JPS6023402B2 - 磁気記録方法 - Google Patents
磁気記録方法Info
- Publication number
- JPS6023402B2 JPS6023402B2 JP13263476A JP13263476A JPS6023402B2 JP S6023402 B2 JPS6023402 B2 JP S6023402B2 JP 13263476 A JP13263476 A JP 13263476A JP 13263476 A JP13263476 A JP 13263476A JP S6023402 B2 JPS6023402 B2 JP S6023402B2
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- Japan
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- magnetic
- magnetic field
- temperature
- magnetic recording
- alloy
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規な磁気記録方法、さらに詳しくはＭｈ−Ｂ
ｉ合金磁性層を有する磁気記録媒体を使用した新規な磁
気記録方法に関するものである。
ｉ合金磁性層を有する磁気記録媒体を使用した新規な磁
気記録方法に関するものである。
磁気記録の高密度化および応用範囲の拡大に伴ない、抗
磁力の大きい磁気記録媒体が要求されている。従釆の酸
化鉄を主体とした磁性材料の改良により、抗磁力が１５
０のｅ程度に高められた磁性材料が開発されているが、
外部磁場の影響を避けるにはまだ不充分である。一方、
希士類元素−遼移金属間化合物、あるいはフェライト類
を使用した高抗磁力の磁性材料も開発されているが、抗
磁力が高いために通常の磁気記録装置ではこれらの磁性
材料に情報を記録するのが困難であるという問題がある
。これらの問題を解決する磁性材料として、Ｍｎ一Ｂｉ
合金磁性材料が提案されている。
磁力の大きい磁気記録媒体が要求されている。従釆の酸
化鉄を主体とした磁性材料の改良により、抗磁力が１５
０のｅ程度に高められた磁性材料が開発されているが、
外部磁場の影響を避けるにはまだ不充分である。一方、
希士類元素−遼移金属間化合物、あるいはフェライト類
を使用した高抗磁力の磁性材料も開発されているが、抗
磁力が高いために通常の磁気記録装置ではこれらの磁性
材料に情報を記録するのが困難であるという問題がある
。これらの問題を解決する磁性材料として、Ｍｎ一Ｂｉ
合金磁性材料が提案されている。
Ｍｈ−Ｂｉ合金磁性材料は、常温下で数千０ｅ以上の高
抗磁力を有する反面、低温下では抗磁力が数百０ｅ以下
に低下するので、低温下で容易に磁化することができ、
一且磁気記録された情報は常温下で外部磁場の影響を受
けにくいという特長がある。また、低温下で抗磁力が低
くなるので、低温下では漸減交流磁場を印加することに
よって容易に消磁することができる。
抗磁力を有する反面、低温下では抗磁力が数百０ｅ以下
に低下するので、低温下で容易に磁化することができ、
一且磁気記録された情報は常温下で外部磁場の影響を受
けにくいという特長がある。また、低温下で抗磁力が低
くなるので、低温下では漸減交流磁場を印加することに
よって容易に消磁することができる。
しかしながら、Ｍｎ−Ｂｉ合金磁性材料の低温での磁気
記録は記録装置を複雑にし、高価にするため、実用上問
題がある。
記録は記録装置を複雑にし、高価にするため、実用上問
題がある。
また、記録操作も繁雑になり、実施が困難である。Ｍｎ
−Ｂｉ合金磁性材料を使用した磁気記録方法としてか、
上記のような方法の他に、磁気記録を施した通常の磁気
記録媒体の上にＭｎ−Ｂｉ合金磁性層を有する磁気記録
媒体を重ね合わせ、これに低温下で交流磁場を印加して
転写を行なう方法がある。
−Ｂｉ合金磁性材料を使用した磁気記録方法としてか、
上記のような方法の他に、磁気記録を施した通常の磁気
記録媒体の上にＭｎ−Ｂｉ合金磁性層を有する磁気記録
媒体を重ね合わせ、これに低温下で交流磁場を印加して
転写を行なう方法がある。
しかし、この方法も転写装置が複雑、高価であり、記録
操作も繁雑になるという問題がある。本発明は上記のよ
うな問題に鑑み、Ｍｎ−Ｂｉ合金磁性材料を使用した磁
気記録媒体に構造の簡単な「安価な装置を使って情報を
記録することを可能にする新規な方法を提供することを
目的とするものである。
操作も繁雑になるという問題がある。本発明は上記のよ
うな問題に鑑み、Ｍｎ−Ｂｉ合金磁性材料を使用した磁
気記録媒体に構造の簡単な「安価な装置を使って情報を
記録することを可能にする新規な方法を提供することを
目的とするものである。
すなわち、本発明の目的はＭｎ−Ｂｉ合金磁性層を有す
る磁気記録媒体に常温下で信号記録ができるようにした
方法を提供することにある。
る磁気記録媒体に常温下で信号記録ができるようにした
方法を提供することにある。
さらに本発明の目的は、Ｍｎ−Ｂｉ合金磁性層を有する
磁気記録媒体に通常の磁気記録装置を使用して信号記録
ができるようにした方法を提供することにある。
磁気記録媒体に通常の磁気記録装置を使用して信号記録
ができるようにした方法を提供することにある。
本発明による磁気記録方法は、Ｍｎ−Ｂｉ合金磁性層を
有する磁気記録媒体に低温磁場処理（後述）を施し、次
いで常温下で記録すべき情報に応じてパターン状に漸減
交流磁場を印加し、その後常温下で直流磁場を一様に印
加することを特徴とするものである。
有する磁気記録媒体に低温磁場処理（後述）を施し、次
いで常温下で記録すべき情報に応じてパターン状に漸減
交流磁場を印加し、その後常温下で直流磁場を一様に印
加することを特徴とするものである。
すなわち、第１段階として低温下で漸減交流磁場を印加
して消磁し（これを「低温磁場処理」という）、第２段
階として常温下で信号変調した漸減交流磁場を印加し、
第３段階として常温下で一定の直流磁場を印加するよう
にしたものである。第１段階の低温磁場処理により、Ｍ
ｎ−Ｂｉ合金磁性材料は容易に消磁される。
して消磁し（これを「低温磁場処理」という）、第２段
階として常温下で信号変調した漸減交流磁場を印加し、
第３段階として常温下で一定の直流磁場を印加するよう
にしたものである。第１段階の低温磁場処理により、Ｍ
ｎ−Ｂｉ合金磁性材料は容易に消磁される。
Ｍｎ−Ｂｉ合金磁性材料は低温では抗磁力が著しく低下
するため、１００はお程度の印加磁場で容易に消磁が行
なわれる。この低温磁場処理を施されたＭｎ−Ｂｉ合金
磁性材料は、低温磁場処理を施されないＭｎ−Ｂｉ合金
磁性材料に比較して常温下で著しく磁化されやすくなる
。（後記データ参照）第２段階の常温下での漸減交流磁
場の印加により、上記低温磁場処理を施されたＭｎ−Ｂ
ｊ合金磁性材料は再び磁化され難くなる。
するため、１００はお程度の印加磁場で容易に消磁が行
なわれる。この低温磁場処理を施されたＭｎ−Ｂｉ合金
磁性材料は、低温磁場処理を施されないＭｎ−Ｂｉ合金
磁性材料に比較して常温下で著しく磁化されやすくなる
。（後記データ参照）第２段階の常温下での漸減交流磁
場の印加により、上記低温磁場処理を施されたＭｎ−Ｂ
ｊ合金磁性材料は再び磁化され難くなる。
ここで大きな漸減交流磁場を印加すると、この材料の磁
化され難さは、低温磁場処理を施さなかった場合と同じ
程度に大きくなる。（後記データ参照）したがって、こ
の第２段階において、漸減交流磁場を信号で変調して印
加すると、Ｍｎ一Ｂｉ合金磁性材料の磁化され難さが信
号に応じたパターンで変化され、磁化され難さのパター
ンとして信号が記録されることになる。したがって、第
３段階でこの上に一定の直流磁場を印加すれば、直流磁
化が前記磁化され簸さのパターンに応じて形成され、直
流磁化による信号記録がなされることになる。
化され難さは、低温磁場処理を施さなかった場合と同じ
程度に大きくなる。（後記データ参照）したがって、こ
の第２段階において、漸減交流磁場を信号で変調して印
加すると、Ｍｎ一Ｂｉ合金磁性材料の磁化され難さが信
号に応じたパターンで変化され、磁化され難さのパター
ンとして信号が記録されることになる。したがって、第
３段階でこの上に一定の直流磁場を印加すれば、直流磁
化が前記磁化され簸さのパターンに応じて形成され、直
流磁化による信号記録がなされることになる。
なお、上記第１段階における低温としては約一７０午０
以下、特に好ましくは液体窒素温度付近（約一１９６０
０付近）を使用する。
以下、特に好ましくは液体窒素温度付近（約一１９６０
０付近）を使用する。
また第２，第３段階における常温としては約０〜約１５
０ｑｏ、好ましくは約１０〜約１００ｑｏの範囲の温度
を使用するものとする。常温の上限は磁性層中のバイン
ダーの溶融点によって決められるもので、金属のキュー
リー点（約３５０ｑｏ）よりも大幅に低くなっている。
次に、図面によって本発明による磁気記録方法をさらに
詳細に説明する。第１図はＭｎ−Ｂｉ合金磁性材料の印
加磁場と、残留磁束密度対飽和残留磁束密度の比（Ｂｒ
／Ｂｒｓ）との関係（すなわち磁化され難さ）を示すグ
ラフである。
０ｑｏ、好ましくは約１０〜約１００ｑｏの範囲の温度
を使用するものとする。常温の上限は磁性層中のバイン
ダーの溶融点によって決められるもので、金属のキュー
リー点（約３５０ｑｏ）よりも大幅に低くなっている。
次に、図面によって本発明による磁気記録方法をさらに
詳細に説明する。第１図はＭｎ−Ｂｉ合金磁性材料の印
加磁場と、残留磁束密度対飽和残留磁束密度の比（Ｂｒ
／Ｂｒｓ）との関係（すなわち磁化され難さ）を示すグ
ラフである。
このグラフは横軸に印加磁場（戊）を表わし、縦軸に前
記比（Ｂｒ／Ｂｒｓ）を表わしている。印加磁場の増加
に伴なし、比（Ｂｒ／Ｂｒｓ）は増加するが、この増加
の程度が大きいことは磁化されやすいことを示し、小さ
いことは磁化され難いことを示す。曲線Ａは、常温で４
５０のｅの高抗磁力を有するＭｎ−Ｂｉ合金磁性材料を
低温磁場処理した後、常温下で直流磁場を印加して得ら
れた残留磁束密度を示すものである。
記比（Ｂｒ／Ｂｒｓ）を表わしている。印加磁場の増加
に伴なし、比（Ｂｒ／Ｂｒｓ）は増加するが、この増加
の程度が大きいことは磁化されやすいことを示し、小さ
いことは磁化され難いことを示す。曲線Ａは、常温で４
５０のｅの高抗磁力を有するＭｎ−Ｂｉ合金磁性材料を
低温磁場処理した後、常温下で直流磁場を印加して得ら
れた残留磁束密度を示すものである。
この場合は残留磁束密度が大きく磁化されやすくなって
いることが分かる。曲線Ｂは、同じ材料を低温磁場処理
した後、常温下で８００だの漸減交流磁場を印加し、そ
の後直流磁場を印加した場合を示す。このときは曲線Ａ
よりも磁化され難くなっている。曲線Ｃは、同じく２０
０は史の漸減交流磁場を印加し、その後直流磁場を印加
した場合を示すもので、この場合は著しく磁化され難く
なっている。本発明の磁気記録方法はＭｎ−Ｂｉ合金磁
性材料の上記のような性質を利用して常温下による信号
記録を可能にしたもので、以下第２，３および４図を参
照してその方法を詳細に説明する。
いることが分かる。曲線Ｂは、同じ材料を低温磁場処理
した後、常温下で８００だの漸減交流磁場を印加し、そ
の後直流磁場を印加した場合を示す。このときは曲線Ａ
よりも磁化され難くなっている。曲線Ｃは、同じく２０
０は史の漸減交流磁場を印加し、その後直流磁場を印加
した場合を示すもので、この場合は著しく磁化され難く
なっている。本発明の磁気記録方法はＭｎ−Ｂｉ合金磁
性材料の上記のような性質を利用して常温下による信号
記録を可能にしたもので、以下第２，３および４図を参
照してその方法を詳細に説明する。
第２図は本発明の方法に使用するＭｎ−Ｂｉ合金磁性材
料を使った磁気記録媒体２０の断面を示すもので、これ
はポリエチレンテレフタレート、ＡＢＳ樹脂等のプラス
チック、あるいは金属、ガラス等の非磁性支持体２１上
にＭｎ−Ｂｉ合金を主体とする磁性粒子をバインダーに
分散してなる磁性層２２（本明細書では「Ｍｎ−Ｂｉ合
金磁性層」と略称している。
料を使った磁気記録媒体２０の断面を示すもので、これ
はポリエチレンテレフタレート、ＡＢＳ樹脂等のプラス
チック、あるいは金属、ガラス等の非磁性支持体２１上
にＭｎ−Ｂｉ合金を主体とする磁性粒子をバインダーに
分散してなる磁性層２２（本明細書では「Ｍｎ−Ｂｉ合
金磁性層」と略称している。
）を積層してなっている。Ｍｎ−Ｂｉ合金磁性粒子の組
成としては、Ｍｎ対Ｂｉの比が８：２ないし４：６（原
子比）であるのが望ましく、特に６：５なし、し５：５
であるのが好ましい。Ｍｈ−Ｂｉ合金磁性粒子は、Ｍｎ
粉とＢｉ粉を焼成反応せしめた後、サンドグラインダー
、ハンマーミル、ボールミル等で粉砕して得るのが一般
的で、これを塩化ビニール‐酢酸ビニル共重合体、スチ
レンーブタジェン共重合体、ェポキシ樹脂、ポリウレタ
ン樹脂等の有機バインダー中に分散せしめたものを非磁
性支持体２１上に塗布して磁性層２２を形成する。Ｍｎ
−Ｂｉ合金磁性材料を使用した磁気記録媒体については
、例えば本出願人による特許出願、特願昭５１一１１５
４２８号、持藤昭５１−１１５４２ｙ号、特願解５１−
１１５４３び影こ詳細な記述がある。本発明の磁気記録
方法では、先ず第２図に示す上記のようなＭｍ−Ｂｉ合
金磁気記録媒体２０を−７０００以下、好ましくは液体
窒素温度付近の約一１９６０Ｃ程度の低温まで冷却し、
この低温下でこの磁気記録媒体に漸減交流磁場を印加し
て低温磁場処理を施す。
成としては、Ｍｎ対Ｂｉの比が８：２ないし４：６（原
子比）であるのが望ましく、特に６：５なし、し５：５
であるのが好ましい。Ｍｈ−Ｂｉ合金磁性粒子は、Ｍｎ
粉とＢｉ粉を焼成反応せしめた後、サンドグラインダー
、ハンマーミル、ボールミル等で粉砕して得るのが一般
的で、これを塩化ビニール‐酢酸ビニル共重合体、スチ
レンーブタジェン共重合体、ェポキシ樹脂、ポリウレタ
ン樹脂等の有機バインダー中に分散せしめたものを非磁
性支持体２１上に塗布して磁性層２２を形成する。Ｍｎ
−Ｂｉ合金磁性材料を使用した磁気記録媒体については
、例えば本出願人による特許出願、特願昭５１一１１５
４２８号、持藤昭５１−１１５４２ｙ号、特願解５１−
１１５４３び影こ詳細な記述がある。本発明の磁気記録
方法では、先ず第２図に示す上記のようなＭｍ−Ｂｉ合
金磁気記録媒体２０を−７０００以下、好ましくは液体
窒素温度付近の約一１９６０Ｃ程度の低温まで冷却し、
この低温下でこの磁気記録媒体に漸減交流磁場を印加し
て低温磁場処理を施す。
次に、この磁気記録媒体２０を常温に戻し、常温下で第
３図に示すように記録すべき情報の信号によって変調し
た漸減交流磁場を印加する。
３図に示すように記録すべき情報の信号によって変調し
た漸減交流磁場を印加する。
このときの常温の温度は、０〜１５０ｏ０、好ましくは
１０〜１００００とする。室温は２０℃前後でも、磁気
記録媒体２０の表面は磁気ヘッドとの摩擦によって室温
より高くなるのが普通であるが、このときの温度が上記
範囲にあるようにする。第３図に示すように、この漸減
交流磁場の印加には、入力信号２３によって変調された
電流を変調器２４を介して磁気ヘッド２５に送り、磁気
ヘッド２５によって磁性層２２に信号変調された交流磁
場２６を印加する。交流磁場２６は、磁気ヘッド２５の
ヘッドギャップの中心を最大値としてヘッドギャップの
両側へ行くにしたがい漸減するから、磁気記録媒体２０
を磁気ヘッド２５に対して相対的に移動させれば磁性層
２２は漸減交流磁場を受けることになる。磁気ヘッド２
５に送られる交流信号は、入力信号２３がデジタル信号
であればＯＮ−ＯＦＦの交流信号２３がアナログ信号で
あれば振幅変調された交流信号でよい。このようにして
磁気記録媒体２０の磁性層２２には、漸減交流磁場を受
けた部分２７と、受けなかった部分２８が形成される。
アナログ信号で磁気ヘッド２５が作動された場合は、こ
の中間の部分（すなわち弱い漸減交流磁場を受けた部分
、図示せず）も形成される。これにより、磁性層２２に
は入力信号２３に応じたパターンで磁化され難くなった
部分が形成される。次に、第４図に示すように、この磁
気記録媒体２０の磁性層２２に一定の大きさの直流磁場
を印加する。
１０〜１００００とする。室温は２０℃前後でも、磁気
記録媒体２０の表面は磁気ヘッドとの摩擦によって室温
より高くなるのが普通であるが、このときの温度が上記
範囲にあるようにする。第３図に示すように、この漸減
交流磁場の印加には、入力信号２３によって変調された
電流を変調器２４を介して磁気ヘッド２５に送り、磁気
ヘッド２５によって磁性層２２に信号変調された交流磁
場２６を印加する。交流磁場２６は、磁気ヘッド２５の
ヘッドギャップの中心を最大値としてヘッドギャップの
両側へ行くにしたがい漸減するから、磁気記録媒体２０
を磁気ヘッド２５に対して相対的に移動させれば磁性層
２２は漸減交流磁場を受けることになる。磁気ヘッド２
５に送られる交流信号は、入力信号２３がデジタル信号
であればＯＮ−ＯＦＦの交流信号２３がアナログ信号で
あれば振幅変調された交流信号でよい。このようにして
磁気記録媒体２０の磁性層２２には、漸減交流磁場を受
けた部分２７と、受けなかった部分２８が形成される。
アナログ信号で磁気ヘッド２５が作動された場合は、こ
の中間の部分（すなわち弱い漸減交流磁場を受けた部分
、図示せず）も形成される。これにより、磁性層２２に
は入力信号２３に応じたパターンで磁化され難くなった
部分が形成される。次に、第４図に示すように、この磁
気記録媒体２０の磁性層２２に一定の大きさの直流磁場
を印加する。
この直流磁場は例えば図示のように磁気記録媒体２０の
表裏に異種極を配した磁石２９によって一様に印加され
る。磁性層２２は前記漸減交流磁場２６の印加によって
パターン状に磁化され難くなっているから、この直流磁
場の印加による磁化は、やはりパターン状に大小をもっ
て記録される。すなわち、漸減交流磁場の印加を受けて
磁化され難くなった部分２７は磁化されないが、極めて
小程度に磁化され、漸減磁場の印加を受けず磁化されや
すい状態におかれている部分２８は、この直流磁場によ
って大きく磁化される。この中間の部分は中程度に磁化
される。このときの直流磁場の印加方向は磁性層２２の
表面と平行でも、直角でもよく、大きい再生出力の得ら
れる方向に適宜選ばれる。第４図の例ではこの直流磁場
の印加方向を磁性層２２の表面に対して直角にしている
。この磁化の方向を図中に３０で示す。このようにして
、Ｍｎ−Ｂｉ合金磁気記録媒体２川こ、直流磁化の大小
パターンの形で信号記録がなされる。
表裏に異種極を配した磁石２９によって一様に印加され
る。磁性層２２は前記漸減交流磁場２６の印加によって
パターン状に磁化され難くなっているから、この直流磁
場の印加による磁化は、やはりパターン状に大小をもっ
て記録される。すなわち、漸減交流磁場の印加を受けて
磁化され難くなった部分２７は磁化されないが、極めて
小程度に磁化され、漸減磁場の印加を受けず磁化されや
すい状態におかれている部分２８は、この直流磁場によ
って大きく磁化される。この中間の部分は中程度に磁化
される。このときの直流磁場の印加方向は磁性層２２の
表面と平行でも、直角でもよく、大きい再生出力の得ら
れる方向に適宜選ばれる。第４図の例ではこの直流磁場
の印加方向を磁性層２２の表面に対して直角にしている
。この磁化の方向を図中に３０で示す。このようにして
、Ｍｎ−Ｂｉ合金磁気記録媒体２川こ、直流磁化の大小
パターンの形で信号記録がなされる。
第１図は本発明の方法に使用するＭｎ−Ｂｉ合金磁性材
料の印加直流磁場と残留磁束密度の関係を示すグラフ、
第２図は本発明に使用するＭｎ−Ｂｉ合金磁気記録媒体
の断面図、第３図は本発明の方法における漸減交流磁場
印加の状態を示す側面説明図、第４図は本発明の方法に
おける直流磁場印加の状態を示す側面説明図である。 ２０・・・・・・Ｍｎ−Ｂｉ合金磁気記録媒体、２１・
・・・・・非磁性支持体、２２・・・・・・Ｍｎ−Ｂｉ
合金磁性層、２３・・・・・・入力信号、２４…・・・
変調器、２５・・・・・・磁気ヘッド、２６・・・・・
・漸減交流磁場。 第１図 第２図 第３図 第４図
料の印加直流磁場と残留磁束密度の関係を示すグラフ、
第２図は本発明に使用するＭｎ−Ｂｉ合金磁気記録媒体
の断面図、第３図は本発明の方法における漸減交流磁場
印加の状態を示す側面説明図、第４図は本発明の方法に
おける直流磁場印加の状態を示す側面説明図である。 ２０・・・・・・Ｍｎ−Ｂｉ合金磁気記録媒体、２１・
・・・・・非磁性支持体、２２・・・・・・Ｍｎ−Ｂｉ
合金磁性層、２３・・・・・・入力信号、２４…・・・
変調器、２５・・・・・・磁気ヘッド、２６・・・・・
・漸減交流磁場。 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Ｍｎ−Ｂｉ合金磁性層を有する磁気記録媒体に低温
磁場処理を施し、次いで常温下で記録すべき信号によつ
て変調した漸減交流磁場を印加し、その後常温下で一定
の大きさの直流磁場を一様に印加することを特徴とする
磁気記録方法。 ２ 前記低温磁場処理を液体窒素温度付近の低温で行な
うことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記
録方法。 ３ 前記常温下の磁場印加を１０〜１００℃の温度下で
行なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁
気記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13263476A JPS6023402B2 (ja) | 1976-11-04 | 1976-11-04 | 磁気記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13263476A JPS6023402B2 (ja) | 1976-11-04 | 1976-11-04 | 磁気記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5357808A JPS5357808A (en) | 1978-05-25 |
| JPS6023402B2 true JPS6023402B2 (ja) | 1985-06-07 |
Family
ID=15085904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13263476A Expired JPS6023402B2 (ja) | 1976-11-04 | 1976-11-04 | 磁気記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6023402B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU1731000A (en) * | 1998-11-18 | 2000-07-12 | Johns Hopkins University, The | Bismuth thin film structure and method of construction |
| KR100610534B1 (ko) | 2001-04-25 | 2006-08-09 | 제이에프이 스틸 가부시키가이샤 | 강의 연속주조주편의 제조방법 및 그 응고상태 계측장치 |
-
1976
- 1976-11-04 JP JP13263476A patent/JPS6023402B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5357808A (en) | 1978-05-25 |
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