JPS60229948A - 有機半導体組成物 - Google Patents
有機半導体組成物Info
- Publication number
- JPS60229948A JPS60229948A JP59086718A JP8671884A JPS60229948A JP S60229948 A JPS60229948 A JP S60229948A JP 59086718 A JP59086718 A JP 59086718A JP 8671884 A JP8671884 A JP 8671884A JP S60229948 A JPS60229948 A JP S60229948A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- anion
- polymer
- doping
- semiconductor composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 7
- -1 tetrafluoroborate ion Chemical class 0.000 claims abstract description 28
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 27
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-M hydrogensulfate Chemical compound OS([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 6
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Divinylene sulfide Natural products C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 abstract description 4
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 abstract description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 abstract 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 abstract 1
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N benzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1 JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N tetrabutylammonium Chemical compound CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- KBLZDCFTQSIIOH-UHFFFAOYSA-M tetrabutylazanium;perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC KBLZDCFTQSIIOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M Chlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 2
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 2
- AKEJUJNQAAGONA-UHFFFAOYSA-N sulfur trioxide Chemical compound O=S(=O)=O AKEJUJNQAAGONA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003115 supporting electrolyte Substances 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229910021630 Antimony pentafluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 241001474791 Proboscis Species 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBVBHWZYQGJZLR-UHFFFAOYSA-I antimony pentafluoride Chemical compound F[Sb](F)(F)(F)F VBVBHWZYQGJZLR-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- YBGKQGSCGDNZIB-UHFFFAOYSA-N arsenic pentafluoride Chemical compound F[As](F)(F)(F)F YBGKQGSCGDNZIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-O butylazanium Chemical compound CCCC[NH3+] HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007806 chemical reaction intermediate Substances 0.000 description 1
- DENRZWYUOJLTMF-UHFFFAOYSA-N diethyl sulfate Chemical compound CCOS(=O)(=O)OCC DENRZWYUOJLTMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940008406 diethyl sulfate Drugs 0.000 description 1
- VAYGXNSJCAHWJZ-UHFFFAOYSA-N dimethyl sulfate Chemical compound COS(=O)(=O)OC VAYGXNSJCAHWJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001760 dimethyl sulfoxide Drugs 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- CNUDBTRUORMMPA-UHFFFAOYSA-N formylthiophene Chemical compound O=CC1=CC=CS1 CNUDBTRUORMMPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- DWTYPCUOWWOADE-UHFFFAOYSA-M hydron;tetramethylazanium;sulfate Chemical compound C[N+](C)(C)C.OS([O-])(=O)=O DWTYPCUOWWOADE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M lithium perchlorate Chemical compound [Li+].[O-]Cl(=O)(=O)=O MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001486 lithium perchlorate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001496 lithium tetrafluoroborate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N nitromethane Chemical compound C[N+]([O-])=O LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYCAUPASBSROMS-AWQJXPNKSA-M sodium;2,2,2-trifluoroacetate Chemical compound [Na+].[O-][13C](=O)[13C](F)(F)F UYCAUPASBSROMS-AWQJXPNKSA-M 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- WGHUNMFFLAMBJD-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O.CC[N+](CC)(CC)CC WGHUNMFFLAMBJD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZCWKIFAQRXNZCH-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;perchlorate Chemical compound C[N+](C)(C)C.[O-]Cl(=O)(=O)=O ZCWKIFAQRXNZCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規なチオフェン共重合体より成る有機半導体
組成物に関するものである。
組成物に関するものである。
近年、多くの分野で産業機器の電子化が進展し電子材料
の需要が増加した。それに伴い、新規半導体材料の開発
が重要な課題となり、無機半導体に加えて有機半導体に
ついての研究が活発に行われている。その結−果、ポリ
アセチレン、ポリフェニレンなどの共役二重結合をもっ
た重合体に対し、電子受容体を添加して半導体としての
性質を付与した有機半導体がこれまでに開発された。
の需要が増加した。それに伴い、新規半導体材料の開発
が重要な課題となり、無機半導体に加えて有機半導体に
ついての研究が活発に行われている。その結−果、ポリ
アセチレン、ポリフェニレンなどの共役二重結合をもっ
た重合体に対し、電子受容体を添加して半導体としての
性質を付与した有機半導体がこれまでに開発された。
しかしながら、このような半導体材料として使用される
重合体の多くは、はん用熱可塑性重合体と異なり、加熱
しても溶融せずに固体状態のままで熱分解するため、成
形性、加工性が劣る上に、化学的性質、機械的性質が低
いという欠点があり気中で不安定であるという欠点を有
′しており、いずれも実用性あるものとは言えない。
重合体の多くは、はん用熱可塑性重合体と異なり、加熱
しても溶融せずに固体状態のままで熱分解するため、成
形性、加工性が劣る上に、化学的性質、機械的性質が低
いという欠点があり気中で不安定であるという欠点を有
′しており、いずれも実用性あるものとは言えない。
本発明者らは、このような従来の有機半導体のもつ欠点
を克服すべ(鋭意研究を行った結果、ある種のチオフェ
ン共重合体がその目的に適合することを見出し、この知
見に基づいて本発明をなすに至った。
を克服すべ(鋭意研究を行った結果、ある種のチオフェ
ン共重合体がその目的に適合することを見出し、この知
見に基づいて本発明をなすに至った。
すなわち、本発明は、一般式
(式中のnは2又は3の整数である)
で示される繰返し単位から成る重合体に陰イオンをドー
ピングさせて成る有機半導体組成物を提供するものであ
る。
ピングさせて成る有機半導体組成物を提供するものであ
る。
本発明の重合体は、文献未載の新規物質であって、いず
れも空気中で安定であり、そのままでは電気的に絶縁体
であるが、陰イオンをドーピングさせることにより、半
導体としての性質を有するものとなる。このような陰イ
オンとしては、例え1 ば、テトラフルオロホウ酸イオ
ン、過塩素酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、ヘ
キサフルオロヒ素酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオ
ン、吻X1 z’i1t’・11リフルオル酢酸イオン、p−トルエ
ンスルホン酸イオンなどが挙げられる。
れも空気中で安定であり、そのままでは電気的に絶縁体
であるが、陰イオンをドーピングさせることにより、半
導体としての性質を有するものとなる。このような陰イ
オンとしては、例え1 ば、テトラフルオロホウ酸イオ
ン、過塩素酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、ヘ
キサフルオロヒ素酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオ
ン、吻X1 z’i1t’・11リフルオル酢酸イオン、p−トルエ
ンスルホン酸イオンなどが挙げられる。
本発明のチオフェン共重合体は、例えば、一般式
(式中のnは前記と同じ意味をもつ)
で示される両末端にチオフェン環をもつ化合物を電解重
合させることにより製造することができる。
合させることにより製造することができる。
本発明の重合体は電解重合により前記陰イオンがドーピ
ングされた構造で得られ、重合反応とドーピング過程と
が実質的に一段階で行いうるという長所を有する。また
、重合体の形状は電極面上に膜として形成され、膜厚は
電解槽に通じた電気量により調整ができるので、成形加
工工程を省略することが可能となる。この重合体の電導
度は1O−7S / cmから最大Is/cm程度と良
好であり、電極材料、電磁波シールド材、太陽電池など
への応用が可能である。
ングされた構造で得られ、重合反応とドーピング過程と
が実質的に一段階で行いうるという長所を有する。また
、重合体の形状は電極面上に膜として形成され、膜厚は
電解槽に通じた電気量により調整ができるので、成形加
工工程を省略することが可能となる。この重合体の電導
度は1O−7S / cmから最大Is/cm程度と良
好であり、電極材料、電磁波シールド材、太陽電池など
への応用が可能である。
また、ドーピングされた陰イオンの量は重合体のモノマ
ー単位当り0.1〜0.5モルである。
ー単位当り0.1〜0.5モルである。
電解重合により得られた前記陰イオンがドーピングされ
た重合体は、次に逆電圧を印加することにより、前記陰
イオンが重合体から分離し、前記一般式(Ilの構造を
もつ重合体となる。この前記一般式(■)の重合体に、
ヨウ素、三酸化イオウ、三フッ化ホウ素、五フッ化アン
チモン、五フッ化ヒ素のような電子受容体を接触するこ
とにより、再び半導体としての性質をもたせることもで
きる。
た重合体は、次に逆電圧を印加することにより、前記陰
イオンが重合体から分離し、前記一般式(Ilの構造を
もつ重合体となる。この前記一般式(■)の重合体に、
ヨウ素、三酸化イオウ、三フッ化ホウ素、五フッ化アン
チモン、五フッ化ヒ素のような電子受容体を接触するこ
とにより、再び半導体としての性質をもたせることもで
きる。
前記一般式(川の化合物は、例えば、2−チオフェンカ
ルボキシアルデヒドにジカルボン酸を反応させることに
より合成される〔ジャーナル・オブ・オーガニック・ケ
ミストリー(J、 Org、 Chem、)16巻、1
380頁(1951年)〕。
ルボキシアルデヒドにジカルボン酸を反応させることに
より合成される〔ジャーナル・オブ・オーガニック・ケ
ミストリー(J、 Org、 Chem、)16巻、1
380頁(1951年)〕。
電解重合は極性溶媒中かつ不活性雰囲気下で行うのが有
利である。この際の極性溶媒としては1、アセトニトリ
ル、ニトロベンゼン、ニトロメタン、ベンゾニトリル、
炭酸プロピレン、テトラヒドロフラン、塩化メチレン、
ジメチルホルムアミド、2)lメチルスルホキシド、ヘ
キサメチルホスホルトリアミド、1−メチル−2−ピロ
リジノン、ジメチル硫酸、ジエチル硫酸などが好ましい
。また不活性雰囲気としては窒素、アルゴンなどが用い
られる。このように不活性雰囲・気下で行うことにより
、反応中間体が酸素と化合して副生物を生じるのを防ぐ
ことができる。
利である。この際の極性溶媒としては1、アセトニトリ
ル、ニトロベンゼン、ニトロメタン、ベンゾニトリル、
炭酸プロピレン、テトラヒドロフラン、塩化メチレン、
ジメチルホルムアミド、2)lメチルスルホキシド、ヘ
キサメチルホスホルトリアミド、1−メチル−2−ピロ
リジノン、ジメチル硫酸、ジエチル硫酸などが好ましい
。また不活性雰囲気としては窒素、アルゴンなどが用い
られる。このように不活性雰囲・気下で行うことにより
、反応中間体が酸素と化合して副生物を生じるのを防ぐ
ことができる。
電極材料には、金、白金などの貴金属のほかに酸化第二
インジウム、酸化第二スズなどをガラス表面に蒸着した
ガラス電極も用いられる。
インジウム、酸化第二スズなどをガラス表面に蒸着した
ガラス電極も用いられる。
支持電解質としては、テトラフルオロホウ酸テトラメチ
ルアンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラエチルア
ンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラーn−ブチル
アンモニウム、テトラフルオロホウ酸リチウム、過塩素
酸テトラメチルアンモニウム、過塩素酸テトラエチルア
ンモニウム、過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモニウム
、過塩素酸リチウム、ヘキサフルオロリン酸テトラメチ
ルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸テトラ−n−1
fル7ンモニウム、ヘキサフルオロリン酸ナトリウム、
ヘキサフルオロヒ素酸テトラ−n −ブチルアンモニウ
ム、ヘキサフルオロヒ素酸ナトリウム、硫酸、硫酸水素
テトラメチルアンモニウム、硫酸水素テトラ−11−ブ
チルアンモニウム、トリフルオル酢酸ナトリウム、p−
トルエンスルホン酸テトラメチルアンモニウム、P−1
−/l/エンスルホン酸テトラーn−ブチルアンモニウ
ムなどがあげられる。
ルアンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラエチルア
ンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラーn−ブチル
アンモニウム、テトラフルオロホウ酸リチウム、過塩素
酸テトラメチルアンモニウム、過塩素酸テトラエチルア
ンモニウム、過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモニウム
、過塩素酸リチウム、ヘキサフルオロリン酸テトラメチ
ルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸テトラ−n−1
fル7ンモニウム、ヘキサフルオロリン酸ナトリウム、
ヘキサフルオロヒ素酸テトラ−n −ブチルアンモニウ
ム、ヘキサフルオロヒ素酸ナトリウム、硫酸、硫酸水素
テトラメチルアンモニウム、硫酸水素テトラ−11−ブ
チルアンモニウム、トリフルオル酢酸ナトリウム、p−
トルエンスルホン酸テトラメチルアンモニウム、P−1
−/l/エンスルホン酸テトラーn−ブチルアンモニウ
ムなどがあげられる。
電解重合は室温を中心とした一100〜150°Cの広
い温度範囲にわたって行うことができ、定電流電解、定
電位電解のいずれの方法に従ってもよい。
い温度範囲にわたって行うことができ、定電流電解、定
電位電解のいずれの方法に従ってもよい。
重合膜は1分程度の通電でも形成され、通電時間を長(
することにより膜厚を調整することができる。重合体は
使用した支持電解質中の陰イオンがドーピングされた構
造で得られ、これは半導体としての性質をもっている。
することにより膜厚を調整することができる。重合体は
使用した支持電解質中の陰イオンがドーピングされた構
造で得られ、これは半導体としての性質をもっている。
この重合体は、次に逆1 電圧を印加することにより、
陰イオンが分離し、前記一般式(Ilで示した重合体と
なる。
陰イオンが分離し、前記一般式(Ilで示した重合体と
なる。
前記一般式fIlの重合体において、nは2又は3の整
数であることが望ましい。nが1の場合、重合体が膜と
ならず粉末であり、nが2又は3の場合、重合体は赤色
膜状物となる。この重合体は有機溶媒に不溶であり、化
学的安定性に優れている。
数であることが望ましい。nが1の場合、重合体が膜と
ならず粉末であり、nが2又は3の場合、重合体は赤色
膜状物となる。この重合体は有機溶媒に不溶であり、化
学的安定性に優れている。
次に実施例により本発明を更に詳細に説明する。
実施例1
1cmの間隔で2枚のガラス電極(2x2=4cA)を
取り付けた電解槽に、1,4−ジ(2−チェニル)−1
,3−ブタジェン0.218g (1ミリモル)、過塩
素酸テトラ−n−ブチルアンモニウム0.171g(0
,5ミリモル)、ニトロベンゼンエOmlヲ加工、溶解
させた後、アルゴンを15分間吹込んで、25°Cで電
解重合を行った。電流密度は1 m入/ cJ、重合時
間は2時間であった。陽極には、過塩素酸イオンがドー
ピングされた黒色重合体が付着しており、電極から剥離
させると膜状物として得られ、乾燥後の重量は0.02
6 gであった。このフィルムの電■ 導度は0.50S/cmを示した。
取り付けた電解槽に、1,4−ジ(2−チェニル)−1
,3−ブタジェン0.218g (1ミリモル)、過塩
素酸テトラ−n−ブチルアンモニウム0.171g(0
,5ミリモル)、ニトロベンゼンエOmlヲ加工、溶解
させた後、アルゴンを15分間吹込んで、25°Cで電
解重合を行った。電流密度は1 m入/ cJ、重合時
間は2時間であった。陽極には、過塩素酸イオンがドー
ピングされた黒色重合体が付着しており、電極から剥離
させると膜状物として得られ、乾燥後の重量は0.02
6 gであった。このフィルムの電■ 導度は0.50S/cmを示した。
実施例2
実施例1において、ガラス電極の代わりに白金板を用い
たほかには同様な操作を行った。電流密度2mA/c+
fで2時間重合させたところ、黒色膜状重合体0.05
6gが得られ、その電導塵は0.28S/cmを示した
。
たほかには同様な操作を行った。電流密度2mA/c+
fで2時間重合させたところ、黒色膜状重合体0.05
6gが得られ、その電導塵は0.28S/cmを示した
。
実施例3
実施例1において、過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモ
ニウムの代わりに、テトラフルオロホウ酸テトラーn−
ブチルアンモニウム0.165 g(0,5ミIJモル
)を用いたほかには同様な操作を行った。電流密度2m
A/cfflで1時間重合させたところ、テトラフルオ
ロホウ酸イオンがドーピングされた黒緑色膜状重合体0
.023gが得られ、その電導塵は8.1 xto−5
S/c艷であった。
ニウムの代わりに、テトラフルオロホウ酸テトラーn−
ブチルアンモニウム0.165 g(0,5ミIJモル
)を用いたほかには同様な操作を行った。電流密度2m
A/cfflで1時間重合させたところ、テトラフルオ
ロホウ酸イオンがドーピングされた黒緑色膜状重合体0
.023gが得られ、その電導塵は8.1 xto−5
S/c艷であった。
実施例4
実施例1において、ニトロベンゼンの代ワリにテトラヒ
ドロフランを用いたほかには同様な操作を行った。電流
密度2 mA / c−で2時間重合させたところ、過
塩素酸イオンがドーピングされた黒色膜状重合体0.0
56gが得られ、その電導塵は5゜6X10 ’S/c
mであった。
ドロフランを用いたほかには同様な操作を行った。電流
密度2 mA / c−で2時間重合させたところ、過
塩素酸イオンがドーピングされた黒色膜状重合体0.0
56gが得られ、その電導塵は5゜6X10 ’S/c
mであった。
実施例5
実施例1で用いた電解槽に、1,6−ジ(2−チェニル
)1,3.5−ヘキサトリエン0.122 g(0,5
ミリモル)、過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモニウム
0.171g (0,5ミリモル)、ニトロベンゼン1
0dを加え、溶解させた。アルゴンを15分間吹込んだ
後、25℃で電解重合を行った。電流密度1 m入/
ctaで2時間重合させると、陽極に過塩素酸イオンが
ドーピングされた黒色重合体が付着しており、電極から
剥離後乾燥させると膜状物となり、重量は0.038
gであった。このフィルムの電導塵は3.7 xlO”
37cmを示した。
)1,3.5−ヘキサトリエン0.122 g(0,5
ミリモル)、過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモニウム
0.171g (0,5ミリモル)、ニトロベンゼン1
0dを加え、溶解させた。アルゴンを15分間吹込んだ
後、25℃で電解重合を行った。電流密度1 m入/
ctaで2時間重合させると、陽極に過塩素酸イオンが
ドーピングされた黒色重合体が付着しており、電極から
剥離後乾燥させると膜状物となり、重量は0.038
gであった。このフィルムの電導塵は3.7 xlO”
37cmを示した。
実施例6
実施例5において、ニトロベンゼンの代t)すにベンゾ
ニトリルを用いたほかには同様な操作を行った。電流密
度1 mA/ cntで2時間重合させたところ、過塩
素酸イオンがドーピングされた黒色膜状重合体0.03
5 gが得られ、その電導度は1.8×10 ’ S/
cmであった。
ニトリルを用いたほかには同様な操作を行った。電流密
度1 mA/ cntで2時間重合させたところ、過塩
素酸イオンがドーピングされた黒色膜状重合体0.03
5 gが得られ、その電導度は1.8×10 ’ S/
cmであった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1一般式 (式中のnは2又は3の整数である) で示される繰返し単位から成る重合体に陰イオンをドー
ピングさせて成る。有機半導体組成物。 2 陰イオンがテトラフルオロホウ酸イオン、過塩素酸
イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、ヘキサフルオロ
ヒ素酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、トリフル
オル酢酸イオン又はp−トルエンスルホン酸イオンであ
る特許請求の範囲第1項記載の組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59086718A JPS60229948A (ja) | 1984-04-28 | 1984-04-28 | 有機半導体組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59086718A JPS60229948A (ja) | 1984-04-28 | 1984-04-28 | 有機半導体組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60229948A true JPS60229948A (ja) | 1985-11-15 |
JPH0412725B2 JPH0412725B2 (ja) | 1992-03-05 |
Family
ID=13894658
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59086718A Granted JPS60229948A (ja) | 1984-04-28 | 1984-04-28 | 有機半導体組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60229948A (ja) |
-
1984
- 1984-04-28 JP JP59086718A patent/JPS60229948A/ja active Granted
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
A.ANGEW.MAKROMOL.CHEM.=1973 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0412725B2 (ja) | 1992-03-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Malinauskas | Self-doped polyanilines | |
Feldhues et al. | Polyalxykothiophenes soluble electrically conducting polymers | |
US4737557A (en) | 3-N-higher alkylthiophene polymer and composition thereof | |
US5225109A (en) | Electrically conducting polymers and their preparation | |
Ikenoue et al. | A novel substituted poly (isothianaphthene) | |
WO2009113585A1 (ja) | 電気化学素子用膜、電気化学素子用電極及び電池 | |
US4892678A (en) | Thiophene derivative polymer and a polymer composition thereof | |
US4624999A (en) | Electrically conducting complexes of polymers of N-substituted carbazoles and substituted benzaldehydes | |
JPH0138411B2 (ja) | ||
JPH0794538B2 (ja) | 新規な重合体およびその製造方法 | |
JPH02218716A (ja) | 有機半導体及びその製造方法 | |
US4877852A (en) | Thiophene derivative polymer and a polymer composition thereof | |
JPS60229948A (ja) | 有機半導体組成物 | |
Jeon et al. | Electrochemical doping of poly (3-vinylperylene) and electrical properties of doped polymers | |
JPS62220518A (ja) | チオフエン系重合体及びその製造方法 | |
JPH0138805B2 (ja) | ||
JPH03174437A (ja) | 導電性ポリマー | |
Satoh et al. | Temperature dependence of mechanical properties of electrochemically prepared polypyrole film | |
JPS6183221A (ja) | ポリピリダジン及びその製造方法 | |
JPS6144921A (ja) | 有機半導体材料の製造方法 | |
JPS63199727A (ja) | 有機半導体 | |
JPS6162520A (ja) | 電導性高分子の製造方法 | |
JPS63196622A (ja) | イソチアナフテン構造を有する重合体の製造方法 | |
JPS60238316A (ja) | 有機半導体シ−トの製造方法 | |
JPH0739474B2 (ja) | ポリフエニレン膜の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |