JPS63151036A - Clean prober apparatus - Google Patents
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- JPS63151036A JPS63151036A JP29964586A JP29964586A JPS63151036A JP S63151036 A JPS63151036 A JP S63151036A JP 29964586 A JP29964586 A JP 29964586A JP 29964586 A JP29964586 A JP 29964586A JP S63151036 A JPS63151036 A JP S63151036A
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） この発明は、クリーンプローバ装置に関する。[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a clean prober device.
（従来の技術）
プローバ装置は当業者において周知である。例えば、半
導体ウエハプローバは、ウェハカセットからウェハを測
定ステージに搬送し、測定ステージに載置されたウェハ
に規則的に形成された半導体チップをプローブカードに
電気的に接続し電気的特性を測定し、不良品チップには
マーカー例えばインカーによりインクを付着させていた
。BACKGROUND OF THE INVENTION Prober devices are well known to those skilled in the art. For example, a semiconductor wafer prober transports a wafer from a wafer cassette to a measurement stage, electrically connects regularly formed semiconductor chips on the wafer placed on the measurement stage to a probe card, and measures the electrical characteristics. Ink has been applied to defective chips using a marker, such as an inker.
（発明が解決しようとする問題点）
集積回路の微細化が技術革新に伴ない著しく発達してお
り、この微細化技術に対応した環境が要求される。この
ような微細化技術に対応した環境にするために空気中に
含まれる塵を極力なくすことが必要である。即ち測定装
置においても塵の発生を極力押さえ発生した塵に対して
は、これを排除しなければならない。例えば集積回路の
微細化が一段と進んでおり４ＭＤＲＡＭでは大半のユー
ザーよりプローバ装置のクリーン化が要求される。(Problems to be Solved by the Invention) The miniaturization of integrated circuits has progressed significantly with technological innovation, and an environment compatible with this miniaturization technology is required. In order to create an environment compatible with such miniaturization technology, it is necessary to eliminate dust contained in the air as much as possible. That is, the generation of dust in the measuring device must be suppressed as much as possible and any generated dust must be removed. For example, as the miniaturization of integrated circuits continues to advance, most users of 4M DRAM require a clean prober device.
すでに一部のユーザーからはＩＭＤＲＡＭＩＩ造時でさ
えベルトの使用禁止やクリーンベンチ内でのプローブ装
置の稼動が行なわれている。一方従来のプローバは１０
〜１５０ｃｍ厚さの鉄板上にＸ、Ｙ軸のリードスクリュ
ーを取付けである。この為当然何がしかの油やグリスが
使用されているので出口の少ない構造に外部よりクリー
ンエア等を吹入すれば装置内部の空気は拡散され極めて
クリーン度の゛ 低い状況となることも考えられる。し
かしながら従来のブローバ装置においては発塵防止のた
めにいろいろ工夫してはいるが、それでも測定ステージ
を上下動させる為などでボールスクリューやモータベル
トが使用されているのでわずかではあるが発塵してしま
う。又この発生した塵を排除する手段は備えられていな
いのが実情である。Some users have already banned the use of belts and operated probe devices inside clean benches even when manufacturing IMDRAM II. On the other hand, the conventional prober has 10
The X and Y axis lead screws were installed on a ~150cm thick iron plate. Naturally, some kind of oil or grease is used for this purpose, so if clean air, etc. is blown from the outside into a structure with few outlets, the air inside the device will be diffused, resulting in an extremely low level of cleanliness. It will be done. However, although various measures have been taken to prevent dust generation in conventional blowbar devices, since ball screws and motor belts are used to move the measurement stage up and down, dust generation occurs, albeit to a small extent. Put it away. Furthermore, the reality is that there is no means to remove the generated dust.
この発明は上記点を改善するためになされたもので、少
なくとも載置台上に設けられる被測定体部分をダウンブ
ロー状態に設定して、被測定体への麿の付着を減少させ
歩留りの向上を得るクリーンプローバ装置を提供するも
のである。This invention was made in order to improve the above-mentioned points, and at least the part of the object to be measured provided on the mounting table is set in a down blow state to reduce the adhesion of grains to the object to be measured and improve the yield. A clean prober device is provided.
（問題点を解決するための手段）
この発明は、載置台に載置された被測定体の電気特性を
測定するプローブ装置において、少なくとも上記載置台
上に設けられる被測定体の測定期間少なくとも被測定体
領域にダウンブロー状態を形成する手段とを具備したこ
とを特徴とするクリーンプローバ装置を得るものである
。(Means for Solving the Problems) The present invention provides a probe device for measuring the electrical characteristics of an object to be measured placed on a mounting table. The present invention provides a clean prober device characterized in that it is equipped with means for forming a down blow state in a region of a measuring object.
（作 用）
載置台に載置された被測定体の電気特性を測定するプロ
ーブ装置において、このプローブ装置内の少なくとも上
記載置台上に設けられる被測定体領域をダウンブロー状
態に設定したことにより、被測定体の塵の付着を減少さ
せ歩留りの向上を得られる効果がある。(Function) In a probe device that measures the electrical characteristics of an object to be measured placed on a mounting table, by setting at least the area of the object to be measured provided on the above-mentioned mounting table in the probe device to a down blow state. This has the effect of reducing dust adhesion to the object to be measured and improving yield.
（実 施 例）
次に本発明クリーンエアーバ装置を被測定体として半導
体ウェハを測定する半導体ウェハプローバに適用した一
実施例を図を参照して説明する。(Example) Next, an example in which the clean air bar apparatus of the present invention is applied to a semiconductor wafer prober for measuring a semiconductor wafer as an object to be measured will be described with reference to the drawings.
この半導体ウエハプローバは、主としてウェハωを収納
し測定部にウェハ■を搬送するローダ部■と、搬送され
たウェハ■を測定するプローバ部■から成る。This semiconductor wafer prober mainly consists of a loader section (2) which stores a wafer ω and transports a wafer (2) to a measurement section, and a prober section (2) which measures the transported wafer (2).
ローダ部■の構造は、ウェハ■を収納したウェハカセッ
ト（ｌＯ）を載置するカセット載置台（１１）が４系統
設置されており、このカセット載置台（１１）は、夫々
モータ（１２）に係合した回転軸（１３）に連結してお
り、モータ（１２）の回動によりカセット載置台（１１
）を所定量だけ上下動可能となっている。１つのウェハ
カセット（１０）には、ウェハ■が例えば２５枚夫々適
当な間隔を設けて収納されている。このウェハカセット
（１０）は後面側と前面側でエアーの流通が可能なよう
な構成となっている。このウェハカセット（１０）が載
置された背後には、夫々４系統、通風板（１５）例えば
縦７００ａｍ、横１００ｏ＋ｍ厚さ３ＩＩＩ１１が設置
されていて、この通風板（１５）の−側面のウェハカセ
ット収納部側は、第５図に示めす如く通風穴（１６）が
所定間隔を設けて設定されている。The structure of the loader section (■) includes four systems of cassette mounting tables (11) on which wafer cassettes (lO) containing wafers (■) are placed, and each of these cassette mounting tables (11) is connected to a motor (12). It is connected to the engaged rotating shaft (13), and the rotation of the motor (12) causes the cassette mounting table (11
) can be moved up and down by a predetermined amount. One wafer cassette (10) stores, for example, 25 wafers at appropriate intervals. This wafer cassette (10) is configured so that air can circulate between the rear side and the front side. Behind the wafer cassettes (10), four ventilation plates (15), e.g., 700 am long and 100 o+m wide, 3III11 in thickness, are installed. On the cassette storage side, ventilation holes (16) are set at predetermined intervals as shown in FIG.
この通風穴（１６）からは、クリーンエアー吸入部■に
接続しているチューブ（１８）が通風板（１５）のノズ
ル（１９）に接続され、クリーンエアーが噴出する構成
となっている。このクリーンエアー吸入部■は、通風板
（１５）の背後に設けられており、ウエハプローバ筐体
外からエアーを吸入するノズル（２２）が筐体外に突出
して設けられている。このノズル（２２）から吸入した
エアーは例えば０．０１ミクロンの塵に対応したフィル
ター（２３）により塵が取り除がれる。From this ventilation hole (16), a tube (18) connected to the clean air intake part (2) is connected to a nozzle (19) of the ventilation plate (15), so that clean air is blown out. The clean air suction section (2) is provided behind the ventilation plate (15), and has a nozzle (22) protruding from the wafer prober housing for sucking air from outside the housing. Dust is removed from the air sucked through this nozzle (22) by a filter (23) that is rated for, for example, 0.01 micron dust.
この塵が取り除かれたクリーンエアーは毎分３０１２の
量に制御されてチューブ（１８） （３６）に送り出さ
れる。The clean air from which dust has been removed is sent to the tubes (18) (36) at a controlled rate of 3012 per minute.
ローダ部■の前面の底面には電源部（イ）が配置されて
おり、この電源部（イ）をのぞいた床方向の面は、通風
可能なように通風穴を設けた例えば第４図に示めす如く
グレーティング構造（８ａ）となっている。A power supply section (A) is arranged on the bottom of the front of the loader section ■. As shown, it has a grating structure (8a).
このグレーティング構造（８ａ）の床方向面側には、エ
アーの排出を促進するための換気扇としてファン（９ａ
）が設けられている。又このローダ部■には、ウェハカ
セット（１１）がらウェハ■を搬出入するための真空吸
着ビンセット（２ｏ）と、この真空吸着ピンセット（２
０）から搬送されたウェハ■を載置し予備位置決めする
プリアライメントステージ（２１）が設けられている。A fan (9a) is installed on the floor side of this grating structure (8a) as a ventilation fan to promote air discharge.
) is provided. In addition, this loader section ■ has a vacuum suction bottle set (2o) for loading and unloading wafers from the wafer cassette (11), and vacuum suction tweezers (2o).
A pre-alignment stage (21) is provided on which the wafer (2) transferred from 0) is placed and preliminary positioned.
次にプローバ部０について説明すると、周知の手段でＸ
方向・Ｙ方向・Ｚ方向・θ方向の駆動が可能である測定
ステージ（３０）が設置されていて、この測定ステージ
（３０）には、ローダ部■のプリアライメントステージ
（２１）からウェハ■を真空吸着アーム（図示せず）で
搬送する。測定ステージ（３０）に対向して・プローバ
部０筐体のヘッドプレート（３１）には、プローブカー
ド（３２）が設置されていて、このプローブカード（３
２）には、プローブ針（３３）が取着されている。ヘッ
ドプレート（３１）は１例えば厚さ３０ｍｍの内部が空
洞に構成されており、プローブカード（３２）の周辺の
９０°間隔をおいた４箇所には、測定ステージ（３０）
に向けてノズル（３５ａ）が突き出している。又ヘッド
プレート（３１）の四角からもノズル（３５ｂ）が下方
に向けて突き出している。Next, the prober unit 0 will be explained.
A measurement stage (30) that can be driven in the direction, Y direction, Z direction, and θ direction is installed, and the wafer ■ is loaded onto this measurement stage (30) from the prealignment stage (21) of the loader section ■. It is transported by a vacuum suction arm (not shown). A probe card (32) is installed on the head plate (31) of the prober unit 0 housing, facing the measurement stage (30).
2) is attached with a probe needle (33). The head plate (31) has a hollow interior with a thickness of, for example, 30 mm, and measurement stages (30) are placed at four locations spaced at 90° intervals around the probe card (32).
A nozzle (35a) protrudes toward. A nozzle (35b) also protrudes downward from the square of the head plate (31).
これらノズル（３５ａ） （３５ｂ）は、ヘッドプレー
ト（３１）内に設けられたエアーチューブ（３６）に接
続されており、このエアーチューブ（３６）は、クリー
ンエアー吸入部■に接続されている。又プローバ部■の
前面側には操作パネル（３７）が設置されていて、この
操作パネル（３７）下方には、この半導体ウエハプロー
バの各動作を制御するためのＣＰ Ｕ （３８）が設置
されている。このＣＰ Ｕ （３８）設置をのぞいた床
方向面は、ローダ部■と同様なグレーティング構造（８
ｂ）となっており、換気扇としてファン（９ｂ）もロー
ダ部■と同様に取付けられている。These nozzles (35a) (35b) are connected to an air tube (36) provided in the head plate (31), and this air tube (36) is connected to the clean air suction section (2). Further, an operation panel (37) is installed on the front side of the prober section (3), and a CPU (38) for controlling each operation of the semiconductor wafer prober is installed below this operation panel (37). ing. The floor surface except for this CPU (38) installation has a grating structure (8
b), and a fan (9b) as a ventilation fan is also installed in the same way as in the loader section (2).
次にクリーンエアーの流れ（ダウンブロー）について説
明する。Next, the flow of clean air (down blow) will be explained.
ますローダ部の送流について第２図を参照して説明する
。クリーンエアー吸入部■に設けられた、ノズル（２２
）から筐体外のエアーを吸入し、このエアーに含まれて
いる塵をフィルター（２３）により取除きクリーンエア
ーに変換させる。このクリーンエアーをチューブ（１８
） （３６）によりローダ部とプローバ部に送流する。The flow in the loader section will be explained with reference to FIG. 2. The nozzle (22
) The air outside the housing is sucked in, and the dust contained in this air is removed by a filter (23) and converted into clean air. Pour this clean air into the tube (18
) The flow is sent to the loader section and the prober section by (36).
ローダ部■についてクリーンエアーは、クリーンエアー
吸入部■よりチューブ（１８）を伝って、通風板（１５
）のノズル（１９）から通風板（１５）に入り、通風板
（１５）の通風穴（１６）よりクリーンエアーが噴出す
る。噴出したクリーンエアーは矢印（５０）の如きウェ
ハカセット（１０）内を通過して、ファン（９ａ）の作
用によりクリーンエアーは矢印（５１）に如く床方向に
誘導され、グレーティング構造（８ａ）の底面部を通過
して筐体外に排出される。About the loader section ■ Clean air flows from the clean air suction section ■ through the tube (18) and through the ventilation plate (15).
Clean air enters the ventilation plate (15) from the nozzle (19) of the ventilation plate (15), and is blown out from the ventilation hole (16) of the ventilation plate (15). The ejected clean air passes through the wafer cassette (10) as shown by the arrow (50), and by the action of the fan (9a), the clean air is guided toward the floor as shown by the arrow (51), and the air flows through the grating structure (8a). It passes through the bottom part and is ejected out of the casing.
次に、プローバ部０について説明する。クリーンエアー
は、第３図に示めす如くクリーンエアー吸入部■より吸
入し、チューブ（３６）を伝って、ヘッドプレート（３
１）に多数散在して設定されているノズル（３５ａ）
（３５ｂ）から噴出する。このノズル（３５ａ）（３５
ｂ）の位置は被測定体である半導体ウェハに吹きつけ、
クリーン度を設定する如く形成する。プローブカード周
辺に設定されているノズル（３５ａ）から噴出したクリ
ーンエアーは矢印（５２）の如く測定ステージに吹きつ
けられ、ファン（９ｂ）の作用によりそのまま矢印（５
３）の如く床方向に誘導されグレーティング構造（８ｂ
）の底面部を通過して筐体外に排出される。又ヘッドプ
レート（３１）四角に設定されたノズル（３５ｂ）から
噴出したクリーンエアーは、そのまま矢印（５５）の如
き進みグレーティング構造（８ｂ）の底面部を通過する
。次にウェハの測定について説明すると、まずウェハ■
が例えば２５枚収納されたウェハカセット（１０）をカ
セット載置台（１１）に載置する。このウェハカセット
（１０）には常に通風板（１５）からクリーンエアーを
吹き付けておき、ウェハ■に塵やゴミが付着しないよう
に構成している。このウェハカセット（１０）からウェ
ハ■を真空吸着ピンセット（２０）をウェハカセット（
１０）の夫々の間隙に平行スライド挿入し、ウェハ■を
ピンセット（２０）の−万端で真空吸着して予め定めら
れたプログラムにより取出し、ブリアライメンリ
トステージ（２１）に搬送する。プリアライメントステ
ージ（２１）に搬送されたウェハ（ト）は、オリフラな
どを基準として予備位置決めをする。予備位置決めした
ウェハ■を真空吸着アームで測定ステージ（３０）に搬
送する。ここで測定ステージ（３０）は、周知の手段で
Ｘ方向・Ｙ方向に駆動し、測定ステージ（３０）に載置
したウェハ■を正確に位置決めをする。この後、測定ス
テージ（３０）を所定の位置に設定し、下方から測定ス
テージ（３０）を上昇させウェハ■に形成された半導体
チップの電極部に、プローブカード（３２）に取着した
プローブ針（３３）を接触させ電気的特性を測定する。Next, the prober unit 0 will be explained. As shown in Figure 3, clean air is inhaled from the clean air suction part ■, travels through the tube (36), and reaches the head plate (3).
1) A large number of nozzles (35a) are scattered and set.
It erupts from (35b). This nozzle (35a) (35
At the position b), spray onto the semiconductor wafer that is the object to be measured;
Form to set the degree of cleanliness. The clean air ejected from the nozzle (35a) set around the probe card is blown onto the measurement stage as shown by the arrow (52), and is directly directed by the arrow (5) due to the action of the fan (9b).
3), the grating structure (8b
) and is ejected from the housing. Clean air ejected from the square nozzle (35b) of the head plate (31) advances as shown by the arrow (55) and passes through the bottom of the grating structure (8b). Next, to explain about wafer measurement, firstly, the wafer ■
A wafer cassette (10) containing, for example, 25 wafers is placed on a cassette mounting table (11). This wafer cassette (10) is always blown with clean air from a ventilation plate (15) to prevent dust and dirt from adhering to the wafers. Hold the wafer ■ from this wafer cassette (10) and attach the vacuum suction tweezers (20) to the wafer cassette (
A parallel slide is inserted into each gap of 10), and the wafer (2) is vacuum-adsorbed using tweezers (20), taken out according to a predetermined program, and conveyed to the clear alignment stage (21). The wafer (g) transferred to the pre-alignment stage (21) is pre-positioned using an orientation flat or the like as a reference. The pre-positioned wafer (2) is transported to the measurement stage (30) by a vacuum suction arm. Here, the measurement stage (30) is driven in the X and Y directions by well-known means to accurately position the wafer (2) placed on the measurement stage (30). After that, the measurement stage (30) is set at a predetermined position, and the measurement stage (30) is raised from below and the probe needles attached to the probe card (32) are connected to the electrodes of the semiconductor chips formed on the wafer (2). (33) and measure the electrical characteristics.
測定中、常にヘッドプレート（３１）に設置されたノズ
ル（３５ａ） （３５ｂ）よりクリーンエアーが噴出し
ており、ウェハ■には塵やゴミが付着しないように構成
されている。又、何らかの原因で発生した塵やゴミはク
リーンエアーの流路に従ってウエハプローバ筐体外に排
出される。測定を終えたウェハ■は、真空吸着ピンセッ
ト（２０）及び真空吸着アームにより元のウェハカセッ
ト（１０）の位置に戻す。２枚目のウェハをウェハカセ
ット（１０）から取出すために、真空吸着ピンセット（
２０）の水平位置を固定として、次のウェハ（ト）が取
出せる予め定めた設定間隔だけカセット載置台（１１）
を上昇させる。ウェハカセット（１０）に収納している
ウェハ■のすべてを予め定められたプログラムにより自
動連続工程で実行する構成となっている。During measurement, clean air is always blown out from nozzles (35a) (35b) installed on the head plate (31), and the structure is such that dust and dirt do not adhere to the wafer (2). Further, dust and dirt generated for some reason are discharged out of the wafer prober housing along the clean air flow path. After the measurement, the wafer (2) is returned to its original position in the wafer cassette (10) using the vacuum suction tweezers (20) and the vacuum suction arm. In order to take out the second wafer from the wafer cassette (10), use vacuum suction tweezers (
With the horizontal position of 20) fixed, the cassette mounting table (11) is placed at a predetermined interval from which the next wafer (g) can be taken out.
to rise. All of the wafers stored in the wafer cassette (10) are automatically processed in a continuous process according to a predetermined program.
上記実施例においては、クリーンエアーをグレーティン
グ構造（８ａ） （８ｂ）とされている床方向のウエハ
プローバ筐体外に排出していた。しかしながらウエハプ
ローバは通常クリーンルームのクラス１００以下（１ボ
の中に１ｔｌＩｎの塵が１００個以下）の環境で使用さ
れるものであり、クリーンルームの構造によっては、排
出したクリーンエアーの風速などでクリーンルーム内に
塵をまきちらしてしまう可能性がないとはいえない。そ
こで上記実施例のようにエアーをそのまま筐体外に排出
する構造としなくても良い。例えば上記実施例でグレー
ティング構造（８ａ） （８ｂ）を通過した塵を含んで
いる可能性のあるクリーンエアーを吸入するための吸入
機構（４０）を設置する。この吸入機構（４０）は第６
図に示めす如く、グレーティング構造（８ａ） （８ｂ
）の下方向に設けられており、周知のバキューム作用に
よりエアーを吸入する。ここで吸入したエアーは、ここ
からクリーンルーム外まで伸びているホース（４１）を
伝って、ウエハプローバ及びクリーンルーム外に排出さ
れる。In the above embodiment, clean air was discharged out of the wafer prober housing in the direction of the floor, which was formed by the grating structures (8a) and (8b). However, wafer probers are usually used in clean room class 100 or lower environments (less than 100 particles of 1 tlIn in 1 chamber), and depending on the structure of the clean room, the wind speed of the discharged clean air may cause problems within the clean room. It cannot be said that there is a possibility that it will spread dust. Therefore, it is not necessary to adopt a structure in which the air is directly discharged to the outside of the housing as in the above embodiment. For example, a suction mechanism (40) is installed to suck in clean air that may contain dust that has passed through the grating structures (8a) and (8b) in the above embodiments. This suction mechanism (40) is the sixth
As shown in the figure, the grating structure (8a) (8b
), and sucks air using a well-known vacuum action. The air sucked here passes through a hose (41) extending from here to outside the clean room, and is discharged to the wafer prober and outside the clean room.
さらに他の実施例として、グレーティング構造（８ａ）
（８ｂ）の下に吸入機構を設け、ここで吸入したエア
ーを再びローダ部■に設置されているクリーンエアー吸
入部■にホース（４２）で送風しても良い。As yet another example, grating structure (8a)
A suction mechanism may be provided below (8b), and the air sucked here may be sent back to the clean air suction section (2) installed in the loader section (2) through a hose (42).
なおこの時吸入したエアーに含まれている塵を取除くた
めにフィルター（４３）を設ける。Note that a filter (43) is provided to remove dust contained in the air inhaled at this time.
本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、被測
定体の要求するクリーン度に適応した装置構造とするの
が望ましい。The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, but it is desirable that the device structure be adapted to the cleanliness required by the object to be measured.
例えば上記実施例においてのエアー噴出のためのノズル
の数や設定位置を調整したり、通風板の数や設置位置及
び通風穴の数などを調整することも可能である。又筐体
底面の構造も工夫しても良く、ファンの数を増減するこ
とも可能である。For example, it is also possible to adjust the number and setting positions of nozzles for air jetting in the above embodiments, or to adjust the number and installation positions of ventilation plates, the number of ventilation holes, etc. Furthermore, the structure of the bottom of the casing may be devised, and the number of fans may be increased or decreased.
上記実施例ではプローブ装置内においてダウンブローエ
アをクリーン化して再び送風させた例について説明した
が、このエアーは環流させず、クリーンルーム外へ排出
してもよい。さらにクリーンルーム内にプローブ装置は
設置されるので、プローブ装置の底部にて負圧にしてエ
アー吸入送路を形成することによりダウンブローを形成
してもよい。In the above embodiment, an example has been described in which the down blow air is cleaned in the probe device and blown again, but this air may not be circulated but may be discharged outside the clean room. Furthermore, since the probe device is installed in a clean room, a down blow may be formed by creating a negative pressure at the bottom of the probe device to form an air suction passage.
以上のように本発明によれば、載置台に載置された被測
定体の電気的時−性を測定するプローブ装置において、
このプローブ装置内の少なくとも上記載置台上に設けら
れる被測定体領域をダウンブロー状態に設定したことに
より、被測定体の塵の付着を減少させ歩留りの向上を得
られる効果がある。As described above, according to the present invention, in a probe device that measures the electrical temporality of an object to be measured placed on a mounting table,
By setting at least the region of the object to be measured provided on the mounting table in the probe device into a down-blow state, it is possible to reduce the adhesion of dust to the object to be measured and improve the yield.
第１図は本発明クリーンエアーバ装置の一実施例を説明
するための状態説明図、第２図は第１図のエアー流路を
矢印で示めした図、第３図は第１図のエアーノズル設置
説明図、第４図は第１図のグレーティング構造の図、第
５図は第１図の通風板の図、第６図・第７図は第１図の
他の実施例を説明するための図である。
１ ウェハ
７ クリーンエアー吸入部Fig. 1 is a state explanatory diagram for explaining one embodiment of the clean air bar device of the present invention, Fig. 2 is a diagram showing the air flow path of Fig. 1 with arrows, and Fig. 3 is a diagram of the state shown in Fig. 1. Air nozzle installation explanatory diagram, Figure 4 is a diagram of the grating structure in Figure 1, Figure 5 is a diagram of the ventilation plate in Figure 1, and Figures 6 and 7 explain other embodiments of Figure 1. This is a diagram for 1 Wafer 7 Clean air suction part
Claims (3)
るプローブ装置において、少なくとも上記載置台上に設
けられる被測定体の測定期間少なくとも被測定体領域に
ダウンブロー状態を形成する手段とを具備したことを特
徴とするクリーンプローバ装置。(1) In a probe device that measures the electrical characteristics of an object to be measured placed on a mounting table, a means for forming a down blow state at least in a region of the object to be measured during the measurement period of the object to be measured, which is provided on the mounting table. A clean prober device comprising:
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のクリー
ンプローバ装置。(2) The clean prober device according to claim 1, further comprising means for discharging down-blown air.
を被測定体収納部に設けたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のクリーンプローバ装置。(3) The clean prober device according to claim 1, characterized in that a means for blowing clean air in a down-blowing state is provided in the object-to-be-measured storage section.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61299645A JPH079920B2 (en) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | Clean prober device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61299645A JPH079920B2 (en) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | Clean prober device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63151036A true JPS63151036A (en) | 1988-06-23 |
| JPH079920B2 JPH079920B2 (en) | 1995-02-01 |
Family
ID=17875264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61299645A Expired - Fee Related JPH079920B2 (en) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | Clean prober device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079920B2 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5473258A (en) * | 1991-08-02 | 1995-12-05 | Tokyo Electron Limited | Probe apparatus for carrying away dust created by probe testing |
| US5910727A (en) * | 1995-11-30 | 1999-06-08 | Tokyo Electron Limited | Electrical inspecting apparatus with ventilation system |
| US6762616B2 (en) | 2001-12-13 | 2004-07-13 | Tokyo Electron Limited | Probe system |
| US8384676B2 (en) | 2005-10-31 | 2013-02-26 | Toshihiko Kondo | Keyboard device and keyboard cover |
| CN116027166A (en) * | 2023-03-30 | 2023-04-28 | 广东中科启航技术有限公司 | Semiconductor test fixture |
Citations (4)
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| JPS57128042A (en) * | 1981-01-30 | 1982-08-09 | Fujitsu Ltd | Inspecting method for semiconductor device |
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| JPS60239036A (en) * | 1984-05-12 | 1985-11-27 | Yoshie Hasegawa | Semiconductor wafer prober |
| JPS61133640A (en) * | 1984-12-03 | 1986-06-20 | Fujitsu Ltd | Wafer transfer device |
-
1986
- 1986-12-16 JP JP61299645A patent/JPH079920B2/en not_active Expired - Fee Related
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| CN116027166A (en) * | 2023-03-30 | 2023-04-28 | 广东中科启航技术有限公司 | Semiconductor test fixture |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH079920B2 (en) | 1995-02-01 |
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