JPS6022656A - 霜検知装置 - Google Patents

霜検知装置

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Publication number
JPS6022656A
JPS6022656A JP13166683A JP13166683A JPS6022656A JP S6022656 A JPS6022656 A JP S6022656A JP 13166683 A JP13166683 A JP 13166683A JP 13166683 A JP13166683 A JP 13166683A JP S6022656 A JPS6022656 A JP S6022656A
Authority
JP
Japan
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ultrasonic
frost
receiver
generator
ultrasonic receiver
Prior art date
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Pending
Application number
JP13166683A
Other languages
English (en)
Inventor
Minoru Toyoda
実 豊田
Mitsuhiro Murata
充弘 村田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP13166683A priority Critical patent/JPS6022656A/ja
Publication of JPS6022656A publication Critical patent/JPS6022656A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/04Analysing solids
    • G01N29/11Analysing solids by measuring attenuation of acoustic waves
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/02Indexing codes associated with the analysed material
    • G01N2291/028Material parameters
    • G01N2291/02845Humidity, wetness

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は霜検知装置に関し、より詳しくは、超音波発
生器から超音波受波器に伝播する超音波強度の変化を検
出して霜状態を検知りるχ11規な4f、5成からなる
霜検知装置に関する。
この発明にかかる霜検知装置の一実施例を第1図に示し
た。
図において、1は超音波発生器を示し、この超音波発生
器1に対向してIIAEf波受波器2が配置されている
。3は霜付着被検知部を示し、λ(37f波発生器1と
超音波受波器2の間に配置市され−Cいる。
これら超音波発生器1、超音波受波器2J>よび霜付着
被検知部3は基板11に固定されている。超音波発生器
1について詳細に説明すると、圧電板5が支持体7に固
定されたもので構成されている。
この支持体7は電気絶縁性で熱伝導率が小さく、制振動
性の大きい材料からなる。また圧電4sの両面にはこの
圧電板5を駆動する電極6a、61)が形成されてお、
す、超音波数q4面である電極6bは支持体7から露出
するように配置されている。なお、図示しないがこの圧
電板5は電気絶縁性を確保するために電気絶縁材料、特
に耐水性を有する材料で被覆しておくことが好ましい。
また超音波受波器2について詳細に説明すると、圧電板
8が絶縁性支持体10に固定されたもので4f4成され
、圧電板8の両面には超音波発生器1からの超音波を受
けたときに発生づる電圧を取り出す電極9a、9bが形
成されている。そして電極9bは外部に露出するように
支持体10に配置されている。またこの圧電板8は圧電
板5と同様に電気絶縁性を確保するために絶縁材料、特
に耐水性を右する材料で被覆しておくことが好ましい。
さらに、霜付着被検知部3について詳細すると、たとえ
ば熱伝導のよい銅板、アルミニウム板、銀板などが用い
られ、板に穴4が形成されている。この穴4の形成位置
は超音波受けられるように設定される。またこの穴4は
霜が付着し1=とき霜で閉塞される大きさに選定されて
おり、霜でこの穴が閉塞されたとき、つまり布状態が現
出したとき、超音波発生器1からの超音波はその一部ま
たは全部がこの穴4の部分で反射され、超を汲置波器2
には伝播されないかあるいは減衰されるように構成され
ている。
次に検出回路部分について説明すると、超音波発生器1
側には電源12と発振回路13が接続されており、圧電
板5を一定の撮動周波数で振動させる。
また爪音波受波器2側には増幅器14、判別回路15お
よび制御回路16が接続されており、超音波発生器1か
ら伝播された超音波を受波して圧電板8て変換した電気
信号を増幅器14、で増幅し、判別回路15で電気信号
を判別し、解霜用のヒータなどを含む制御回路16を作
動させる。通常は謂が穴4を塞いで超音波発生器1から
の超音波が超音波受波器2に伝播されないかまたは減衰
された状態を’Ill 5i!1回路15で判別し、制
御回路16でヒータを例H−bXせて霜を解かずように
作動づる。
なJ3、上記した実施例にa3いて、図示しな(/XI
J\超音波発生器1と超音波受波器2について、基板1
1に対する振動漏れを一層なくすために、たとえば振動
ダンパーを介して基板11に固定してもよ(/′V0で
(14成したもよい。この場合、電気絶縁性を一確保す
るために振動(及17の表面を絶縁材料で被覆してもよ
い。また振動板17そのものを電気絶縁材料で((へ成
してもよい。
第3図は検出回路の他の例を示したものである。
図中、Aは第1図における超音波発生器1、亀音波受波
器2、ili (”J希液検知部3を含んだ検知部であ
り、増幅器14からの信号を発振回路13に帰3yシて
検知部Aに信号を加える帰j♀ループを構成する一方、
増幅器14には判別回路15および制御回路16が接続
されている。この回路によれ&ま、一定レベルの出力電
気信号を増幅器1八で増幅し、これを発振回路13に帰
還するようにしているため、周囲条件の変iによって圧
電体5(8)の共振周波数が多少ずれても発振が常に最
良状態に保てる。しlこがってレベル信号の低下があれ
ば直ちに発振が停止することになり、霜検知が精度J:
 <行えることになる。
第4図〜第6図は霜イζl看被検知部の他の例を示した
ものである。
第4図の例は板17と板18とをスリット19をii’
i (IXで同一平面上に並行に配置してものであり、
ス1ノット19が超音波20を通過させる個所になる。
まlここのスリット19は霜が出来る状態になると霜で
塞がれ、超音波20を反則あるいは減衰り−る個所にし
なる。
第5図の例は仮17を上側に仮18を下側に配置し、図
面上板17と板18とを多少左右にJ゛らすことにより
スリット19を形成したものであり、このスリット19
が第4図と同様、超音波20を通過さけたり、反射ある
いは減衰させたりする個所となる。
第4図に示しt=例によれば、霜解りに際してスリブl
〜19の大きさにJ:っでは板17と板18間が露によ
り連結されることがあるが、この第5図に示した例では
このような問題の生じるおそれがなくなる。
第6図の例は、大きな板17と小さな板18とを間隔を
置いて対向させ、大きな板17に切り欠き部17ス之 aを形成し、小さな板18側から見たとき切り≠今部1
7aが現われる部分をスリット19にしたものであり、
このスリット19の位置で超音波20を通過さけたり、
反射あるいは減衰させたりする個所となっている。この
例においても第5図の例と同様に、スリット19の位置
において露ににり連結されるおそれがない。
第4図〜第6図の例はいずれもスリブ1〜19に霜が付
着した状態を検知する場合を示したものであり、特にこ
のようなスリットを設りることにより、霜が溶りたとぎ
水滴が自重で落下し、スリブ1へ部分に水分が残存しな
くなり、残存した水分により超音波が反射して誤動作が
発生するという恐れがなくなる。
第7図、第8図はさらにこの発明の他の実施例を示しl
〔ものである。
図に従って説明づ°ると基板23上に、NO当波発生器
21と超音波受波器22を並夕11配置し、この基板2
3に対向して超音波反射板24を配置したものである。
したがって、超音波発生器21からの超音波20は超音
波反射板24で反則され、超音波受波器22に入用する
ことになる。25は板を示し、基板23と超音波反則板
24間に配置され、かつ眉音波20が通過りる孔26を
有している。つまり、孔26を有する板25が霜イ]被
検検知部となり、霜が付着しでいない状態では、超音波
発生器21からの超音波20は矢印で示したように反射
板24で反射され、超音波受波器22で受波される。一
方、霜が孔26を塞いだとき、超音波20は超音波受波
器22に入射せず、霜(4着状態を検知することができ
る。第8図に示したものはり、超音波発生器21、超音
波受波器22に霜が(=J着しないようにしものである
以上の各実施例から明らかなようにこの発明によれば、
仲計、 −〜 〜−− 排キホ##、超音波発生器からの超音波が超音波受波器
に伝播Jる経路の途中に霜(=J着被検知部を配置し、
霜付着被検知部に霜が付着するかあるいは11着してい
ない状態に応じて超音波受波器で受りる超音波強度の強
弱を検知するようにしたものであり、超音波発生Rji
、超音波受波器に直接用がイ(4着しない状態で霜の検
知が行えることができるため、検知精度を高めることが
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す概略図、第2図は第
1図におりる変形例部分を示ず一部拡大概略図、第3図
は検出回路例を示す図、第4図〜第6図は霜イ]被検検
知部の例を示す図で、第4図は斜視図、第5図は側面図
、第6図は斜視図、第7図、第8図はこの発明の他の実
施例を示す概略図である。 1は超音波発生器、2は超音波受波器、3は霜付着被検
知部。 特 i′[出 願 人 株式会社村田製作所 第2図 帖3[¥] /4 第 7図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)超音波発生器と、超音波受波器と、霜付着被検知
    部とを有し、 前記霜付着被検知部は超音波発生器からの超音波が超音
    波受波器に伝播する経路の途中に配置されており、 かつ前記霜付着被検知部は、霜が付着しない状態では超
    音波発生器からの超音波が超音波受波器に伝播し、霜が
    イ」着した状態では超音波発生器からの超音波が超音波
    受波器に伝播しないか減衰された状態で伝播−するよう
    に構成されていることを特徴とする霜検知装置。
  2. (2)前記超音波発生器と前記超音波受波器は、圧電振
    動子を熱伝導率が小さくかつ制振動性の大きい電気絶縁
    性の支持体に固定しまたものから構成されていることを
    特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の霜検知装置
  3. (3)前記霜付着被検知部は熱伝導のよい々A料から構
    成されていることを特徴とする特許請求の範囲第(1)
    項記載の霜検知装置。
  4. (4)前記超音波発生器と前記超音波受波器と前記霜付
    着被検知部とを含む検知部は増幅器及び発振回路と帰還
    ループを構成していることを特徴とする特許請求の範囲
    第(1)項記載の霜検知装置G。
JP13166683A 1983-07-18 1983-07-18 霜検知装置 Pending JPS6022656A (ja)

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JPS6022656A true JPS6022656A (ja) 1985-02-05

Family

ID=15063385

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JP (1) JPS6022656A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7585799B2 (en) 2003-06-11 2009-09-08 3M Innovative Properties Company Microspheres having a high index of refraction

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7585799B2 (en) 2003-06-11 2009-09-08 3M Innovative Properties Company Microspheres having a high index of refraction

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