JPS60245134A - Positioning device - Google Patents

Positioning device

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JPS60245134A
JPS60245134A JP10024784A JP10024784A JPS60245134A JP S60245134 A JPS60245134 A JP S60245134A JP 10024784 A JP10024784 A JP 10024784A JP 10024784 A JP10024784 A JP 10024784A JP S60245134 A JPS60245134 A JP S60245134A
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wafer
distance
error
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light
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JP10024784A
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Kazuo Arashida
嵐田 和男
Kiwao Nakazawa
中沢 喜和雄
Kyoichi Suwa
恭一 諏訪
Shoichi Tanimoto
昭一 谷元
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Nikon Corp
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Nikon Corp
Nippon Kogaku KK
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To position by extracting pattern information from two local regions of the prescribed distance of chips aligned at the prescribed interval along xy coordinates, detecting and correcting a rotary error from correlation, and then correcting x, y directions in response to the remaining rotary error. CONSTITUTION:A spot light 13 is scanned in y direction in local regions spaced at a distance L in x direction, and rotary amount is identified from the displacement y3-y1 of the intensity of intensity distributions A, B and L. Then, when rotary amount theta0 is obtained at the distance (d) with respect to chips aligned in alpha-axis direction of arraying coordinates alphabeta of the chips, an error is contained due to d<L. A wafer is moved in the amount (L,theta0), scanned by a light 13c, the rotary amount theta is calculated from the positions P3, P2, and corrected once. Then, the light 13 is again scanned in y direction at two local portions on the distance L of integer times of the arraying pitch, the remaining rotary error DELTAtheta is calculated to correct the position of the wafer in xy direction. As a result, the substrate can be positioned in high accuracy.

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の技術分野) 本発明はICやLSI等の半導体装置の製造に用いられ
るマスク、レチクル、ウェハ等の位置決め装置に関し、
特にウェハブローバやウェハスクライバ−に適した位置
決め装置に関する。
Detailed Description of the Invention (Technical Field of the Invention) The present invention relates to a positioning device for masks, reticles, wafers, etc. used in the manufacture of semiconductor devices such as ICs and LSIs.
In particular, the present invention relates to a positioning device suitable for a wafer blower or a wafer scriber.

(発明の背景) ウェハ等のように複数のチップパターンが2次元的に配
列された基板の位置合せ装置として、例えは特開昭58
−54648号公報に開示されているように、レーザ光
のスポットをウェハ上で走査し、ウェハ上のパターンが
らの散乱光を光電検出し、その光電信号の波形テークと
予め記憶1−でおいた基準となる波形テーク(テングレ
ート)トをパター/マツチ/りにより比較して、ウェハ
の位置ずれを検出する装置が知られている。この装置で
はテンプレートは1番目のウェハ上の所定の局所領域か
ら抽出して作られ、2番目以降のウェハはその1番目の
ウェハと同一位置に2次元的に位置決めされる。ところ
で、このような位置決めにあたって、ウエノ・が装置に
回転して載置されると、所期0)位置決め精度が得られ
ないので、何らかの方法でウエノ・の回転を直す必要か
らZ、。従来よりウエノ・け2次元移動ステージの上に
回転可能なウェハホルダーを介して載置される。そして
ウェハの回転を直すためにそのウェハホルダーを回転す
るが、この回転を補正するにはある程度のくり返しが必
要であり、時間を要していた0とくに簡単な装置でけウ
エノ・ホルダーの回転位置決め精度が低い場合もあり、
回転補正の時間に全体の位置決め時間の中でかなりの割
合分しめ、スループントを低下させるという欠点があっ
た。
(Background of the Invention) As an alignment device for a substrate on which a plurality of chip patterns are arranged two-dimensionally, such as a wafer, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 58
As disclosed in Publication No. 54648, a spot of laser light is scanned on a wafer, scattered light from the pattern on the wafer is photoelectrically detected, and the waveform of the photoelectric signal is taken and stored in advance. An apparatus is known that detects a positional shift of a wafer by comparing a waveform take (ten rate) serving as a reference using putter/match/reference. In this apparatus, a template is extracted from a predetermined local area on the first wafer, and the second and subsequent wafers are two-dimensionally positioned at the same position as the first wafer. By the way, when performing such positioning, if the Ueno is placed on the device while being rotated, the desired positioning accuracy cannot be obtained, so it is necessary to correct the rotation of the Ueno by some method. Conventionally, the wafer is placed on a two-dimensional moving stage via a rotatable wafer holder. The wafer holder is then rotated to correct the rotation of the wafer, but correcting this rotation requires a certain amount of repetition and time. Accuracy may be low,
The disadvantage is that the rotation correction time takes up a considerable proportion of the overall positioning time, reducing throughput.

(発明の目的) 本発明げウエノ・やマスク等のテップパターンを有する
基板の回転補正の時間を短縮するとともに、精度を向す
する位置決め装置を提供することを目的とする。
(Objective of the Invention) It is an object of the present invention to provide a positioning device which reduces the time required for rotational correction of a substrate having a step pattern such as a mask or the like and which improves accuracy.

(発明の概要) 本発明に、所定の大きさのチップを所定のヒツチで2次
元的に複数配列]ッた基板(ウエノ・やマスク等)を直
交座標系xyに沿って位置決めする装置においで、基板
上の第1局所領域中のバター/に応じた第1情報と、こ
の第1局所領域からチン7′の配列方向にピッチの略整
数倍の距離たけ離れた第2局所領域中のパターンに応じ
た第2情報とを抽出するパターン情報抽出手段と、第1
情報と第2情報の相関性に基づいて基板の座標系xyに
関する回転誤差を検出し、その回転誤差を補正するよう
に基板を回転する回転誤差補正手段と、その回転補正さ
れた基板の残存回転誤差を検出する手段と、この残存回
転誤差に応じて基板を座標系xyのX方向とX方向に関
して補止しで位置決めする手段とを設けること全技術的
要点としている。
(Summary of the Invention) The present invention provides an apparatus for positioning a substrate (such as a Ueno mask, etc.) on which chips of a predetermined size are two-dimensionally arranged in a predetermined hitch along an orthogonal coordinate system xy. , first information corresponding to butter/ in a first local area on the substrate, and a pattern in a second local area separated from the first local area in the direction of arrangement of the chins 7' by a distance approximately an integral multiple of the pitch. pattern information extraction means for extracting second information according to the first information;
Rotation error correction means for detecting a rotation error regarding the coordinate system xy of the substrate based on the correlation between the information and the second information and rotating the substrate so as to correct the rotation error; and a residual rotation of the substrate after the rotation correction. The entire technical point is to provide means for detecting the error and means for correctively positioning the substrate with respect to the X and X directions of the coordinate system xy in accordance with this residual rotational error.

次に本発明の実施例による位置決め装置の構成を第1図
及び第2図に基づいて説明する。ウニ・・6はレーサ干
渉側長器等の位置センサ12を備えたステージ7に載置
される。このスプーン7はモータ等を含む駆動機構8に
よって2次元的に移動する。一方レーザ発振器1とシリ
/ドリカルレ/ズ2を含む光源からは断面形状が楕円形
の収束したレーザ光束が射出し、このレーザ光束0及射
ミラー3によって折り曲けられ、ウェハ6の表面に細長
い2リント状のスポット光13として結像する。そして
ウェハ6表面の凹凸状のパターンで散乱されたレーザ光
は光電素子4に達する。この光電素子4の光1!信号は
増幅器9によって所定量増幅さねて、次のA/D変換器
(以下、ADCとする。)10に印加される。従ってA
DCIOから出力されるデジタル信号D2 ifウェハ
6から生じる散乱光の強さ又は光量に比例したものとな
る。
Next, the configuration of a positioning device according to an embodiment of the present invention will be explained based on FIGS. 1 and 2. The sea urchin . . . 6 is placed on a stage 7 equipped with a position sensor 12 such as a laser interference detector. This spoon 7 is moved two-dimensionally by a drive mechanism 8 including a motor and the like. On the other hand, a convergent laser beam with an elliptical cross section is emitted from a light source including a laser oscillator 1 and a silicon/drical laser 2, and this laser beam 0 is bent by an emitting mirror 3 and emitted into a long and narrow shape on the surface of a wafer 6. The image is formed as a two-lint-like spot light 13. The laser light scattered by the uneven pattern on the surface of the wafer 6 reaches the photoelectric element 4. Light 1 of this photoelectric element 4! The signal is amplified by a predetermined amount by an amplifier 9 and then applied to the next A/D converter (hereinafter referred to as ADC) 10. Therefore A
The digital signal D2 output from the DCIO is proportional to the intensity or amount of scattered light generated from the wafer 6.

また、ウェハ6上のバター/を観察するための顕微鏡1
4が設けられ、位置合わせされた位置が正しいか否かを
確認する。前述の位置センサ12は、例λけン、ポット
光13の照射位置を基準としたステージ702次元的な
位置に関する位置信号D1を発生し7、ADCloの信
号D2と共に、演算処理部11に入力する。演算処理部
11は信号DI+D、に基づいて位置合わせに必要な演
算を行なうと共に、その結果に応じて駆動機構8を制御
して、ウェハ6を所定の位置1で移動させる。
Also, a microscope 1 for observing the butter on the wafer 6
4 is provided to check whether the aligned position is correct. The above-mentioned position sensor 12 generates a position signal D1 regarding the dimensional position of the stage 70 with reference to the irradiation position of the pot light 13, and inputs it to the arithmetic processing unit 11 together with the ADClo signal D2. . The calculation processing unit 11 performs calculations necessary for alignment based on the signal DI+D, and controls the drive mechanism 8 according to the result to move the wafer 6 at a predetermined position 1.

この演算処理部j1については詳し、くけ特開昭58−
54648号公報に開示さねでいるので、ここでは説明
を省略するが、ウェハ6から生じた散乱光を位置に対応
し2て記憶(−7、予め記憶しである基準パターンと、
その散乱光バター/とのマツチングをとり、もつともマ
ツチングがよい位置を検出するものである。
For details about this arithmetic processing section j1, please refer to
54648, so the explanation will be omitted here, but the scattered light generated from the wafer 6 is stored in correspondence with the position (-7, a reference pattern which is stored in advance),
The purpose is to match the scattered light with the scattered light and detect the position where the matching is good.

さて、スポット光13の長手方向の太ささけ、位置合わ
せの対象物がウェハやマスクのように、同一のチップバ
ター/が周期的に配列されている場合、標準的な1テア
)の−辺の大きさとほぼ等しくする。仁のように定める
と、第1図で示したステージ7をスポット光13の長手
方向と直交する方向に移動したとき、光電素子4は、ス
ポット光13の照射部内に存在する細かいパターンのエ
ツジ(凹凸の段差部)から全方向に生じる散乱光をほぼ
全体に渡って受光するから、光電信号はパターンの細か
い変イヒに対してはほとんど変化しない。このことを第
3図によりさらに詳しく説明する。この図はウェハ6上
の隣接する2つのテンプ50とスポット光13の関係を
示しかもθ)である。
Now, when the thickness of the spot light 13 in the longitudinal direction and the alignment target are periodically arranged like wafers or masks, the - side of the standard 1 tear) approximately equal to the size of. When the stage 7 shown in FIG. Since the scattered light generated in all directions from the uneven step portions is received over almost the entire area, the photoelectric signal hardly changes with respect to small changes in the pattern. This will be explained in more detail with reference to FIG. This figure shows the relationship between two adjacent balances 50 on the wafer 6 and the spot light 13 (θ).

先にも述へたように、スポット光13にウェハ6に対し
て長手方向と直交する方向に移動する。このとき図中に
示すようにその移動はテンプ50の配列の方向に沿って
行なわわる。従ってスポット光13はその長手方向がテ
ップ50の間に設けられた通常ストリートライン53と
呼はれる50〜100μm程度の帯幅部分と平行を保ち
つつ移動する。1だチップ50の内部には実際の回路バ
ター/が形成された領域51と、その周囲に位置した複
数のボンティング用のバント52とが設けられる。今、
チフス50寸法をF)X5+11711、スポット光1
3寸法を5mmX50μmとすると、スポット光13が
領域51を照射すると、回路パターンは二次元的にげ複
雑な形状をしており、散乱光は全方向に生じる。従って
光電素子4の光電信号はスポット光13が領域51内を
移動している間は平均的に大きな値になる。また、スポ
ット光13がバット52の近傍を照射すると、ハクト5
2が並ぶバット列の幅は通常100μm程度であるので
、スポット光13の移動に伴って光電信号の太きさけ変
動する。さらにスポット光13がストリートライン53
を照射すると、ストリートライン53げ通常光を全反射
する特性、すなわち、はとんど散乱しない特性を有して
いるので、光電信号は極めて小さな個になる。以上述へ
た光電信号の変化状態は、スポット光13の長手方向が
チップ5゜の−辺の長さよりも大きい限り、ウェハ6上
のいかなる位置においでもほぼ同じように再現される。
As described above, the spot light 13 moves relative to the wafer 6 in a direction perpendicular to the longitudinal direction. At this time, as shown in the figure, the movement is performed along the direction in which the balance wheel 50 is arranged. Therefore, the spot light 13 moves while keeping its longitudinal direction parallel to a band width of about 50 to 100 μm, usually called a street line 53, provided between the steps 50. Inside the single chip 50, there is provided a region 51 in which actual circuit butter is formed, and a plurality of bonding bunts 52 located around the region 51. now,
Typhoid fever 50 dimensions F)X5+11711, spot light 1
Assuming that the three dimensions are 5 mm x 50 μm, when the spot light 13 irradiates the region 51, the circuit pattern has a two-dimensional and complicated shape, and scattered light is generated in all directions. Therefore, the photoelectric signal of the photoelectric element 4 has a large value on average while the spot light 13 is moving within the region 51. Furthermore, when the spot light 13 illuminates the vicinity of the bat 52, the Hakuto 5
Since the width of the bat row in which the batts 2 are lined up is usually about 100 μm, the thickness of the photoelectric signal changes as the spot light 13 moves. Furthermore, the spotlight 13 is the street line 53
When irradiated with light, the street line 53 has the characteristic of totally reflecting the normal light, that is, has the characteristic of hardly scattering it, so the photoelectric signal becomes an extremely small piece. The above-mentioned changing state of the photoelectric signal is reproduced in almost the same way at any position on the wafer 6 as long as the longitudinal direction of the spot light 13 is larger than the length of the negative side of the chip 5°.

このようにスポット光13をスリット状に細長くするこ
とによって、ウェハ6上のバター/密度(例えばスポッ
ト光13で照射される範囲内に存在する微細な線バター
/の本数等)の変化を平滑化して検出することができる
By elongating the spotlight 13 in the form of a slit in this way, changes in butter/density on the wafer 6 (for example, the number of minute butter lines existing within the range irradiated by the spot light 13) are smoothed out. can be detected.

また、第3図に示したように、スポット光13げストリ
ートライ153と平行を保ちつつ チップ50の配列方
向に沿って移動するが、このときスポット光13とウェ
ハ16との関係は第4図のようになる。ウェハ16には
同一のパターンを有する複数のチップ50がマトリック
ス状に形成されるが、その一方の列、すなわち紙面で左
右方向のチップ50は、一般にウェハ6の周囲の一部を
直線的に切欠いたフラットFと平行に並ぶ。このフラッ
トFUウェハ6の粗い位置決め(プリアライメントと呼
ばれる。)のだめの基準端となるものである。そして、
ステージ7にはウェハ6を載置して回転する回転補正機
構が組み込−!わでおり、ブリアライメント時にフラッ
トIJステーン7の一方の移動方向、例えは第4図に示
すX方向と平行に定められる。これにより、ステージ7
の互いに直交する2つの移動方向X+ Yと、ウエノ・
6上の互いに直交する2つのストリートライ153とが
それぞれ平行になる。このようにフーリアライメントさ
れた状態で、スポット光13をウエノ・6に照射しつつ
、ステージ7をX方向、又はX方向に移動すれは、ウェ
ハ6の表面はスポット光13によって走査されることに
なる。この際第4図に示すように、ステージ7をX方向
に移動するときはスポット光13は、X方向に細長く延
びたスリット状とし、X方向に移動するときは、X方向
に細長く延ひたスリット状とする。これは例えばシリ/
トリカルレンズ2の母線方向を90°回転されることに
よって行なわ才する〇 さて、ウェハ6はステージ7の座標系xyに回転ずれな
く載置しなければならない。そこでこの回転ずれの検出
についての原理的な説明を第5図、第6図に基づき述べ
る。第5図はウェハ6を1リアライメ/トで概ね回転な
く座標系xyに位置決めした状態を示し、さらにウェハ
6上でX方向に距離したけ離れ、かつX方向に一列に並
んだ2つのチップ50を示す。ここで距離りはテップ5
0のX方向の配列ピッチの整数倍で、なるべく大きな値
になるように定められている。ます、スポット光13を
X方向に伸びたスリット状にし、このスポット光13が
ウェハ6の左側のチップ50に重なるようにステージ7
を位置決めする。このとき信号処理部11はステージ7
の座標値を位置センサー12から読み込み記憶する。そ
の値を位置Xo + Yo とする。次に信号処理部1
1はステージ7をチップ50のX方向の配列ピンチ分よ
りも長い距離たけX方向に走査し、スポット光13の移
動に伴う散乱光の強度分布を抽出し、て記憶する。
In addition, as shown in FIG. 3, the spotlight 13 moves along the arrangement direction of the chips 50 while remaining parallel to the street light 153. At this time, the relationship between the spotlight 13 and the wafer 16 is as shown in FIG. become that way. A plurality of chips 50 having the same pattern are formed in a matrix on the wafer 16, but one row of the chips 50, that is, the chips 50 in the left and right direction in the paper, are generally formed by linearly cutting out a part of the periphery of the wafer 6. Line up parallel to flat F. This serves as a reference end for rough positioning (referred to as pre-alignment) of the flat FU wafer 6. and,
The stage 7 has a built-in rotation correction mechanism that rotates the wafer 6 on it! One direction of movement of the flat IJ stainless steel 7 during the bridge alignment is determined, for example, parallel to the X direction shown in FIG. 4. This results in stage 7
The two mutually orthogonal moving directions X+Y and the
The two street lies 153 on 6 that are perpendicular to each other become parallel to each other. If the stage 7 is moved in the X direction or in the X direction while irradiating the wafer 6 with the spot light 13 in this Fourier aligned state, the surface of the wafer 6 will be scanned by the spot light 13. Become. At this time, as shown in FIG. 4, when the stage 7 is moved in the X direction, the spotlight 13 is in the form of a slit extending in the X direction; Shape it into a slit. For example, Siri/
This is done by rotating the generatrix direction of the trical lens 2 by 90 degrees. Now, the wafer 6 must be placed on the stage 7 in the coordinate system xy without rotational deviation. Therefore, the principle of detecting this rotational deviation will be explained based on FIGS. 5 and 6. FIG. 5 shows a state in which the wafer 6 has been positioned in the xy coordinate system with approximately no rotation in one realignment, and furthermore, two chips 50 are placed on the wafer 6 at a distance in the X direction and lined up in the X direction. shows. Here the distance is step 5
It is an integral multiple of the arrangement pitch of 0 in the X direction, and is determined to be as large as possible. First, make the spot light 13 into a slit shape extending in the
position. At this time, the signal processing section 11
The coordinate values of are read from the position sensor 12 and stored. Let that value be the position Xo + Yo. Next, signal processing section 1
1, the stage 7 is scanned in the X direction by a distance longer than the arrangement pinch of the chip 50 in the X direction, and the intensity distribution of scattered light accompanying the movement of the spot light 13 is extracted and stored.

第6図(a)fdこのときの強要分布Aを表わ[、に図
であり、縦軸に散乱光の強度I、横軸にX方向の位置を
表わ−toウェハ6の左側のチップ50と50の間にあ
るX方向に伸ひたストリートライン53のところでは、
スポット光13がチップ50を走査しでいるときの散乱
光強度よりもかなり低くなる。このため、位置yoから
y2まで走査する間の位置y1で、強度■けボトム(最
小値)になる。次に信号処理部11はステージ7は座標
値(Xo+yo)に戻し、その位置からy座標値を変化
させることなくX方向に距離したけステージ7を移動さ
せ、スポット光13がウェハ6の右側に位置するチップ
50と重なるように制御する。
Figure 6 (a) fd represents the forced distribution A at this time, where the vertical axis represents the intensity I of scattered light, and the horizontal axis represents the position in the X direction - to the chips on the left side of the wafer 6 At the street line 53 extending in the X direction between 50 and 50,
The intensity of the scattered light is considerably lower than the intensity of the scattered light when the spot light 13 scans the chip 50. Therefore, the intensity bottoms out (minimum value) at position y1 during scanning from position yo to y2. Next, the signal processing unit 11 returns the stage 7 to the coordinate value (Xo+yo) and moves the stage 7 from that position by a distance in the X direction without changing the y coordinate value, so that the spot light 13 is directed to the right side of the wafer 6. It is controlled so that it overlaps with the chip 50 located.

ここで再びステージ7を位置y2までX方向に走査し、
散乱光の強度分布を抽出する。第6図(b)はこのとき
の強度分布Bを表わす図であり、縦軸と横軸はそれぞれ
第6図(a)と同一である。ここでウェハ6の右側のチ
ップ間のストリートライ153げ位置y。からy2呼で
の間の位置y3にあることがわかる。そして信号処理部
11げ2つの強度分布A(!:Bとの相関演算を行ない
、ス) IJ−トライン53による波形上のボトムがも
つともマツチングしたときの両強度分布A、BのX方向
のすれ量、す々、わちYx Y3を演算する。
Here, the stage 7 is scanned in the X direction again to position y2,
Extract the intensity distribution of scattered light. FIG. 6(b) is a diagram showing the intensity distribution B at this time, and the vertical and horizontal axes are respectively the same as in FIG. 6(a). Here, the street lie 153 between the chips on the right side of the wafer 6 is located at y. It can be seen that it is at position y3 between y2 and y2 calls. Then, the signal processing unit 11 performs a correlation calculation with the two intensity distributions A (!:B) and calculates the deviation in the X direction of both intensity distributions A and B when the bottom of the waveform by the IJ-trine 53 is matched. Calculate the quantity, ie, Yx Y3.

尚、このすれ量を検出する方法と(7て、例えけスト 
!J−)ライン53を含む前後の一定距離(配列ピッチ
よりも小さな値)から予め散乱光の強度分布を抽出し、
この分布の波形を基準バター/として記憶し、強度分布
A、Hのそれぞれについて、基準パターンとの相関度を
演算して位置y1とysをめた後、yl−ysの演算全
行なってもよい。
In addition, the method of detecting this amount of wear (7), for example,
! J-) Extract the intensity distribution of scattered light in advance from a certain distance (a value smaller than the array pitch) before and after the line 53,
The waveform of this distribution may be stored as a reference butter/, and after calculating the degree of correlation with the reference pattern for each of the intensity distributions A and H to determine the positions y1 and ys, the entire calculation of yl-ys may be performed. .

以上のようにしてずれ量がまったら、ウェハ6の回転量
θは次の式(1)により近似演算される〇θ−(yl 
)’3)/L ・・・・・・(1)従って、原理的には
、この回転量θたけウェハ6を回転補正すれはよい訳だ
が、この方法のみに頼っていると次のような問題が生じ
る。贅ず第1の問題iJ、上記のように回転量θが算出
されたとしても、ウェハ6を回転する機構の精度がそれ
に伴なわない場合、ウェハ6を回転補正した後、再びウ
ェハ6の回転量を検出する動作を繰り返す必要があり、
回転補正に長時間を要することが起り得る点である。そ
して第2の問題は、距離りに対してテップ50の大きさ
が極端に小さい場合、ステージ7をX方向に距離したけ
送ったとき、ウェハ6の回転によって、スポット光13
がX方向に並んだ同一列上の左右のチップを走査しない
ことが生じる点である。この第2の問題点は重大な誤差
の原因になる。すなわち、ウェハ6上の左側のチップと
右側のチップとでX方向に配列ピッチの整数倍(零を含
まず)だけずれたテップ同志をバター/マツチングして
しまい、距離りに対して配列ピンチの整数倍の回転誤差
が残存してしまうことである。
Once the amount of deviation has been determined as described above, the amount of rotation θ of the wafer 6 can be approximated using the following equation (1).〇θ−(yl
)'3)/L... (1) Therefore, in principle, it would be good to correct the rotation of the wafer 6 by the amount of rotation θ, but if you rely only on this method, the following will occur. A problem arises. The first problem iJ is that even if the rotation amount θ is calculated as described above, if the accuracy of the mechanism for rotating the wafer 6 does not correspond to it, then after correcting the rotation of the wafer 6, the rotation of the wafer 6 is calculated again. It is necessary to repeat the operation of detecting the amount,
This is a point where rotation correction may take a long time. The second problem is that when the size of the step 50 is extremely small relative to the distance, when the stage 7 is moved a distance in the X direction, the rotation of the wafer 6 causes the spot light 13 to
This is the point where the left and right chips on the same row in the X direction are not scanned. This second problem causes significant errors. In other words, the chips on the left side and the chip on the right side of the wafer 6 are butter/matched with tips that are shifted by an integral multiple (not including zero) of the array pitch in the X direction, and the array pinch is different from the distance. The problem is that a rotation error of an integral multiple remains.

そこで上記第2の問題点を解決する本発明の実施例を第
7図を用いて説明する。第7図は座標系xy[対してウ
ェハ6がθだけ回転しているのを極端に表わしたもので
あり、座標系αβはウェハ6上のチップの配列座標であ
る。そ(,7てまずウェハ6の右側の1つのチップとX
方向のストI)−トライ/とが走査できるようにスポッ
ト光13aを位置決めする。そしてステー ′)7をX
方向に所定距離たけ走査して散乱光の強度分布のテーク
を抽出シ、基準パターン(プンフレート)とのバター/
マツチ/りにより、そのテクノに付随しにストリートラ
イ/の位置y5を検出する。次に、チップのβ軸(β軸
)方向の配列ヒップ(又はチップの大きさ)=&CP、
プリアライメ/ト等の精度に応じて起り得るウェハ6の
回転誤差をε。、0よりも大きく0.5以下の係数’t
a、1以上の整数をnと(−だとき、信号処理部11は
、次の式(2)。
Therefore, an embodiment of the present invention that solves the above second problem will be described using FIG. 7. FIG. 7 is an extreme representation of the wafer 6 being rotated by θ with respect to the coordinate system xy[, where the coordinate system αβ is the arrangement coordinate of the chips on the wafer 6. (,7) First, one chip on the right side of wafer 6 and
The spot light 13a is positioned so that it can scan in the direction I)-TRY/. And stay ′) 7 to
Scan a predetermined distance in the direction to extract the intensity distribution of the scattered light, and compare it with the reference pattern (punch rate).
By matching /, the position y5 of the street lie / associated with the techno is detected. Next, the arrangement hip (or chip size) in the β-axis (β-axis) direction of the chip = &CP,
The rotation error of the wafer 6 that may occur depending on the accuracy of pre-alignment, etc. is ε. , a coefficient 't greater than 0 and less than or equal to 0.5
When a is an integer greater than or equal to 1 and n is (-, the signal processing unit 11 uses the following equation (2).

(3)を同時に満足する距離dを算出する。A distance d that simultaneously satisfies (3) is calculated.

d<a−CP/ε。 ・・・・・・ (2)d=n−C
P ・・・・・・ (3) 距離dは次に散乱光の強度分布を抽出するために位置す
べきスポット光13bのスポット光13aからのX方向
の距離を表わす。こうしてスポット光13aから距離d
の位置にスポット光13bを位置決めしてから、X方向
にステージ7を走査して、散乱光の強度分布のデータを
抽出する。このとき、上記式(2) 、 (3)により
距離dを定めたので、スポット光13bの走査範囲中に
存在するストリートラインは、スポット光13aの走査
範囲中に存在したストリートライ/と同一のものである
。すなわち、座標系αβのα軸に沿って一列に並んだ複
数のテップに関して距離dたけ離れた2つの位置で散乱
光のX方向の強度分布を抽出したことになる。さて、ス
ポット光13bの走査により抽出したデータから、バタ
ー/マツチングによりストリートライ/の位置y6を検
出する。
d<a-CP/ε.・・・・・・ (2) d=n−C
P... (3) The distance d represents the distance in the X direction from the spot light 13a to the spot light 13b to be located in order to extract the intensity distribution of the scattered light next. In this way, the distance d from the spot light 13a
After positioning the spotlight 13b at the position, the stage 7 is scanned in the X direction to extract data on the intensity distribution of the scattered light. At this time, since the distance d is determined by the above formulas (2) and (3), the street line existing in the scanning range of the spotlight 13b is the same as the street line / existing in the scanning range of the spotlight 13a. It is something. That is, the intensity distribution of the scattered light in the X direction is extracted at two positions separated by a distance d with respect to a plurality of steps arranged in a line along the α axis of the coordinate system αβ. Now, from the data extracted by scanning the spot light 13b, the position y6 of the street lie/ is detected by butter/matching.

次に信号処理部1111″i′位置y5とy6のずれ量
と距離dとに基づいて式(4)により回転量θ0を算出
する。
Next, the rotation amount θ0 is calculated by equation (4) based on the amount of deviation between the signal processing unit 1111''i' positions y5 and y6 and the distance d.

θo−(y5 y6)/a ・・・・・・ (4)さて
、この回転量θOには距離dがウェハ6上で、距離りよ
りも短かいために誤差分が含まれている。
θo-(y5 y6)/a (4) Now, this amount of rotation θO includes an error because the distance d is shorter than the distance on the wafer 6.

そこで、この距離dで回転量θ。を検出した位置におけ
るX方向の誤差分(検出精度)を第8図に示すようにδ
。とする。また第8図において、スポット光13aのX
方向の位置をPl、スポット光13bのX方向の位置を
P2とする。そして位置P0から距離したけX方向に離
れ、かつX軸に対して回転量θ0で決まる角度方向の位
置P3にスポット光13cを位置決めして散乱光のX方
向の強度分布を抽出し、基準バター/とのマツチ/りを
行ない、その強度分布と基準バター/とのすれ量をめた
とき、その起り得るすれ量を61とすると距離りは第8
図に示すような幾(”J学的な関係から式(5)によっ
て表わされる。
Therefore, the rotation amount θ is determined by this distance d. The error (detection accuracy) in the X direction at the detected position is δ as shown in Figure 8.
. shall be. In addition, in FIG. 8, the X of the spot light 13a
The position in the direction is Pl, and the position of the spotlight 13b in the X direction is P2. Then, the spot light 13c is positioned at a position P3 that is a distance away from the position P0 in the X direction and in an angular direction determined by the rotation amount θ0 with respect to the X axis, and the intensity distribution of the scattered light in the X direction is extracted. When comparing the intensity distribution with / and calculating the amount of rubbing between the standard butter and /, and assuming that the possible amount of rubbing is 61, the distance is 8th.
It is expressed by equation (5) from the geometrical relationship shown in the figure.

L=d・(δ、/δ。) ・・・・・・ (5)さらに
、ずれ量δ1もX方向の配列ピンチ(又はテップの大き
さ)CPの1/2よりも小さいものにするとすれば、 δ] < a−CP ・・・・・・(6)で表わされる
L=d・(δ, /δ.) (5) Furthermore, if the deviation amount δ1 is also made smaller than 1/2 of the arrangement pinch (or step size) CP in the X direction, For example, δ] < a-CP (6).

そこで上記式(5) 、 (6)から信号処理部11は
次の式(7) 、 (8)を同時に満足するような最適
な距離りを算出する。
Therefore, from the above equations (5) and (6), the signal processing unit 11 calculates an optimal distance that simultaneously satisfies the following equations (7) and (8).

L<(a−cP−d)/δo −・・(7)L−n−C
P ・・・・・・ (8) 次に信号処理部11は、位置P工(スポット光13aの
位置)からX方向に距離りだけステージ7を移動させる
とともに、ざらにX方向に回転量θ0で決筐る量(L・
θ0)だけ移動させた位置P3に停止させる。ここでス
ポット光13cをX方向に走査して散乱光の強度分布を
抽出し、バター/マツチングによりチップに付随したス
トリートラインのX方向の位置y7を検出する。ここで
検出したストリートライ/はスポット光13aの走査で
検出したストリートラインと同一のものであり、スポッ
ト光13aと13cの走査が同一列中の左右のチップに
関して行なわれたことになる。
L<(a-cP-d)/δo - (7) L-n-C
P... (8) Next, the signal processing unit 11 moves the stage 7 by a distance in the X direction from the position P (the position of the spot light 13a), and roughly rotates the stage 7 in the X direction by a rotation amount θ0. The amount determined by (L・
It is stopped at position P3, which is moved by θ0). Here, the spot light 13c is scanned in the X direction to extract the intensity distribution of the scattered light, and the position y7 of the street line attached to the chip in the X direction is detected by butter/matching. The street line / detected here is the same as the street line detected by the scanning of the spotlight 13a, which means that the scanning of the spot lights 13a and 13c was performed on the left and right chips in the same column.

そして信号処理部11は先にスポット光13aの走査で
めた位置y5と、スポット光13cの走査でめた位置y
7とに基づいて、次の近似式(9)でウェハ6の正確な
回転量θを算出する。
Then, the signal processing unit 11 selects the position y5 previously found by scanning the spotlight 13a and the position y found by scanning the spot light 13c.
7, the accurate rotation amount θ of the wafer 6 is calculated using the following approximate equation (9).

θ””(y53’7)/L ・・・・・・ (9)以上
のような方法で回転量θをめれば、距離りに対してチッ
プの大きさが極単に小さい場合でも、同一列中の左右の
ナツプに関してバター/マツチングを行なうことができ
るので、先に述へた第2の問題点は解決される。そして
信号処理部11によって回転量θたけウェハ6を回転補
正すわばよい訳であるか、1度の回転補正たけでは回転
補正機構のn度によって誤差を補正しきれずに、回転誤
差Δθか残存する。この回転誤差Δθを繰り返し回転補
正し、て誤差Δθを零まで追い込むことは可能であるか
、そうすると先に述べた第1の問題点が生じてしまう。
θ""(y53'7)/L... (9) If you calculate the amount of rotation θ using the above method, even if the size of the tip is extremely small compared to the distance, it will be the same. Since buttering/matching can be performed on the left and right naps in the row, the second problem mentioned above is solved. Then, it may be sufficient to just correct the rotation of the wafer 6 by the amount of rotation θ by the signal processing unit 11, or if the rotation is corrected only once, the error cannot be completely corrected by the n degrees of the rotation correction mechanism, and the rotation error Δθ remains. . Is it possible to repeatedly correct this rotational error Δθ and reduce the error Δθ to zero? If so, the first problem mentioned above will occur.

そこで第1の問題点を解決する本発明の実施例を引き続
き説明する。
An embodiment of the present invention that solves the first problem will now be described.

まずウェハ6を算出した回転量θに応じて1度たけ回転
補正する。そして信号処理部11げ再ひウェハ6上でX
方向に距離L(ただしL=n−CP)たけ離れて位置す
る2つのテップとそれに付随したストリートラインとを
含む局所部分を、それぞれスポット光13でX方向に例
えば第5図のように走査して、その局所部分から生じた
散乱光の強度分布を抽出し、バター/マツチ/りにより
両局所部分のX方向の位置ずれ量Δyを演算する。そし
て距離りとの関係から、残存回転誤差Δθを次の式(1
0)によってめる。
First, the rotation of the wafer 6 is corrected once according to the calculated rotation amount θ. Then, the signal processing unit 11 is regenerated and the X
A local area including two steps located a distance L (where L=n-CP) apart in the direction and a street line attached thereto is scanned in the X direction with the spotlight 13, for example, as shown in FIG. Then, the intensity distribution of the scattered light generated from the local portion is extracted, and the amount of positional deviation Δy in the X direction of both local portions is calculated using Butter/Match/Resolution. From the relationship with the distance, the residual rotation error Δθ is calculated using the following formula (1
0).

Δθ=Δy/L ・・曲 (1o) 次に信号処理部11は第9図に示すように位置すれ量Δ
yをめた2つの位置P、、P5に対して予め決められた
位@P aを含む局所部分をX方向に伸ひたスポット光
13dとX方向に伸びたスポット光13eとでそれぞれ
X方向とX方向に走査し、その局所部分から生じた散乱
光の2次元的な強度分布を抽出する。尚、位置P6の位
置P4゜P5に対する相対位置は位置合せすべき全ての
ウェハに関して同一に定められている。そして、信号処
理部11は予め1枚目のウェハの位置P6に相当する局
所部分から抽出しておいた散乱光の2次元的な強度分布
のデータを、テンプレートとして、このテンプレートと
ウェハ6の位置P6の局所部分の強度分布データとをパ
ター/マツチングし、テ/フーレートに対するずれ量を
める。このずれ量を補正するようにステージ7を位置決
めすわけ、1枚目のウェハの位置P6に相当する位置に
、2枚目り降のウェハ6の位置P6がスポット光13に
関して位置合せさねたことになる。すなわち、1枚のウ
ェハの2次元的な位置が、2枚目以降のウェハ6につい
て再現されたことになる。
Δθ=Δy/L...Song (1o) Next, the signal processing unit 11 calculates the positional deviation amount Δ as shown in FIG.
A spot light 13d extending in the X direction and a spot light 13e extending in the is scanned in the X direction, and the two-dimensional intensity distribution of scattered light generated from that local portion is extracted. Note that the relative position of position P6 with respect to positions P4 and P5 is determined to be the same for all wafers to be aligned. Then, the signal processing unit 11 uses data of the two-dimensional intensity distribution of scattered light extracted in advance from a local portion corresponding to the position P6 of the first wafer as a template, and uses this template and the position of the wafer 6. Patter/matching is performed with the intensity distribution data of the local portion of P6, and the amount of deviation from the Te/Fu rate is calculated. The stage 7 is positioned so as to correct this amount of deviation, and the position P6 of the second wafer 6 is not aligned with the spot light 13 at the position corresponding to the position P6 of the first wafer. It turns out. In other words, the two-dimensional position of one wafer is reproduced for the second and subsequent wafers 6.

そして、この再現された位置P6のナツプを原点として
ステージ7を2次元移動すれば、ウェハ6上の所望のチ
ップを顕微鏡14の観察視野内、又は70−バーのプロ
ーブ針の直下に位置決めできる。しかしながら位置P6
から離れる程、残存回転誤差Δθのために位置ずねが大
きくなってくる。
Then, by moving the stage 7 two-dimensionally with the reproduced nap at position P6 as the origin, a desired chip on the wafer 6 can be positioned within the observation field of the microscope 14 or directly below the 70-bar probe needle. However, position P6
The further away from the position, the larger the positional shift due to the residual rotational error Δθ.

ところでウェハ6上の各チップのX方向とX方向の大き
さくあるいは配列ピッチ)をそれぞれα。。
By the way, the size or arrangement pitch of each chip in the X direction and the X direction on the wafer 6 is α, respectively. .

β0とすわば、例えは位置P6のチノフー中心を原点と
するように配列座標系αβを定めたとき、各テクノの中
心は座標糸αβにおいて、m、nをそれぞれ整数とした
とき(mα0% nβ0)の座標値にマトリックス状に
分布する。そこで残存回転誤差Δθを考慮して、座標系
αβにおける位置を座標系xyにおける位置に変換E〜
でみると、次の式(11)、(12)で表わされる。
Speaking of β0, for example, when the array coordinate system αβ is set so that the origin is the center of Chinofu at position P6, the center of each techno is the coordinate thread αβ, and when m and n are integers, (mα0% nβ0 ) is distributed in a matrix in the coordinate values. Therefore, considering the residual rotation error Δθ, convert the position in the coordinate system αβ to the position in the coordinate system xy E~
This is expressed by the following equations (11) and (12).

x=m・α。・cos(Δθ)十n・β。・5in(Δ
θ)・・・・・・(11) y=n−μ0−cos(Δθ)−m・α0・5in(2
0戸・・・・・(12) 誤差Δθは極めで小さいので、COS (Δθ)キ1.
5in(Δθ)キΔθとすると、式(11)、(12)
はそれぞれ式(13)、(14)のように近似される。
x=m・α.・cos(Δθ) tenn・β.・5in(Δ
θ)...(11) y=n-μ0-cos(Δθ)-m・α0・5in(2
0 houses...(12) Since the error Δθ is extremely small, COS (Δθ) Ki1.
When 5in(Δθ) is set to Δθ, formulas (11) and (12)
are approximated as shown in equations (13) and (14), respectively.

x=m・α。+n・β。・Δθ ・・・(13)y=n
・β。−m・α。・Δθ ・・・(14)この式(13
)、(14)によって決まる座標値(x、y)に従えは
、座標系αβで(m・α0、n・β0)の位置にあるチ
ップを顕微鏡14やプローブ針の直下に位置合せするよ
うにステージ7を位置決めするとき、そのチップに対し
てはステージ7の位置が(n・β。・Δθ、−m・α0
・Δθ)だけ補正されることになる。
x=m・α. +n・β.・Δθ ... (13) y=n
・β. -m・α.・Δθ ... (14) This formula (13
), according to the coordinate values (x, y) determined by (14), the chip at the position (m・α0, n・β0) in the coordinate system αβ is aligned directly under the microscope 14 or the probe needle. When positioning the stage 7, the position of the stage 7 with respect to the chip is (n・β.・Δθ, -m・α0
・Δθ) will be corrected.

この様子を第10図、第11図に示す。第10図は残存
回転誤差Δθの補正を行なわずに、ステージ7を位置決
めり、たときの様子を表わし、第11図は残存回転誤差
Δθを補正してステージ7を位置決めたときの様子を表
わす。第10図、第11図で点線で示した矩形は、プロ
ーブ針が位置する領域30を各ナラフル対応させて表わ
したものである。補正しないでステージ7を位置決めす
ると、位置P6のテップC1げぞれ自身の回転誤差のみ
かめるたけで、よく位置合ぜさねでいるが、チップC]
からX方向(α方間)に離れたテップc21 c3につ
いては領域30との位置すれが誤差Δθに対し、て順次
増大していく。ところが第11図のように補正すること
によって、各チップC1゜”21 C3の中心はX軸上
に位置し、各チップc11 c2 + c3と領域30
とを位置合せしたとき、チップと領域30の相対的な回
転誤差が残るのみで、ウェハ6上の全てのチップに対し
て同等の位置合せ精度が得られる。
This situation is shown in FIGS. 10 and 11. Fig. 10 shows the situation when the stage 7 is positioned without correcting the residual rotational error Δθ, and Fig. 11 shows the situation when the stage 7 is positioned after correcting the residual rotational error Δθ. . The rectangles indicated by dotted lines in FIGS. 10 and 11 represent the regions 30 where the probe needles are located corresponding to each naraful. If the stage 7 is positioned without correction, the tip C1 at position P6 will only have its own rotational error, and will be well aligned, but the tip C1
Regarding the steps c21 to c3 that are distant from , in the X direction (alpha direction), the positional misalignment with the area 30 increases sequentially with respect to the error Δθ. However, by making the correction as shown in FIG. 11, the center of each chip C1゜''21 C3 is located on the
When aligned, only a relative rotational error between the chips and the region 30 remains, and the same alignment accuracy can be obtained for all chips on the wafer 6.

(発明の効果) 以上のように本発明によりげ、ウェハ等の基板の回転誤
差を検出した後、−回だけ基板を回転袖正すればよいの
で、極めて高速である1、シかも回転補止後に再度基板
の残存回転誤差を検出し7て、座標系xyに沿った位置
決めの際、その残存回転誤差に応じて位置決めすべき位
置をxy力方向補正するようにしたので、例えば70−
フ針を基板上の全チップに対して同等の高精度で位置合
せできるという効果が得られる。
(Effects of the Invention) As described above, according to the present invention, after detecting the rotational error of a substrate such as a wafer, it is only necessary to correct the rotation of the substrate by − times. Later, the remaining rotational error of the board is detected again and when positioning along the xy coordinate system, the position to be positioned is corrected in the xy force direction according to the residual rotational error, so for example 70-
The effect is that the needle can be aligned with the same high precision for all chips on the board.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の実施例に好適な位置合せ装置の概略的
な構成図、第2図はスポット光を形成する光学系の斜視
図、第3図はスポット光とチップの関係を示す平面図、
第4図はウエノ・とスポット光の2次元的な関係を示す
平面図、第5図は本発明の詳細な説明するための図、第
6図げバター/マツチフグに使われる散乱光の強度分布
を示す波形図、第7図は本発明の詳細な説明するための
図、第8図はウェハの回転量の算出方法を説明する図、
第9図は、位置合せのための動作を説明する図、第10
図、第11図は残存回転誤差の補正動作を説明する図で
ある。 〔主要部分の符号の説明〕 5・・・レーザ光束、6・・・ウェハ、7・ステージ、
11・・・信号処理部、12・・・位置セ/ザー、13
・・・スポット光、50.Cユ+C2+C3・・・チッ
プ、53・・・ストリートライン 出願人 日本光学工業株式会社 代理人 渡 辺 隆 男
Fig. 1 is a schematic configuration diagram of an alignment device suitable for an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a perspective view of an optical system that forms a spot light, and Fig. 3 is a plane showing the relationship between the spot light and the chip. figure,
Fig. 4 is a plan view showing the two-dimensional relationship between Ueno and spot light, Fig. 5 is a diagram for explaining the invention in detail, Fig. 6 is intensity distribution of scattered light used for gebutter/matsuchi puffer fish. FIG. 7 is a diagram for explaining the present invention in detail; FIG. 8 is a diagram for explaining the method of calculating the amount of rotation of the wafer;
FIG. 9 is a diagram explaining the alignment operation, and FIG.
11A and 11B are diagrams illustrating the operation of correcting the residual rotation error. [Explanation of symbols of main parts] 5. Laser beam, 6. Wafer, 7. Stage,
11...Signal processing unit, 12...Position sensor, 13
...Spot light, 50. Cyu + C2 + C3... Chip, 53... Street Line Applicant Nippon Kogaku Co., Ltd. Agent Takashi Watanabe

Claims (1)

【特許請求の範囲】 所定の大きさのチップを所定のピッチで2次元的に複数
配列した基板を直交座標系xyに沿って位置決めする装
置において、 前記基板上の第1局所領域中のパター/に応じた第1情
報と、該第1局所領域から前記チップの配列方向に前記
ピッチリ略整数倍の距離だけ離れた第2局所領域中のパ
ター/に応じた第2情報とを抽出するパター/情報抽出
手段と;繭記第1情報と第2情報の相関性に基づいて前
記基板の前記座標系xyに関する回転誤差を検出し、そ
の回転誤差を補正するように前記基板を回転する回転誤
差補正手段と;該回転補正された基板の残存回転誤差を
検出する手段と;該残存回転誤差に応じて助記基板を前
記座標系xyのX方向とX方向に関して補正して位置決
めする手段とを含むことを特徴とする位置決め装置。
[Scope of Claims] An apparatus for positioning a substrate on which a plurality of chips of a predetermined size are two-dimensionally arranged at a predetermined pitch along an orthogonal coordinate system xy, comprising: a putter in a first local area on the substrate; and second information corresponding to the putter/ in a second local area that is separated from the first local area by a distance of approximately an integral multiple of the pitch in the chip arrangement direction. information extraction means; rotational error correction for detecting a rotational error of the substrate with respect to the coordinate system xy based on the correlation between the first information and the second information, and rotating the substrate so as to correct the rotational error; means for detecting a residual rotational error of the rotationally corrected substrate; and means for correcting and positioning the auxiliary substrate in the X direction and the X direction of the coordinate system xy according to the residual rotational error. A positioning device characterized by:
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