JPS60246681A - 多層型光電変換素子 - Google Patents
多層型光電変換素子Info
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- JPS60246681A JPS60246681A JP59101681A JP10168184A JPS60246681A JP S60246681 A JPS60246681 A JP S60246681A JP 59101681 A JP59101681 A JP 59101681A JP 10168184 A JP10168184 A JP 10168184A JP S60246681 A JPS60246681 A JP S60246681A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は太陽電池あるいはラインセンサ等に用いられる
多層型光電変換素子に関する。
多層型光電変換素子に関する。
従来の太陽電池等に使用されているシリコン光電池とし
て、非晶質シリコンによって構成される場合のひとつの
タイプとして、非晶質シリコンのＰ形半導体膜とＮ形半
導体膜との間にＩ形半導体膜を形成した光電変換素子を
積層し直列に接続した構造の多層型光電変換素子が用い
られていた。
て、非晶質シリコンによって構成される場合のひとつの
タイプとして、非晶質シリコンのＰ形半導体膜とＮ形半
導体膜との間にＩ形半導体膜を形成した光電変換素子を
積層し直列に接続した構造の多層型光電変換素子が用い
られていた。
この場合、各々の光電変換素子が直列に接続されている
ために、次のような欠点があった。
ために、次のような欠点があった。
（１）多層型光電変換素子において各々の光電変換素子
で吸収される光の波長や強度が異なることから、各々の
光電変換素子で発生する光電流が一定にはならず、光電
流が最小である光電変換素子によって、多層型光電変換
素子の電流電圧特性が拘束されてしまうので、光電池と
しての特性が低下する。
で吸収される光の波長や強度が異なることから、各々の
光電変換素子で発生する光電流が一定にはならず、光電
流が最小である光電変換素子によって、多層型光電変換
素子の電流電圧特性が拘束されてしまうので、光電池と
しての特性が低下する。
（２）また、多層型の光電変換素子とした場合の内部直
列抵抗値が単体の光電変換素子に比べて高くなる。
列抵抗値が単体の光電変換素子に比べて高くなる。
そして、従来の結晶質シリコンによって構成される代表
的な光電変換素子としては、結晶質シリコンのＰ形半導
体膜とＮ形半導体膜とを接合した、ＰＮ接合形の半導体
膜を積層し、これを直列または並列に接続した構造の多
層型光電変換素子が光電池のひとつのタイプとして用い
られていた。しかし上記の、結晶質シリコンによって構
成される並列接続型の多層型光電変換素子は、製作ある
いは構造上つぎのような問題点があった。
的な光電変換素子としては、結晶質シリコンのＰ形半導
体膜とＮ形半導体膜とを接合した、ＰＮ接合形の半導体
膜を積層し、これを直列または並列に接続した構造の多
層型光電変換素子が光電池のひとつのタイプとして用い
られていた。しかし上記の、結晶質シリコンによって構
成される並列接続型の多層型光電変換素子は、製作ある
いは構造上つぎのような問題点があった。
（１）Ｎ形（あるいはＰ形）シリコン層の表面に。
Ｐ形（あるいはＮ形）不純物を打ち込み、高温で熱拡散
させてＰ形層（あるいはＮ形層）を形成させ、つぎにそ
の上に同様の方法でＮ形層（あるいはＰ形層）を形成し
、その上に同様の方法でＰ形層（あるいはＮ形層）を作
るというように、製作工程カモ非常に複雑で、多大の製
作工数を必要とする。
させてＰ形層（あるいはＮ形層）を形成させ、つぎにそ
の上に同様の方法でＮ形層（あるいはＰ形層）を形成し
、その上に同様の方法でＰ形層（あるいはＮ形層）を作
るというように、製作工程カモ非常に複雑で、多大の製
作工数を必要とする。
（２）また、各々の光電変換素子から起電力をとりだす
ための電極として、短絡を防ぐためにＰ形半導体とＮ形
半導体を使用しなければならないので直列抵抗が増大す
る。
ための電極として、短絡を防ぐためにＰ形半導体とＮ形
半導体を使用しなければならないので直列抵抗が増大す
る。
本発明の目的は、上述した従来の多層型光電変換素子の
欠点を解消し、特に電流電圧特性にすぐれ製作容易な、
非晶質シリコンからなる並列接続型の多層型光電変換素
子を提供するにある。
欠点を解消し、特に電流電圧特性にすぐれ製作容易な、
非晶質シリコンからなる並列接続型の多層型光電変換素
子を提供するにある。
本発明は、非晶質シリコンによって形成される、Ｐ形半
導体膜とＮ形半導体膜との間に工形半導体膜を形成させ
たＰＩＮまたはＮＩＰ構造を有する光電変換素子を、２
層以上に積層し、かつそれぞれの光電変換素子を並列接
続させた。電流電圧特性のすぐれた多層型光電変換素子
である。
導体膜とＮ形半導体膜との間に工形半導体膜を形成させ
たＰＩＮまたはＮＩＰ構造を有する光電変換素子を、２
層以上に積層し、かつそれぞれの光電変換素子を並列接
続させた。電流電圧特性のすぐれた多層型光電変換素子
である。
本発明においては、非晶質シリコンによって形成される
、Ｎ形半導体膜とＰ形半導体膜との間に工形半導体膜を
形成して、ＰＩＮＩＰＩＮＩＰ・・・・なる形に積層す
ることもできる電流電圧特性のすぐれた多層型光電変換
素子である。
、Ｎ形半導体膜とＰ形半導体膜との間に工形半導体膜を
形成して、ＰＩＮＩＰＩＮＩＰ・・・・なる形に積層す
ることもできる電流電圧特性のすぐれた多層型光電変換
素子である。
また本発明は、各々の光電変換素子の両面に、透明導電
体膜を形成し、これによって起電力を取り出す構造にし
た電流電圧特性のよい多層型光電変換素子である。
体膜を形成し、これによって起電力を取り出す構造にし
た電流電圧特性のよい多層型光電変換素子である。
さらに本発明は、Ｐ形半導体膜に接する透明導電体膜と
、Ｎ形半導体膜に接する透明導電体膜との間に、透明絶
縁体膜を形成させた電流電圧特性のよい多層型光電変換
素子である。
、Ｎ形半導体膜に接する透明導電体膜との間に、透明絶
縁体膜を形成させた電流電圧特性のよい多層型光電変換
素子である。
そして、さらに本発明は工形半導体膜の禁制帯幅を、光
の入射する側から順次小さくすることによって、吸収す
る光の波長範囲を広くし、光収集効率を改善した電流電
圧特性のよい多層型光電変換素子である。
の入射する側から順次小さくすることによって、吸収す
る光の波長範囲を広くし、光収集効率を改善した電流電
圧特性のよい多層型光電変換素子である。
なお、本発明の非晶質シリコンによる多層型光電変換素
子の製作において、非晶質シリコンの半導体膜（薄膜）
の形成は容易であり、結晶質シリコンによるＰＮ構造（
厚膜）の光電変換素子形成の場合のごとき、複雑な不純
物の打ち込みと高温における熱拡散操作が不要であり、
かつ起電力のとり出しもＰ形およびＮ形半導体を使用す
る必要がなく、金属電極で行なえるので製作が簡単であ
り、少ない作製工数で電流電圧特性のすぐれた並列接続
の多層型光電変換素子が得られるという特徴がある。
子の製作において、非晶質シリコンの半導体膜（薄膜）
の形成は容易であり、結晶質シリコンによるＰＮ構造（
厚膜）の光電変換素子形成の場合のごとき、複雑な不純
物の打ち込みと高温における熱拡散操作が不要であり、
かつ起電力のとり出しもＰ形およびＮ形半導体を使用す
る必要がなく、金属電極で行なえるので製作が簡単であ
り、少ない作製工数で電流電圧特性のすぐれた並列接続
の多層型光電変換素子が得られるという特徴がある。
次に本発明の実施例について図面を引用しながら説明す
る。
る。
（実施例１）
第１図は本発明の一実施例である多層型光電変換素子の
構造を示す断面図である。図から明らかなごとく、ガラ
ス基板１にモノシラン（Ｓ １． Ｈ４）とジボラン（
Ｂ、Ｈ６）とメタン（ＣＨ，）の混合ガスを使って、プ
ラズマＣＶＤ （ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ）法によって、Ｐ形半導体膜２ａを形成
し、その上にＳｉＨ４を使ってプラズマＣＶＤ法により
１形半導体膜３ａを形成し、その上にＳ ｉ Ｉ−１，
とホスフィン（ＰＨ３）の混合ガスを使ってプラズマＣ
ＶＤＩによりＮ形半導体膜４ａを形成し、さらにその上
に同じ方法によって、Ｐ形半′導体膜２ｂ、工形半導体
膜３ｂ、Ｎ形半導体膜４ｂを形成させるという順序で光
電変換素子を作り、これを３層積層した。Ｐ形半導体膜
、Ｎ形半導体膜の膜厚はいずれも１５０人、工形半導体
膜の膜厚は３０００人であった。なお、Ｐ形半導体腹側
の電極としてＡρ５ａを、Ｎ形半導体腹側の電極として
Ａ１１５ｂを、電子ビームにより蒸着し、各々の積層型
光電変換素子を並列接続した。電極Ａｆｉの膜厚はｌ−
であった。
構造を示す断面図である。図から明らかなごとく、ガラ
ス基板１にモノシラン（Ｓ １． Ｈ４）とジボラン（
Ｂ、Ｈ６）とメタン（ＣＨ，）の混合ガスを使って、プ
ラズマＣＶＤ （ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ）法によって、Ｐ形半導体膜２ａを形成
し、その上にＳｉＨ４を使ってプラズマＣＶＤ法により
１形半導体膜３ａを形成し、その上にＳ ｉ Ｉ−１，
とホスフィン（ＰＨ３）の混合ガスを使ってプラズマＣ
ＶＤＩによりＮ形半導体膜４ａを形成し、さらにその上
に同じ方法によって、Ｐ形半′導体膜２ｂ、工形半導体
膜３ｂ、Ｎ形半導体膜４ｂを形成させるという順序で光
電変換素子を作り、これを３層積層した。Ｐ形半導体膜
、Ｎ形半導体膜の膜厚はいずれも１５０人、工形半導体
膜の膜厚は３０００人であった。なお、Ｐ形半導体腹側
の電極としてＡρ５ａを、Ｎ形半導体腹側の電極として
Ａ１１５ｂを、電子ビームにより蒸着し、各々の積層型
光電変換素子を並列接続した。電極Ａｆｉの膜厚はｌ−
であった。
本実施例における多層型光電変換素子の電流電圧特性は
、開放電圧０．８ｖ、短絡光電流密環１４ｍＡ／ａ＋Ｉ
、曲線因子０．６３、光電変換効率７．０６％であった
。
、開放電圧０．８ｖ、短絡光電流密環１４ｍＡ／ａ＋Ｉ
、曲線因子０．６３、光電変換効率７．０６％であった
。
（実施例２）
第２図は本発明の他の実施例である多層型光電変換素子
の構造を示す断面図である。図に示すごとく、Ｐ形半導
体膜２ａ、２ｂとＮ形半導体膜４ａ、４ｂが交互に積層
され、その間に工形半導体膜３ａ、３ｂ、３ｃがはさま
れるようにＰ形、工形、Ｎ形半導体膜を形成した。各々
膜の形成方法および膜厚は実施例１と同じである。
の構造を示す断面図である。図に示すごとく、Ｐ形半導
体膜２ａ、２ｂとＮ形半導体膜４ａ、４ｂが交互に積層
され、その間に工形半導体膜３ａ、３ｂ、３ｃがはさま
れるようにＰ形、工形、Ｎ形半導体膜を形成した。各々
膜の形成方法および膜厚は実施例１と同じである。
本実施例における多層型光電変換素子の電流電圧特性は
、開放電圧０．８ｖ、短絡光電流密環１４．３ｍＡ／ａ
ｄ、曲線因子０．６３、光電変換効率７．２％であった
・ （実施例３） 第３図は本発明の他の実施例である多層型光電変換素子
の構造を示す断面図である。図に示すごとく、ガラス基
板１にインジウム（Ｉｎ）と錫（Ｓｎ）の酸化物を蒸着
源として、電子ビーム蒸着法により膜厚７００人の透明
導電体膜６ａを形成し、その上に実施例１と同じ形成法
、膜厚でＰ形半導体膜２ａ、工形半導体膜３ａ、Ｎ形半
導を形成し，その上に透明導電体膜６ｂを形成した。
、開放電圧０．８ｖ、短絡光電流密環１４．３ｍＡ／ａ
ｄ、曲線因子０．６３、光電変換効率７．２％であった
・ （実施例３） 第３図は本発明の他の実施例である多層型光電変換素子
の構造を示す断面図である。図に示すごとく、ガラス基
板１にインジウム（Ｉｎ）と錫（Ｓｎ）の酸化物を蒸着
源として、電子ビーム蒸着法により膜厚７００人の透明
導電体膜６ａを形成し、その上に実施例１と同じ形成法
、膜厚でＰ形半導体膜２ａ、工形半導体膜３ａ、Ｎ形半
導を形成し，その上に透明導電体膜６ｂを形成した。
この透明導電体膜６ｂを、次に形成する透明導電体膜６
ｃから絶縁するために、石英板をターゲットとした高周
波スパッタリング法により透明絶縁体＠７を形成した。
ｃから絶縁するために、石英板をターゲットとした高周
波スパッタリング法により透明絶縁体＠７を形成した。
この膜厚は５００人であった。
この透明絶縁体膜７の上に、上記と同様な方法で、透明
導電体膜６ｃ．Ｐ形半導体膜２ｂ、工形半導体膜３ｂ．
Ｎ形半導 を多層構造とした。透明導電体膜６ａ、６ｃから起電力
を引出すのにＡｆｌ電極５ａを、透明導電体膜６ｂ、６
ｄから起電力を引出すのに煎電極５ｂを、電子ビーム蒸
着した。この電極Ａｆｌの膜厚は１−であった。
導電体膜６ｃ．Ｐ形半導体膜２ｂ、工形半導体膜３ｂ．
Ｎ形半導 を多層構造とした。透明導電体膜６ａ、６ｃから起電力
を引出すのにＡｆｌ電極５ａを、透明導電体膜６ｂ、６
ｄから起電力を引出すのに煎電極５ｂを、電子ビーム蒸
着した。この電極Ａｆｌの膜厚は１−であった。
この場合の多層型光電変換素子の電流電圧特性は、開放
電圧０．８３Ｖ、短絡光電流密環１４．５ｍＡ／ｄ、曲
線因子０．６５、光電変換効率７．８２％であった。
電圧０．８３Ｖ、短絡光電流密環１４．５ｍＡ／ｄ、曲
線因子０．６５、光電変換効率７．８２％であった。
（実施例４）
第４図は本発明の他の実施例である多層型光電変換素子
の構造を示す断面図である。図に示すごとく、ガラス基
板１に透明導電体膜６ａ．Ｐ形半導体膜２ａ、工形半導
体膜３ａ．Ｎ形半導形成した。その」二に今度はＮ形半
導体膜４ｂ．１形半導体膜３ｂ．Ｐ形半導体膜２ｂの順
に膜を形成し、さらにその上に透明導電体膜６ｃを形成
して多層構造とした。Ａｌｌ電極５ａを、透明導電体膜
６ａ、６ｃから起電力を引出すために、またＡＱ電極５
ｂを、透明導電体膜６ｂから起電力を引出すために、そ
れぞれ電子ビーム蒸着した。このＡｕ電極の膜厚は、実
施例２および３と同様に１−であった。なお、透明導電
体膜、Ｐ形半導体膜、工形半導体膜およびＮ形半導体膜
の形成方法および膜厚は実施例３と同様である。
の構造を示す断面図である。図に示すごとく、ガラス基
板１に透明導電体膜６ａ．Ｐ形半導体膜２ａ、工形半導
体膜３ａ．Ｎ形半導形成した。その」二に今度はＮ形半
導体膜４ｂ．１形半導体膜３ｂ．Ｐ形半導体膜２ｂの順
に膜を形成し、さらにその上に透明導電体膜６ｃを形成
して多層構造とした。Ａｌｌ電極５ａを、透明導電体膜
６ａ、６ｃから起電力を引出すために、またＡＱ電極５
ｂを、透明導電体膜６ｂから起電力を引出すために、そ
れぞれ電子ビーム蒸着した。このＡｕ電極の膜厚は、実
施例２および３と同様に１−であった。なお、透明導電
体膜、Ｐ形半導体膜、工形半導体膜およびＮ形半導体膜
の形成方法および膜厚は実施例３と同様である。
この場合の多層型光電変換素子の電流電圧特性は、開放
電圧０．８３Ｖ、短絡光電流密環１４．５ｍＡ／ｄ、曲
線因子０．６７、光電変換効率８．０６％であった。
電圧０．８３Ｖ、短絡光電流密環１４．５ｍＡ／ｄ、曲
線因子０．６７、光電変換効率８．０６％であった。
（実施例５）
実施例１〜４において、工形半導体膜の禁制帯幅を、光
の入射側から徐々に小さくなるように調整し、光の入射
側で２．Ｏ ｅＶ、反対側で１．５ ｅＶとした。この
場合における光電変換効率は８．３０％であった。
の入射側から徐々に小さくなるように調整し、光の入射
側で２．Ｏ ｅＶ、反対側で１．５ ｅＶとした。この
場合における光電変換効率は８．３０％であった。
なお、本発明における光電変換素子の積層数であるが、
上述の実施例においては３層構造の多層型光電変換素子
を採用しているが、この３層構造にした場合の光電変換
素子が最も光の収集効率が良いことを、発明者らは種々
の実験によって確認している。
上述の実施例においては３層構造の多層型光電変換素子
を採用しているが、この３層構造にした場合の光電変換
素子が最も光の収集効率が良いことを、発明者らは種々
の実験によって確認している。
また、非晶質シリコン半導体層を階段状に積層している
のは、起電力をとり出すための金属電極の接合を容易に
するためである。
のは、起電力をとり出すための金属電極の接合を容易に
するためである。
以上詳細に説明したごとく、本発明の非晶質シリコンか
らなる並列接続した多層型光電変換素子は、次に示す効
果があり実用上の価値は大きい。
らなる並列接続した多層型光電変換素子は、次に示す効
果があり実用上の価値は大きい。
（１）光の吸収スペクトルや強度に対して鈍感である電
圧が、本発明による多層型光電変換素子の電流電圧特性
を支配するために、上記の光の吸収スペクトルや強度に
よる影響を受け難い高性能な光電池が得られる。
圧が、本発明による多層型光電変換素子の電流電圧特性
を支配するために、上記の光の吸収スペクトルや強度に
よる影響を受け難い高性能な光電池が得られる。
（２）また、本発明による多層型光電変換素子において
、Ｉ形半導体膜の禁制帯幅を光の入射側から順に小さく
することができるので、吸収する光の波長範囲が広くな
り、光の収集効率が増大する。
、Ｉ形半導体膜の禁制帯幅を光の入射側から順に小さく
することができるので、吸収する光の波長範囲が広くな
り、光の収集効率が増大する。
（３）さらに、本発明による多層型光電変換素子の内部
直列抵抗が、多層型光電変換素子の積層数で割った値と
なり、単体の光電変換素子の内部直列抵抗より小さくな
って電流電圧特性が向上する。
直列抵抗が、多層型光電変換素子の積層数で割った値と
なり、単体の光電変換素子の内部直列抵抗より小さくな
って電流電圧特性が向上する。
第１図は本発明の一実施例である多層型光電変換素子の
構造を示す断面図、第２図〜第４図は本発明の他の実施
例である多層型光電変換素子の構造を示す断面図である
。 １・・・ガラス基板 ２ａ、２ｂ、２ ｃ −Ｐ形半導体膜 ３ａ、３ｂ、３ ｃ −Ｉ形半導体膜 ４ａ、４ｂ、４ ｃ −Ｎ形半導体膜 ５ａ、５ｂ・・・舷電極 ６ａ、６ｂ、６Ｃ１６ｄ −透明導電体膜７・・・透明
絶縁体膜
構造を示す断面図、第２図〜第４図は本発明の他の実施
例である多層型光電変換素子の構造を示す断面図である
。 １・・・ガラス基板 ２ａ、２ｂ、２ ｃ −Ｐ形半導体膜 ３ａ、３ｂ、３ ｃ −Ｉ形半導体膜 ４ａ、４ｂ、４ ｃ −Ｎ形半導体膜 ５ａ、５ｂ・・・舷電極 ６ａ、６ｂ、６Ｃ１６ｄ −透明導電体膜７・・・透明
絶縁体膜
Claims (5)
- （１）非晶質シリコンからなるＰ形半導体膜とＮ形半導
体膜との間にＩ形半導体膜を形成した、ＰＩＮまたはＮ
ＩＰ構造を有する光電変換素子において、該光電変換素
子を２層以上の複数層に積層し、かつ各々の光電変換素
子を並列接続とすることを特徴とする多層型光電変換素
子。 - （２）光電変換素子の構造を、Ｎ形半導体膜とＰ形半導
体膜との間にＩ形半導体膜を形成し、ＰＩＮｉＰＩＮＩ
Ｐ という形に積層することを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の多層型光電変換素子。 - （３）各々の光電変換素子の両面に、透明導電体膜を形
成し、該透明導電体膜によって起電力を取り出す構造に
することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の多層
型光電変換素子。 - （４）Ｐ形半導体膜に接する透明導電体膜と、Ｎ形半導
体膜に接する透明導電体膜との間に、透明絶縁体膜を形
成することを特徴とする特許請求の範囲第３項に記載の
多層型光電変換素子。 - （５）■形半導体膜の禁制帯幅を、光の入射する側から
順次小さくすることを特徴とする特許請求の範囲第１項
ないし第４項のいずれか１項に記載の多層型光電変換素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59101681A JPS60246681A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 多層型光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59101681A JPS60246681A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 多層型光電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60246681A true JPS60246681A (ja) | 1985-12-06 |
Family
ID=14307085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59101681A Pending JPS60246681A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 多層型光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60246681A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010045332A (ja) * | 2008-08-14 | 2010-02-25 | Jusung Engineering Co Ltd | 薄膜形太陽電池及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-05-22 JP JP59101681A patent/JPS60246681A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010045332A (ja) * | 2008-08-14 | 2010-02-25 | Jusung Engineering Co Ltd | 薄膜形太陽電池及びその製造方法 |
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