JPS60239470A - 高温用液晶性化合物および組成物 - Google Patents
高温用液晶性化合物および組成物Info
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- JPS60239470A JPS60239470A JP9718684A JP9718684A JPS60239470A JP S60239470 A JPS60239470 A JP S60239470A JP 9718684 A JP9718684 A JP 9718684A JP 9718684 A JP9718684 A JP 9718684A JP S60239470 A JPS60239470 A JP S60239470A
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- Japan
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- trans
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- Heterocyclic Compounds That Contain Two Or More Ring Oxygen Atoms (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規な液晶性化合物および該化合物を含有する
液晶組成物に関するものである。
液晶組成物に関するものである。
液晶性化合物が有する光学異方性および誘電異方性を利
用して、液晶表示素子に数多の液晶化合物が用いられて
いる。周知のように、液晶表示素子は用いられる液晶材
料の示す種々の電気光学効果に対応して、ねじれネマチ
ック型、動的散乱型、ＤＡＰ型、相遷移型、ゲスト・ホ
スト歴など各種の方式のものが用いられている。
用して、液晶表示素子に数多の液晶化合物が用いられて
いる。周知のように、液晶表示素子は用いられる液晶材
料の示す種々の電気光学効果に対応して、ねじれネマチ
ック型、動的散乱型、ＤＡＰ型、相遷移型、ゲスト・ホ
スト歴など各種の方式のものが用いられている。
液晶材料としてはか＼る表示方式、用途に応じて、種々
の特性をもつものが使い分けられており、例えば誘電異
方性値（以下△εと略記する）が正であるものが用いら
れたり、△εが負であるものが用いられたりする。いず
れの表示方式の液晶表示素子においても用いられる液晶
材料は該表示素子の使用される温度において液晶相を示
していることが要求される。最近は特に広い温度範囲に
おいて液晶相を示す液晶材料が要求されている。
の特性をもつものが使い分けられており、例えば誘電異
方性値（以下△εと略記する）が正であるものが用いら
れたり、△εが負であるものが用いられたりする。いず
れの表示方式の液晶表示素子においても用いられる液晶
材料は該表示素子の使用される温度において液晶相を示
していることが要求される。最近は特に広い温度範囲に
おいて液晶相を示す液晶材料が要求されている。
本発明の目的は、少量の添加により液晶組成物の温度範
囲を高温側に拡げることができる液晶化合物を提供する
こと、および該化合物を成分とする広い液晶温度範囲を
有する液晶組成物を提供することにある。
囲を高温側に拡げることができる液晶化合物を提供する
こと、および該化合物を成分とする広い液晶温度範囲を
有する液晶組成物を提供することにある。
従来から透明点の高い液晶性化合物を成分とした液晶組
成物が液晶材料として用いられているが、液晶材料の用
途によってはこれら既存の高温液晶成分だけでは充分で
なく、より高い透明点を有する液晶性化合物がめられる
。さらに、液晶組成物の粘性、組成物を用いた液晶表示
素子の応答速度などの材料の使用目的および組成物の構
成成分の違いなどに応じて種々の高温液晶物質が使い分
けられている。既存の高温液晶化合物としては、特開昭
５９−３９８７６号公報記載のピリミジン誘導体や特開
昭５６−１ □６４□９０号、＠記載。７２２オヤヶ、
誘導体が透明点が１５０〜２００℃と高い化合物として
知られている。
成物が液晶材料として用いられているが、液晶材料の用
途によってはこれら既存の高温液晶成分だけでは充分で
なく、より高い透明点を有する液晶性化合物がめられる
。さらに、液晶組成物の粘性、組成物を用いた液晶表示
素子の応答速度などの材料の使用目的および組成物の構
成成分の違いなどに応じて種々の高温液晶物質が使い分
けられている。既存の高温液晶化合物としては、特開昭
５９−３９８７６号公報記載のピリミジン誘導体や特開
昭５６−１ □６４□９０号、＠記載。７２２オヤヶ、
誘導体が透明点が１５０〜２００℃と高い化合物として
知られている。
（発明の構成）
本発明は一般式
％式％（）
（式中、Ｒ１またはＲ２は水素基または炭素数１〜ｌＯ
のフルキル基もしくはアルコキシ基を示されるビシクロ
ヘキシルベンゼン誘導体、および該化合物を含有する液
晶組成物である。
のフルキル基もしくはアルコキシ基を示されるビシクロ
ヘキシルベンゼン誘導体、および該化合物を含有する液
晶組成物である。
次に本発明の化合物の製造法について述べる。
本発明の化合物は特開昭５８−１０５５２号公報に示さ
れた方法で合成される４−〔トランス−４−（）ランス
−４−置換シクロヘキシル）シクロヘキシル〕ベンゾニ
トリル（ｎ）から製ａする本発明の化合物、５−置換−
２−（４−（）ランス−４−（）ランス−４−置換シク
ロヘキシル）シクロヘキシル〕フェニル）−１，３−ジ
オキサン（Ｉａ）は、ギ酸水溶液中でラネーニッケルを
触媒として（■）を還元し、ベンズアルデヒド誘導体佃
）とした後、０１ｌ）と２−置換−１，３−プロパンジ
オールとｆ ｐ −）ルエンスルホン酸ヲ触媒として縮
合させて得られる。
れた方法で合成される４−〔トランス−４−（）ランス
−４−置換シクロヘキシル）シクロヘキシル〕ベンゾニ
トリル（ｎ）から製ａする本発明の化合物、５−置換−
２−（４−（）ランス−４−（）ランス−４−置換シク
ロヘキシル）シクロヘキシル〕フェニル）−１，３−ジ
オキサン（Ｉａ）は、ギ酸水溶液中でラネーニッケルを
触媒として（■）を還元し、ベンズアルデヒド誘導体佃
）とした後、０１ｌ）と２−置換−１，３−プロパンジ
オールとｆ ｐ −）ルエンスルホン酸ヲ触媒として縮
合させて得られる。
化合物は次のようにして合成される。すなわち、（ＩＩ
）にメタノール溶液中で塩化水素ガスを通じてイミドエ
ーテル塩酸塩（問とし、（転）に７ンモニ７を反応させ
て７ミジン塩酸塩（■）にした後、（Ｖ）にα−置換−
β−ジメチル７ミノ７クロレインを反応させて５−置換
−２−［４−（）ランス−４−（トランス−４−ｔｉｉ
換シクシクロヘキシ）シクロヘキシル〕フェニル］ピリ
ミジンＣ１ｂ）が得られる。
）にメタノール溶液中で塩化水素ガスを通じてイミドエ
ーテル塩酸塩（問とし、（転）に７ンモニ７を反応させ
て７ミジン塩酸塩（■）にした後、（Ｖ）にα−置換−
β−ジメチル７ミノ７クロレインを反応させて５−置換
−２−［４−（）ランス−４−（トランス−４−ｔｉｉ
換シクシクロヘキシ）シクロヘキシル〕フェニル］ピリ
ミジンＣ１ｂ）が得られる。
以上を反応式で示すと次のようになる。
（Ｖ）
（Ｖ） ＋ （ａＨ，）、Ｎ−ｃｎ＝ｃＲ”−ｃａｏ
−一→Ｃ１ｂ） 本発明の化合物を例示すれば、 ５−ジチル−２−（４−［）ランス−４−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］フェニ
ル）１．３−ジオキサン、５−ブチル−２−（４−（）
ランス−４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）
シクロヘキシル〕フェニル）−１，３−ジオキサン、５
−ブチル−２−（４−（）ランス−４−（トランス−４
−ペンチルシクロヘキシル）シクロへ午シル）フェニル
）−１，３−ジオキサン、５−ペンチル−２−（４−（
）ランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）シクロヘキシル〕フェニル）−１，３−ジオキサン
、５−へブチル−２−（４−（）ランス−４−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕フ
ェニル） １ｔ３−ジオキサン、５−ブチル−２−（４
−（）ランス−４−（トランス−４−プロポキシシクロ
ヘキシル）シクロヘキシル〕フェニル） −１，３−ジ
オキサン、５−ブチル−２−（４−（）ランス−４−（
トランス−４−ブトキシシクロヘキシル）シクロヘキシ
ル〕フェニル）−１，３−ジオキサン、５−ブチル−２
−（４−（）ランス−４−（トランス−４−ペンチルオ
キシシクロヘキシル）シクロヘキシル〕フェニル）−１
，３−ジオキサン、５−フロピルー２−（４−（）ラン
ス−４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）シク
ロヘキシル〕フェニル〕ピリミジン、 ５−メチル−２−（４−（トランス−４−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕フェニ
ル〕ピリミジン、５−プロピル−２−（４−（）ランス
−４−（トランス−４−プロポキシシクロヘキシル）シ
クロヘキシル〕フェニル〕ピ替ミジン、５−フロピル−
２−（４−（）ランス−４−（トランス−４−ブトキシ
シクロヘキシル）シクμヘキシル〕フェニル〕ピリミジ
ン、などをあげることができる。
−一→Ｃ１ｂ） 本発明の化合物を例示すれば、 ５−ジチル−２−（４−［）ランス−４−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］フェニ
ル）１．３−ジオキサン、５−ブチル−２−（４−（）
ランス−４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）
シクロヘキシル〕フェニル）−１，３−ジオキサン、５
−ブチル−２−（４−（）ランス−４−（トランス−４
−ペンチルシクロヘキシル）シクロへ午シル）フェニル
）−１，３−ジオキサン、５−ペンチル−２−（４−（
）ランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）シクロヘキシル〕フェニル）−１，３−ジオキサン
、５−へブチル−２−（４−（）ランス−４−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕フ
ェニル） １ｔ３−ジオキサン、５−ブチル−２−（４
−（）ランス−４−（トランス−４−プロポキシシクロ
ヘキシル）シクロヘキシル〕フェニル） −１，３−ジ
オキサン、５−ブチル−２−（４−（）ランス−４−（
トランス−４−ブトキシシクロヘキシル）シクロヘキシ
ル〕フェニル）−１，３−ジオキサン、５−ブチル−２
−（４−（）ランス−４−（トランス−４−ペンチルオ
キシシクロヘキシル）シクロヘキシル〕フェニル）−１
，３−ジオキサン、５−フロピルー２−（４−（）ラン
ス−４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）シク
ロヘキシル〕フェニル〕ピリミジン、 ５−メチル−２−（４−（トランス−４−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕フェニ
ル〕ピリミジン、５−プロピル−２−（４−（）ランス
−４−（トランス−４−プロポキシシクロヘキシル）シ
クロヘキシル〕フェニル〕ピ替ミジン、５−フロピル−
２−（４−（）ランス−４−（トランス−４−ブトキシ
シクロヘキシル）シクμヘキシル〕フェニル〕ピリミジ
ン、などをあげることができる。
本発明の詳細について後記する実施例によって説明する
。
。
（発明の効果）
本発明の化合物は透明点（以下Ｎ−Ｉ点と略記する）が
非常に高く、例えば２−（４−（）ラン／Ｅ、−４−（
）ランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシ
ル〕フェニル）−５−プロピルピリミジンのＮ−Ｉ点は
３００℃以上であり、１，３−ジオキサン誘導体もＮ−
Ｉ点が高い。従って本発明の化合物単独では液晶表示素
子の材料としては用いられないが、本発明のビシクロヘ
キシルベンゼン誘導体は、４個（Ｄ６員環を有する液晶
性化合物としては比較的低粘度であり、さらに他の液晶
性化合物との相溶性も良いので表示素子用の液晶組成物
の成分として用いることができ、本発明の化合物を少量
添加することにより液晶組成物の透明点を上昇させる仁
とができる。
非常に高く、例えば２−（４−（）ラン／Ｅ、−４−（
）ランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシ
ル〕フェニル）−５−プロピルピリミジンのＮ−Ｉ点は
３００℃以上であり、１，３−ジオキサン誘導体もＮ−
Ｉ点が高い。従って本発明の化合物単独では液晶表示素
子の材料としては用いられないが、本発明のビシクロヘ
キシルベンゼン誘導体は、４個（Ｄ６員環を有する液晶
性化合物としては比較的低粘度であり、さらに他の液晶
性化合物との相溶性も良いので表示素子用の液晶組成物
の成分として用いることができ、本発明の化合物を少量
添加することにより液晶組成物の透明点を上昇させる仁
とができる。
実施例１
５−ブチル−２−（４−（）ランス−４−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕フェニ
ル）−１，３−ジオキサン ４−〔トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）シフ四ヘキシル〕ベンゾニド替ル５！？を７
０％ギ酸水溶液１００−に加え、ラネーニッケル５ｆを
加え７０℃で７時間加熱撹拌した。冷却後反応混合液に
クロロホルム１０Ｃ１ｌＲｔを加えてニッケル触媒をＦ
別し、Ｆ液に５チ炭酸水素す）ＩＪウム水溶液を加えて
過剰のギ酸を中和し、クロロホルム層を分液後洗潜水が
中性になるまで水洗した。このクロロホルム溶液から溶
媒を留去し、残留物をヘプタン溶液から再結晶によりベ
ンズアルデヒド誘導体゛３．４ｔを得た。この化合物は
液晶相を示した。
４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕フェニ
ル）−１，３−ジオキサン ４−〔トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）シフ四ヘキシル〕ベンゾニド替ル５！？を７
０％ギ酸水溶液１００−に加え、ラネーニッケル５ｆを
加え７０℃で７時間加熱撹拌した。冷却後反応混合液に
クロロホルム１０Ｃ１ｌＲｔを加えてニッケル触媒をＦ
別し、Ｆ液に５チ炭酸水素す）ＩＪウム水溶液を加えて
過剰のギ酸を中和し、クロロホルム層を分液後洗潜水が
中性になるまで水洗した。このクロロホルム溶液から溶
媒を留去し、残留物をヘプタン溶液から再結晶によりベ
ンズアルデヒド誘導体゛３．４ｔを得た。この化合物は
液晶相を示した。
得られた４−〔トランス−４−（トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕ベンズアルデヒド
２．Ｏｆをトルエン３０−に溶解し、２−ブチル−１，
３−プロパンジオール０．８１ｒとｐ−）ルエンスルホ
ン酸０．１Ｆとを加えて２時間加熱還流させた。冷却後
トルエン１００−と純水１００−とを加え、分液後トル
エン溶液を洗液が中性になるまで水洗した。
ルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕ベンズアルデヒド
２．Ｏｆをトルエン３０−に溶解し、２−ブチル−１，
３−プロパンジオール０．８１ｒとｐ−）ルエンスルホ
ン酸０．１Ｆとを加えて２時間加熱還流させた。冷却後
トルエン１００−と純水１００−とを加え、分液後トル
エン溶液を洗液が中性になるまで水洗した。
得られたトルエン溶液からトルエンを溜去し、残留物を
トルエン−７七トン混合溶媒（２：Ｂ）を用いて再結晶
法により目的物である５−ブチル−２−（４−（）ラン
ス−４−（トランス−、不腎り瞠ヘキシル）シクロヘキ
シル〕フェニル−１，３−ジオキサン１．１２を得た。
トルエン−７七トン混合溶媒（２：Ｂ）を用いて再結晶
法により目的物である５−ブチル−２−（４−（）ラン
ス−４−（トランス−、不腎り瞠ヘキシル）シクロヘキ
シル〕フェニル−１，３−ジオキサン１．１２を得た。
この物の結晶−スメクチック相転移点（Ｃ−８点と略す
）ａ７７．９℃、スメクチック−ネマチック相転移点（
８−Ｎ点と略す）は２１４．０〜２１５．８℃、ネマチ
ック−等方性液相転移点（Ｎ−Ｉ点と略す）は２３８℃
であった。
）ａ７７．９℃、スメクチック−ネマチック相転移点（
８−Ｎ点と略す）は２１４．０〜２１５．８℃、ネマチ
ック−等方性液相転移点（Ｎ−Ｉ点と略す）は２３８℃
であった。
実施例２
５−フロピル−２−（４−）ランス−４−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシルフェニル
〕ピリミジン ４−〔トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）シクロヘキシル〕ベンゾニトリル１０．Ｏｆ
と無水のメタノール１．６１Ｆとを乾燥したトルエン溶
媒５０ｍに加え、１０〜２０℃で塩化水素ガスを吸収さ
せ、４時間後に塩化水素の通気を止め、塩化カル７ウム
管をつけて吸湿を防止して一夜放置した。反応混合物か
ら生成した結晶を戸別し、減圧下に塩化水素を除去して
イミドエーテル塩酸塩を得た。このイミドエーテル塩酸
塩７．７１を無水のエタノール２８０−に−１＃解し、
３０〜４０℃でアンモニアガスを３時間通じた後、−夜
装置した。この反応液から溶媒と低沸分を減圧下に溜去
した残留物としてアミジン塩酸塩を得た。この粗アミジ
ン塩酸塩０．！５５ｊ’と水酸化ナトリウム０．１４１
Ｆイ をメタノール５０ｒｎｔに加え、５０℃で撹拌し、これ
にα−プロピル−β−ジメチル７ミノアクロレイン０．
２４ｔのメタノール浴ｇ’ｌ Ｏｍを徐々に滴下し、そ
の後６時間反応熟成を行なった。
４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシルフェニル
〕ピリミジン ４−〔トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）シクロヘキシル〕ベンゾニトリル１０．Ｏｆ
と無水のメタノール１．６１Ｆとを乾燥したトルエン溶
媒５０ｍに加え、１０〜２０℃で塩化水素ガスを吸収さ
せ、４時間後に塩化水素の通気を止め、塩化カル７ウム
管をつけて吸湿を防止して一夜放置した。反応混合物か
ら生成した結晶を戸別し、減圧下に塩化水素を除去して
イミドエーテル塩酸塩を得た。このイミドエーテル塩酸
塩７．７１を無水のエタノール２８０−に−１＃解し、
３０〜４０℃でアンモニアガスを３時間通じた後、−夜
装置した。この反応液から溶媒と低沸分を減圧下に溜去
した残留物としてアミジン塩酸塩を得た。この粗アミジ
ン塩酸塩０．！５５ｊ’と水酸化ナトリウム０．１４１
Ｆイ をメタノール５０ｒｎｔに加え、５０℃で撹拌し、これ
にα−プロピル−β−ジメチル７ミノアクロレイン０．
２４ｔのメタノール浴ｇ’ｌ Ｏｍを徐々に滴下し、そ
の後６時間反応熟成を行なった。
反応混合物に水２００１ｄとトルエン２００−を加えて
生成物をトルエン層に抽出し、希塩酸で中和後、トルエ
ン層を洗滌液が中性になるまで水洗した。このトルエン
溶液から溶媒と残存する低沸分を溜去した残留物をトル
エン溶液から再結晶によって目的の５−プロピル−２−
〔４−〔トランス−４−（トランス−４−プロピルシク
ロヘキシル）シクロヘキシル〕フェニル〕ピリミジン０
．２Ｆを得た。
生成物をトルエン層に抽出し、希塩酸で中和後、トルエ
ン層を洗滌液が中性になるまで水洗した。このトルエン
溶液から溶媒と残存する低沸分を溜去した残留物をトル
エン溶液から再結晶によって目的の５−プロピル−２−
〔４−〔トランス−４−（トランス−４−プロピルシク
ロヘキシル）シクロヘキシル〕フェニル〕ピリミジン０
．２Ｆを得た。
この物のＣ−８点は１０２．５℃、５−ＮＡけ１′７５
゜１℃、Ｎ−Ｉ点Ｖ１３００℃以上であった。
゜１℃、Ｎ−Ｉ点Ｖ１３００℃以上であった。
実施例３（使用例）
なる液晶組成物（Ａ）のＮ−Ｉ点は５２℃、Δεは１１
．２．２０℃における粘度は２３．４ ｃｐ でありた
。この液晶組成物（Ａ）８５重量％に実施例１で製造し
た５−ブチル−２−（４−（）ランス−４−（）ランス
−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕フェ
ニル）−１，３−ジオキサ７１５４量−を加えた液晶組
成物のＮ−１点は８２．０℃、Δεは１ｏ、２．２０℃
における粘度は２９．６Ｃｐであった。
．２．２０℃における粘度は２３．４ ｃｐ でありた
。この液晶組成物（Ａ）８５重量％に実施例１で製造し
た５−ブチル−２−（４−（）ランス−４−（）ランス
−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕フェ
ニル）−１，３−ジオキサ７１５４量−を加えた液晶組
成物のＮ−１点は８２．０℃、Δεは１ｏ、２．２０℃
における粘度は２９．６Ｃｐであった。
実施例４（使用例）
実施例３で用いた液晶組成物（蜀の屈折率異方性（Δｎ
と略記する）は０．１１．９であり、この組成物を厚さ
１０μｍのＴＮセルに封入したものの印加電圧４．６Ｖ
、２５℃における立上り時間（τ１と略記する）は２５
ｍ−５ｅｅ、立下り時間（τｄと略記する）は６２ｍ−
５ｅｃであった。組成物（Ａ）９０重量％に実施例２で
示した５−プロピル−２−（４−（）ランス−４〜（ト
ランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル
〕フェニル〕ピリミジン１０重量％を加えた液晶組成物
のＮ−Ｉ点は７１．９℃、Δｎは０．１２９であった。
と略記する）は０．１１．９であり、この組成物を厚さ
１０μｍのＴＮセルに封入したものの印加電圧４．６Ｖ
、２５℃における立上り時間（τ１と略記する）は２５
ｍ−５ｅｅ、立下り時間（τｄと略記する）は６２ｍ−
５ｅｃであった。組成物（Ａ）９０重量％に実施例２で
示した５−プロピル−２−（４−（）ランス−４〜（ト
ランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル
〕フェニル〕ピリミジン１０重量％を加えた液晶組成物
のＮ−Ｉ点は７１．９℃、Δｎは０．１２９であった。
また該組成物を前述のＴＮセルに封入した時の印加電圧
４．６Ｖ、２５’Ｃにおけるτ１は２４ｍ−５ｅｃ、τ
ｄは６３ｍ−５ｅｃであった。
４．６Ｖ、２５’Ｃにおけるτ１は２４ｍ−５ｅｃ、τ
ｄは６３ｍ−５ｅｃであった。
特許出願人チッソ株式会社
代理人 弁理士 佐々井 彌太部
同 上 野中克彦
Claims (2)
- （１）一般式 （式中、Ｒ１またはＲ２は水素基または炭素数１〜１０
のアルキル基もしくはアルコキシ基で表わされるビシク
ロヘキシルベンゼン誘導体。 - （２）一般式 （式中、Ｒ１またはＲ２は水素基または炭素数１〜１０
のアルキル基もしくはアルコキシ基で表わされるビシク
ロヘキシルベンゼン誘導体を含有することを特徴とする
液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9718684A JPH0751573B2 (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | 高温用液晶性化合物および組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9718684A JPH0751573B2 (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | 高温用液晶性化合物および組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60239470A true JPS60239470A (ja) | 1985-11-28 |
| JPH0751573B2 JPH0751573B2 (ja) | 1995-06-05 |
Family
ID=14185547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9718684A Expired - Lifetime JPH0751573B2 (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | 高温用液晶性化合物および組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0751573B2 (ja) |
-
1984
- 1984-05-15 JP JP9718684A patent/JPH0751573B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0751573B2 (ja) | 1995-06-05 |
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