JPS60239036A - Semiconductor wafer prober - Google Patents

Semiconductor wafer prober

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JPS60239036A
JPS60239036A JP9542784A JP9542784A JPS60239036A JP S60239036 A JPS60239036 A JP S60239036A JP 9542784 A JP9542784 A JP 9542784A JP 9542784 A JP9542784 A JP 9542784A JP S60239036 A JPS60239036 A JP S60239036A
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semiconductor wafer
wafer
semiconductor
prober
wafers
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JP9542784A
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Yoshie Hasegawa
義栄 長谷川
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Abstract

PURPOSE:To check generation of electrically inferior contact at a semiconductor wafer prober by a method wherein an air washer to blow gas containing no impurity against a wafer is provided in the transportation cource of the semiconductor wafer to be measured, and the surface of the wafer is cleaned prior to functional measurement of ICs provided to the wafer. CONSTITUTION:A full automatic semiconductor wafer prober is constructed of a probing machine part and a wafer transportation part, and wafers are transferred onto a belt conveyer BC by moving upwards and downwards cassettes CA1, CA2 loading with the wafers in multistages according to an elevator mechanism provided to the transportation part. Moreover an X-Y table TB, a Z table not shown in the figure, and an image pickup device ITV are provided to the machine part, and moreover a microscope MS and a CRT to project a monitor picture and placed adjoining thereto are provided on the Z table. After then, the microscope MS is laid down, the prober is positioned to the place thereof, and various characteristics of the wafer are measured, while at this time, clean air is jetted from an air shower AS provided to the machine part, and the surface of the wafer sucked to a chuck CT is cleaned.

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、半導体ウェハプローバに関するもので、例
えば、全自動半導体ウェハプローバに利用して有効な技
術に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a semiconductor wafer prober, and relates to, for example, a technique effective for use in a fully automatic semiconductor wafer prober.

〔背景技術〕[Background technology]

半導体ウェハの最終チェック工程を担う半導体ウェハプ
ローバにおいては、半導体ウェハの大口径化が進むにつ
れて、ピンセットレスあるいは他の工具類を用いた人手
による作業の困難性に伴い、いわゆるピンセットレス化
、言い換えれば、半導体ウェハの自動ロード、アンロー
ド化が「電子材料j誌1978年11月号の頁139〜
頁143によって公知である。すなわち、複数枚(例え
ば25枚)の半導体ウェハが収納される収納容器(カセ
ット)からそこに収納されている半導体ウェハを順次1
枚づつ丸ベルトコンベヤにより、ロードステージ(コー
スアライメントステージ)に移送する。そして、この半
導体ウェハをベルヌーイチャック等を使用してブロービ
ングマシン部のウェハチャックトップ(測定台)に搬送
させる。次に、測定が終了した半導体ウェハは、ウェハ
チャックトップからアンロードステージに吹き出し空気
圧等により搬出され、丸ベルトコンベアにより収納容器
に収められる。以上により、半導体ウェハ表面に対して
完全に無接触の状態でブロービングマシン部に半導体ウ
ェハの搬入、*出がなされる。
Semiconductor wafer probers, which are responsible for the final checking process of semiconductor wafers, have become so-called tweezers-less, or in other words, due to the increasing diameter of semiconductor wafers, it has become difficult to perform manual work using tweezers or other tools. , automatic loading and unloading of semiconductor wafers was published in ``Electronic Materials J Magazine, November 1978 issue, pages 139~
143. In other words, the semiconductor wafers stored in the storage container (cassette) containing a plurality of semiconductor wafers (for example, 25 wafers) are sequentially loaded one by one.
The sheets are transferred one by one to the load stage (coarse alignment stage) by a round belt conveyor. Then, this semiconductor wafer is transported to a wafer chuck top (measuring table) of a blobbing machine section using a Bernoulli chuck or the like. Next, the semiconductor wafer on which the measurement has been completed is carried out from the wafer chuck top to the unloading stage by blowing air pressure or the like, and placed in a storage container by a round belt conveyor. As described above, the semiconductor wafer is carried into and taken out of the blobbing machine section in a completely non-contact state with respect to the surface of the semiconductor wafer.

ところで、半導体ウェハの製造工程においては、精密な
写真技術によって回路パターンを形成することから、ク
リーンルームで半導体ウェハの取り扱いがなされる。し
かしながら、ブロービング工程においては、コンピュー
タシステムを利用したrc(集積回路)テスター等の一
部を構成する普通紙を用いたプリンター等が設置された
部屋で行ねれる。このため、上記のようにビンセットレ
ス化を図った場合でも、その空気中には比較的多くの埃
を含むものであるため、半導体ウェハに微細な埃が付着
してしまう。この埃自体は半導体ウェハ上に完成された
半導体集積回路装置の回路機能に悪影響を及ぼすことは
ない。
By the way, in the manufacturing process of semiconductor wafers, since circuit patterns are formed using precise photographic technology, semiconductor wafers are handled in a clean room. However, the blobbing process is performed in a room equipped with a printer using plain paper, which is part of an RC (integrated circuit) tester using a computer system. For this reason, even if a bin setless system is attempted as described above, since the air contains a relatively large amount of dust, fine dust will adhere to the semiconductor wafer. This dust itself does not adversely affect the circuit function of the semiconductor integrated circuit device completed on the semiconductor wafer.

しかしながら、半導体ウェハの表面に微細(数十μ)な
埃が付着してしまうと、半導体ウェハ上に完成された半
導体集積回路のボンディングバソドに細い線条のプロー
ブ針を押し当て信号の授受を行う時に、接触不良の原因
になるものである。
However, if fine dust (several tens of microns) adheres to the surface of the semiconductor wafer, a thin wire probe needle is pressed against the bonding bath of the semiconductor integrated circuit completed on the semiconductor wafer to send and receive signals. This sometimes causes poor contact.

なぜなら、上記プローブ針の接触端は、その径が約50
μ程度であるので、極めて微細な埃によっても電気的な
接触不良が生じるものとなるからである。このような電
気的な接触不良が生じると、良品の半導体・集積回路を
不良品としてしまうため、マスクドウェハ工程で費やし
た費用がみすみす無駄に、言い換えるならば、半導体集
積回路装置の歩留りを悪化させて、そのコストを高くし
てしまうという問題が生じる。
This is because the diameter of the contact end of the probe needle is approximately 50 mm.
This is because even extremely fine dust can cause electrical contact failures since the thickness is about μ. When such electrical contact failures occur, good semiconductors/integrated circuits become defective, which means that the money spent in the masked wafer process is wasted, and in other words, the yield of semiconductor integrated circuit devices deteriorates. Therefore, the problem arises that the cost becomes high.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

この発明の目的は、測定の高信頼化を実現した半導体ウ
ェハプローバを提供することにある。
An object of the present invention is to provide a semiconductor wafer prober that achieves high measurement reliability.

この発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
この明細書の記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。
The above and other objects and novel features of this invention include:
It will become clear from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、エアーシャワーを半導体ウェハの移送経路に
設け、その測定に先立って半導体ウェハの表面のクリー
ニングを行うものである。
That is, an air shower is provided in the transfer path of the semiconductor wafer, and the surface of the semiconductor wafer is cleaned prior to the measurement.

〔実施例〕〔Example〕

第1図には、この発明が適用された全自動半導体ウェハ
プローバの一実施例の外観図が示されている。
FIG. 1 shows an external view of an embodiment of a fully automatic semiconductor wafer prober to which the present invention is applied.

同図の全自動半導体ウェハプローバは、大きく別けると
、ブロービングマシン部と半導体ウェハの移送部に分け
られる。半導体ウェハの移送部は、複数枚の半導体ウェ
ハを縦方向に多段構成に収納するカセットCAL、CA
2が設置されるエレベータ機構と、このエレベータ機構
と、上記ブロービングマシン部に対するロードステージ
とアンロードステージとの間で上記半導体ウェハの移送
を行う丸ベルトコンベアBCと?こより構成される。
The fully automatic semiconductor wafer prober shown in the figure can be roughly divided into a blowing machine section and a semiconductor wafer transfer section. The semiconductor wafer transfer section includes cassettes CAL and CA that store a plurality of semiconductor wafers in a multi-stage configuration in the vertical direction.
2, and a round belt conveyor BC that transfers the semiconductor wafer between the elevator mechanism and the load stage and unload stage for the blowing machine section. It consists of this.

上記ロードステージは、ここに移送されてきた半導体ウ
ェハを回転させて、そのオリエンテーションフラットを
検出する手段が設けられ、半導体ウェハのθ方向の位置
合わせの予備的な動作がなされる。
The load stage is provided with means for rotating the semiconductor wafer transferred thereto and detecting its orientation flat, and performs a preliminary operation of positioning the semiconductor wafer in the θ direction.

一方、ブロービングマシン部は、外観上は見えないが、
X−YテーブルX−YTBにより構成される。このX−
YテーブルX−YTBは、ウェハチャックトップ(半導
体ウェハ載置台)が取り付けられており、パルスモータ
により駆動され、高精密な位置制御がなされる。上記ウ
ェハチャックトップは、半導体ウェハを真空吸着する吸
着孔と、後述するように測定が終了した半導体ウェハを
アンロードステージに搬出させるための吹き出し孔(上
記吸着孔と供用するものであってもよい)が設けられて
いる。また、上記ウェハチップトッフハ、Zステージが
設けられており、上記X−YテーブルX−YTBの上部
の開口部に取り付けられた固定プローブボードのプロー
ブ針に対して半導体ウェハを押し上げて、半導体ウェハ
のポンディングパッドとプローブ針の接触端との電気的
接触を行わせる。
On the other hand, although the blobbing machine part is not visible from the outside,
It is composed of an X-Y table X-YTB. This X-
A wafer chuck top (semiconductor wafer mounting table) is attached to the Y table X-YTB, which is driven by a pulse motor for highly precise position control. The wafer chuck top has a suction hole for vacuum suctioning the semiconductor wafer, and a blow-off hole for transporting the semiconductor wafer after measurement to the unloading stage (which may also be used in conjunction with the suction hole described below). ) is provided. Further, the wafer chip top and Z stage are provided, and the semiconductor wafer is pushed up against the probe needles of the fixed probe board attached to the opening at the top of the X-Y table X-YTB. Electrical contact is made between the bonding pad of the probe needle and the contact end of the probe needle.

顕微鏡MSは、上記開口を通してプローブ針の接触端と
半導体ウェハの表面との位置合わせ(針合わせ)を確認
するためのもの、あるいは後述するような自動位置合わ
せが故障等の時等に予備的なマニアル操作による針合わ
せの観察に使用するためのものである。
The microscope MS is used to confirm the alignment (needle alignment) between the contact end of the probe needle and the surface of the semiconductor wafer through the above-mentioned aperture, or to confirm the alignment (needle alignment) between the contact end of the probe needle and the surface of the semiconductor wafer, or as a preliminary inspection in case of failure of automatic alignment as described later. It is used for observing manual needle alignment.

なお、上記ロードステージにおいてそのオリエンテーシ
ョンフラットの検出が終了した半導体ウェハは、後述す
るようなトランスファーアームによってロードポジショ
ンに移動させられたウェハチャックトップに搬入される
。このロードポジション上には、自動針合わせを実現す
るため、テレビジョンカメラ等で構成された撮像装置I
TVが設けられる。この撮像装置ITVによって形成さ
れた半導体ウェハのディジタル化された回路パターン信
号は、図示しない画像処理装置によってパターン認識が
行われ、そのポンディングパッドの位置の識別が行われ
る。ディスプレイ装置CRTは、主トシてそのモニター
画面を表示させるものである。
The semiconductor wafer whose orientation flat has been detected on the load stage is transferred to a wafer chuck top that is moved to a load position by a transfer arm as described later. Above this load position, an imaging device I consisting of a television camera etc. is installed in order to realize automatic needle adjustment.
A TV is provided. The digitized circuit pattern signal of the semiconductor wafer formed by the image pickup device ITV is pattern recognized by an image processing device (not shown), and the position of the bonding pad is identified. The display device CRT is used as a main device to display its monitor screen.

操作パネルPNLは、上記動作の起動や停止等のマニア
ルによる各種制御信号を入力するものである。
The operation panel PNL is used to input various manual control signals such as starting and stopping the above operations.

また、ブロービングマシン部(X−YテーブルX −Y
 T B ;/)(格納された部分〉の上iPLは、特
に制限されないが、同図に矢印で示したように上部に開
放できるような構成になっている。これは、この上蓋P
Lを開いた状態にしてプローブ針が固定されたプリント
基板(固定プローブボード)の装填を行うものである。
In addition, the blobbing machine part (X-Y table
T B ;/) (The stored part) The upper iPL is configured so that it can be opened at the top as shown by the arrow in the same figure, although it is not particularly limited.
A printed circuit board (fixed probe board) to which probe needles are fixed is loaded with L open.

このため、上記顕微鏡MSは、同図に矢印で示したよう
に前後に回転することができる機能が設けられており、
上記上蓋PLを開’% ml に顕微鏡MSが後方に倒
される。このような構成にしたのは、後述するように半
導体ウェハの移送経路全体の防塵を行うにあたり、この
上蓋PLを外気から遮断させるカバーとしても利用する
ためのものである。
For this reason, the microscope MS is equipped with a function that allows it to rotate forward and backward as indicated by the arrow in the figure.
The upper lid PL is opened and the microscope MS is tilted backward. The reason for this configuration is to use the upper lid PL as a cover to block the outside air from dust-proofing the entire semiconductor wafer transfer path as will be described later.

第2図には、上記第1FI!Jに示した全自動半導体ウ
ェハプローバにおける内部の主要機構の概略図が示され
ている。したがって、第1図における顕@@MS、ディ
スプレイ装置CRT及び撮像装置ITVは示されていな
い。
Figure 2 shows the above 1st FI! A schematic diagram of the main internal mechanisms in the fully automatic semiconductor wafer prober shown in FIG. Therefore, the microscope @@MS, the display device CRT, and the image pickup device ITV in FIG. 1 are not shown.

上記ブロービングマシン部は、上述のようにその上面に
載置された半導体ウェハの吸引固定するウェハチャック
トップCTをX−YテーブルX−YTBによりX、Y方
向に移動させ、又はθ方向に回転させることにより、固
定されたプローブボード等で構成され、尖端が測定箇所
に対応して配列されたプローブ針(探針)に対してウェ
ハチップ(半導体集積回路)のポンディングパッドに位
置合わせするものである。この位置合わせにあたっては
、特に制限されないが、上記ロードポジションLPにお
いて、半導体ウェハをθ方向に回転させてアライニング
、すなわち、半導体ウェハにおけるチップの配列のX軸
と、上記X−Yテーブル−X−YTBのX軸とを一致さ
せる。また、上記パターン認識動作によって、そのポン
ディングパッドの位置検出が行われる。この位置検出デ
ータに基づいて、ウェハチャックトップCTを最初に測
定を行う半導体集積回路(チップ)が固定プローブボー
ド上のプローブ針の位置に移動させられた時のポンディ
ングパッドの位置が算出され、自動針合わせが行われる
ものである。これにより、測定すべき最初のウェハチッ
プのポンディングパッドとプローブ針の尖端との自動位
置合わせが行われる。以下、連続してX方向又はY方向
に1チップ間隔づつ移動させることにより、自動的に他
のウェハチップのポンディングパッドに対する探針の位
置合わせが行われる。これらのX−YテーブルX−YT
Bの移動制御は、パルスモータを用いて高精度に行われ
る。また、ウェハチャックトップCTは、エア又はパル
スモータを用いて2方向(アップ/ダウン)に移動させ
られる。すなわち、X−YテーブルX−YTBによる位
置合わせ動作は、ウェハチャックトップCTを下げた状
態にして行われ、測定時にはウェハチャックトップCT
を押し上げた状態としてプローブ針とウェハチップのボ
ンディングパソドとを所要の接触圧をもって接触させて
電気的接続を得るものである。
As described above, the blowing machine section moves the wafer chuck top CT, which suctions and fixes the semiconductor wafer placed on its upper surface, in the X and Y directions or rotates it in the θ direction using the X-Y table X-YTB. A probe consisting of a fixed probe board, etc., whose tip is aligned with the bonding pad of a wafer chip (semiconductor integrated circuit) with a probe needle (tip) arranged corresponding to the measurement location. It is. Although not particularly limited, alignment is performed by rotating the semiconductor wafer in the θ direction at the load position LP, that is, aligning the X-axis of the chip arrangement on the semiconductor wafer with the X-Y table -X- Match the X axis of YTB. Furthermore, the position of the bonding pad is detected by the pattern recognition operation. Based on this position detection data, the position of the bonding pad is calculated when the semiconductor integrated circuit (chip) to be measured first on the wafer chuck top CT is moved to the position of the probe needle on the fixed probe board. Automatic needle adjustment is performed. This automatically aligns the tip of the probe needle with the bonding pad of the first wafer chip to be measured. Thereafter, by continuously moving the probe in the X direction or the Y direction at intervals of one chip at a time, the probe is automatically aligned with the bonding pads of other wafer chips. These X-Y tables X-YT
Movement control of B is performed with high precision using a pulse motor. Further, the wafer chuck top CT is moved in two directions (up/down) using air or a pulse motor. That is, the positioning operation by the X-Y table X-YTB is performed with the wafer chuck top CT lowered, and during measurement, the wafer chuck top CT is
With the probe needle pushed up, the probe needle and the bonding pad of the wafer chip are brought into contact with a required contact pressure to establish an electrical connection.

このようなステージ機構は、周知であるのでより詳細な
説明を省略する。
Since such a stage mechanism is well known, a more detailed explanation will be omitted.

上記トランスファアームTBは、例えば、半導体ウェハ
の表面より無接触の下に吸着するベルヌーイチャックが
使用され、これを同図では左右に移動させることにより
、ロードステージLSに移送された半導体ウェハをロー
ドボジシッンLPまで移動させられたウェハチャックト
ップCTに搬入させる。また、測定が終了した半導体ウ
ェハは、ウェハチャックトップCTがアン四−ドポジシ
ジンULに移動させられた後、その吸着口から逆にエア
等の吹き出しが行われること等により、移送部のアンロ
ードステージUSに搬出される。
The transfer arm TB uses, for example, a Bernoulli chuck that attracts the semiconductor wafer below the surface without contact, and by moving this chuck from side to side in the figure, the semiconductor wafer transferred to the load stage LS is moved to the load position LP. The wafer is carried into the chuck top CT which has been moved to In addition, after the semiconductor wafer has been measured, after the wafer chuck top CT is moved to the unloading position UL, air is blown out from the suction port, etc., and the semiconductor wafer is moved to the unload stage of the transfer section Exported to US.

このような、半導体ウェハの自動ロード、アンロード機
構を備えたブロービングマシン部(同図では左側の部分
)に対して、半導体ウェハ移送部(同図では右側の部分
)が設けられる。この実施例における半導体ウェハ移送
部はそれぞれ半導体ウェハが収納される第1図に示した
ような収納容器(カセッ))CAI、CA2等が設置さ
れる4個のエレベータ機構E1〜E4と、コースアライ
メントステージとしても作動するロードステージLS及
びアンロードステージUSとの間をそれぞれ接続する丸
ベルトコンベアBCが設けられる。
A semiconductor wafer transfer section (the right section in the figure) is provided for a blobbing machine section (the left section in the figure) equipped with such an automatic semiconductor wafer loading and unloading mechanism. The semiconductor wafer transfer section in this embodiment includes four elevator mechanisms E1 to E4 in which storage containers (cassettes) CAI, CA2, etc. as shown in FIG. 1 are installed to store semiconductor wafers, and a course alignment A round belt conveyor BC is provided that connects the load stage LS and unload stage US, which also operate as stages.

この丸ベルトコンベアは、同図において移送部の中央を
縦方向に走る一対の丸ベル1−Blと、この丸ベル1−
Blに対して、その右側にそれぞれ直角方向に走り、上
記エレベータ機構E1〜E4との間を接続する4対の丸
ベル)82〜B5と、上記中央を走る丸ベル)Blに対
して、その左側にそれぞれ直角に走り、上記ロードステ
ージLS、アンロードステージUSとの間を接続する2
対の丸ベル1−B6.B7とにより構成される。各丸ベ
ルトコンベアB1〜B7は、その両端に駆動用ブー1 リーとフリーなプーリーとが設けられるものであり、駆
動用プーリーを同様な丸ベルトを介してモーター(図示
せず)が駆動することによって、一対の丸ベルトからな
るコンベアが走らされ、その上に載せられた半導体ウェ
ハを移送するものである。これらの一対の丸ベルトの両
側には、ガイド(図示せず)が設けられる。これによっ
て、半導体ウェハが一対の丸ベルトから脱落するのを防
止するものである。また、上記丸ベルトコンベア間にお
ける半導体ウェハの受け渡し点(接続点)には、センサ
ー(図示)が設けらる。特に制限されないが、このセン
サーは、光センサーによって構成され、その上部まで移
送された半導体ウェハを検出するものである。例えば、
中央を走る丸ベルトコンベアB1によって上から下に向
かって測定すべき半導体ウェハが移送される場合、上記
センサーによってロードステージLSに接続される位置
まで半導体ウェハが移送されたことが検出されると、こ
の中央を走る丸ベルトコンベアB1は移送動作が停止さ
せられる。そして、ロードステー2 ジLSに接続する丸ベルトコンベアB6は、その動作を
開始させられることによって半導体ウェハの受け渡しを
行うとともにそれをロードステージLSまで移送する。
In the figure, this round belt conveyor includes a pair of round bells 1-Bl running vertically in the center of the transfer section, and this round belt 1-Bl.
Four pairs of round bells ) 82 to B5 run perpendicularly on the right side of Bl and connect with the elevator mechanisms E1 to E4, and a round bell running in the center of the above are connected to the elevator mechanisms E1 to E4. 2 which runs at right angles to the left side and connects with the load stage LS and unload stage US.
Pair of round bells 1-B6. B7. Each of the round belt conveyors B1 to B7 is provided with a driving pulley and a free pulley at both ends, and the driving pulley is driven by a motor (not shown) via a similar round belt. A conveyor consisting of a pair of round belts is run, and the semiconductor wafers placed thereon are transported. Guides (not shown) are provided on both sides of these pair of round belts. This prevents the semiconductor wafer from falling off the pair of round belts. Further, a sensor (shown in the figure) is provided at the transfer point (connection point) of the semiconductor wafer between the round belt conveyors. Although not particularly limited, this sensor is configured by an optical sensor and detects the semiconductor wafer transferred to the top thereof. for example,
When the semiconductor wafer to be measured is transferred from top to bottom by the round belt conveyor B1 running in the center, when the sensor detects that the semiconductor wafer has been transferred to the position where it is connected to the load stage LS, The transfer operation of the round belt conveyor B1 running in the center is stopped. When the round belt conveyor B6 connected to the load stage 2 LS is started to operate, it transfers the semiconductor wafer and transfers it to the load stage LS.

他の経路の半導体ウェハの移送動作も上記とはり同様で
あるので、その説明を省略する。また、上記エレベータ
機構E1等は、例えば特關昭54−48482号公報等
によって公知であるので、その詳細な説明を省略するも
のである。
The semiconductor wafer transfer operations along other routes are also similar to those described above, and therefore their explanations will be omitted. Further, since the elevator mechanism E1 and the like are well known, for example, from Japanese Patent Application Publication No. 54-48482, a detailed explanation thereof will be omitted.

この実施例では、特に制限されないが、上記ウェハチャ
ックトップCTのロードボジシッンLPの左側にエアー
シャワーAsが設けられる。このエアーシャワーAsは
、第3図の概略断面図を参照して次に説明する。
In this embodiment, although not particularly limited, an air shower As is provided on the left side of the load body LP of the wafer chuck top CT. This air shower As will be explained next with reference to the schematic sectional view of FIG.

この実施例のエアーシャワーAsは、複数個の小孔から
ドライチッソのようなりリーンな気体を比較的高い気圧
で噴き出させるものである。これによって、ウェハチャ
ックトップCTにより真空吸着された半導体ウェハWの
表面の埃等を吹き払うものである。なお、上記トランス
ファーアームTAにより半導体ウェハWがウェハチャッ
クトップCTに搬入された後、ウェハチックトップCT
は、一旦上記エアーシャワーAsの下まで移動させられ
、ここで複数回左右に移動させらる。これによって、半
導体ウェハWは、その全面にエアーシャワーASによる
クリーニングが行われるようにされる。そして、百び、
ウェハチャックトップCTは、上記ロードポジションL
Pまで移動させられ、ここで上記自動針台わせのための
パターン認識動作が行われる。
The air shower As of this embodiment blows out a lean gas such as dry nitrogen from a plurality of small holes at a relatively high pressure. This blows away dust and the like on the surface of the semiconductor wafer W vacuum-adsorbed by the wafer chuck top CT. Note that after the semiconductor wafer W is transferred to the wafer chuck top CT by the transfer arm TA, the wafer chuck top CT
is once moved to the bottom of the air shower As, and then moved left and right multiple times. Thereby, the entire surface of the semiconductor wafer W is cleaned by the air shower AS. And a hundred,
The wafer chuck top CT is in the load position L above.
The needle is moved to P, where the pattern recognition operation for automatic needle rest adjustment is performed.

また、測定中で室内の埃が半導体ウェハの表面に付着し
てしまうのを防止するため、上記半導体ウェハの移送径
路に対して同図に点線で示したように防塵カバー等によ
る防塵手段が設けられる。
In addition, in order to prevent dust in the room from adhering to the surface of the semiconductor wafer during measurement, a dust-proof means such as a dust-proof cover is installed on the semiconductor wafer transfer path as shown by the dotted line in the same figure. It will be done.

この防塵手段の構成は、次に第4図を参照して説明する
The structure of this dustproof means will next be explained with reference to FIG.

第4図には、上記防塵手段の要部一実施例の概略断面図
が示されている。
FIG. 4 shows a schematic cross-sectional view of one embodiment of the main part of the dustproof means.

半導体ウェハプローバの内部の全体は、同図に代表とし
て示されているように、上カバーUCと下カバーLC及
び側面のカバー(図示せず)によって覆われている(な
お、上記カバーは、本体カバーそのものであってもよい
)。また、特に制限されないが、上カバーUCには上記
ドライチッソのようなりリーンな気体を吹き出させる小
孔UHが設けられたパイプPPが適当な間隔をもって走
らされるように配置されている。そして、特に制限され
ないが、下カバーLCには、上記排気手段としての排気
孔LHが設けられている。上記バイブPPの気圧は、室
内の気圧より少しだけ高く設定される。すなわち、ドラ
イチッソの消費量が少なくされるとともに、半導体ウェ
ハプローバの内部の気圧がそれが設置された室内の気圧
より少しだけ高く設定されているものである。これによ
って、例えば、上記排気口LH又はカセットからの半導
体ウェハが移送させられる丸ベルトの位置に半導体ウェ
ハが通り抜けることができるよう設けられた開口等から
常に排気が行われるので、このような隙間から室内の埃
等がプローバの内部に侵入することを防止できるもので
ある。
The entire interior of the semiconductor wafer prober is covered by an upper cover UC, a lower cover LC, and side covers (not shown), as shown in the figure. (It can also be the cover itself). In addition, although not particularly limited, pipes PP provided with small holes UH for blowing out lean gas such as dry nitrogen are arranged at appropriate intervals in the upper cover UC. Although not particularly limited, the lower cover LC is provided with an exhaust hole LH as the exhaust means. The air pressure of the vibrator PP is set to be slightly higher than the indoor air pressure. That is, the consumption of dry nitrogen is reduced, and the atmospheric pressure inside the semiconductor wafer prober is set to be slightly higher than the atmospheric pressure in the room in which it is installed. As a result, exhaust is always carried out, for example, from the above-mentioned exhaust port LH or an opening provided to allow semiconductor wafers to pass through to the position of the round belt through which semiconductor wafers are transferred from the cassette. This prevents indoor dust and the like from entering the inside of the prober.

5 また、第1図における顕微鏡MSの下の開口WDの部分
及び撮像装置ITVの対物レンズの位置のカバーは、透
明なカバーを用いるものである。
5. In addition, a transparent cover is used to cover the opening WD below the microscope MS and the objective lens position of the imaging device ITV in FIG.

なお、上記開口WDは、その測定中で半導体ウェハの表
面に光が照射されると、半導体素子特性に悪影響を与え
るので、例えば、スラド式のシャッターが設けられるの
でこれを防塵カバーとして利用するものであうもよい。
Note that if the surface of the semiconductor wafer is irradiated with light during the measurement, the aperture WD will have an adverse effect on the characteristics of the semiconductor element, so for example, a slide-type shutter is provided, which is used as a dust-proof cover. It may be possible.

〔効 果〕〔effect〕

(11エアーシヤワーによって測定前の半導体ウェハの
表面に付着した微細な埃、屑等を除去できるため、半導
体ウニへの測定(半導体ウェハ上に形成された半導体集
積回路の機能試験)を行うにあたってのプローブ針とポ
ンディングパッドとの上記埃等による電気的接触不良を
防止することができる。これによって、良品の半導体集
積回路を不良として誤判定することがないから、信頼性
の高い測定を実現できるという効果が得られる。
(11 Air shower can remove fine dust, debris, etc. attached to the surface of a semiconductor wafer before measurement, so it is useful when performing measurements on semiconductor urchins (functional tests of semiconductor integrated circuits formed on semiconductor wafers). It is possible to prevent poor electrical contact between the probe needle and the bonding pad due to the above-mentioned dust, etc. This prevents a good semiconductor integrated circuit from being incorrectly judged as defective, making it possible to achieve highly reliable measurements. This effect can be obtained.

(2)上記(11により、1つの半導体ウェハから得ら
れる良品の半導体集積回路の数が多くなり、半導体6 集積回路装置の歩留りが高くできるから、その製造コス
トの低減を図ることができるという効果が得られる。
(2) The effect of (11) above is that the number of good semiconductor integrated circuits obtained from one semiconductor wafer increases, and the yield of semiconductor integrated circuit devices can be increased, thereby reducing the manufacturing cost. is obtained.

(3)パターン認識動作によって自動針台ねせを行う場
合、上記クリーニング装置によって埃等が除去できるか
ら、微細な埃を回路パターンとして認識してしまうとい
う誤動作ないし目的のパターンを探し出すまでの無駄な
動作を防止することができるという効果が得られる。
(3) When performing automatic needle rest twisting by pattern recognition operation, dust etc. can be removed by the cleaning device mentioned above, so there is no need to worry about malfunctions such as recognizing fine dust as a circuit pattern or wasting time until finding the desired pattern. The effect is that the movement can be prevented.

(4)半導体ウェハプローバの内部に防塵手段を設ける
ことによって、クリーンな状態で半導体ウェハの測定を
行うことができる。これにより、上記(1)の効果と相
俟って室内の埃等により電気的な接触不良の発生が未然
に防止できるから、より高い信頼性の測定試験を実現す
ることができるという効果が得られる。
(4) By providing a dustproof means inside the semiconductor wafer prober, semiconductor wafers can be measured in a clean state. This, in combination with the effect of (1) above, can prevent electrical contact failures caused by indoor dust, etc., resulting in the effect of realizing measurement tests with higher reliability. It will be done.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、この発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。例えば、上記クリーニ
ング装置は、ロードステージ(コースアライメントステ
ージ)に設けるものであってもよい。この場合、このス
テージには、比較的高圧な気体の噴射を受けて、半導体
ウェハが吹き飛ばされないように、真空吸着手段等を設
けることが望ましい。また、エアーシャワー及び内部を
高圧にさせる気体は、ドライチッソの他、プローブ針の
電気的接触を損なわせるような埃等の不純物を含まなく
、且つ半導体集積回路におけるアルミニュウム等の金属
表面を腐食させないような安定した気体であれば何であ
ってもよい。また、カセットを装着する部分にも防塵の
ためのカバーを設けるものであってもよい。この場合、
このカバーは、カセットをエレベータに装填したり、取
り出したりするために開閉ができるような構成にすれば
よい。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that this invention is not limited to the above Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor. For example, the cleaning device may be provided on a load stage (coarse alignment stage). In this case, it is desirable to provide vacuum suction means or the like on this stage so that the semiconductor wafer is not blown away by the relatively high pressure gas jet. In addition, the air shower and the gas that makes the interior high-pressure do not contain any impurities such as dry nitrogen or dust that would impair the electrical contact of the probe needle, and do not corrode metal surfaces such as aluminum in semiconductor integrated circuits. Any stable gas may be used. Further, a dustproof cover may also be provided on the part where the cassette is attached. in this case,
This cover may be constructed so that it can be opened and closed in order to load or remove the cassette into the elevator.

なお、半導体ウェハに対する針合わせは、顕微鏡を用い
た目視による手作業により行うものであってもよい。す
なわち、上記移送部から順次自動的に送られてきた半導
体ウェハがウェハチャックトップに載置された後、目視
によって最初に測定する半導体集積回路のポンディング
パッドとプローブ針の接触端の位置合わせ(針合わせ)
を行うものであってもよい。さらに、半導体ウェハの移
送手段は、上記丸ベルトコンベアの他、エアベアリング
を用いる等何であってもよい。
Note that the needle alignment for the semiconductor wafer may be performed manually by visual observation using a microscope. That is, after the semiconductor wafers that are automatically sent one after another from the transfer section are placed on the wafer chuck top, the first step is to visually measure the positioning of the contact end of the bonding pad of the semiconductor integrated circuit and the probe needle ( needle alignment)
It may also be something that does this. Further, the means for transporting the semiconductor wafers may be any means other than the above-mentioned round belt conveyor, such as using an air bearing.

また、上記ブロービングマシン部の動作制御及び半導体
ウェハ移送の動作制御は、マイクロコンピュータ等を利
用したプログラム制御で行うことがシステムの汎用性を
高める上で望ましいが、これに限定されるものではなく
、いわゆるハードロジック回路により行うものであって
よい。
Furthermore, in order to increase the versatility of the system, it is preferable that the operation control of the above-mentioned blowing machine section and the operation control of semiconductor wafer transfer be performed by program control using a microcomputer, etc., but the invention is not limited to this. , it may be performed by a so-called hard logic circuit.

〔利用分野〕 この発明は、半導体ウェハブローバに広く利用できるも
のである。
[Field of Application] The present invention can be widely used in semiconductor wafer blowers.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、この発明に係る半導体ウェハブローバの外観
図、 第2図は、その内部の概略平面図、 第3図は、そのエアーシャワーの一実施例を示9 す概略断面図、 第4図は、その防塵手段の要部一実施例を示す概略断面
図である。 X−YTB・・X−Yテーブル、MS・・顕微鏡、CR
T・・ディスプレイ装置、ITV・・撮像装置、CAL
、CA2・・カセット、PNL・・操作パネル、CT・
・ウェハチャックトップ、LS・・ロードステージ、U
S・・アンロードステージ、BC,Bl〜B7・・丸ベ
ルトコンベア、As・・エアーシャワー、DC・・排気
装置、TB・・トランスファーアーム、UC,LC・・
カバー、UP・・パイプ、UH,LH・・小孔代理人弁
理士 徳若 光政 0
1 is an external view of a semiconductor wafer blower according to the present invention, FIG. 2 is a schematic plan view of its interior, and FIG. 3 is a schematic sectional view showing an embodiment of the air shower. The figure is a schematic sectional view showing one embodiment of the main part of the dustproof means. X-YTB...X-Y table, MS...microscope, CR
T...display device, ITV...imaging device, CAL
, CA2...cassette, PNL...operation panel, CT...
・Wafer chuck top, LS...Load stage, U
S...Unload stage, BC, Bl~B7...Round belt conveyor, As...Air shower, DC...Exhaust device, TB...Transfer arm, UC, LC...
Cover, UP... Pipe, UH, LH... Mitsumasa Tokuwaka, Patent Attorney representing Koana 0

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、被測定半導体ウェハ表面に対して不純物を含まない
気体を吹き付けるエアーシャワーを上記半導体ウェハの
移送経路の所定の位置に設け、その測定開始前に上記エ
アーシャワーにより半導体ウェハの表面のクリーニング
を行うことを特徴とする半導体ウェハプローバ。 2、上記気体は、ドライチッソであることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の半導体ウェハプローバ。 3、上記エアーシャワーは、ロードポジション付近の上
部であって、ウェハチャックトップの移動可能範囲内に
設けられるものであることを特徴とする特許請求の範囲
第1又は第2項記載の半導体ウェハプローバ。 4、上記半導体ウェハプローバは、カセットからウェハ
チャックトップに対して被測定半導体ウェハの自動搬入
/FI1.出を行う自動ロード/アンロード機構を備え
、上記半導体ウニへの移送ルートの全体を室内の埃から
から遮断させる防塵手段が設けられるものであることを
特徴とする特許請求の範囲第1、第2又は第3項記載の
半導体ウェハブローバ。
[Claims] 1. An air shower that blows impurity-free gas onto the surface of the semiconductor wafer to be measured is provided at a predetermined position on the semiconductor wafer transfer path, and before the start of the measurement, the semiconductor wafer is A semiconductor wafer prober characterized in that it cleans the surface of a semiconductor wafer. 2. The semiconductor wafer prober according to claim 1, wherein the gas is dry nitrogen. 3. The semiconductor wafer prober according to claim 1 or 2, wherein the air shower is provided at an upper part near the load position and within a movable range of the wafer chuck top. . 4. The semiconductor wafer prober is configured to automatically load the semiconductor wafer to be measured from the cassette to the wafer chuck top/FI1. Claims 1 and 2 are characterized in that they are equipped with an automatic loading/unloading mechanism for loading and unloading the semiconductor sea urchins, and are provided with dustproof means for shielding the entire transfer route to the semiconductor sea urchin from indoor dust. 3. The semiconductor wafer blower according to item 2 or 3.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63151036A (en) * 1986-12-16 1988-06-23 Tokyo Electron Ltd Clean prober apparatus
JPH05175292A (en) * 1992-05-22 1993-07-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd Method for sampling wafer
JPH088313A (en) * 1995-07-17 1996-01-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd Wafer drawing apparatus
JP2018105725A (en) * 2016-12-27 2018-07-05 三菱電機株式会社 Evaluation device and evaluation method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57128042A (en) * 1981-01-30 1982-08-09 Fujitsu Ltd Inspecting method for semiconductor device
JPS5818343B2 (en) * 1978-01-23 1983-04-12 三井化学株式会社 Compounds for cement

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5818343B2 (en) * 1978-01-23 1983-04-12 三井化学株式会社 Compounds for cement
JPS57128042A (en) * 1981-01-30 1982-08-09 Fujitsu Ltd Inspecting method for semiconductor device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63151036A (en) * 1986-12-16 1988-06-23 Tokyo Electron Ltd Clean prober apparatus
JPH079920B2 (en) * 1986-12-16 1995-02-01 東京エレクトロン株式会社 Clean prober device
JPH05175292A (en) * 1992-05-22 1993-07-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd Method for sampling wafer
JPH088313A (en) * 1995-07-17 1996-01-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd Wafer drawing apparatus
JP2500006B2 (en) * 1995-07-17 1996-05-29 株式会社東京精密 Wafer extractor
JP2018105725A (en) * 2016-12-27 2018-07-05 三菱電機株式会社 Evaluation device and evaluation method
US10436833B2 (en) 2016-12-27 2019-10-08 Mitsubishi Electric Corporation Evaluation apparatus and evaluation method

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