JPS60249331A - 半導体ウエハ洗浄装置 - Google Patents
半導体ウエハ洗浄装置Info
- Publication number
- JPS60249331A JPS60249331A JP10548984A JP10548984A JPS60249331A JP S60249331 A JPS60249331 A JP S60249331A JP 10548984 A JP10548984 A JP 10548984A JP 10548984 A JP10548984 A JP 10548984A JP S60249331 A JPS60249331 A JP S60249331A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- wafer
- energy beam
- cleaning
- ultrasonic
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
- C23G5/02—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents using organic solvents
- C23G5/04—Apparatus
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体ウェハの洗浄装置に関するものである。
従来、半導体ウェハの洗浄は通常多数の半導体ウェハを
ウェハホルダーに収納した後、同時にこれらの多数のウ
ェハの洗浄を行なっている。
ウェハホルダーに収納した後、同時にこれらの多数のウ
ェハの洗浄を行なっている。
米国特許（Ｕｎｉｔｅｄ ５ｔａｔｅｓ Ｐａｔｅｎｔ
）第３８９３８６９号１９７５年７月８日発行を例に
とって上記の技術を第３図を参照しながら説明する。第
３図において、洗浄槽１０は隔壁１６によって２つの室
１２と１４．に分れており、洗浄槽１０には洗浄液１８
が満たされている。超音波発振器２０．２２からは０．
２〜５ ＭＨｚの範囲の周波数をもつ超音波が発射され
る。超音波エネルギービームの方向は実質的に隔壁１６
に垂直である。ウェハホルダー７３にはシリコンウェハ
６２、６４．６６が収納されている。それらのシリコン
ウェハの表面は６８．７０．７２である。ウェハホルダ
ー７３は昇降台２６に載置されている。洗浄すべきシリ
コンウェハの表面６８．７０．７２は実質的に互に平行
でかつ超音波発振器２０．２２から発する超音波エネル
ギービームに対しても平行である。もう１つのウェハホ
ルダー７４も昇降台２６上に載置されている。
）第３８９３８６９号１９７５年７月８日発行を例に
とって上記の技術を第３図を参照しながら説明する。第
３図において、洗浄槽１０は隔壁１６によって２つの室
１２と１４．に分れており、洗浄槽１０には洗浄液１８
が満たされている。超音波発振器２０．２２からは０．
２〜５ ＭＨｚの範囲の周波数をもつ超音波が発射され
る。超音波エネルギービームの方向は実質的に隔壁１６
に垂直である。ウェハホルダー７３にはシリコンウェハ
６２、６４．６６が収納されている。それらのシリコン
ウェハの表面は６８．７０．７２である。ウェハホルダ
ー７３は昇降台２６に載置されている。洗浄すべきシリ
コンウェハの表面６８．７０．７２は実質的に互に平行
でかつ超音波発振器２０．２２から発する超音波エネル
ギービームに対しても平行である。もう１つのウェハホ
ルダー７４も昇降台２６上に載置されている。
このウェハホルダー７４にはシリコンウェハ７６．７８
゜８０、８２が収納されている。洗浄すべきウエノ・表
面は８４．８６．８８．９０である。これらのウエノ・
表面８４゜８６、８８．９０ はウエノ・表面６８．７
０ 、７２と実質的に平行である。そこで、超音波エネ
ルギービームは両ウェハ間を通過することが出来る。昇
降台２６は腕木３０によって矩形路３２の矢印に示した
如く往復運動する。このようにしてウェハホルダー７３
と７４に収納された全てのウェハは超音波発振器２０と
２２かう発スる超音波エネルギービームの照射を受ける
。ウェハ６２．６４．．６６と７６．７８．８０．８２
はＯ１２から５ ＭＨｚの範囲の周波数をもつ超音波を
３秒から６０分間照射される。シリコンウエノ・に対し
ては０．８ＭＨｚが適当である。超音波発振器の大きさ
は限られているのでウエノ・ホルダー７３．７４内の全
てのウニ・・をきれいにするためには昇降台２６を往復
運動することが必要である。また他のやり方として超音
波発振器２つを交互にスイッチングすることによって昇
降台２６の往復運動をやらないです捷すこともできる。
゜８０、８２が収納されている。洗浄すべきウエノ・表
面は８４．８６．８８．９０である。これらのウエノ・
表面８４゜８６、８８．９０ はウエノ・表面６８．７
０ 、７２と実質的に平行である。そこで、超音波エネ
ルギービームは両ウェハ間を通過することが出来る。昇
降台２６は腕木３０によって矩形路３２の矢印に示した
如く往復運動する。このようにしてウェハホルダー７３
と７４に収納された全てのウェハは超音波発振器２０と
２２かう発スる超音波エネルギービームの照射を受ける
。ウェハ６２．６４．．６６と７６．７８．８０．８２
はＯ１２から５ ＭＨｚの範囲の周波数をもつ超音波を
３秒から６０分間照射される。シリコンウエノ・に対し
ては０．８ＭＨｚが適当である。超音波発振器の大きさ
は限られているのでウエノ・ホルダー７３．７４内の全
てのウニ・・をきれいにするためには昇降台２６を往復
運動することが必要である。また他のやり方として超音
波発振器２つを交互にスイッチングすることによって昇
降台２６の往復運動をやらないです捷すこともできる。
ウェハはその主要面と超音波ビームが実質的に平行の時
によく洗浄される。従って超音波発振器２０．２２から
の超音波エネルギービームは洗浄中のシリコンウエノ・
間を通過しても減衰が小さいので大量のウエノ・が同時
に洗浄できる。
によく洗浄される。従って超音波発振器２０．２２から
の超音波エネルギービームは洗浄中のシリコンウエノ・
間を通過しても減衰が小さいので大量のウエノ・が同時
に洗浄できる。
ところで近年、集積回路が高密度化、高速化するに伴な
って従来とは異々つだ半導体ウエノ・の加工方法が要求
されている。このことを図面を参照して説明する。第４
図に半導体ウニ／・の斜視図を示し、第５図に第４図に
おける半導体ウエノ・の主要面の一部拡大斜視図を示す
。第５図において半導体ウェハ１００の主要面１０２に
ほぼ垂直に微細な深い溝１０４をドライエツチングを利
用してほぼ垂直に加工して形成し、この微細な深い溝１
０４を絶縁物で埋めることによシ素子分離を行なうこと
や、前記の微細な深い溝の内壁１０６に絶縁膜を形成す
ることにより、実効的に面積を増大させることによって
容量の大容量化をはかることが行なわれている。ところ
で、このように半導体ウエノ・の主要面１０２にほぼ垂
直に形成された微細な深い溝１０４の内壁１０６を前述
した従来技術で洗浄することは困難である。すなわち、
従来技術では超音波エネルギービームと半導体ウェハの
主要面は実質的に平行であるから、半導体ウェハの主要
面に垂直な微、畑な深い溝の内壁は十分に洗浄されない
という欠点があった。
って従来とは異々つだ半導体ウエノ・の加工方法が要求
されている。このことを図面を参照して説明する。第４
図に半導体ウニ／・の斜視図を示し、第５図に第４図に
おける半導体ウエノ・の主要面の一部拡大斜視図を示す
。第５図において半導体ウェハ１００の主要面１０２に
ほぼ垂直に微細な深い溝１０４をドライエツチングを利
用してほぼ垂直に加工して形成し、この微細な深い溝１
０４を絶縁物で埋めることによシ素子分離を行なうこと
や、前記の微細な深い溝の内壁１０６に絶縁膜を形成す
ることにより、実効的に面積を増大させることによって
容量の大容量化をはかることが行なわれている。ところ
で、このように半導体ウエノ・の主要面１０２にほぼ垂
直に形成された微細な深い溝１０４の内壁１０６を前述
した従来技術で洗浄することは困難である。すなわち、
従来技術では超音波エネルギービームと半導体ウェハの
主要面は実質的に平行であるから、半導体ウェハの主要
面に垂直な微、畑な深い溝の内壁は十分に洗浄されない
という欠点があった。
本発明の目的は従来技術では洗浄が困難な半導体ウェハ
の主要面にほぼ垂直に加工形成された微細な深い溝の内
壁を洗浄できる半導体ウェハの洗浄装置を提供するとと
である。
の主要面にほぼ垂直に加工形成された微細な深い溝の内
壁を洗浄できる半導体ウェハの洗浄装置を提供するとと
である。
本発明は半導体ウェハを１枚づつ洗浄槽中の洗浄液に浸
漬して洗浄を行なう枚葉式洗浄装置において、前記洗浄
槽に接して又は離間して設けたｏ２から５ ＭＨｚの範
囲の周波数の音波を発する超音波発生装置と、半導体ウ
ェハを収納するウェハホルダーとからなシ、少なくとも
前記半導体ウェハの主要面の法線の方向を実質的に超音
波エネルギービームの方向を含む平面内で前記超音波エ
ネルギービームの方向に対して相対的に回転させるよう
にウニ・・ホルダーと超音波発生装置とを配設しだこと
を特徴とする半導体ウェハの洗浄装置である。
漬して洗浄を行なう枚葉式洗浄装置において、前記洗浄
槽に接して又は離間して設けたｏ２から５ ＭＨｚの範
囲の周波数の音波を発する超音波発生装置と、半導体ウ
ェハを収納するウェハホルダーとからなシ、少なくとも
前記半導体ウェハの主要面の法線の方向を実質的に超音
波エネルギービームの方向を含む平面内で前記超音波エ
ネルギービームの方向に対して相対的に回転させるよう
にウニ・・ホルダーと超音波発生装置とを配設しだこと
を特徴とする半導体ウェハの洗浄装置である。
以下に、本発明の一実施例を図により説明する。
本発明は半導体ウェハを１枚づつ洗浄槽中の洗浄液に浸
漬して洗浄を行う枚葉式洗浄装置において、洗浄槽に接
して又は離間して設けた０、２〜５ＭＨｚの範囲の周波
数の音波を発する超音波発生装置と、半導体ウェハを収
納するウェハホルダーとからなり、少なくとも前記半導
体ウェハの主要面の法線方向を超音波エネルギービーム
の方向を含む平面内で該エネルギービームに対して相対
的に回転させるようにウェハホルダーと超音波発生装置
とを配設したものである。
漬して洗浄を行う枚葉式洗浄装置において、洗浄槽に接
して又は離間して設けた０、２〜５ＭＨｚの範囲の周波
数の音波を発する超音波発生装置と、半導体ウェハを収
納するウェハホルダーとからなり、少なくとも前記半導
体ウェハの主要面の法線方向を超音波エネルギービーム
の方向を含む平面内で該エネルギービームに対して相対
的に回転させるようにウェハホルダーと超音波発生装置
とを配設したものである。
次に本発明の詳細な説明する。第１図の実施例はウェハ
ホルダーを機械的に回転させることにより、半導体ウニ
・・の主要面の法線方向を超音波エネルギービームの方
向を含む平面内で該エネルギービームに対して相対的に
回転させるようにした例を示すものである。すなわち、
第１図において、直方体の洗浄槽２００の側面の一部に
洗浄液２０２に接して０．８ ＭＨｚの周波数の音波を
発生する超音波発振器２０４を定置させ、該発振器２０
４の前方に、半導体ウェハ２０Ｂの主要面２０８ａを超
音波エネルギービームの照射方向に対して直角な方向に
保持してこれを収納するウニ・・ホルダー２０５を垂直
な腕木２０６を中心に回動可能に設置したものである。
ホルダーを機械的に回転させることにより、半導体ウニ
・・の主要面の法線方向を超音波エネルギービームの方
向を含む平面内で該エネルギービームに対して相対的に
回転させるようにした例を示すものである。すなわち、
第１図において、直方体の洗浄槽２００の側面の一部に
洗浄液２０２に接して０．８ ＭＨｚの周波数の音波を
発生する超音波発振器２０４を定置させ、該発振器２０
４の前方に、半導体ウェハ２０Ｂの主要面２０８ａを超
音波エネルギービームの照射方向に対して直角な方向に
保持してこれを収納するウニ・・ホルダー２０５を垂直
な腕木２０６を中心に回動可能に設置したものである。
説明の便宜上図面に示しだ如くに直交座標軸Ｘ＋ ｙ。
２軸２１０をとる。超音波エネルギービームは発振器２
０４よりＸ軸方向に発射される。半導体ウエノ１２０８
の主要面２０８ａの法線は実質的にｘｙ平面内にある。
０４よりＸ軸方向に発射される。半導体ウエノ１２０８
の主要面２０８ａの法線は実質的にｘｙ平面内にある。
ウェハホルダー２０５の腕木２０６はＺ軸のまわ抄に回
転できる。上記の洗浄装置を用いて、洗浄槽２００にア
ンモニアｌ容と過酸化水素ｌ容と水５容からなる洗浄液
２０２を満たし、液温を６０℃に保ち、次に半導体ウエ
ノ・２０８をウエノ・ホルダー２０５に収納し洗浄液２
０２中に浸漬する。半導体ウエノ・を洗浄液中に浸漬し
た後、超音波エネルギービームを発射し、腕木２０６を
１分間に１回転の割合で回転させ、超音波エネルギービ
ームの方向と半導体ウェハの主要面の法線方向とを相対
的に平行な場合から直角な場合まで変化させながら、洗
浄を行なう。１０分間経過後、超音波エネルギービーム
を止めて半導体ウニ・・を洗浄液中から引上げ、続いて
純水洗浄と乾燥を行なう。
転できる。上記の洗浄装置を用いて、洗浄槽２００にア
ンモニアｌ容と過酸化水素ｌ容と水５容からなる洗浄液
２０２を満たし、液温を６０℃に保ち、次に半導体ウエ
ノ・２０８をウエノ・ホルダー２０５に収納し洗浄液２
０２中に浸漬する。半導体ウエノ・を洗浄液中に浸漬し
た後、超音波エネルギービームを発射し、腕木２０６を
１分間に１回転の割合で回転させ、超音波エネルギービ
ームの方向と半導体ウェハの主要面の法線方向とを相対
的に平行な場合から直角な場合まで変化させながら、洗
浄を行なう。１０分間経過後、超音波エネルギービーム
を止めて半導体ウニ・・を洗浄液中から引上げ、続いて
純水洗浄と乾燥を行なう。
上記の洗浄方法を適用して半導体ウエノ・の主要面を洗
浄した後、その主要面にほぼ垂直な微細な深い溝の部分
にＭＯＳダイオードを形成し、少数キャリヤ発生ライフ
タイムを測定したところ、従来方法に比較して発生ライ
フタイムが数倍長く、良好な結果が得られた。
浄した後、その主要面にほぼ垂直な微細な深い溝の部分
にＭＯＳダイオードを形成し、少数キャリヤ発生ライフ
タイムを測定したところ、従来方法に比較して発生ライ
フタイムが数倍長く、良好な結果が得られた。
尚本実施例では腕木２０６を２軸のまわシに連続的に角
度を変えながら回転したが、不連続的に角度を変える回
転であっても良い。
度を変えながら回転したが、不連続的に角度を変える回
転であっても良い。
第２図の実施例は超音波発振器を同一円上に多数設置し
、これらの発振器を順次スイッチングすることによシ、
半導体ウエノ・の主要面の法線方向を超音波エネルギー
ビームの方向を含む平面内で該エネルギービームに対し
て相対的に回転させるようにしたものである。すなわち
、第２図において、円筒形の洗浄槽８００の側面の円周
上に等間隔に洗浄液に接して０．８ＭＨｚの周波数の音
波を発生する８個の超音波発振器３０４ａ〜３０４ｈを
設け、洗浄槽３００の中心部に、半導体ウェハ３０８の
主要面３０８ａの法線方向を超音波エネルギービームの
照射方向に対して直交する方向に保持してこれを収納す
るウェハホルダー３０５を定置したものである。説明の
便宜上図面に示した如くに直交座標軸ｘ、 ｙ、 ｚ軸
３１０をとる。８ケの超音波発振器３０４ａ〜３０４ｈ
は順次スイッチングすることによって半導体ウエノ・３
０８を中心として時計回り又は反時計回りに順次１個づ
つオンされる。従って、超音波エネルギービームの方向
はｘｙ平面内で回転する。半導体ウエノ・の主要面の法
線は実質的にｘｙ平面内に有る。上記の洗浄装置を用い
て洗浄槽３００にアンモニア１容と過酸化水素ｌ容と水
５容からなる洗浄液３０２を満たし、液温を６０℃に保
ち、次に半導体ウエノ・３０８を腕木３０６のついたウ
ェハホルダー３０５に収納し洗浄液中に浸漬する。半導
体ウエノ・を洗浄液に浸漬した後、超音波発振器３０４
ａの超音波エネルギービームを発射し、１分間経過後、
超音波発振器３０４ａをオフし、となりの超音波発１辰
器３０４１）をオンする。上記の如き操作を続けて時計
回りに各超音波発振器を１分間づつオンさせ、超音波エ
ネルギービームの方向と半導体ウエノ・の主要面の法線
方向とを相対的に平行な場合から直角な場合まで変化さ
せながら洗浄を行い、１″ｉ！わりした所で超音波エネ
ルギービームを止めて半導体ウニ・・を洗浄液中から引
上げる。尚洗浄中は腕木３０６を２軸方向にも上下運動
させて洗浄液を揺動させ、洗浄を行う。続いて純水洗浄
と乾燥を行なう。
、これらの発振器を順次スイッチングすることによシ、
半導体ウエノ・の主要面の法線方向を超音波エネルギー
ビームの方向を含む平面内で該エネルギービームに対し
て相対的に回転させるようにしたものである。すなわち
、第２図において、円筒形の洗浄槽８００の側面の円周
上に等間隔に洗浄液に接して０．８ＭＨｚの周波数の音
波を発生する８個の超音波発振器３０４ａ〜３０４ｈを
設け、洗浄槽３００の中心部に、半導体ウェハ３０８の
主要面３０８ａの法線方向を超音波エネルギービームの
照射方向に対して直交する方向に保持してこれを収納す
るウェハホルダー３０５を定置したものである。説明の
便宜上図面に示した如くに直交座標軸ｘ、 ｙ、 ｚ軸
３１０をとる。８ケの超音波発振器３０４ａ〜３０４ｈ
は順次スイッチングすることによって半導体ウエノ・３
０８を中心として時計回り又は反時計回りに順次１個づ
つオンされる。従って、超音波エネルギービームの方向
はｘｙ平面内で回転する。半導体ウエノ・の主要面の法
線は実質的にｘｙ平面内に有る。上記の洗浄装置を用い
て洗浄槽３００にアンモニア１容と過酸化水素ｌ容と水
５容からなる洗浄液３０２を満たし、液温を６０℃に保
ち、次に半導体ウエノ・３０８を腕木３０６のついたウ
ェハホルダー３０５に収納し洗浄液中に浸漬する。半導
体ウエノ・を洗浄液に浸漬した後、超音波発振器３０４
ａの超音波エネルギービームを発射し、１分間経過後、
超音波発振器３０４ａをオフし、となりの超音波発１辰
器３０４１）をオンする。上記の如き操作を続けて時計
回りに各超音波発振器を１分間づつオンさせ、超音波エ
ネルギービームの方向と半導体ウエノ・の主要面の法線
方向とを相対的に平行な場合から直角な場合まで変化さ
せながら洗浄を行い、１″ｉ！わりした所で超音波エネ
ルギービームを止めて半導体ウニ・・を洗浄液中から引
上げる。尚洗浄中は腕木３０６を２軸方向にも上下運動
させて洗浄液を揺動させ、洗浄を行う。続いて純水洗浄
と乾燥を行なう。
上記の洗浄方法を適用して半導体ウェハの主要面を洗浄
した後、その主要面にほぼ垂直な微細な深い溝の部分に
ＭＯＳダイオードを形成し少数キャリヤ発生ライフタイ
ムを測定したところ、従来法に比較して発生ライフタイ
ムが数倍長く良好々結果が得られた。
した後、その主要面にほぼ垂直な微細な深い溝の部分に
ＭＯＳダイオードを形成し少数キャリヤ発生ライフタイ
ムを測定したところ、従来法に比較して発生ライフタイ
ムが数倍長く良好々結果が得られた。
本発明は半導体ウエノ・を１枚づつ洗浄する枚葉式洗浄
装置であって、高周波数の超音波エネルギービームを半
導体ウエノ・の主要面の法線に対して平行な場合から垂
直の場合捷で入射角度を変えながら照射して洗浄するの
で、半導体ウェハの主要面にｔ’ｉぼ垂直に加工形成さ
れた微細な深い溝の内壁を十分に洗浄することができる
効果を有するものである。
装置であって、高周波数の超音波エネルギービームを半
導体ウエノ・の主要面の法線に対して平行な場合から垂
直の場合捷で入射角度を変えながら照射して洗浄するの
で、半導体ウェハの主要面にｔ’ｉぼ垂直に加工形成さ
れた微細な深い溝の内壁を十分に洗浄することができる
効果を有するものである。
第１図は本発明の第１の実施例である半導体ウェハ洗浄
装置の模式図、第２図は本発明の第２の実施例である半
導体ウェハ洗浄装置の模式図、第３図は従来の半導体ウ
ェハの洗浄装置の斜視図、第４図は半導体ウェハの斜視
図、第５図は第４・図の一部拡大斜視図である。 １０、２００．３００・・・洗浄槽、１２．１４・・・
洗浄槽内の室、１６・・隔壁、１８ 、２０２ 、３０
２ ・・洗浄液、２０，２２．２０４．３０４ａ〜３０
４ｈ超音波発振器、２６・・・昇降台、３０ 、２０６
、３０６・・・腕木、３２１．矩形路、６２．６４．
６６、７６、７８．８０ｊ ８２・・・シリコンウェハ
、６８、７０．７２．８４．８６．８８．９０ ・・・
シリコンウェハ表面、７３゜７４、２０５．３０５・・
・ウェハホルダー、１００．２０８．３０８・・・半導
体ウェハ、１０２．２０８ａ、 ３０８ａ・・・半導体
ウェハの主要面、１０４・・・深い溝、１０６・・・深
い溝の内壁、２１０．３１０・・・直交座標軸。 特許出願人 日本電気株式会社 第４図 範５図
装置の模式図、第２図は本発明の第２の実施例である半
導体ウェハ洗浄装置の模式図、第３図は従来の半導体ウ
ェハの洗浄装置の斜視図、第４図は半導体ウェハの斜視
図、第５図は第４・図の一部拡大斜視図である。 １０、２００．３００・・・洗浄槽、１２．１４・・・
洗浄槽内の室、１６・・隔壁、１８ 、２０２ 、３０
２ ・・洗浄液、２０，２２．２０４．３０４ａ〜３０
４ｈ超音波発振器、２６・・・昇降台、３０ 、２０６
、３０６・・・腕木、３２１．矩形路、６２．６４．
６６、７６、７８．８０ｊ ８２・・・シリコンウェハ
、６８、７０．７２．８４．８６．８８．９０ ・・・
シリコンウェハ表面、７３゜７４、２０５．３０５・・
・ウェハホルダー、１００．２０８．３０８・・・半導
体ウェハ、１０２．２０８ａ、 ３０８ａ・・・半導体
ウェハの主要面、１０４・・・深い溝、１０６・・・深
い溝の内壁、２１０．３１０・・・直交座標軸。 特許出願人 日本電気株式会社 第４図 範５図
Claims (1)
- （１）半導体ウニ・・を１枚づつ洗浄槽中の洗浄液に浸
漬して洗浄を行なう枚葉式洗浄装置において、前記洗浄
槽に接して又は離間して設けた０、２〜５ＭＨ２の範囲
の周波数の音波を発する超音波発生装置と、半導体ウェ
ハを収納するウェハホルダーとからなり、少なくとも前
記半導体ウェハの主要面の法線方向を超音波エネルギー
ビームの方向を含む平面内で該エネルギービームに対し
て相対的に回転させるようにウェハホルダーと超音波発
生装置とを配設したことを特徴とする半導体ウェハ洗浄
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10548984A JPS60249331A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | 半導体ウエハ洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10548984A JPS60249331A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | 半導体ウエハ洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60249331A true JPS60249331A (ja) | 1985-12-10 |
Family
ID=14409005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10548984A Pending JPS60249331A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | 半導体ウエハ洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60249331A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4871417A (en) * | 1986-07-04 | 1989-10-03 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method and apparatus for surface treating of substrates |
| JPH02246115A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-10-01 | Hitachi Ltd | 精密洗浄方法およびそれに用いる洗浄液ならびに乾燥方法 |
| JP2006518550A (ja) * | 2003-02-20 | 2006-08-10 | ラム リサーチ コーポレーション | パターン化された基板の超音波洗浄のための方法および装置 |
-
1984
- 1984-05-24 JP JP10548984A patent/JPS60249331A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4871417A (en) * | 1986-07-04 | 1989-10-03 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method and apparatus for surface treating of substrates |
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| JP4733012B2 (ja) * | 2003-02-20 | 2011-07-27 | ラム リサーチ コーポレーション | 処理方法及び処理装置 |
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