JPS60247987A - 複合共振器型半導体レ−ザ素子 - Google Patents
複合共振器型半導体レ−ザ素子Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は発振波長の安定化された半導体レーザの構造及
び製造方法に関するものである。
び製造方法に関するものである。
〈従来技術〉
現在量産されている半導体レーザ素子は低閾値電流での
発振が可能となり、寸だ単−横モード。
発振が可能となり、寸だ単−横モード。
単−縦モード、寿命等の緒特性についてもかなり満足し
得る値が得られるようになってきた。しかしながら、発
振波長（縦モード）の安定性の観点からは捷だ解決すべ
き問題を残している。すなわち、温度変化や電流変化に
よって、発振波長は連続的あるいは不連続に変化し、そ
れと同時に大きな光出力雑音が発生する。この雑音は外
部から光が照射されたり、出力されたレーザ光が光学部
品−等で反射されてレーザ素子へ入射しプｉ場合に特に
顕著となる。このような問題を解決するために、分布帰
還型（ＤＦＢ ）レーザや複合共振型レーザが開発され
、発振波長を安定化させようという試みがなされている
。しかし、これらのレーザ素子においても広い温度範囲
で安定な発掘波長を得ることは困難であり、また戻り光
による雑音に対しては効果は十分でなかった。
得る値が得られるようになってきた。しかしながら、発
振波長（縦モード）の安定性の観点からは捷だ解決すべ
き問題を残している。すなわち、温度変化や電流変化に
よって、発振波長は連続的あるいは不連続に変化し、そ
れと同時に大きな光出力雑音が発生する。この雑音は外
部から光が照射されたり、出力されたレーザ光が光学部
品−等で反射されてレーザ素子へ入射しプｉ場合に特に
顕著となる。このような問題を解決するために、分布帰
還型（ＤＦＢ ）レーザや複合共振型レーザが開発され
、発振波長を安定化させようという試みがなされている
。しかし、これらのレーザ素子においても広い温度範囲
で安定な発掘波長を得ることは困難であり、また戻り光
による雑音に対しては効果は十分でなかった。
第２図は従来の複合共振器型レーザ素子を示す概略構成
斜視図である。ｌはｎ−基板、２はｎ−クラッド層、−
３は活性層、４はｐ−クランド層、５はｐ−キャップ層
である。また、６は電流制限用酸化膜、７は酸化膜にス
トライブ窓をもつ共振器長（ＬＩ＋Ｌ２）の第１のレー
ザ動作部、８は共振器長（Ｌｌ＋Ｌ３）の第２のレーザ
動作部である。
斜視図である。ｌはｎ−基板、２はｎ−クラッド層、−
３は活性層、４はｐ−クランド層、５はｐ−キャップ層
である。また、６は電流制限用酸化膜、７は酸化膜にス
トライブ窓をもつ共振器長（ＬＩ＋Ｌ２）の第１のレー
ザ動作部、８は共振器長（Ｌｌ＋Ｌ３）の第２のレーザ
動作部である。
この２つのレーザ動作部７，８内の光の干渉効果により
安定な発振波長（縦モード）を得ようとするものである
。即ち、第１のレーザ動作部７の縦モード間隔Δλ１は
λｏ２／２π（Ｌ、Ｉ＋Ｌ２）に比例し、第２のレーザ
動作部８の縦モード間隔Δ＾２はλｏ２／２ｎ（Ｌ＋＋
Ｌａ）に比例する。ここでλ０は発振波長、Ｗは活性層
３の屈折率である。この時、２つのレーザ動作部７．８
の縦モードの干渉により、広い縦モード間隔Ａ−λｏ２
／２五１Ｌ３−Ｉ−２１が発生し、利得分布のピーク近
傍の縦モードのみが安定に発振することとなる。しかし
、この複合共振器型レーザ素子では、Ｌｌ、 Ｌ２．
Ｌ３を最適な長さになるように襞間法で共振面を形成す
ることは非常に困難である。従って、広い温度範囲にわ
たって縦モ゛−ドを安定させることができなくなり、５
〜１０℃の温度範囲でのみ効力を有するというのが実状
である。また、レーザ素子の戻り光によって誘起される
縦モードの不安定性も完全に抑圧することはできない。
安定な発振波長（縦モード）を得ようとするものである
。即ち、第１のレーザ動作部７の縦モード間隔Δλ１は
λｏ２／２π（Ｌ、Ｉ＋Ｌ２）に比例し、第２のレーザ
動作部８の縦モード間隔Δ＾２はλｏ２／２ｎ（Ｌ＋＋
Ｌａ）に比例する。ここでλ０は発振波長、Ｗは活性層
３の屈折率である。この時、２つのレーザ動作部７．８
の縦モードの干渉により、広い縦モード間隔Ａ−λｏ２
／２五１Ｌ３−Ｉ−２１が発生し、利得分布のピーク近
傍の縦モードのみが安定に発振することとなる。しかし
、この複合共振器型レーザ素子では、Ｌｌ、 Ｌ２．
Ｌ３を最適な長さになるように襞間法で共振面を形成す
ることは非常に困難である。従って、広い温度範囲にわ
たって縦モ゛−ドを安定させることができなくなり、５
〜１０℃の温度範囲でのみ効力を有するというのが実状
である。また、レーザ素子の戻り光によって誘起される
縦モードの不安定性も完全に抑圧することはできない。
〈発明の目的ン
本発明は広い温度範囲にわたって発振波長（縦モード）
が安定でしかも戻り光に起因する影響の少ない新規な複
合共振器型半導体レーザ素子を提供することを目的とす
るものである。
が安定でしかも戻り光に起因する影響の少ない新規な複
合共振器型半導体レーザ素子を提供することを目的とす
るものである。
〈基本的構成及び効果〉
本発明は複合共振器型半導体レーザ素子に於いて、出力
レーザ光を取り出すための各共振面に誘電膜を被覆し、
発振波数人に対する各共振面反射率を適宜の値に設定す
るように膜厚を制御したものである。即ち、一方のレー
ザ動作部に於いて出力レーザ光を取り出す共振器端面ば
低反射率に、他方の共振器端面及びこの端面と共振面を
共有する他方のレーザ動作部に於ける他方の共振器端面
は高反射率になるように誘電膜の膜厚を選定する。
レーザ光を取り出すための各共振面に誘電膜を被覆し、
発振波数人に対する各共振面反射率を適宜の値に設定す
るように膜厚を制御したものである。即ち、一方のレー
ザ動作部に於いて出力レーザ光を取り出す共振器端面ば
低反射率に、他方の共振器端面及びこの端面と共振面を
共有する他方のレーザ動作部に於ける他方の共振器端面
は高反射率になるように誘電膜の膜厚を選定する。
例えば低反射率を要する共振器端面には５ｉ０２または
ＡＩ’２０３等の金属酸化膜を単層で被覆し、その膜厚
を発振波長λに対してＶ４乃至伯の範囲に設定すること
によりＯ乃至０．３２程度の反射率が得られる。高反射
率を要する共振器端面には５ｉ０２またはＡｌ２Ｏ３等
の金属酸化膜とアモルファスシリコン（ａ−５ｉ ）膜
を各々偽の膜厚に設定して交互に積層し、２層または４
層構造の保護膜とすることにより０．３２乃至１．００
の反射率が得られる。
ＡＩ’２０３等の金属酸化膜を単層で被覆し、その膜厚
を発振波長λに対してＶ４乃至伯の範囲に設定すること
によりＯ乃至０．３２程度の反射率が得られる。高反射
率を要する共振器端面には５ｉ０２またはＡｌ２Ｏ３等
の金属酸化膜とアモルファスシリコン（ａ−５ｉ ）膜
を各々偽の膜厚に設定して交互に積層し、２層または４
層構造の保護膜とすることにより０．３２乃至１．００
の反射率が得られる。
双方のレーザ動作部に駆動電流を注入すると、各レーザ
動作部における発振閾値の合計を越えた時点で各共振器
から同時にレーザ発振が開始される。ここで一方のレー
ザ動作部の共振器は両共振面が高反射率に設定されてい
るため外部へ出力されるレーザ光は少なく大部分が共振
器内へ閉じ込められて内部光子密度が高くなる。一方、
他方のレーザ動作部の共振器は一方の共振面が低反射率
に設定されているためこの共振面よりレーザ光が取り出
され、内部光子密度は低くなる。従って、双方のレーザ
動作部で共有される共振面近傍の共振器は高い光子密度
を有し、レーザ光が取り出される共振面近傍の共振器は
低い光子密度を有する。
動作部における発振閾値の合計を越えた時点で各共振器
から同時にレーザ発振が開始される。ここで一方のレー
ザ動作部の共振器は両共振面が高反射率に設定されてい
るため外部へ出力されるレーザ光は少なく大部分が共振
器内へ閉じ込められて内部光子密度が高くなる。一方、
他方のレーザ動作部の共振器は一方の共振面が低反射率
に設定されているためこの共振面よりレーザ光が取り出
され、内部光子密度は低くなる。従って、双方のレーザ
動作部で共有される共振面近傍の共振器は高い光子密度
を有し、レーザ光が取り出される共振面近傍の共振器は
低い光子密度を有する。
このようにレーザ光を取り出すレーザ動作部の共振器は
光子密度の異なる導波路を連結したものとなる。この結
果、共振器内でキャリア密度が異なり、屈折率及び利得
曲線等も異なった共振器が形成される。従って、これら
の領域を導波されるレーザ光の波長は最も導波損朱が小
さくなるように選択されたものとなる。
光子密度の異なる導波路を連結したものとなる。この結
果、共振器内でキャリア密度が異なり、屈折率及び利得
曲線等も異なった共振器が形成される。従って、これら
の領域を導波されるレーザ光の波長は最も導波損朱が小
さくなるように選択されたものとなる。
以上の如く、本発明の複合共振器型半導体レーザ素子は
従来のものが共振器長の相違のみで波長を選択していた
のに対して、光子密度の相違に基いて波長を選択するも
のであるため、その効果は大きく、広い温度範囲にわた
って安定な縦モードが得られる。また出力レーザ光の戻
り光に対しても出力状態が安定で戻り光の影響を受けに
くい０〈実施例〉 第１図は本発明の１実施例を示す複合共振器型半導体レ
ーザ素子として屈折率導波形のＶＳＩＳ（Ｖ−ｃｈａｎ
ｎｅｌｅｄ ５ｕｂｓｔｒａｔｅ ＩｎｎｅｒＳｔｒｉ
ｐｅ）レーザ素子を用いた場合の構成斜視図である。第
３図は第１図に示すレーザ素子の要部断面構成図である
。
従来のものが共振器長の相違のみで波長を選択していた
のに対して、光子密度の相違に基いて波長を選択するも
のであるため、その効果は大きく、広い温度範囲にわた
って安定な縦モードが得られる。また出力レーザ光の戻
り光に対しても出力状態が安定で戻り光の影響を受けに
くい０〈実施例〉 第１図は本発明の１実施例を示す複合共振器型半導体レ
ーザ素子として屈折率導波形のＶＳＩＳ（Ｖ−ｃｈａｎ
ｎｅｌｅｄ ５ｕｂｓｔｒａｔｅ ＩｎｎｅｒＳｔｒｉ
ｐｅ）レーザ素子を用いた場合の構成斜視図である。第
３図は第１図に示すレーザ素子の要部断面構成図である
。
ｐ−ＧａＡｓ基板Ｉｌ上りｎ −ＧａＡｓから成る電流
阻止層１２を堆積し、電流阻止層１２表面よりＧａＡｓ
基板１１に達するＶ字状のストライプ溝をエツチング加
工することにより電流通路を開通させる。即ちストライ
プ溝により電流阻止層１２が基板１１から除去された部
分のみに電流が流れるストライプ構造が形成される。こ
の上に順次液相エピタキシャル成長法によってｐ−Ｇａ
１−ｙＡｌｙＡｓから成るクラッド層＋３．ｐ（又はｎ
、ノンドープ） Ｇａ１．ＡｌｘＡｓから成る活性層１
４ 、 ｎ −Ｇａｌ−ｙＡｌ、Ａｓから成るクランド
層＋５．ｎ−ＧａＡｓから成るキャップ層１６が積層さ
れ、活性層１４に屈折率分布が付与されたレーザ発振用
ダブルへテロ接合型多層構造が形成されている。また混
晶比はｘ＝ ０．０５ 、 ｙ＝ ０．３に設定する□
ＧａＡｓ基板１１の裏面にはＡｕ−Ｚｎを蒸着した後
、加熱合金化して得られるｎ側電極１７．キャップ層１
６上にはＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉを蒸着した後、加熱合金化し
て得られるｎ側電極１８が蒸着形成されている。
阻止層１２を堆積し、電流阻止層１２表面よりＧａＡｓ
基板１１に達するＶ字状のストライプ溝をエツチング加
工することにより電流通路を開通させる。即ちストライ
プ溝により電流阻止層１２が基板１１から除去された部
分のみに電流が流れるストライプ構造が形成される。こ
の上に順次液相エピタキシャル成長法によってｐ−Ｇａ
１−ｙＡｌｙＡｓから成るクラッド層＋３．ｐ（又はｎ
、ノンドープ） Ｇａ１．ＡｌｘＡｓから成る活性層１
４ 、 ｎ −Ｇａｌ−ｙＡｌ、Ａｓから成るクランド
層＋５．ｎ−ＧａＡｓから成るキャップ層１６が積層さ
れ、活性層１４に屈折率分布が付与されたレーザ発振用
ダブルへテロ接合型多層構造が形成されている。また混
晶比はｘ＝ ０．０５ 、 ｙ＝ ０．３に設定する□
ＧａＡｓ基板１１の裏面にはＡｕ−Ｚｎを蒸着した後
、加熱合金化して得られるｎ側電極１７．キャップ層１
６上にはＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉを蒸着した後、加熱合金化し
て得られるｎ側電極１８が蒸着形成されている。
上記構造に於いて、ストライプ溝は結晶端面を結ぶ直線
状の溝と直線状の溝の途中より分岐されかつ緩やかに屈
曲されて直交方向へ伸びるＬ字状の溝より成る。各溝に
対応する直上の活性層１４の領域がレーザ動作用共振器
となり各溝端部の面が共振面となる。即ち、直線状のス
トライプ溝に対応して活性層１４内で導波路を有する第
１の１７一ザ動作部１９が形成され、対向する面が共振
面２０．２１となる。またＬ字状のストライプ溝に対応
して活性層１４内で導波路を有する第２のレーザ動作部
２２が形成される。この第２のレーザ動作部２２は一方
の共振面を上記第１のレーザ動作部１９の共振面２０と
共有し、捷たこの共振面よりストライプ溝が分岐される
位置までの導波路を第１のレーザ動作部１９と共有して
いる。他方の共振面２３はＬ字状ストライプ溝の端部が
位置する面で共振面２０と直交する方向にある○各し−
ザ動作部１９．２２における導波路は利得導波形でもよ
いが単−縦モードが得られ易いという点で屈折率導波形
の導波路を利用する。各レーザ動作部１９．２２の共振
器共振面２０．２］、２３には反射率を設定するための
保護膜が被覆される。
状の溝と直線状の溝の途中より分岐されかつ緩やかに屈
曲されて直交方向へ伸びるＬ字状の溝より成る。各溝に
対応する直上の活性層１４の領域がレーザ動作用共振器
となり各溝端部の面が共振面となる。即ち、直線状のス
トライプ溝に対応して活性層１４内で導波路を有する第
１の１７一ザ動作部１９が形成され、対向する面が共振
面２０．２１となる。またＬ字状のストライプ溝に対応
して活性層１４内で導波路を有する第２のレーザ動作部
２２が形成される。この第２のレーザ動作部２２は一方
の共振面を上記第１のレーザ動作部１９の共振面２０と
共有し、捷たこの共振面よりストライプ溝が分岐される
位置までの導波路を第１のレーザ動作部１９と共有して
いる。他方の共振面２３はＬ字状ストライプ溝の端部が
位置する面で共振面２０と直交する方向にある○各し−
ザ動作部１９．２２における導波路は利得導波形でもよ
いが単−縦モードが得られ易いという点で屈折率導波形
の導波路を利用する。各レーザ動作部１９．２２の共振
器共振面２０．２］、２３には反射率を設定するための
保護膜が被覆される。
第１のレーザ動作部１９においてレーザ光を取り出すだ
めの前面側の共振面２１には反射率を低く設定するだめ
、Ａｌ２Ｏ３の単層膜を電子ビーム蒸着法により厚さλ
Ａ（λ：発振波長）程度となるように被着する。これに
よってこの共振面２１の反射率は約０．３２となる。各
レーザ動作部１９゜２２におけるその他の共振面２０．
２３には反射率を高く設定するため、Ａｌ２Ｏ３とａ−
５ｉの各膜を厚さｎに設定して交互に電子ビーム蒸着法
あるいは高周波スパッタ蒸着によって積層し、計４層構
造の保護膜とする。これによってこの共振面の反射率は
約０９５となる。
めの前面側の共振面２１には反射率を低く設定するだめ
、Ａｌ２Ｏ３の単層膜を電子ビーム蒸着法により厚さλ
Ａ（λ：発振波長）程度となるように被着する。これに
よってこの共振面２１の反射率は約０．３２となる。各
レーザ動作部１９゜２２におけるその他の共振面２０．
２３には反射率を高く設定するため、Ａｌ２Ｏ３とａ−
５ｉの各膜を厚さｎに設定して交互に電子ビーム蒸着法
あるいは高周波スパッタ蒸着によって積層し、計４層構
造の保護膜とする。これによってこの共振面の反射率は
約０９５となる。
ｎ側電極１７及びｎ側電極１８を介して直流電流を注入
するとＧａＡｓ基板１１に設けられたストライプ溝の領
域に集中して電流が流れ、ストライブ溝直上の活性層１
４における各レーザ動作部１９゜２２でレーザ発振が開
始される。注入電流はストライプ溝に狭窄され、光は実
効屈折率分布によってレーザ動作部＋９．２２に閉じ込
められる。出力されるレーザ光は横モードが安定なスポ
ット状となり、共振面より反射率に応じて放射されるこ
ととなる。第２のレーザ動作部２２は共振面２０゜２３
の双方とも高反射率に設定されているためレーザ光はほ
とんど外部へ出射されず、レーザ発振時の内部光子密度
は非常に高くなる。第１のレーザ動作部１９においでは
前面側の共振面２１の反射率が低く設定されているため
、この面よりレーザ光が主に出力され、内部光子密度は
低くなる。
するとＧａＡｓ基板１１に設けられたストライプ溝の領
域に集中して電流が流れ、ストライブ溝直上の活性層１
４における各レーザ動作部１９゜２２でレーザ発振が開
始される。注入電流はストライプ溝に狭窄され、光は実
効屈折率分布によってレーザ動作部＋９．２２に閉じ込
められる。出力されるレーザ光は横モードが安定なスポ
ット状となり、共振面より反射率に応じて放射されるこ
ととなる。第２のレーザ動作部２２は共振面２０゜２３
の双方とも高反射率に設定されているためレーザ光はほ
とんど外部へ出射されず、レーザ発振時の内部光子密度
は非常に高くなる。第１のレーザ動作部１９においでは
前面側の共振面２１の反射率が低く設定されているため
、この面よりレーザ光が主に出力され、内部光子密度は
低くなる。
この結果、第１のレーザ動作部Ｉ９の共振器は第２のレ
ーザ動作部２２と共有する共振面から、第２のレーザ動
作部２２の共振器が分岐されるまでの間で光子密度が高
く、分岐点からレーザ光を取り出す共振面２１４での間
で光子密度の低い領域が連結された状態となり、共振面
２１より出射されるレーザ光は波長が選択されたものと
なる。
ーザ動作部２２と共有する共振面から、第２のレーザ動
作部２２の共振器が分岐されるまでの間で光子密度が高
く、分岐点からレーザ光を取り出す共振面２１４での間
で光子密度の低い領域が連結された状態となり、共振面
２１より出射されるレーザ光は波長が選択されたものと
なる。
上記実施例の半導体レーザ素子は閾値電流が３５ｍＡ、
発振波長が８２５３Ｘの単−縦モードで発振し、０℃〜
５０℃の温度範囲でモードホッピング等が発生せず、波
長の温度変化も０６Ａ／℃の非常に小さい値であった。
発振波長が８２５３Ｘの単−縦モードで発振し、０℃〜
５０℃の温度範囲でモードホッピング等が発生せず、波
長の温度変化も０６Ａ／℃の非常に小さい値であった。
また共振面２１への戻り光が２φ程度存在していてもモ
ード競合雑音は発生しなかった。
ード競合雑音は発生しなかった。
第４図は本発明の他の実施例を示す複合共振器型半導体
レーザ素子の構成斜視図である。本実施例は、第１図の
実施例に於ける第２のレーザ動作部２２の共振面を、第
１のレーザ動作部１９の共振面と同−襞間面に形成した
ものである。第１のレーザ動作部１９は共振面２０．２
１を結ぶ直線状に形成され、第２のレーザ動作部２２は
第１のレーザ動作部１９の共振器から途中分岐され、屈
曲蛇行されて第１のレーザ動作部１９の共振面２１と同
−襞間面で共振面を構成している。従ってこの襞間面に
は第１のレーザ動作部１９の共振器の共振面に対応する
部分に屈折率の低いＡｌ２Ｏ８保護膜２４．第２のレー
ザ動作部２２の共振器の共振面に対応する部分に屈折率
の高いＡｌ２Ｏ３膜とａ−５ｉ膜の４層保護膜２５が２
種類被覆されることとなる。他方の襞間面には第１図同
様に屈折率の高い保護膜２６が被覆されている。本実施
例に於いても第１図と同様な特性が得られた。
レーザ素子の構成斜視図である。本実施例は、第１図の
実施例に於ける第２のレーザ動作部２２の共振面を、第
１のレーザ動作部１９の共振面と同−襞間面に形成した
ものである。第１のレーザ動作部１９は共振面２０．２
１を結ぶ直線状に形成され、第２のレーザ動作部２２は
第１のレーザ動作部１９の共振器から途中分岐され、屈
曲蛇行されて第１のレーザ動作部１９の共振面２１と同
−襞間面で共振面を構成している。従ってこの襞間面に
は第１のレーザ動作部１９の共振器の共振面に対応する
部分に屈折率の低いＡｌ２Ｏ８保護膜２４．第２のレー
ザ動作部２２の共振器の共振面に対応する部分に屈折率
の高いＡｌ２Ｏ３膜とａ−５ｉ膜の４層保護膜２５が２
種類被覆されることとなる。他方の襞間面には第１図同
様に屈折率の高い保護膜２６が被覆されている。本実施
例に於いても第１図と同様な特性が得られた。
尚、本発明は上述したＧａＡｓ −ＧａＡｌＡｓ系に限
定されるものではなく、Ｉ ｎＰ −Ｉ ｎＧａＡｓＰ
系等の半導体材料やその他の化合物半導体に適用するこ
とができる。また、共振器を構成する導波路は光ガイド
層等を付設した構成としても良い。
定されるものではなく、Ｉ ｎＰ −Ｉ ｎＧａＡｓＰ
系等の半導体材料やその他の化合物半導体に適用するこ
とができる。また、共振器を構成する導波路は光ガイド
層等を付設した構成としても良い。
第１図は本発明の１実施例を示す複合共振器型半導体レ
ーザ素子の構成斜視図である。第２図は従来の複合共振
器型半導体レーザ素子を示す構成斜視図である。第３図
は第１図て示す半導体レーザ素子の断面構成図である。 第４図は変調電流■２と発振波長の関係を示す特性図で
ある。第４図は本発明の他の実施例を示す複合共振器型
半導体レーザ素子の構成斜視図である。 １４・・・活性層、１９・・・第１のレーザ動作部、２
０゜２１．２３・・・共振面、２２・・・第２のレーザ
動作部、２４．２５．２６・・・保護膜。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）ンｌ 第１図 第２図
ーザ素子の構成斜視図である。第２図は従来の複合共振
器型半導体レーザ素子を示す構成斜視図である。第３図
は第１図て示す半導体レーザ素子の断面構成図である。 第４図は変調電流■２と発振波長の関係を示す特性図で
ある。第４図は本発明の他の実施例を示す複合共振器型
半導体レーザ素子の構成斜視図である。 １４・・・活性層、１９・・・第１のレーザ動作部、２
０゜２１．２３・・・共振面、２２・・・第２のレーザ
動作部、２４．２５．２６・・・保護膜。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）ンｌ 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ レーザ出力用共振器を有する第１のレーザ動作部と
、該第１のレーザ動作部の共振器と一端部を共有し途中
分岐された共振器を有する第２のレーザ動作部と、を形
成したｔ・・−ザ動作用多層結晶構造と、 該多層結晶構造へ電流を注入する給電手段と、を具備し
て成り、 前記第１のレーザ動作部の共有部分の共振器の共振面を
高反射率に、他方の共振面を低反射率に、前記第２のレ
ーザ動作部の他方の共振面を高反射率に、それぞれ設定
する保護膜を選択被覆したことを特徴とする複合共振器
型半導体レーザ素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10537384A JPS60247987A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | 複合共振器型半導体レ−ザ素子 |
| EP85303412A EP0162660B1 (en) | 1984-05-16 | 1985-05-15 | A compound resonator type semiconductor laser device |
| US06/734,091 US4737962A (en) | 1984-05-16 | 1985-05-15 | Compound resonator type semiconductor laser device |
| DE8585303412T DE3571899D1 (en) | 1984-05-16 | 1985-05-15 | A compound resonator type semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10537384A JPS60247987A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | 複合共振器型半導体レ−ザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60247987A true JPS60247987A (ja) | 1985-12-07 |
Family
ID=14405889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10537384A Pending JPS60247987A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-23 | 複合共振器型半導体レ−ザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60247987A (ja) |
-
1984
- 1984-05-23 JP JP10537384A patent/JPS60247987A/ja active Pending
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