JPS60229948A - 有機半導体組成物 - Google Patents

有機半導体組成物

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JPS60229948A
JPS60229948A JP59086718A JP8671884A JPS60229948A JP S60229948 A JPS60229948 A JP S60229948A JP 59086718 A JP59086718 A JP 59086718A JP 8671884 A JP8671884 A JP 8671884A JP S60229948 A JPS60229948 A JP S60229948A
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ion
anion
polymer
doping
semiconductor composition
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JPH0412725B2 (ja
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Susumu Tanaka
進 田中
Masaaki Sato
正昭 佐藤
Kyoji Kaeriyama
帰山 享二
Masao Suda
須田 昌男
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
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Agency of Industrial Science and Technology
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規なチオフェン共重合体より成る有機半導体
組成物に関するものである。
近年、多くの分野で産業機器の電子化が進展し電子材料
の需要が増加した。それに伴い、新規半導体材料の開発
が重要な課題となり、無機半導体に加えて有機半導体に
ついての研究が活発に行われている。その結−果、ポリ
アセチレン、ポリフェニレンなどの共役二重結合をもっ
た重合体に対し、電子受容体を添加して半導体としての
性質を付与した有機半導体がこれまでに開発された。
しかしながら、このような半導体材料として使用される
重合体の多くは、はん用熱可塑性重合体と異なり、加熱
しても溶融せずに固体状態のままで熱分解するため、成
形性、加工性が劣る上に、化学的性質、機械的性質が低
いという欠点があり気中で不安定であるという欠点を有
′しており、いずれも実用性あるものとは言えない。
本発明者らは、このような従来の有機半導体のもつ欠点
を克服すべ(鋭意研究を行った結果、ある種のチオフェ
ン共重合体がその目的に適合することを見出し、この知
見に基づいて本発明をなすに至った。
すなわち、本発明は、一般式 (式中のnは2又は3の整数である) で示される繰返し単位から成る重合体に陰イオンをドー
ピングさせて成る有機半導体組成物を提供するものであ
る。
本発明の重合体は、文献未載の新規物質であって、いず
れも空気中で安定であり、そのままでは電気的に絶縁体
であるが、陰イオンをドーピングさせることにより、半
導体としての性質を有するものとなる。このような陰イ
オンとしては、例え1 ば、テトラフルオロホウ酸イオ
ン、過塩素酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、ヘ
キサフルオロヒ素酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオ
ン、吻X1 z’i1t’・11リフルオル酢酸イオン、p−トルエ
ンスルホン酸イオンなどが挙げられる。
本発明のチオフェン共重合体は、例えば、一般式 (式中のnは前記と同じ意味をもつ) で示される両末端にチオフェン環をもつ化合物を電解重
合させることにより製造することができる。
本発明の重合体は電解重合により前記陰イオンがドーピ
ングされた構造で得られ、重合反応とドーピング過程と
が実質的に一段階で行いうるという長所を有する。また
、重合体の形状は電極面上に膜として形成され、膜厚は
電解槽に通じた電気量により調整ができるので、成形加
工工程を省略することが可能となる。この重合体の電導
度は1O−7S / cmから最大Is/cm程度と良
好であり、電極材料、電磁波シールド材、太陽電池など
への応用が可能である。
また、ドーピングされた陰イオンの量は重合体のモノマ
ー単位当り0.1〜0.5モルである。
電解重合により得られた前記陰イオンがドーピングされ
た重合体は、次に逆電圧を印加することにより、前記陰
イオンが重合体から分離し、前記一般式(Ilの構造を
もつ重合体となる。この前記一般式(■)の重合体に、
ヨウ素、三酸化イオウ、三フッ化ホウ素、五フッ化アン
チモン、五フッ化ヒ素のような電子受容体を接触するこ
とにより、再び半導体としての性質をもたせることもで
きる。
前記一般式(川の化合物は、例えば、2−チオフェンカ
ルボキシアルデヒドにジカルボン酸を反応させることに
より合成される〔ジャーナル・オブ・オーガニック・ケ
ミストリー(J、 Org、 Chem、)16巻、1
380頁(1951年)〕。
電解重合は極性溶媒中かつ不活性雰囲気下で行うのが有
利である。この際の極性溶媒としては1、アセトニトリ
ル、ニトロベンゼン、ニトロメタン、ベンゾニトリル、
炭酸プロピレン、テトラヒドロフラン、塩化メチレン、
ジメチルホルムアミド、2)lメチルスルホキシド、ヘ
キサメチルホスホルトリアミド、1−メチル−2−ピロ
リジノン、ジメチル硫酸、ジエチル硫酸などが好ましい
。また不活性雰囲気としては窒素、アルゴンなどが用い
られる。このように不活性雰囲・気下で行うことにより
、反応中間体が酸素と化合して副生物を生じるのを防ぐ
ことができる。
電極材料には、金、白金などの貴金属のほかに酸化第二
インジウム、酸化第二スズなどをガラス表面に蒸着した
ガラス電極も用いられる。
支持電解質としては、テトラフルオロホウ酸テトラメチ
ルアンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラエチルア
ンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラーn−ブチル
アンモニウム、テトラフルオロホウ酸リチウム、過塩素
酸テトラメチルアンモニウム、過塩素酸テトラエチルア
ンモニウム、過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモニウム
、過塩素酸リチウム、ヘキサフルオロリン酸テトラメチ
ルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸テトラ−n−1
fル7ンモニウム、ヘキサフルオロリン酸ナトリウム、
ヘキサフルオロヒ素酸テトラ−n −ブチルアンモニウ
ム、ヘキサフルオロヒ素酸ナトリウム、硫酸、硫酸水素
テトラメチルアンモニウム、硫酸水素テトラ−11−ブ
チルアンモニウム、トリフルオル酢酸ナトリウム、p−
トルエンスルホン酸テトラメチルアンモニウム、P−1
−/l/エンスルホン酸テトラーn−ブチルアンモニウ
ムなどがあげられる。
電解重合は室温を中心とした一100〜150°Cの広
い温度範囲にわたって行うことができ、定電流電解、定
電位電解のいずれの方法に従ってもよい。
重合膜は1分程度の通電でも形成され、通電時間を長(
することにより膜厚を調整することができる。重合体は
使用した支持電解質中の陰イオンがドーピングされた構
造で得られ、これは半導体としての性質をもっている。
この重合体は、次に逆1 電圧を印加することにより、
陰イオンが分離し、前記一般式(Ilで示した重合体と
なる。
前記一般式fIlの重合体において、nは2又は3の整
数であることが望ましい。nが1の場合、重合体が膜と
ならず粉末であり、nが2又は3の場合、重合体は赤色
膜状物となる。この重合体は有機溶媒に不溶であり、化
学的安定性に優れている。
次に実施例により本発明を更に詳細に説明する。
実施例1 1cmの間隔で2枚のガラス電極(2x2=4cA)を
取り付けた電解槽に、1,4−ジ(2−チェニル)−1
,3−ブタジェン0.218g (1ミリモル)、過塩
素酸テトラ−n−ブチルアンモニウム0.171g(0
,5ミリモル)、ニトロベンゼンエOmlヲ加工、溶解
させた後、アルゴンを15分間吹込んで、25°Cで電
解重合を行った。電流密度は1 m入/ cJ、重合時
間は2時間であった。陽極には、過塩素酸イオンがドー
ピングされた黒色重合体が付着しており、電極から剥離
させると膜状物として得られ、乾燥後の重量は0.02
6 gであった。このフィルムの電■ 導度は0.50S/cmを示した。
実施例2 実施例1において、ガラス電極の代わりに白金板を用い
たほかには同様な操作を行った。電流密度2mA/c+
fで2時間重合させたところ、黒色膜状重合体0.05
6gが得られ、その電導塵は0.28S/cmを示した
実施例3 実施例1において、過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモ
ニウムの代わりに、テトラフルオロホウ酸テトラーn−
ブチルアンモニウム0.165 g(0,5ミIJモル
)を用いたほかには同様な操作を行った。電流密度2m
A/cfflで1時間重合させたところ、テトラフルオ
ロホウ酸イオンがドーピングされた黒緑色膜状重合体0
.023gが得られ、その電導塵は8.1 xto−5
S/c艷であった。
実施例4 実施例1において、ニトロベンゼンの代ワリにテトラヒ
ドロフランを用いたほかには同様な操作を行った。電流
密度2 mA / c−で2時間重合させたところ、過
塩素酸イオンがドーピングされた黒色膜状重合体0.0
56gが得られ、その電導塵は5゜6X10 ’S/c
mであった。
実施例5 実施例1で用いた電解槽に、1,6−ジ(2−チェニル
)1,3.5−ヘキサトリエン0.122 g(0,5
ミリモル)、過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモニウム
0.171g (0,5ミリモル)、ニトロベンゼン1
0dを加え、溶解させた。アルゴンを15分間吹込んだ
後、25℃で電解重合を行った。電流密度1 m入/ 
ctaで2時間重合させると、陽極に過塩素酸イオンが
ドーピングされた黒色重合体が付着しており、電極から
剥離後乾燥させると膜状物となり、重量は0.038 
gであった。このフィルムの電導塵は3.7 xlO”
 37cmを示した。
実施例6 実施例5において、ニトロベンゼンの代t)すにベンゾ
ニトリルを用いたほかには同様な操作を行った。電流密
度1 mA/ cntで2時間重合させたところ、過塩
素酸イオンがドーピングされた黒色膜状重合体0.03
5 gが得られ、その電導度は1.8×10 ’ S/
cmであった。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1一般式 (式中のnは2又は3の整数である) で示される繰返し単位から成る重合体に陰イオンをドー
    ピングさせて成る。有機半導体組成物。 2 陰イオンがテトラフルオロホウ酸イオン、過塩素酸
    イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、ヘキサフルオロ
    ヒ素酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、トリフル
    オル酢酸イオン又はp−トルエンスルホン酸イオンであ
    る特許請求の範囲第1項記載の組成物。
JP59086718A 1984-04-28 1984-04-28 有機半導体組成物 Granted JPS60229948A (ja)

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JP59086718A JPS60229948A (ja) 1984-04-28 1984-04-28 有機半導体組成物

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JPS60229948A true JPS60229948A (ja) 1985-11-15
JPH0412725B2 JPH0412725B2 (ja) 1992-03-05

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Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A.ANGEW.MAKROMOL.CHEM.=1973 *

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JPH0412725B2 (ja) 1992-03-05

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