JPS60233618A - 液晶表示素子およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示素子およびその製造方法Info
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- JPS60233618A JPS60233618A JP9044784A JP9044784A JPS60233618A JP S60233618 A JPS60233618 A JP S60233618A JP 9044784 A JP9044784 A JP 9044784A JP 9044784 A JP9044784 A JP 9044784A JP S60233618 A JPS60233618 A JP S60233618A
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134327—Segmented, e.g. alpha numeric display
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は液晶表示器、エレクトロルミネッセント素子、
エレクトロクロミック表示素子等のように一対の電極基
板を有する表示素子およびその製造方法に関する。
エレクトロクロミック表示素子等のように一対の電極基
板を有する表示素子およびその製造方法に関する。
［発明の技術的背景コ
第１０図および第１１図は従来の液晶表示器を示すもの
で、この液晶表示器では一対の対向する電極基板１ａ、
１ｂと、これらの間を封着する封着剤２ａ、２ｂとから
液晶表示器外囲器が形成され、この液晶表示器外囲器内
空間に液晶物質３が封入され液晶表示器が構成されてい
る。
で、この液晶表示器では一対の対向する電極基板１ａ、
１ｂと、これらの間を封着する封着剤２ａ、２ｂとから
液晶表示器外囲器が形成され、この液晶表示器外囲器内
空間に液晶物質３が封入され液晶表示器が構成されてい
る。
電極基板１ａの前面には偏光板４ａが配設され、また電
極基板１ｂの裏面には反射偏光板４ｂが配設されている
。電極基板１ａの内面には、例えばｉｎ ２０３ 、Ｓ
ｎ ０２ 、ＩＴ’Ｏ等からなる透明電極５ａが表示パ
ターンに対応して形成されており、ざらに電極基板１ｂ
の内面には前述した透明電極５ａに対向して透明電極５
ｂが形成されている。
極基板１ｂの裏面には反射偏光板４ｂが配設されている
。電極基板１ａの内面には、例えばｉｎ ２０３ 、Ｓ
ｎ ０２ 、ＩＴ’Ｏ等からなる透明電極５ａが表示パ
ターンに対応して形成されており、ざらに電極基板１ｂ
の内面には前述した透明電極５ａに対向して透明電極５
ｂが形成されている。
なお、ここで電極基板１ｂは共通電極基板とされている
。
。
以上のように構成された液晶表示器は、例えば数字表示
、任意図形の表示等に多用されている。
、任意図形の表示等に多用されている。
第１２図は対向電極群がそれぞれ直交するマトリック状
に形成された液晶表示器を示すもので、前面電極基板１
ａの内面に多数の透明電極６．６・・・が形成され、裏
面電極基板１ｂの内面には透明電極７．７・・・が形成
されている。これらのマトリックス状σ電極群は選択的
に電圧を加えることによりドツト毎に点滅が可能であり
、任意の形状の表示を行なうことができる。ここでは裏
面電極基板１ｂが共通電極基板とされている。
に形成された液晶表示器を示すもので、前面電極基板１
ａの内面に多数の透明電極６．６・・・が形成され、裏
面電極基板１ｂの内面には透明電極７．７・・・が形成
されている。これらのマトリックス状σ電極群は選択的
に電圧を加えることによりドツト毎に点滅が可能であり
、任意の形状の表示を行なうことができる。ここでは裏
面電極基板１ｂが共通電極基板とされている。
［背景技術の問題点］
しかしながら、以上のように構成された液晶表示器では
、電極基板１ａ、１ｂに関し次のような問題点がある。
、電極基板１ａ、１ｂに関し次のような問題点がある。
（１）透明電極５ ａ 、５ ｂを構成するＩｎ ２０
３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ等はシート抵抗が大きく、これに
より駆動電圧の波形歪みを生ずる。この結果コントラス
トむら、クロストーク等が生じ、視認性の低下を招くと
いう問題がある。
３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ等はシート抵抗が大きく、これに
より駆動電圧の波形歪みを生ずる。この結果コントラス
トむら、クロストーク等が生じ、視認性の低下を招くと
いう問題がある。
（２）波形歪みを解消するため透明電極５ｄ１５ｂを構
成するＩｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ等のシート抵抗を
下げようとすると透過率が下がり、透明電極０２が見え
るようになるという問題がある。
成するＩｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ等のシート抵抗を
下げようとすると透過率が下がり、透明電極０２が見え
るようになるという問題がある。
（３）また、シート抵抗を下げるには、透明導電膜層を
形成する工程が長くなりコスト高になるという問題があ
る。
形成する工程が長くなりコスト高になるという問題があ
る。
そこで従来、透明電極５ａ、５ｂを構成するＩｎ２Ｏ３
，５ｎ０２、ＩＴＯ等のシート抵抗を下げる目的で透明
電極５ａ 、５ｂの前面に金属蒸着膜で金属パターンを
形成したり、あるいは表示に関係しない電極部を金属パ
ターンにする等の方法が行われている。
，５ｎ０２、ＩＴＯ等のシート抵抗を下げる目的で透明
電極５ａ 、５ｂの前面に金属蒸着膜で金属パターンを
形成したり、あるいは表示に関係しない電極部を金属パ
ターンにする等の方法が行われている。
しかしながら、このような方法による場合にも次に述べ
るような問題点がある。
るような問題点がある。
（１）透明電極の形成と別に金属パターンを形成する必
要があり、コストが高くなる。
要があり、コストが高くなる。
（２）透明電極と別に金属パターンを形成するため、金
属パターン部がデッド部分となり、表示に有効に使える
領域（開口率）が減少する。
属パターン部がデッド部分となり、表示に有効に使える
領域（開口率）が減少する。
（３）金属パターンであるためほとんど光を透過せず、
不要なパターンである金属パターンが見えてしまう。
不要なパターンである金属パターンが見えてしまう。
（４）金属パターンを見えなくするようにすると、金属
パターンの線幅を５０μｍ以下にしなければならず、加
工が難しくコスト高になる。
パターンの線幅を５０μｍ以下にしなければならず、加
工が難しくコスト高になる。
［発明の目的］
本発明はかかる従来の事情に対処してなされたもので、
前述したコントラストむら、クロストーク等をほぼ完全
に解消することのできる視認性の高い、かつ製造容易で
安価な表示素子およびその製造方法を提供しようとする
ものである。
前述したコントラストむら、クロストーク等をほぼ完全
に解消することのできる視認性の高い、かつ製造容易で
安価な表示素子およびその製造方法を提供しようとする
ものである。
［発明の概要］
すなわち本発明は、一対の電極基板を対向配置してなる
表示素子において、前記電極基板上の透明電極の側面に
良導電体層を形成したことを特徴とする表示素子、およ
び、電極基板上に透明導電膜層を形成する工程と、この
工程の後前記透明導電膜層上にフォトレジスト膜層を形
成する工程と、この工程の後前記フォトレジスト膜層を
必要なパターンを残して除去する工程と、この工程の後
前記透明導電膜層をエツチングする工程と、この工程の
後前記エツチングされた透明導電膜層側面にめっきによ
り金属層を形成する工程とからなることを特徴とする表
示素子の製造方法である。
表示素子において、前記電極基板上の透明電極の側面に
良導電体層を形成したことを特徴とする表示素子、およ
び、電極基板上に透明導電膜層を形成する工程と、この
工程の後前記透明導電膜層上にフォトレジスト膜層を形
成する工程と、この工程の後前記フォトレジスト膜層を
必要なパターンを残して除去する工程と、この工程の後
前記透明導電膜層をエツチングする工程と、この工程の
後前記エツチングされた透明導電膜層側面にめっきによ
り金属層を形成する工程とからなることを特徴とする表
示素子の製造方法である。
［発明の実施例コ
以下本発明の詳細を図面に示す一実施例について説明す
る。
る。
第１図は本発明の表示素子の一つである液晶表示器の一
実施例を示すもので、この液晶表示器では一対の対向す
る電極基板１ａ、ｌｂと、この電極基板１ａ１１ｂの間
を封着する封着部２ａ１２ｂとから液晶表示器外囲器が
構成され、この外囲器内に液晶物質が封入されている。
実施例を示すもので、この液晶表示器では一対の対向す
る電極基板１ａ、ｌｂと、この電極基板１ａ１１ｂの間
を封着する封着部２ａ１２ｂとから液晶表示器外囲器が
構成され、この外囲器内に液晶物質が封入されている。
電極基板１ａ。
１ｂの外側にはそれぞれ偏光板４ａ 、４ｂが配設され
、液晶表示器を構成している。電極基板１ａ。
、液晶表示器を構成している。電極基板１ａ。
１ｂ上にはそれぞれ表示パターンに対応して、例えばｉ
ｎ ２０３ 、Ｓｎ ０２ 、ＩＴＯ等により透明電極
５ａ 、５ｂが形成されている。
ｎ ２０３ 、Ｓｎ ０２ 、ＩＴＯ等により透明電極
５ａ 、５ｂが形成されている。
しかして、それぞれの透明電極５ａ 、５ｂの側面には
、Ｎｒ 、ｃｒ ｚ Ａｕ等の金属、これらの金属の合
金あるいはこれらの金属を積層してなる良導電体層であ
る金属層８が形成されている。これらの金属層８の高さ
は、例えば数百〜数千人とされ、透明電極５ａ 、５ｂ
の高さとほぼ同じ高さであり、厚さは数百人〜数十μｍ
とされている。そして、この良導電体層である金属層８
は透明電極５ａ 、５ｂに対して非常に低い抵抗値を有
している。
、Ｎｒ 、ｃｒ ｚ Ａｕ等の金属、これらの金属の合
金あるいはこれらの金属を積層してなる良導電体層であ
る金属層８が形成されている。これらの金属層８の高さ
は、例えば数百〜数千人とされ、透明電極５ａ 、５ｂ
の高さとほぼ同じ高さであり、厚さは数百人〜数十μｍ
とされている。そして、この良導電体層である金属層８
は透明電極５ａ 、５ｂに対して非常に低い抵抗値を有
している。
以上のように構成された表示素子では、次に述べるよう
な効果を得ることができる。
な効果を得ることができる。
（１）金属層８が透明電極５ａ 、５ｂに比較して十分
低い抵抗値を有しているため、電気抵抗が大きいことに
起因するコシトラストむら、クロストーク等を解消する
ことができ、従来より視認性を大幅に向上することがで
きる。
低い抵抗値を有しているため、電気抵抗が大きいことに
起因するコシトラストむら、クロストーク等を解消する
ことができ、従来より視認性を大幅に向上することがで
きる。
（２）従来のように透明電極５ａ 、５ｂのシート抵抗
を下げ、透明電極５ａ、５ｂの透過率を下げる必要がな
くなり、透過率の減少に伴い透明電極が見えるようにな
ることを解消することができる。
を下げ、透明電極５ａ、５ｂの透過率を下げる必要がな
くなり、透過率の減少に伴い透明電極が見えるようにな
ることを解消することができる。
（３）金属層８が形成されるため、シート抵抗の高い透
明電極５ａ、５ｂを使用することができ、この結果、電
極基板１ａ、１ｂが安価となる。
明電極５ａ、５ｂを使用することができ、この結果、電
極基板１ａ、１ｂが安価となる。
く４）金属層８の厚みが数百人〜数十μｍであるため、
金属層８の目視は不可能であり、この結果開口率を減少
し表示品位を向上することができる。
金属層８の目視は不可能であり、この結果開口率を減少
し表示品位を向上することができる。
なお、以上述べた実施例では、セグメント電極基板（５
ａ）および共通電極基板（５ｂ）にそれぞれ金属層８を
形成した例について述べたが、電気抵抗的には特に共通
電極基板（５ｂ）が問題であるため、金属層８を共通電
極基板（５ｂ）にのみ形成してもよいことは勿論である
。
ａ）および共通電極基板（５ｂ）にそれぞれ金属層８を
形成した例について述べたが、電気抵抗的には特に共通
電極基板（５ｂ）が問題であるため、金属層８を共通電
極基板（５ｂ）にのみ形成してもよいことは勿論である
。
第２図は本発明の表示素子の他の実施例を示すもので、
この実施例では電極基板１上に透明電極５が形成されて
おり、透明電極５の側面には金属層８ａが形成されてい
るが、透明電極５および金属層８ａの側面の形状は電極
基板１側に向は徐々に拡大されており、金属断面積が広
くなっているとともに透明電極５との付着面積も広がっ
ている。
この実施例では電極基板１上に透明電極５が形成されて
おり、透明電極５の側面には金属層８ａが形成されてい
るが、透明電極５および金属層８ａの側面の形状は電極
基板１側に向は徐々に拡大されており、金属断面積が広
くなっているとともに透明電極５との付着面積も広がっ
ている。
このように構成された表示素子では、透明電極５への金
属層８ａの付着強度を増加し、信頼性を向上するこ、と
ができるとともに、その抵抗値をさらに減少することが
できる。
属層８ａの付着強度を増加し、信頼性を向上するこ、と
ができるとともに、その抵抗値をさらに減少することが
できる。
第３図ないし第８図は第１図に示した表示素子の製造方
法を示すもので、以下述べるようにして行われる。
法を示すもので、以下述べるようにして行われる。
（１）まず、第３図に示すように、ガラス製の電極基板
１上にＩｎ２Ｏ３，５ｎ０２、ＩＴＯ等により透明導電
膜Ｈ１０が電極基板１全面にゎたって形成される。
１上にＩｎ２Ｏ３，５ｎ０２、ＩＴＯ等により透明導電
膜Ｈ１０が電極基板１全面にゎたって形成される。
（２）第４図に示すように、透明導電膜層１０上にフォ
トレジスト膜層１１がコートされる。
トレジスト膜層１１がコートされる。
（３）第５図に示すように、フォトレジスト膜層１１が
必要なパターンを残して除去される。
必要なパターンを残して除去される。
（４）第６図に示すように、透明導電膜層１０のエツチ
ングにより透明電極５が形成される。
ングにより透明電極５が形成される。
（５）第７図に示すように、透明電極５をＩｎｚｏ３、
ＳｎＯ２、ＩＴＯ等を選択的に無電界めっきする電界液
（例えばＮｉの無電界めっき液）に浸し、エツチング後
の透明電極５側面に金属層８を形成する。
ＳｎＯ２、ＩＴＯ等を選択的に無電界めっきする電界液
（例えばＮｉの無電界めっき液）に浸し、エツチング後
の透明電極５側面に金属層８を形成する。
（６）第８図に示すように、フォトレジスト膜層１１を
除去する。
除去する。
このように透明電極５を形成するときに使用されるフォ
トレジスト膜層１１を用いることにより、透明電極えを
電界液に浸すだけで容易に金属層８を形成することがで
きる。この結果、金属層８の形成を安価に行なうことが
できる。
トレジスト膜層１１を用いることにより、透明電極えを
電界液に浸すだけで容易に金属層８を形成することがで
きる。この結果、金属層８の形成を安価に行なうことが
できる。
なお、以上述べた表示素子の製造方法では、めつきに無
電界めっきを用いた例について説明したが、電界めっき
を用いてもよいことは勿論である。
電界めっきを用いた例について説明したが、電界めっき
を用いてもよいことは勿論である。
また、上述した（４）において、エツチングを多少長時
間にわたり実施すると、第９図に示すように、フォトレ
ジスト膜層１１により形成されるパターンの内側まで透
明電極５が除去されることとなる。
間にわたり実施すると、第９図に示すように、フォトレ
ジスト膜層１１により形成されるパターンの内側まで透
明電極５が除去されることとなる。
そして、このような状態で上述した（５）の金属層の形
成工程を付与すると、金属層８ａはフォトレジスト膜層
１１により成長方向が限定されるため、金属層８ａが透
明電極５より厚くなるとか、突起状になるとかの形状異
常を発生することなく、第９図に示すように、透明電極
５の厚みにほぼ等しい厚さの金属層８ａを得ることがで
きる。
成工程を付与すると、金属層８ａはフォトレジスト膜層
１１により成長方向が限定されるため、金属層８ａが透
明電極５より厚くなるとか、突起状になるとかの形状異
常を発生することなく、第９図に示すように、透明電極
５の厚みにほぼ等しい厚さの金属層８ａを得ることがで
きる。
さらに以上述べた実施例では、金属層８．８ａ１８ｂを
電界めっきにより形成した例について説明したが、例え
ば透明電極５をフォトレジスト膜層１１のついた第６図
に示すような状態で還元性雰囲気内に収容し熱処理する
ことにより、透明電極５の側面を還元し、この部にＩｎ
１Ｓｎ等の金属層を形成することが可能である。また、
金属層を金属の蒸着等により形成してもよいことは勿論
である。
電界めっきにより形成した例について説明したが、例え
ば透明電極５をフォトレジスト膜層１１のついた第６図
に示すような状態で還元性雰囲気内に収容し熱処理する
ことにより、透明電極５の側面を還元し、この部にＩｎ
１Ｓｎ等の金属層を形成することが可能である。また、
金属層を金属の蒸着等により形成してもよいことは勿論
である。
さらに、また、例えば、透明電極が５００２からなる場
合に、この透明電極の側面に（ｎ ２０３を蒸着し良導
電体層を形成してもよい。
合に、この透明電極の側面に（ｎ ２０３を蒸着し良導
電体層を形成してもよい。
すなわち、この場合には、Ｉｎ ２０３がＳｎＯ２に比
較して導電抵抗が約１／１０であるためＩｒｌ；＋０３
が良導電体層となる。
較して導電抵抗が約１／１０であるためＩｒｌ；＋０３
が良導電体層となる。
［発明の効果］
以上述べたように本発明の表示素子によれば、コントラ
ストむら、クロストーク等のない視認性の良好な表示素
子を提供することができる。
ストむら、クロストーク等のない視認性の良好な表示素
子を提供することができる。
また、本発明の表示素子の製造方法によれば、このよう
な表示素子を容易かつ安価に製造することができる。
な表示素子を容易かつ安価に製造することができる。
第１図は本発明の表示素子の一実施例を示す縦断面図、
第２図は本発明の表示素子の他の一実施例を示す縦断面
図、第３図ないし第８図は本発明の表示素子の製造方法
の一実施例を示す説明図、第９図は透明電極に長時間の
エツチングにより形成される凹部を示す説明図、第１０
図は従来の液晶表示器を示す上面図、第１１図は第１０
図の横断面図、第１２図は従来の液晶表示器の透明電極
の配置を示す説明図である。 １ａ、１ｂ・・・電極基板 ５ａ 、５ｂ・・・透明電極 ８．８ａ 、 ８ｂ ・・・・・・金属層 １０・・・・・・・・・・・・・・・透明導電ＷＡ層１
１・・・・・・・・・・・・・・・フォトレジスト膜層
代理人弁理士 須 山 佐 − 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 Ｈ６図 第７図 第８図 第９図 第υ図 ｂ 第１１図 第２図 手 続 補 正 書 昭和５９年１２月２０日 特許庁長官 殿 １、事件の表示 特願昭５９−９０４４７号２、発明の
名称 表示素子およびその製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 神奈川県用崎市幸区堀用町７２番地 （３０７）株式会社 東芝 代表者 佐 波 正 − ４、代 理 人 〒 １０１ 東京都千代田区神田多町２丁目１番地 神田東山ビル 電話０３ （２５４） １０３９（７７
８４） 弁理士 須 山 佐 −５、補正命令の日付 自 発 ７、補正の内容 （１）特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 （２）明細書箱８項１７行目「開口率を減少し」を「開
口率を増加し」と訂正する。 （３）同第１０項１７行目「透明電極え」を「透明電極
」と訂正する。 （別紙） 特許請求の範囲 （１）一対の電極基板を対向配置してなる表示素子にお
いて、前記電極基板上の透明電極の側面に良導電体層を
形成したことを特徴とする表示素子。 （２）良導電体層は、金属層であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の表示素子。 （３）透明電極はその側面を電極基板側に向は徐々に拡
大されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項ま
たは第２項記載の表示素子。 （４）透明電極側面に良導電体層を有している電極基板
は共通電極基板であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項ないし第３項のいずれか１項記載の表示素子。 （５）電極基板上に透明導電膜層を形成する工程と、こ
の工程の後前記透明導電膜層上にフォトレジスト１１層
を形成する工程と、この工程の後前記フォトレジスト躾
層を必要なパターンを残して除去する工程と、この工程
の後前記透明導電膜層をエツチングする工程と、この工
程の後前記エツチングされた透明導電膜層側面にめっき
により金属層を形成する工程とからなることを特徴とす
る表示素子の製造方法。 （６）めっきは無電界めっきであることを特徴とする特
許請求の範囲第５項記載の表示素子の製造方法。
第２図は本発明の表示素子の他の一実施例を示す縦断面
図、第３図ないし第８図は本発明の表示素子の製造方法
の一実施例を示す説明図、第９図は透明電極に長時間の
エツチングにより形成される凹部を示す説明図、第１０
図は従来の液晶表示器を示す上面図、第１１図は第１０
図の横断面図、第１２図は従来の液晶表示器の透明電極
の配置を示す説明図である。 １ａ、１ｂ・・・電極基板 ５ａ 、５ｂ・・・透明電極 ８．８ａ 、 ８ｂ ・・・・・・金属層 １０・・・・・・・・・・・・・・・透明導電ＷＡ層１
１・・・・・・・・・・・・・・・フォトレジスト膜層
代理人弁理士 須 山 佐 − 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 Ｈ６図 第７図 第８図 第９図 第υ図 ｂ 第１１図 第２図 手 続 補 正 書 昭和５９年１２月２０日 特許庁長官 殿 １、事件の表示 特願昭５９−９０４４７号２、発明の
名称 表示素子およびその製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 神奈川県用崎市幸区堀用町７２番地 （３０７）株式会社 東芝 代表者 佐 波 正 − ４、代 理 人 〒 １０１ 東京都千代田区神田多町２丁目１番地 神田東山ビル 電話０３ （２５４） １０３９（７７
８４） 弁理士 須 山 佐 −５、補正命令の日付 自 発 ７、補正の内容 （１）特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 （２）明細書箱８項１７行目「開口率を減少し」を「開
口率を増加し」と訂正する。 （３）同第１０項１７行目「透明電極え」を「透明電極
」と訂正する。 （別紙） 特許請求の範囲 （１）一対の電極基板を対向配置してなる表示素子にお
いて、前記電極基板上の透明電極の側面に良導電体層を
形成したことを特徴とする表示素子。 （２）良導電体層は、金属層であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の表示素子。 （３）透明電極はその側面を電極基板側に向は徐々に拡
大されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項ま
たは第２項記載の表示素子。 （４）透明電極側面に良導電体層を有している電極基板
は共通電極基板であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項ないし第３項のいずれか１項記載の表示素子。 （５）電極基板上に透明導電膜層を形成する工程と、こ
の工程の後前記透明導電膜層上にフォトレジスト１１層
を形成する工程と、この工程の後前記フォトレジスト躾
層を必要なパターンを残して除去する工程と、この工程
の後前記透明導電膜層をエツチングする工程と、この工
程の後前記エツチングされた透明導電膜層側面にめっき
により金属層を形成する工程とからなることを特徴とす
る表示素子の製造方法。 （６）めっきは無電界めっきであることを特徴とする特
許請求の範囲第５項記載の表示素子の製造方法。
Claims (6)
- （１）一対の電極基板を対向配置してなる表示素子にお
いて、前記電極基板上の透明電極の側面に良導電体層を
形成したことを特徴とする表示素子。 - （２）良導電体層は、金属層であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の表示素子。 - （３）透明電極はその側面を電極基板側に向は徐々に拡
大されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項ま
たは第２項記載の表示素子。 - （４）透明電極側面に良導電体層を有している電極基板
は共通電極基板であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項ないし第３項のいずれか１項記載の表示素子。 - （５）電極基板上に透明導電膜層を形成する工程と、こ
の工程の後前記透明導電１！ｉＩ層上にフォトレジスト
膜層を形成する工程と、この工程の後前記フォトレジス
ト膜層を必要なパターンを残して除去する工程と、この
工程の後前記透明導電！ＩＩ層をエツチングする工程と
、この工程の後前記エツチングされた透明導電膜層側面
にめっきにより金属層を形成する工程とからなることを
特徴とする表示素子の製造方法。 - （６）めっきは電界めっきであることを特徴とする特許
請求の範囲第５項記載の表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59090447A JPH0619497B2 (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59090447A JPH0619497B2 (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60233618A true JPS60233618A (ja) | 1985-11-20 |
| JPH0619497B2 JPH0619497B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=13998867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59090447A Expired - Fee Related JPH0619497B2 (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0619497B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62188734U (ja) * | 1986-05-20 | 1987-12-01 | ||
| US5777710A (en) * | 1995-04-28 | 1998-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrode substrate, making the same, liquid crystal device provided therewith, and making the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS579977U (ja) * | 1980-06-16 | 1982-01-19 |
-
1984
- 1984-05-07 JP JP59090447A patent/JPH0619497B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS579977U (ja) * | 1980-06-16 | 1982-01-19 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62188734U (ja) * | 1986-05-20 | 1987-12-01 | ||
| US5777710A (en) * | 1995-04-28 | 1998-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrode substrate, making the same, liquid crystal device provided therewith, and making the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0619497B2 (ja) | 1994-03-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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