JPS6022653B2 - 光ファイバ素材の製造方法およびその装置 - Google Patents
光ファイバ素材の製造方法およびその装置Info
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- JPS6022653B2 JPS6022653B2 JP2090078A JP2090078A JPS6022653B2 JP S6022653 B2 JPS6022653 B2 JP S6022653B2 JP 2090078 A JP2090078 A JP 2090078A JP 2090078 A JP2090078 A JP 2090078A JP S6022653 B2 JPS6022653 B2 JP S6022653B2
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- Japan
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- carrier gas
- gas
- optical fiber
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高品質な光フアィバを得るための光ファィバ素
材の製造方法およびその装置に関するものである。
材の製造方法およびその装置に関するものである。
光フアィバの製造に使用する素材の製造方法の一つに化
学蒸着法がある。
学蒸着法がある。
この方法はガラス管の内壁に断面での屈折率分布が中心
に向かって増大するように、屈折率の異なったガラスを
日頃次蒸着させていくものである。この方法によって低
損失、広帯域光フアィバを得るには、高精度に屈折率が
制御されたガラスを蒸着することが必要であり、そのた
めに気体成分の濃度を精密に制御しなければならない。
従釆の光フアィバ素材製造装置では、キャリアガスを原
料気体の源、即ち原料液体中を通すことによって原料気
体をガラス管に供給していた。そして屈折率の制御はキ
ャリアガスの流量を少流量から大流量まで変化させてお
こなっていた。この方法ではキャリアガスに原料気体を
飽和量近くまで含ませることができ、一定のキャリアガ
スに対し多量の原料気体を送ることができる。しかしな
がら、この場合、原料気体の供給が時間的に不連続とな
り、ガラス管内に蒸着されるガラスの屈折率は時間的に
変化する。一層の厚さを大としたり、屈折率差を大とす
るためにキャリアガスが大流量である場合には時間的変
化は帯城、損失に影響を与えない程度であるが、一層の
厚さを小としたり、屈折率差を小とするためにキャリア
ガスが小流量である場合には前記時間的変化が無視でき
ず、一定の屈折率を安定に得ることが困難である。そし
て蒸着量を多くする必要がある場合、たとえばＳＩＣそ
４ 、屈折率を大きくする必要のある場合のＷＣ夕４
などにはキャリアガスが大流量で差し支えないが、原料
気体の蒸気圧が高く、又蒸着量を小量にする場合、例え
ばＢＢｒ３，ＰＯＣそ４ などは、キャリアガスを小流
量にする必要がある。
に向かって増大するように、屈折率の異なったガラスを
日頃次蒸着させていくものである。この方法によって低
損失、広帯域光フアィバを得るには、高精度に屈折率が
制御されたガラスを蒸着することが必要であり、そのた
めに気体成分の濃度を精密に制御しなければならない。
従釆の光フアィバ素材製造装置では、キャリアガスを原
料気体の源、即ち原料液体中を通すことによって原料気
体をガラス管に供給していた。そして屈折率の制御はキ
ャリアガスの流量を少流量から大流量まで変化させてお
こなっていた。この方法ではキャリアガスに原料気体を
飽和量近くまで含ませることができ、一定のキャリアガ
スに対し多量の原料気体を送ることができる。しかしな
がら、この場合、原料気体の供給が時間的に不連続とな
り、ガラス管内に蒸着されるガラスの屈折率は時間的に
変化する。一層の厚さを大としたり、屈折率差を大とす
るためにキャリアガスが大流量である場合には時間的変
化は帯城、損失に影響を与えない程度であるが、一層の
厚さを小としたり、屈折率差を小とするためにキャリア
ガスが小流量である場合には前記時間的変化が無視でき
ず、一定の屈折率を安定に得ることが困難である。そし
て蒸着量を多くする必要がある場合、たとえばＳＩＣそ
４ 、屈折率を大きくする必要のある場合のＷＣ夕４
などにはキャリアガスが大流量で差し支えないが、原料
気体の蒸気圧が高く、又蒸着量を小量にする場合、例え
ばＢＢｒ３，ＰＯＣそ４ などは、キャリアガスを小流
量にする必要がある。
この欠点を除去する方法の１つとして、キャリアガスを
使用せず原料気体を直接流量制御しガラス管内に供給す
る方法があるが、この方法は前記原料気体がわずかでも
流量制御系を腐食するものであっては使用できない。
使用せず原料気体を直接流量制御しガラス管内に供給す
る方法があるが、この方法は前記原料気体がわずかでも
流量制御系を腐食するものであっては使用できない。
本発明の目的は上記の欠点を除去することのできる光フ
アィバ素材の製造装置を得ることである。
アィバ素材の製造装置を得ることである。
即ち、本発明は光フアィバの原料気体を供給して蒸着を
行ない、光フアィバ素材を製造する装置において、前記
原料気体の供給手段として、キャリアガスが大流量であ
る場合には従来通り前記原料気体の源、即ち原料液体の
中のキャリアガスを通じるが、原料気体のうちキャリア
ガスを小流量にする必要のあるものについては、キャリ
アガスを原料液体中を通さず、原料気体中に通して、原
料気体をガラス管内に供給する装置である。
行ない、光フアィバ素材を製造する装置において、前記
原料気体の供給手段として、キャリアガスが大流量であ
る場合には従来通り前記原料気体の源、即ち原料液体の
中のキャリアガスを通じるが、原料気体のうちキャリア
ガスを小流量にする必要のあるものについては、キャリ
アガスを原料液体中を通さず、原料気体中に通して、原
料気体をガラス管内に供給する装置である。
ここで大流量とは通常１０比ｃ／分以上、特に１００〜
２０比ｃ／分、小流量とは数十ｃｃ／分、特に０〜１０
比ｃ／分程度の流量をいう。原料気体、およびその必要
とするキャリアガスの量の別は先に述べた通りであり、
またキャリアガスとしては酸素を用いてもよいし、窒素
、アルゴン等不活性ガスを用いてもよい。
２０比ｃ／分、小流量とは数十ｃｃ／分、特に０〜１０
比ｃ／分程度の流量をいう。原料気体、およびその必要
とするキャリアガスの量の別は先に述べた通りであり、
またキャリアガスとしては酸素を用いてもよいし、窒素
、アルゴン等不活性ガスを用いてもよい。
次に図面を用いて本発明を詳しく説明する。
第１図は本発明の実施例の１つである。１はキャリアガ
スとして使用した高純度酸素源、２，３，４，５，６は
酸素の流量制御系、７，８，９，１川ま各々ＳＩＣム
，ＱＣ夕４ ，ＰＯＣそ４ ，ＢＢｒ３を入れた容器で
ＳＩＣそ４ ，ＰＯＣ夕４ ，ＢＢｒ３のキャリアガス
の流量は各々１００比ｃ／分「４比ｃ／分、６比ｃ／分
でありＧｅＣ夕４ は比ｃ／分から２０比ｃ／分まで変
化させている。
スとして使用した高純度酸素源、２，３，４，５，６は
酸素の流量制御系、７，８，９，１川ま各々ＳＩＣム
，ＱＣ夕４ ，ＰＯＣそ４ ，ＢＢｒ３を入れた容器で
ＳＩＣそ４ ，ＰＯＣ夕４ ，ＢＢｒ３のキャリアガス
の流量は各々１００比ｃ／分「４比ｃ／分、６比ｃ／分
でありＧｅＣ夕４ は比ｃ／分から２０比ｃ／分まで変
化させている。
流量を制御された酸素はライン１１，１２から容器７，
８に入り原料液体中を通りライン１５，１６から容器を
出る。一方、ライン１３，１４より容器９，１０に入っ
た酸素は容器中の原料気体、即ちＰＯＣそ４およびＢＢ
ｒ３中を通りライン１７．１ ８から容器を出る。酸素
と４種の原料気体はガラス管１９に供給され、加熱源２
０で加熱されて反応しガラス化してＳｉ０２−蛇０２−
Ｐ２Ｑ−＆０３ガラスを形成する。従来の方法では小流
量のキャリアガスを使用する原料気体のガラス管への供
給は時間的に不連続であったが、本方法では供給される
原料気体の濃度が安定し、広帯域、低損失の光フアィバ
素材が安定して得られるようになった。また、ＰＯＣ〆
４ ，ＢＢｒ３の場合、キャリアガスの原料液体入口の
つまりも防ぐことができるようになった。第２図は本発
明の他の実施の態様である。流量制御されたキャリアガ
スは大流量の場合はライン２９，３０，３１，３２から
原料液容器２５，２６，２７，２８に入り原料液体中を
通る。また４・流量の場合はライン３３，３４，３５，
３６から前記原料液体の容器に入り、前記原料液体中は
通らず原料液体より蒸着した原料気体中を通り、ライン
１５，１６，１７，１８から出てガラス管に供給される
。コック２１，２２，２３，２４によってキャリアガス
を原料液体中を通すか、原料気体中を通すかを選択する
ことができ、このックは流量の変化により自動的に切り
替えることも可能である。例えば半径方向に屈折率を変
化させる必要のある場合、キャリアガス流量を大幅に変
化させる必要がある（例えば蛇Ｃそ４ のキャリアガス
流量を比ｃ／分から２０比ｃ／分まで変化させて屈折率
分布をつける）が、この切替装置により、０〜１０比ｃ
／分まではキャリアガスを原料気体中を通し、１００〜
２０比ｃ／分の範囲では原料液体中を通すことができる
。上記の２つの実施例においてはＳｉ０２−Ｃｅ０２−
Ｐ２Ｑ−＆０３系ガラスを選んだが、他の組成のガラス
であってもよいし、２成分、３成分又は５成分以上のガ
ラスであってもよい。
８に入り原料液体中を通りライン１５，１６から容器を
出る。一方、ライン１３，１４より容器９，１０に入っ
た酸素は容器中の原料気体、即ちＰＯＣそ４およびＢＢ
ｒ３中を通りライン１７．１ ８から容器を出る。酸素
と４種の原料気体はガラス管１９に供給され、加熱源２
０で加熱されて反応しガラス化してＳｉ０２−蛇０２−
Ｐ２Ｑ−＆０３ガラスを形成する。従来の方法では小流
量のキャリアガスを使用する原料気体のガラス管への供
給は時間的に不連続であったが、本方法では供給される
原料気体の濃度が安定し、広帯域、低損失の光フアィバ
素材が安定して得られるようになった。また、ＰＯＣ〆
４ ，ＢＢｒ３の場合、キャリアガスの原料液体入口の
つまりも防ぐことができるようになった。第２図は本発
明の他の実施の態様である。流量制御されたキャリアガ
スは大流量の場合はライン２９，３０，３１，３２から
原料液容器２５，２６，２７，２８に入り原料液体中を
通る。また４・流量の場合はライン３３，３４，３５，
３６から前記原料液体の容器に入り、前記原料液体中は
通らず原料液体より蒸着した原料気体中を通り、ライン
１５，１６，１７，１８から出てガラス管に供給される
。コック２１，２２，２３，２４によってキャリアガス
を原料液体中を通すか、原料気体中を通すかを選択する
ことができ、このックは流量の変化により自動的に切り
替えることも可能である。例えば半径方向に屈折率を変
化させる必要のある場合、キャリアガス流量を大幅に変
化させる必要がある（例えば蛇Ｃそ４ のキャリアガス
流量を比ｃ／分から２０比ｃ／分まで変化させて屈折率
分布をつける）が、この切替装置により、０〜１０比ｃ
／分まではキャリアガスを原料気体中を通し、１００〜
２０比ｃ／分の範囲では原料液体中を通すことができる
。上記の２つの実施例においてはＳｉ０２−Ｃｅ０２−
Ｐ２Ｑ−＆０３系ガラスを選んだが、他の組成のガラス
であってもよいし、２成分、３成分又は５成分以上のガ
ラスであってもよい。
またガラス管の内壁でなく、棒状物体の外周にガラスを
堆積する方法、又基体の上にガラス化する前段階の煤状
物質を堆積した後、ガラス化する方法にも適用できる。
堆積する方法、又基体の上にガラス化する前段階の煤状
物質を堆積した後、ガラス化する方法にも適用できる。
図面の簡単な説明第１図および第２図は本発明の装置の
構成を示す概略図である。
構成を示す概略図である。
矛１図
ガ２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 化学蒸着による光フアイバ素材の製造において、原
料気体の供給を、キヤリアガスを大流量にする場合には
キヤリアガスを原料液体中に通し、キヤリアガスを小流
量にする必要のある場合にはキヤリアガスを原料気体中
に通すことによつて、行なうことを特徴とする光フアイ
バ素材の製造方法。 ２ 光フアイバの原料気体の供給系と、反応系とを含む
光フアイバ素材の製造装置において、前記供給系に、キ
ヤリアガスを原料気体中を通して供給する手段、および
必要に応じ原料液体中を通して供給する手段とを、設け
たことを特徴とする、特許請求の範囲第１項記載の光フ
アイバ素材製造のための装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2090078A JPS6022653B2 (ja) | 1978-02-27 | 1978-02-27 | 光ファイバ素材の製造方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2090078A JPS6022653B2 (ja) | 1978-02-27 | 1978-02-27 | 光ファイバ素材の製造方法およびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54116427A JPS54116427A (en) | 1979-09-10 |
| JPS6022653B2 true JPS6022653B2 (ja) | 1985-06-03 |
Family
ID=12040098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2090078A Expired JPS6022653B2 (ja) | 1978-02-27 | 1978-02-27 | 光ファイバ素材の製造方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6022653B2 (ja) |
-
1978
- 1978-02-27 JP JP2090078A patent/JPS6022653B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54116427A (en) | 1979-09-10 |
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