
ストで充填されたバリア・マトリックスを含む内部メタ
ラジ−・システムを設けること、該グリーン・セラミッ
ク・シートの頂面に、前記バイアの間に散在する凹んだ
領域およびこの凹んだ領域に接合され、一般に外側に広
がってファンアウト構造を形成する凹んだ線を形成する
こと、凹んだ領域と凹んだ線を導電性金属ペーストで充
填すること、基板の頂面に凹んだ線を覆うがバイアと凹
んだ領域は露出したままにしておく、セラミック材料の
誘電層をスクリーニングすること、および基板を焼結す
ることによるものである。
Means for Solving the Problems Based on the above objects, the present invention provides a method for forming a high density interconnect pattern and metallurgy structure for electrically connecting an integrated circuit semiconductor device to a supporting substrate. , providing a green ceramic substrate with an internal metallurgy system including a barrier matrix filled with a conductive metal paste on the top surface of the green ceramic sheet; forming a recessed area interspersed therewith and a recessed line joined to the recessed area and generally extending outward to form a fan-out structure; filling the recessed area and the recessed line with a conductive metal paste; This is done by screening a dielectric layer of ceramic material that covers the recessed lines on the top surface of the substrate but leaving the vias and recessed areas exposed, and by sintering the substrate.

本発明の多層セラミック・モジュール用の高密度の多重
相互接続パッドとファンアウト・メタラジ−は、内部メ
タラジ−・システムを備えた多層セラミック基板、間隔
を置いて配置されたマトリックスとして配列された複数
のバイアおよび基板頂面のマトリックスを取り囲むバイ
アの外側リング、バイア・マトリックス内にバイアが交
互にバイア・マトリックス間のスペースに入るように配
列されたマトリックスとして配列され、バイア・マトリ
ックスと凹んだ領域のマトリックスが全体として相互接
続ターミナル構造を画定している、複数の小さな凹んだ
領域、それぞれ一端がマトリックスの凹んだ領域で終り
、他の一端がバイア外側リングの一つのバイアで終って
いる基板表面の複数の凹んだ線、凹んだ線および凹んだ
領域に付着されて表面メタラジ−・ファンアウト・パタ
ーンを形成する導電性金属材料、バイア・マトリックス
の各バイアおよび凹んだ領域のマトリックスの金属を充
填された各凹んだ領域の上に開口を備えた誘電層、およ
びそれぞれバイア・ホール・マトリックスのあるバイア
および凹んだ領域のマトリックスのある凹んだ領域、の
上′にある複数のターミナル・パッドを含んでいる。
The high density multiple interconnect pad and fan-out metallurgy for the multilayer ceramic module of the present invention comprises a multilayer ceramic substrate with an internal metallurgy system, a plurality of an outer ring of vias surrounding the vias and a matrix on the top surface of the substrate, arranged as a matrix with vias within the via matrix arranged in alternating spaces between the via matrix, and a matrix of recessed areas with the via matrix; a plurality of small recessed regions of the substrate surface, each terminating at one end in a recessed region of the matrix and at the other end in one via of the via outer ring, collectively defining an interconnect terminal structure; a conductive metal material deposited in the recessed lines, recessed lines and recessed areas of the via matrix to form a surface metallurgy fan-out pattern; a dielectric layer with an opening over each recessed region, and a plurality of terminal pads overlying the vias with a matrix of via holes and the recessed region with a matrix of recessed regions, respectively. .

[実施例コ ここで図面を参照すると、第1図には、多層セラミック
基板中に高密度メタラジ−組織を製造するための、本発
明にもとづく方法の各ステップの新しい組合せを示すフ
ローチャートが示しである。
EXAMPLE Referring now to the drawings, FIG. 1 shows a flowchart illustrating a new combination of steps of the method according to the invention for producing a dense metallurgical structure in a multilayer ceramic substrate. be.

ブロック10は、未焼結のセラミック基板を用意するこ
とを指示している。このセラミック基板、できれば多層
セラミック基板の基本構造は通常のものである。ブロッ
ク12では、通常の間隔で穿孔されたバイアの他に、ト
ップ層の表面に追加のパッドと導線を用意する。良好な
実施例のトップ面の断面図が第2図で基板2の中に示し
である。
Block 10 instructs to provide a green ceramic substrate. The basic structure of this ceramic substrate, preferably a multilayer ceramic substrate, is conventional. Block 12 provides additional pads and conductors on the surface of the top layer in addition to the normally spaced vias. A top cross-sectional view of the preferred embodiment is shown in substrate 2 in FIG.

半導体装置に接続するためのターミナル・パッド接続フ
ットプリントは、行と列のマトリックスとして配列され
た円形バイア22と、バイア・マトリックスの間に散在
する凹んだ領域24の第2のマトリックスから構成され
る。第3図にもつとはっきりと示されているように、バ
イア22のファンアウト構造は、パッド・ターミナル・
マトリックス構造の縁部の周りに1行または数行に配列
された一連のバイア26で終っている。第3図かられか
るように、バイア22は下方に伸びてセラミック層28
と30を通過し、そこでメタラジ−・ストライプ32に
接合され、このストライプはバイア26に接続され、バ
イア26は基板表面のパッド38で終っている。基板2
0の内部層のファンアウト配列は、もつと多くまたは少
しの層を通って伸びることができ、通常は別の層でX方
向と ′Y方向の両方に伸びることができる。周知のよ
うに、バイア26と切断可能なストライプ36とパッド
38の組合せは、一般にエンジニアリング・チェンジ・
パッドと呼ばれているものである。使 \用の際には線
部分36を切断して、パッド38から適当な他の端子ま
で適当に接続して、内部メタラジ−組織の欠陥を矯正し
または配線を変更することができる。未焼結基板20の
重要な点は、パッドへの中間接続が行われるので、バイ
ア22の密度が装置への入出力結線のバットよりも小さ
いことである。本発明の表面メタラジ−構造は、パッド
24、パット24とパッド42に接合された表面線40
を含む表面ファンアウト・メタラジ−から構成されてい
る。第3図に、示されているように、バイア44は下方
に通じて基板20中しこ入り。
The terminal pad connection footprint for connecting to a semiconductor device is comprised of circular vias 22 arranged in a matrix of rows and columns and a second matrix of recessed areas 24 interspersed between the via matrix. . As clearly shown in Figure 3, the fan-out structure of via 22 is
It ends with a series of vias 26 arranged in one or more rows around the edges of the matrix structure. As can be seen in FIG. 3, the vias 22 extend downwardly into the ceramic layer 28.
and 30, where it is joined to a metallurgical strip 32, which is connected to a via 26, which terminates in a pad 38 on the surface of the substrate. Board 2
A fan-out arrangement of 0 internal layers can extend through more or fewer layers, and typically can extend in both the X and 'Y directions in different layers. As is well known, the combination of vias 26, cuttable stripes 36, and pads 38 generally requires engineering changes.
It's called a pad. In use, wire portions 36 can be cut and appropriately connected from pads 38 to other suitable terminals to correct defects in internal metallurgy or to modify wiring. An important aspect of the green substrate 20 is that the density of the vias 22 is less than the butts of the input/output connections to the device since intermediate connections to pads are made. The surface metallurgy structure of the present invention includes a pad 24, a surface line 40 bonded to the pad 24 and the pad 42;
It consists of a surface fan-out metallurgy containing . As shown in FIG. 3, vias 44 extend downwardly into substrate 20. As shown in FIG.

基板の内部メタラジ−と相互接続されている。ストライ
プ40を切断しパッド42が接着されたワイヤでパッド
42を接合することによって、表面メタラジ−・パター
ンに技術変更を加えることもできる。
Interconnected with the internal metallurgy of the board. Technique changes can also be made to the surface metallurgy pattern by cutting stripes 40 and bonding pads 42 with wires to which pads 42 are bonded.

基板20上に表面メタラジ−組織を形成するため、基板
に凹んだ表面領域24と凹んだ線40のパターンを作る
。基板はグリーン・シートであり、変形可能なので凹ま
せることが可能である。また、基板はグリーン・シート
であり、まだ通常の焼結操作によって変形していないの
で、この凹みをバイア42やバイア22間に保たれる適
正な間隔など基板上の他の表面の特徴に揃えることがで
きる。
To form a surface metallurgy on the substrate 20, a pattern of recessed surface areas 24 and recessed lines 40 is created in the substrate. The substrate is a green sheet and is deformable so that it can be recessed. Also, since the substrate is a green sheet and has not yet been deformed by normal sintering operations, aligning this depression with other surface features on the substrate such as vias 42 and proper spacing maintained between vias 22 be able to.

凹んだ表面特徴は、所期の凹んだ特徴の形に逆のパター
ンで浮き出した領域と線を含むダイを作ることによって
形成できる。ダイは、フォトリソグラフィなど通常の金
属成形法で盛り上げるべき領域の上にパターンを形成し
、次に金属エツチング・スパッタ・エツチング、電解金
属除去法などの金属除去操作を行なうことによって生成
できる。パターンと逆の形の浮上った線が形成されたダ
イを基板上に置き、ラミネーション・プレスなど適当な
圧力・温度印加技術によってそれを内側に押し込んで、
凹んだ領域24.42と凹んだ線40を形成する。また
、電子線、レーザーなどで基板の表面を腐食しても、凹
みを形成する事ができる。
Recessed surface features can be formed by creating a die that includes raised areas and lines in a pattern that is inverse to the shape of the intended recessed features. The die can be produced by forming a pattern on the area to be raised using a conventional metal forming method such as photolithography, and then performing a metal removal operation such as metal etching, sputter etching, or electrolytic metal removal. A die on which a raised line in the opposite shape to the pattern is formed is placed on a substrate, and the die is pressed inward using an appropriate pressure/temperature application technique such as a lamination press.
A recessed area 24.42 and a recessed line 40 are formed. Further, even if the surface of the substrate is corroded by an electron beam, a laser, etc., depressions can be formed.

線の形、幅、深さは、基板とシートの関連寸法と整合す
るどんな寸法にしてもよい。できれば、線と領域の深さ
は0.0076〜0.05mmにするとよい。凹んだ線
の幅はO,,013〜0.05mm、できればO’、0
25−0.05mmにする。線の幅と深さの比は、でき
れば2:]〜1:1のオーダーとする。
The shape, width, and depth of the lines may be any dimension consistent with the relevant dimensions of the substrate and sheet. Preferably, the depth of the lines and regions should be between 0.0076 and 0.05 mm. The width of the recessed line is O,,013~0.05mm, preferably O',0
25-0.05mm. The line width to depth ratio is preferably on the order of 2:] to 1:1.

ブロック14は、本発明の方法の次のステップが、凹ん
だパターンすなわち凹んだ領域24と凹んだ線40に導
電性へ−ヌトを充填することであることを示している。
Block 14 indicates that the next step in the method of the present invention is to fill the recessed pattern or regions 24 and recessed lines 40 with conductive material.

基板がアルミナなど高い焼結温度を必要とする材料でで
きている場合、導電性ペーストは耐火金属製でなければ
ならない。基本的に粒状耐火金属すなわちMOlW、又
はTaからなり、樹脂と樹脂用溶剤および希望するなら
可塑剤を加えたペーストがよく知られている。しかし、
基板材料がアルミナなど焼結温度の高くないガラス・セ
ラミック材料の場合は、銅など導電性のより高い他の適
当な金属を使用することができる。何れにせよ、凹んだ
パターンに塗布する導電性ペーストは、その後の焼結操
作に耐えることができなければならない。ペーストは、
例えば凹みにペーストを選択的に付着させる適当な装置
で基板表面を拭うなど、適当などんな方法で付着しても
よい。凹みにペーストを付着するためのより秀れた方法
は、まず基板表面に薄いプラスチック膜を付着し、次に
凹みを形成することである。プラスチック膜があると、
凹みに導電性材料を付着しやすくなる。基板の凹みに導
電性ペーストを与える方法は、IBM社のT D B 
、Apr、’ 1974 P。
If the substrate is made of a material that requires high sintering temperatures, such as alumina, the conductive paste must be made of a refractory metal. Pastes consisting essentially of particulate refractory metal, MOlW, or Ta, with the addition of a resin, a solvent for the resin and, if desired, a plasticizer, are well known. but,
If the substrate material is a glass-ceramic material that does not have a high sintering temperature, such as alumina, other suitable metals with higher conductivity, such as copper, may be used. In any case, the conductive paste applied to the recessed pattern must be able to withstand the subsequent sintering operation. The paste is
The paste may be applied by any suitable method, such as by wiping the substrate surface with a suitable device that selectively applies the paste to the recesses. A better method for applying paste to the recesses is to first apply a thin plastic film to the substrate surface and then form the recesses. If there is a plastic membrane,
It becomes easier to attach the conductive material to the recess. The method of applying conductive paste to the recesses of the board is based on IBM's T.D.B.
, April,' 1974 P.

3561に詳しく記載されている。この方法では、セラ
ミック・スラリをドクタ・ブレードするためのコーティ
ング・ベースとして使うマイラ・シートをまずポリビニ
ルアルコールでコートする。キャラスティング・ベース
・シートからキャスト・グリーン・シートを剥がすと、
ポリビニルアルコールのコーティングはグリーン・セラ
ミック・シートに強く付着して、薄い滑らかな均一表面
膜を形成する。次にコートされたグリーン・セラミック
・シートに所期のパターンの凹みをブ1ノスする。
3561 in detail. In this method, a Mylar sheet, which is used as a coating base for doctor blading a ceramic slurry, is first coated with polyvinyl alcohol. Peel off the cast green sheet from the casting base sheet.
The polyvinyl alcohol coating adheres strongly to the green ceramic sheet, forming a thin, smooth, uniform surface film. The coated green ceramic sheet is then indented in the desired pattern.

膜のために凹みが形成できる。導電性ペーストを凹みに
押し込み、溶媒を蒸発させる。焼結中に膜は燃えてなく
なる。別法としてグリーン・シートをコーティングまた
はプレキャスト・シートとしてキャストしてから、表面
膜を塗布することもできる。またポリビニルアルコール
の代りにポリアミドを使ってもよい。
A depression can be formed due to the membrane. Push the conductive paste into the recess and allow the solvent to evaporate. During sintering, the film burns away. Alternatively, the green sheet can be coated or cast as a precast sheet and then the surface film applied. Also, polyamide may be used instead of polyvinyl alcohol.

ブロック16は、本発明の方法の次のステップが、ター
ミナル・パッド構造の領域に誘電層5゜を選択的に塗布
することであることを示している。
Block 16 indicates that the next step in the method of the present invention is to selectively apply a dielectric layer 5° in the area of the terminal pad structure.

誘電層50は、エンジニアリング・パッド42.36.
38の列の上のに伸びてはならない。装置をパッド構造
にはんだ接合するとき、非常に密な間隙の入出力パッド
と線にはんだブリッジングが起こるのを防止するため、
誘電層を人出カターミナル領域上に塗布する。できれば
、米国特許第3495113号および第3429040
号に詳さく記載されているはんだ接合を利用して、装置
をパッド構造に接合するとよい。最もよいのは、誘電層
50を焼結操作に耐える材料で形成することである。望
ましい材料は、基板のグリーン・セラミック・シートを
製造するのに使うセラミック・スラリと類似のセラミッ
ク・スラリである。当然のことながら、スクリーニング
の際には溶媒と有機増ちょう剤(チキソトロピー剤)の
様々な組合せが使用できる。スクリーニングされたセラ
ミック領域のかどで未焼結の金属線が弱くなるのを避け
るため、スラリはスクリーニング後に溶媒を流し出さな
い組成のものがよい。適当なスクリーニング・マスクを
通して、セラミック・スラリをパッド領域に付着するこ
とができる。バイア22と凹んだ領域パッド24の上に
セラミック材料が与えられないようにマスクはブロック
アウト領域をもたらすものでなければならない。誘電層
の厚さは、0.0025〜0.025mmとするのが最
もよい。バット領域に誘電層を塗布した後、ブロック1
8で示されるように基板を通常のやり方で焼結する。焼
結操作中に基板はセラミックの種類や焼結条件に応じて
普通は約17%収縮する。さらに焼結操作中に基板は少
し歪むことがあるが、基板を半導体装置に接合するため
に使われる個々のパッド領域の位置が外れるほどの歪み
ではない。
Dielectric layer 50 includes engineering pads 42.36.
It must not extend above the 38th column. When soldering devices to pad structures, to prevent solder bridging from occurring on very closely spaced input/output pads and lines.
A dielectric layer is applied over the foot traffic terminal area. Preferably, U.S. Patent Nos. 3,495,113 and 3,429,040
The device may be joined to the pad structure using solder joints, as detailed in this issue. Best is to form dielectric layer 50 of a material that withstands sintering operations. The preferred material is a ceramic slurry similar to that used to manufacture the green ceramic sheets of the substrate. Of course, various combinations of solvents and organic thickeners (thixotropic agents) can be used during screening. To avoid weakening of the green metal wire at the edges of the screened ceramic area, the slurry should be of a composition that does not wash off the solvent after screening. A ceramic slurry can be applied to the pad area through a suitable screening mask. The mask must provide blockout areas so that no ceramic material is applied over the vias 22 and recessed area pads 24. The thickness of the dielectric layer is best between 0.0025 and 0.025 mm. After applying the dielectric layer on the butt area, block 1
The substrate is sintered in the usual manner as indicated at 8. During the sintering operation, the substrate typically shrinks by about 17%, depending on the ceramic type and sintering conditions. Additionally, during the sintering operation, the substrate may be slightly distorted, but not so much that the individual pad areas used to bond the substrate to the semiconductor device become misaligned.

焼結の前に微細位置合せステップはすべて完了済みであ
る。焼結操作に続いて、バイア22、パッド24、技術
変更パッドとバイア42を含むメタラジ−領域および誘
電層で覆われていない凹んだパターンを適当な金属でコ
ートして、パッドをはんだ湿潤可能にし、関連する技術
変更パッドを熱圧縮接着その他の方法でワ゛イヤを接合
できる金属でコートすることができる。通常の方法を利
用して、基板表面にこのメタラジ−を形成する。
All microalignment steps have been completed prior to sintering. Following the sintering operation, the metallurgy areas including vias 22, pads 24, engineering pads and vias 42, and the recessed patterns not covered by the dielectric layer are coated with a suitable metal to make the pads solder wettable. , Related Technology Changes Pads can be coated with metals to which wires can be bonded by heat compression bonding or other methods. This metallurgy is formed on the surface of the substrate using conventional methods.

[発明の効果コ 本発明によれば多数の端子を密な間隔でセラミック基板
に配置することができるので、多層基板のコストを大幅
に低減することができる。
[Effects of the Invention] According to the present invention, a large number of terminals can be arranged on a ceramic substrate at close intervals, so that the cost of a multilayer substrate can be significantly reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の方法の各ステップを示したフロー・チ
ャート、第2図は本発明のはんだパッド構造と表面ファ
インアウト・メタラジ−組織の一部分を大きく拡大した
平面図、第3図は第2図の3−3線で切断した断面図で
ある。 20・・・・基板、22:・・・・バイア、24・・・
・パッド、26・・・・バイア、28.3o・・・・セ
ラミック層、32・・・・金属ストライプ、36・・・
・切断可能ストライプ、38・・・・パッド、4o・・
・・表面線、42・・・・パッド、44・・・・バイア
、5o・・・・誘電層。 出願人 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・
コーポレーション 復代理人 弁理士 篠 1) 文 雄 FIG、 1 20−−・基板
FIG. 1 is a flow chart showing each step of the method of the present invention, FIG. 2 is a greatly enlarged plan view of a portion of the solder pad structure and surface fine-out metallurgy structure of the present invention, and FIG. FIG. 2 is a sectional view taken along line 3-3 in FIG. 2; 20... Board, 22:... Via, 24...
・Pad, 26... Via, 28.3o... Ceramic layer, 32... Metal stripe, 36...
・Cuttable stripe, 38...pad, 4o...
...Surface line, 42...Pad, 44...Via, 5o...Dielectric layer. Applicant International Business Machines
Corporation Sub-Agent Patent Attorney Shino 1) Text Yu FIG, 1 20--Board

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)内部メタラジ−組織を備えた多層セラミック基板
と、 上記基板の頂面に密な間隔のマトリックス状に配列され
た複数のバイアおよび上記マトリックスを取り囲むバイ
ア外側リングと、 上記バイア・マトリックス内にバイアが交互にバイア・
マトリックス間のスペース内にくるようにしたマトリッ
クス状に配列され、上記バイア・マトリックスと凹んだ
領域のマトリックスが全体として相互接続パッド構造を
画定している複数の小さな凹んだ領域と、 それぞれ一端が上記マトリックスの凹んだ領域で終り、
他端が上記バイア外側リング中の一つのバイアで終る、
上記基板表面の複数の凹んだ線と、上記凹んだ線および
上記凹んだ領域に付着され、表面メタラジ−・ファンア
ウト・パターンを形成する導電性金属材料と、 上記バイア・マトリックス中のバイアおよび凹んだ領域
のマトリックス中の金属で充填された上記凹んだ領域の
それぞれの上に開口を備えた誘電層と、 それぞれ上記バイア・マトリックスのあるバイアおよび
凹んだ領域の上記マトリックスのある凹んだ領域の上に
ある複数のはんだパッドと、を含む多層セラミック・モ
ジュール用の高密度ファンアウト・メタラジ−基板。
(1) a multilayer ceramic substrate with an internal metallurgical structure; a plurality of vias arranged in a closely spaced matrix on the top surface of the substrate and an outer ring of vias surrounding the matrix; Bahia alternates between Bahia and Bahia.
a plurality of small recessed regions arranged in a matrix such that the via matrix and the matrix of recessed regions collectively define an interconnect pad structure within the spaces between the matrices; terminating in a recessed area of the matrix;
the other end terminates in a via in said via outer ring;
a plurality of recessed lines on the surface of the substrate; a conductive metallic material deposited in the recessed lines and the recessed areas to form a surface metallurgy fan-out pattern; a dielectric layer with an opening over each of said recessed regions filled with metal in a matrix of recessed regions; and over each of said recessed regions with said matrix of vias and recessed regions, respectively. A high-density fan-out metallurgy board for multilayer ceramic modules, including multiple solder pads in the.
(2)未焼結のグリーン・セラミック基板に、頂面の導
電性金属ペーストで充填されたバイア・マトリックスを
含む内部メタラジ−組織を設け、上記グリーン・セラミ
ック基板の頂面に、上記バイアの間に散在する凹んだ領
域およびこの凹んだ領域に接合され、一般に外側に広が
って扇形構造を形成する凹んだ線を形成し、 凹んだ領域と凹んだ線を導電性金属ペーストで充填し、 上記基板の頂面に、該凹んだ線を覆うが、該バリアと該
凹んだ領域は露出したままに残すようにセラミック材料
の誘電層をスクリーニングし、基板を焼結すること、 からなり集積回路半導体装置を支持基板に電気的に接続
するための高密度ファンアウト・メタラジ−基板を形成
する方法。
(2) providing an unsintered green ceramic substrate with an internal metallurgy structure including a via matrix filled with a conductive metal paste on the top surface of the green ceramic substrate between the vias; forming a recessed area interspersed with the recessed area and a recessed line bonded to this recessed area and generally expanding outward to form a fan-shaped structure; filling the recessed area and the recessed line with a conductive metal paste; screening a dielectric layer of ceramic material on top of the recessed line but leaving the barrier and the recessed area exposed and sintering the substrate; A method of forming a high-density fan-out metallurgy board for electrically connecting a support substrate to a support substrate.
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