KR100376166B1 - 광 증폭기 제조를 위한 화염가수분해 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 광통신에 사용되는 광증폭기 등 광부품 제작을 위한 화염 가수분해 장치로써, 별도의 기판위에 도파로를 형성하여 광신호의 흐름을 구성하는데, 광신호 증폭을 위하여 어븀(Erbium : Er) 및 이트븀(Ytterbium : Yb) 등을 첨가하여 유리막을 제조하는 화염가수분해 장치에 관한 것이다.
본 발명은 반응원료로 사용되는 액체 반응가스 및 화염 제조를 위한 기체 반응가스를 이송가스를 이용하여 기체 상태로 제공하는 가스 공급부와, 상기 가스 공급부로부터 이송가스를 공급받으며 희토류 원소가 함유된 고체원료를 가열하여 증발시키는 항온조와, 상기 가스 공급부로부터 이송가스를 공급받으며 용해된 희토류 원소를 에어로졸 상태로 제공하는 에어로졸 발생부와, 상기 가스 공급부, 항온조 및 에어로졸 발생부와 각각의 밸브를 통해 연결된 반응실을 포함하여 이루어지며, 상기 가스 공급부로부터 제공되는 상기 액체 반응가스 및 기체 반응가스의 화염가수분해 반응에 의해 상기 반응실에 위치된 기판 상에 산화물 미립자가 증착되고, 상기 항온조 또는 에어로졸 발생부로부터 제공되는 기체 상태의 희토류 원소가 상기 산화물 미립자에 첨가되도록 구성된다.

Description

광증폭기 제조를 위한 화염가수분해 장치{Flame hydrolysis apparatus for optical amplifier}
본 발명은 광통신에 사용되는 광증폭기 등 광부품 제작을 위한 화염 가수분해 장치로써, 별도의 기판위에 도파로를 형성하여 광신호의 흐름을 구성하는데, 광신호 증폭을 위하여 어븀(Erbium : Er) 및 이트븀(Ytterbium : Yb) 등을 첨가하여 유리막을 제조하는 광증폭기 제조를 위한 화염 가수분해 장치에 관한 것이다.
이때 사용되는 기판은 실리콘, 석영, 사파이어 등이 있으며, 광신호 증폭을 위한 첨가물질로는 어븀 및 이트븀 등을 광신호의 특성을 제어하고, 광증폭 기능에 따라 구분되어 사용된다. 기판에 유리를 성막하는 방법은 CVD(Chemical Vapor Deposition)[1], 화염가수분해법(FHD : Flame Hydrolysis Deposition)[2]등이 있으며, 본 발명에서는 FHD(화염 가수분해법)과 에어로졸 화염증착법(AFD : Aerosol Flame Deposition) 법을 이용하여 실리콘 기판위에 어븀 및 이트븀 등을 첨가하여 저손실의 실리카 광도파로를 제조하기 위한 화염 가수분해 장치에 관한 것이다.
[1] B. H. Verbeek, C. H. Henry, et al.,"Integrated Four Mach-Zender Multi-Demultiplexer Fabricated with Phosphorous Doped SiO2Waveguides on Si," J. Lightwave Technol. Vol. 6, No. 6. 1011 (1988)
[2] M. Kawachi, "Silica Waveguide on Silicon and Their Application to Integrated-Optic Components," Optical and Quantum Electronics, Vol. 22, 391 (1990)
일반적으로, 광통신 기술의 발전에 따라 광증폭기, 광 결합기, 광스위치, 파장 분할기 등의 각종 집적형 광학 부품을 제조하기 위하여 각종의 평면 도파로 기술이 개발되어 왔다. 종래의 광부품 제조를 위한 도파로 형성기술은 화염가수분해법등으로 제작된 실리카막(버퍼 클래드, 코아층)을 반응 이온 식각법으로 코아층을 정의하고 실리카막(오버 클래드층)을 형성하여 광신호의 흐름을 유도하는 구조로 제조된다. 화염가수분해법은 광섬유의 제조법인 VAD(Vapor Axial Deposition)법에서 파생된 방법으로 상압, 고온의 토치내에 이송원료를 반응시켜 산화물 미립자를 형성한 후 열처리공정을 통한 고밀화된 유리막을 얻는 방법이다. 도파로 특성의 주요변수는 유리막의 투명성, 균일한 굴절율과 도파로의 균일한 두께 등이 있다.
이러한 유리막의 투명성 및 도파로의 특성에 영향을 미치는 주요변수는 사용원료의 종류 및 유량, 생성물의 두께 및 고밀화 온도와 시간에 크게 좌우된다. 이러한 공정변수제어를 통한 기존 FHD[2] 방법을 이용하려면 화염온도가 1200~1250℃의 고온토치반응이라는 점과 미립자의 용융 고밀화 공정온도가 1250~1380℃로 높은 이유로 발생하는 복굴절, 균열 등의 발생 문제가 완전히 배제되지 못하고 있다. 또한 광증폭기 제작을 위한 도파로내에 광증폭원으로 고체원소인 어븀 킬레이트(chelate) 또는 이트븀 킬레이트(chelate)를 이용하고 있다. 따라서, 저손실의 광증폭 특성을 얻기 위하여는 어븀 및 이트븀 등의 균일한 첨가가 필수적이다. 그러나 이들 킬레이트(chelate) 원소는 상온에서 낮은 증기압으로 인하여 증기압 조절을 위하여는 온도조절 장치를 통한 가열이 필수적이다. 따라서 어븀 및 이트븀 원소의 첨가를 위하여는 종래에는 보관 용기(column) 및 이송관들 주위에 열선을 이용하여 가열하여야 하므로 보관용기 및 이송관 주위의 균일한 온도 제어를 위하여 부가적으로 온도장치가 필수적이다. 또한, 보관용기에서부터 이송라인을 거쳐 반응 토치(torch)에 이르기까지 균일한 온도제어가 어려운 난점이 있다. 또한,어븀 및 이트븀 첨가를 위해 이들 원소를 용액에 녹인 후 에어로졸 상태로 이송관을 통해 화염가수분해 장치에 공급하는 방법인 AFD법[3]을 이용하고 있다.
기존의 FHD 방법을 이용한 광증폭기의 제작을 위한 광증폭 원소인 어븀 및 이트븀의 균일한 첨가에는 다음과 같은 문제점이 있다.
첫째로는 기판과 화염이 직접 접촉하는 공정으로 상온의 기판에 일부분을 접촉하기 때문에 열분포의 불균형이 발생할 수 있다.
둘째로는 화염의 온도가 산화물 미립자의 녹는 온도와 유사하여 버너에 구성되어 있는 석영관 내부에 유리녹음현상이 발생되어 공기중의 이물질과 접촉하여 미립자 증착층에 치명적인 오염을 유발시킬 수 있다.
셋째는 광증폭기 및 이를 이용한 광부품을 제조하기 위하여는 광증폭원으로 이용되고 있는 어븀 및 이트븀의 첨가가 광부품의 특성을 크게 좌우한다. 이는 어븀 및 이트븀의 불균일한 분포에 의한 광산란으로 광증폭기 손실에 치명적인 영향을 미친다. 따라서 균일한 어븀 및 이트븀의 첨가가 필수적인데, 이 때 첨가되는 광증폭원으로 어븀 킬레이트(chelate) 또는 이트븀 킬레이트(chelate)를 이용하고 있다. 그러나 이들 킬레이트(chelate) 원소는 상온에서 낮은 증기압으로 인하여 증기압 조절을 위하여는 온도조절 장치를 통한 가열이 필수적이다. 따라서, 어븀 및 이트븀 원소의 첨가를 위하여 종래에는 보관 용기 및 이송관들 주위에 열선을 이용하여 가열하여야 하므로 보관용기 및 이송관 주위의 균일한 온도 제어를 위하여 부가적으로 온도장치가 필수적이다. 또한 보관용기에서부터 이송라인을 거쳐 반응 토치에 이르기까지 균일한 온도제어가 어렵다. 이에 따라 첨가하고자하는 원소의균일한 첨가 및 유량조절의 어려움이 있다. 또한 증발된 원료의 이송라인에 설치된 차단 밸브(valve) 주위에도 가열선을 설치하여야하는데, 이러한 밸브 주위를 가열선으로 균일하게 에워싸기가 어려워 국부적으로 불균일한 온도 분포가 발생한다. 따라서 가열선이 충분히 균일하게 감기지 않은 부분인 낮은 온도분포를 가지는 부분에서 어븀 킬레이트(chelate) 또는 이트븀 킬레이트(chelate)가 뭉쳐서 이송배관을 막히게하여 후공정을 진행할 수 없으므로 이송라인 전체를 수리하여야하는 문제점이 발생한다.
넷째로는 어븀 킬레이트(chelate) 또는 이트븀 킬레이트(chelate)의 보관용기인 컬럼(column)의 가열이 필수적이므로 보관용기(column) 주위에 감긴 열선으로 인하여 상용된 킬레이트(chelate) 원료의 사용량 및 반응의 형태를 관찰할 수 없는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명에서는 유리관(column)에 보관된 희토류 원소가 함유된 고체 킬레이트(chelate) 원료 보관용기와 이송가스라인 및 차단밸브를 내부가 보이는 온도조절이 가능한 항온조 속에 설치함으로써, 상기한 단점을 해결할 수 있는 광증폭기 제조를 위한 화염 가수분해 장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.
본 발명은 보관용기 및 이송라인 전체의 균일한 온도제어가 가능하다. 또한 어븀 및 이트븀 첨가를 위해 이들 원소를 용액에 녹인 후 에어로졸 상태로 이송관을 통해 FHD 장치에 공급하는 방법인 AFD 법을 동시에 구성함으로써, 다양한 방법으로 광증폭원인 어븀 및 이트븀을 첨가할 수는 장점이 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 화염가수분해 장치는 반응원료로 사용되는 액체 반응가스 및 화염 제조를 위한 기체 반응가스를 이송가스를 이용하여 기체 상태로 제공하는 가스 공급부와, 상기 가스 공급부로부터 이송가스를 공급받으며 희토류 원소가 함유된 고체원료를 가열하여 증발시키는 항온조와, 상기 가스 공급부로부터 이송가스를 공급받으며 용해된 희토류 원소를 에어로졸 상태로 제공하는 에어로졸 발생부와, 상기 가스 공급부, 항온조 및 에어로졸 발생부와 각각의 밸브를 통해 연결된 반응실을 포함하여 이루어지며, 상기 가스 공급부로부터 제공되는 상기 액체 반응가스 및 기체 반응가스의 화염가수분해 반응에 의해 상기 반응실에 위치된 기판 상에 산화물 미립자가 증착되고, 상기 항온조 또는 에어로졸 발생부로부터 제공되는 기체 상태의 희토류 원소가 상기 산화물 미립자에 첨가되도록 구성된 것을 특징으로 한다.
본 발명은 종래의 FHD 방법을 이용하여 어븀 및 이트븀 원소의 첨가로 인해 발생하는 손실문제를 근본적으로 개선하기 위한 것이며, 향후 광통신망에서 사용될 도파로형 광수동부품중 광증폭기 제작을 위한 질적 향상을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 FHD 법에 의한 고체원료인 킬레이트(chelate)를 이송하는데 용이한 구조의 화염가수분해 장치로 상기한 문제점을 극복하고, 이송배관의 온도가열을 용이하게 함으로써, 광증폭 원소인 어븀 및 이트븀의 첨가를 정밀하게 제어함과 아울러 AFD 법을 동시에 활용함으로써, 극저손실의 광증폭기용 실리카 도파로를 제조함을 목적으로 한다. 이러한 기술을 통하여 광증폭기, 광복합모듈 등을 제조하기 위한 기반기술로 구현할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 화염가수분해 장치의 구성도.
도 2는 화염가수분해 반응실의 구성도.
도 3은 고체 킬레이트(chelate) 원료의 가열/증발/이송을 위한 항온조의 구성도.
도 4는 에어로졸 발생부의 구성도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
11: 가스 공급부 12: 화염 가수분해 반응실
13: 항온조 14: 에어로졸 발생부
15: 체크밸브
본 발명은 화염가수분해법을 이용하여 어븀 및 이트븀을 첨가하여 유리막을형성하는 광증폭기 제조를 위한 화염 가수분해 장치에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 화염 가수분해 장치의 구성도이다.
화염 가수분해 장치의 구성은 SiCl4, POCl3, GeCl4, BCl3등의 액체 반응가스, 이들 액체 반응가스를 이송하기 위한 불활성 가스인 He, Ar, N2등의 이송가스(carrier gas) 및 화염가수분해 반응을 위한 H2, O2등의 기체 반응가스를 공급하기 위한 가스 공급부(11), 희토류 원소가 함유된 어븀 킬레이트, 이트븀 킬레이트 등의 고체원료를 가열하여 증발시키는 항온조(13), 에어로졸 방법을 이용하여 어븀, 이트븀 등의 용해된 희토류 원소를 에어로졸 상태로 공급하는 에어로졸 발생부(14) 및 상기 가스 공급부(11), 항온조(13) 및 에어로졸 발생부(14)와 각각의 체크밸브(15a, 15b 또는 15c)를 통해 연결된 반응실(12)로 전체 시스템을 구성한다.
항온조(13), 반응실(12), 에어로졸 발생부(14) 등은 He, Ar 또는 N2가스를 이송가스로 사용하며, 이들 각 부위를 연결하는 이송가스라인에는 체크밸브(15a 내지 15e)가 각각 연결되며, 각각의 체크밸브(15a 내지 15e)는 이송가스의 연결/차단 및 역류 기능 을 제어한다.
반응가스 공급부(11)는 일반적으로 유리막을 형성시키기 위해 잘 알려진 SiCl4, GeCl4, BCl3, POCl3등 액체원료를 He, Ar, N2등의 불활성 가스를 불어넣어 기체 상태로 이송시키면서 산수소화염을 발생시키기 위하여 H2와 O2를 FHD 반응실(12)에 공급을 유도하는 부분이다. 이때 사용되는 원료는 SiCl4, GeCl4, BCl3, POCl3(PCl3) 등으로 대부분 증기압이 낮은 액체원료이며, 가스의 특성은 [표 1]과 같다. 일반적인 반도체용 특수 가스와는 달리 저압에 강부식성을 갖고 있으며, 온도에 따라 매우 민감하게 변하므로 일정 온도를 유지하여야 한다.
화학식 순도(%) 증기압 용융점 독성
SiCl4 99.9999 400Torr(38℃) -68.8℃ 1.25ppm
POCl3 99.9999 100Torr(21℃) -111.8℃ 0.5ppm
BCl 3 99.9999 514Torr(10℃) -107.0℃ 1.5ppm
GeCl 4 99.9999 100Torr(25℃) -49.0℃ LC50 44mg/2H
반응가스 공급부(11)에서 공급된 액체 및 기체 반응가스는 FHD 반응실(12)에서 다음의 반응에 의하여 약 0.1㎛의 실리카 미립자를 형성하는데 그 반응식은 다음 [수학식 1]과 같다.
SiCl4+ 2H2+O2→ SiO2+4HCl+α
GeCl4+ 2H2+O2→ GeO2+4HCl+α'
4BCl3+ 6H2+3O2→ 2B2O3+12HCl+α"
상기의 반응을 통하여 형성된 실리카 미립자의 기본조성은 SiO2이며 굴절율과 융점을 제어하기 위한 첨가물인 GeO2, B2O3, P2O5등으로 구성된다.
도 2는 상기 반응이 진행되는 화염가수분해 반응실의 구성도이다.
실리콘, 석영, 세라믹 등의 기판(28)위에 반응 토치(29)를 사용하여 화학반응을 동반한 산수화염(26)과의 열분해 반응으로 실리카 미립자(27)를 증착하는 부분이다. FHD 반응실(22) 내의 반응 토치(29)는 희토류 원소가 함유된 고체원료인 어븀 킬레이트 및 이트븀 킬레이트를 가열하여 기체 상태로 공급하는 항온조(23)와 연결되어있으며, 항온조(23) 내부의 킬레이트 이송관 사이에 차단밸브(25a)가 연결되어 있어서, 킬레이트의 이송을 차단/연결시키는 역할을 한다. 또한, 어븀 및 이트븀이 용해되어 있는 에어로졸 발생부(24)와도 체크밸브(25c)를 통해 연결되어 있어 에어로졸에 의한 AFD 박막을 제조할 수 있다. 에어로졸 발생부(24)와 킬레이트를 가열하는 가열부의 체크밸브(25c)를 차단하고 반응가스 공급부(21)와 체크밸브(25a)를 통해 FHD 반응실(22)을 직접 연결함으로써, 어븀 및 이트븀를 첨가하지 않은 유리막도 제조가 가능하여 광분배기, 광합분파기 등의 유리막 제조도 가능하게 된다.
도 3은 고체 어븀 킬레이트와 이트븀 킬레이트의 가열 후 증발/공급을 위한 가열 항온조의 구성도이다.
항온조(3)는 고체원료인 어븀 킬레이트 및 이트븀 킬레이트가 저장된 보관용기(34a 및 34b), 보관용기(34a 및 34b)를 가열하여 고체원료를 증발시키기 위한 온도조절기(36)가 구비된 가열부, 반응가스 공급부(31)로부터 공급되는 이송가스를 이용하여 증발된 고체원료를 반응실(32)로 공급하는 이송배관 및 이송배관에 설치된 체크밸브(35b)로 이루어진다.항온조(3)의 기능은 반응가스 공급부(31)에서 공급된 He, Ar, N2등의 이송가스(carrier gas)에 의해서 체크밸브(35) 및 차단밸브(38a 및 38b)를 통해 킬레이트 보관용기(column)(34a 및 34b)에 장입된 어븀 및 이트븀 킬레이트를 장착된 온도조절기(36)에 의해 조절하여 킬레이트가 증발하기 시작하는 온도인 160℃이상의 온도로 가열하면 킬레이트 보관용기(34a 및 34b) 내의 킬레이트가 용융분해하여 발생된 기체를 He 등 이송가스에 의해 FHD 반응실(32) 내부로 이송시키는 작용을 한다.
이때 유리 및 석영 등 200℃정도의 온도에 견디면서 내부의 킬레이트가 보일정도의 투명한 물질로 가공된 킬레이트 보관용기(34a 및 34b), 이송배관 및 각종 차단밸브(38a 내지 38d)는 항온조(3) 내부에 구성한다. 그러므로, 각 부분에 온도분포가 균일하므로 가열선이 필요치 않기 때문에, 밸브 주위 등의 이송배관의 가열선이 부주의하게 감긴 부분 등에서의 응결로 인한 배관의 막힘을 방지할 수 있다. 만약, 온도의 불균일로 인한 배관부분의 온도저하로 배관이 막히게 되면 배관의 청소 및 재구성이 불가피하므로 공정에 막대한 지장을 초래하게 된다. 또한, 유리로 제작된 킬레이트 보관용기(34a 및 34b) 주위를 가열선으로 가열하지 않으므로, 용기내의 킬레이트의 반응상태 및 반응의 정도와 반응 후 잔량을 쉽게 확인할 수 있어서 후공정의 흐름 제어가 용이하다. 이를 위하여 항온조(3) 내부를 육안으로 식별이 가능한 유리 등 고온에 견딜수 있는 투명체로써 전면을 절연하고, 내부로부터 투명체로의 열발산을 방지하기 위하여 투명체 전면에 여닫이 문을 설치하여 열발산을 막을 수 있도록 구성하였다. 필요에 따라 내부를 관찰하고자 할때에는 전등(33)과 연결된 여닫이 문과 연결된 스위치를 구성하여 문을 열 때에는 자동적으로 전등에 불이 켜질 수 있도록 구성하여 내부 보관용기 및 이송배관의 상태를 수시로 확인이 용이하게 할 수 있도록 구성하였다. 또한 킬레이트 원소의 종류에 따라 보관용기의 숫자 및 온도조절의 범위를 결정하였다. 어븀 킬레이트와 이트븀 킬레이트는 서로 용융/증발 온도가 유사하여 킬레이트 보관용기(34a 및 34b)를 동일한 항온조 내에 구성 가능하다. 또한 용융/증발 온도가 이들 원소보다 낮은 경우 PCl3, PCl5 등의 원소를 사용할 경우 독자적인 항온조의 구성이 필요하다. 구성된 항온조(3) 내에서 이송배관은 체크밸브(35b)를 통해 FHD반응실(32)의 반응토치(29)와 연결되어 화염가수분해 반응과 함께 이송된 어븀 및 이트븀 원소는 실리카 유리막 형성시 첨가된다. 이때 킬레이트의 유량은 공급되는 He 등 이송가스의 유량을 반응가스 공급부(31)에서 유량조절계(MFC:Mass Flow Contoller)로 조절하도록 구성한다. 가능한 한 FHD 반응실(32)과 항온조(3) 사이의 이송배관의 길이를 짧게 구성함으로써 이송배관에서 발생하는 온도 불균일을 최대한 방지하고자 하였다. 그리고 반응용기 이전 배관은 0.25인치로 구성하고 킬레이트 반응 용기이후의 이송배관을 0.5인치로 구성하여 반응용기에서 발생된 증기압을 고려하여 기체의 전도도(conductance)를 향상시켰다.
도 4는 에어로졸 발생부의 구성도이다.
어븀 및 이트븀 첨가를 위해 이들 원소를 용액에 녹인 후 에어로졸 상태로 이송배관을 통해 FHD 반응실(42)로 공급하는 방법인 AFD법을 이용하여 실리콘, 석영, 세라믹 등의 기판 위에 화염 반응 토치를 사용하여 화학반응을 동반한 산수화염과의 열분해 반응으로 실리카 미립자를 증착하기 위한 에어로졸 발생부(44)의 구성도이다. 에어로졸 발생부(44) 하부에 설치된 초음파 발진장치(43)를 이용하여 어븀 및 이트븀 등이 용해된 용액을 에어로졸 상태로 제조하여 FHD 반응실(42)로 공급하게 된다. 이때 에어로졸의 발생량은 초음파 발진장치(43)의 소모전력을 높힘으로써 가능하며, 반응가스 공급부(41)에서 유량조절계(MFC)에 의한 He 등의 이송가스를 조절함으로써, FHD 반응실(42) 내의 반응 토치로 이송되는 에어로졸 이송량의 조절이 가능하도록 구성하였다. 그리고 에어로졸 반응 용기 이전 배관은 0.25인치로 구성하고 에어로졸 반응 용기이후의 이송배관을 0.5인치로 구성하여 에어로졸반응용기에서 발생된 증기압을 고려하여 기체의 전도도(conductance)를 향상시킬 수 있도록 구성하였다. 설명되지 않은 도면부호 45a 및 45b는 체크밸브, 46은 에어로졸 조절기, 47은 전원스위치를 각각 나타낸다.
여러가지 조절 변수들과 상기 설명과 같이 구성된 가스조절기구에 의해 연소가스와 원료가스가 반응하여 각종의 기판, 특히 실리콘 기판위에 광증폭 원소인 어븀 및 이트븀 등의 원소를 용이하게 첨가함으로써 고순도, 고균질의 실리카 미립자를 형성한다. 형성된 미립자는 유리화(고밀화)시키기 위하여 고온의 전기로에서 용융공정을 통하여 광도파 유리막을 얻을 수 있다.
본 발명은 종래의 FHD 방법을 이용하여 어븀 및 이트븀 원소를 첨가하여 발생하는 손실문제를 근본적으로 개선하기 위한 것이며, 향후 광통신망에서 사용될 도파로형 광수동부품중 광증폭기 제작을 위한 질적 향상을 목적으로 한다. 본 발명은 FHD 법에 의한 고체원료인 킬레이트(chelate)를 이송하는데 용이한 구조의 화염가수분해 장치를 제조하여 상기한 문제점을 극복하고, 이송배관의 온도가열을 용이하게 함으로써, 광증폭 원소의 첨가를 정밀하게 제어함과 아울러 AFD 법을 동시에 활용함으로써 광증폭원소인 어븀 및 이트븀을 효과적으로 첨가할 수 있으므로, 광도파로에서 발생하는 광산란을 최대한 억제할 수 있다, 이로 인해, 저손실의 광증폭기용 실리카 도파로를 제조할 수 있고, 이러한 기술을 통하여 광증폭기, 광복합모듈 등을 제조하여 광통신 산업의 기반을 확보할 수 있다.

Claims (9)

  1. 반응원료로 사용되는 액체 반응가스 및 화염 제조를 위한 기체 반응가스를 이송가스를 이용하여 기체 상태로 제공하는 가스 공급부와,
    상기 가스 공급부로부터 이송가스를 공급받으며 희토류 원소가 함유된 고체원료를 가열하여 증발시키는 항온조와,
    상기 가스 공급부로부터 이송가스를 공급받으며 용해된 희토류 원소를 에어로졸 상태로 제공하는 에어로졸 발생부와,
    상기 가스 공급부, 항온조 및 에어로졸 발생부와 각각의 밸브를 통해 연결된 반응실을 포함하여 이루어지며,
    상기 가스 공급부로부터 제공되는 상기 액체 반응가스 및 기체 반응가스의 화염가수분해 반응에 의해 상기 반응실에 위치된 기판 상에 산화물 미립자가 증착되고,
    상기 항온조 또는 에어로졸 발생부로부터 제공되는 기체 상태의 희토류 원소가 상기 산화물 미립자에 첨가되도록 구성된 것을 특징으로 하는 광증폭기 제조를 위한 화염가수분해 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 항온조는 상기 고체원료가 저장된 보관용기와,
    상기 고체원료를 증발시키기 위해 상기 보관용기를 가열하는 가열부와,
    이송가스를 이용하여 상기 증발된 고체원료를 상기 반응실로 공급하는 이송배관과,
    상기 이송배관에 설치된 밸브로 이루어진 것을 특징으로 하는 광증폭기 제조를 위한 화염가수분해 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 보관용기, 이송배관 및 밸브는 금속, 세라믹, 테프론 중 어느 하나의 재질로 이루어진 특징으로 하는 광증폭기 제조를 위한 화염가수분해 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 보관용기는 다수 개인 것을 특징으로 하는 광증폭기 제조를 위한 화염가수분해 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 보관용기는 유리 및 석영과 같은 투명한 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 광증폭기 제조를 위한 화염가수분해 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 고체원료는 어븀, 이트븀 등의 희토류 원소가 함유된 킬레이트이며, 200℃ 이하의 온도로 가열되어 증발되는 것을 특징으로 하는 광증폭기 제조를 위한 화염가수분해 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 항온조는 전면이 투명한 재질로 제작되며, 내부에는 전등이 구비된 것을 특징으로 하는 광증폭기 제조를 위한 화염가수분해 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 반응실에는 화염 제조를 위한 반응 토치가 구비된 것을 특징으로 하는 광증폭기 제조를 위한 화염가수분해 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 에어로졸 발생부는 상기 용해된 희토류 원소를 기체 상태로 만들기 위한 초음파 발진 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 광증폭기 제조를 위한 화염가수분해 장치.
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