JPS60223117A - 単分子累積膜形成方法 - Google Patents
単分子累積膜形成方法Info
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- JPS60223117A JPS60223117A JP59077528A JP7752884A JPS60223117A JP S60223117 A JPS60223117 A JP S60223117A JP 59077528 A JP59077528 A JP 59077528A JP 7752884 A JP7752884 A JP 7752884A JP S60223117 A JPS60223117 A JP S60223117A
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、単分子膜形成方法に関し、特に異種分子層が
秩序正しく並んだ累積膜を形成させるのに優れた方法に
関する。
秩序正しく並んだ累積膜を形成させるのに優れた方法に
関する。
［従来技術〕
従来、半導体技術分野並びに光学技術分野に於ける素材
利用はもっばら比較的取扱いが容易な無機物を対象にし
て進められてきた。これは有機化学分野の技術進展が無
機材料分野のそれに比べて著しく遅れていたことが一因
となっている。
利用はもっばら比較的取扱いが容易な無機物を対象にし
て進められてきた。これは有機化学分野の技術進展が無
機材料分野のそれに比べて著しく遅れていたことが一因
となっている。
しかしながら、最近の有機化学分野の技術進歩には目を
みはるものがあり、又、無機物対象の素材開発もほぼ限
界に近づいてきたといわれている。そこで無機物を凌ぐ
新しい機能素材としての機能性有機材料の開発が要望さ
れている。有機材料の利点としては安価かつ製造容易で
あること、機能性に富むこと、等である。反面、これま
で劣るとされてきた耐熱性、機械的強度に対しても、最
近、これを克服した有機材料も次から次へと生まれてい
る。このような技術的背景のもとで、論理素子、メモリ
ー素子、光電変換素子等の集積回路デバイスやマイクロ
レンズ・アレイ、光導波路等の光学デバイスの機能を荷
う部分（主として薄膜部分）の一部又は全部を従来の無
機薄膜に代えて、有機薄膜で構成しようという提案から
、ばては１個の有機分子に論理素子やメモリ素子等の機
能を持たせた分子電子デバイスや生体関連物質からなる
論理素子（例えば、バイオ・チップス）を作ろうという
提案が、最近、いくつかの研究機関により発表された。
みはるものがあり、又、無機物対象の素材開発もほぼ限
界に近づいてきたといわれている。そこで無機物を凌ぐ
新しい機能素材としての機能性有機材料の開発が要望さ
れている。有機材料の利点としては安価かつ製造容易で
あること、機能性に富むこと、等である。反面、これま
で劣るとされてきた耐熱性、機械的強度に対しても、最
近、これを克服した有機材料も次から次へと生まれてい
る。このような技術的背景のもとで、論理素子、メモリ
ー素子、光電変換素子等の集積回路デバイスやマイクロ
レンズ・アレイ、光導波路等の光学デバイスの機能を荷
う部分（主として薄膜部分）の一部又は全部を従来の無
機薄膜に代えて、有機薄膜で構成しようという提案から
、ばては１個の有機分子に論理素子やメモリ素子等の機
能を持たせた分子電子デバイスや生体関連物質からなる
論理素子（例えば、バイオ・チップス）を作ろうという
提案が、最近、いくつかの研究機関により発表された。
このようなデバイスの主要な構成要素である有機薄膜は
単分子累積法を用いて作製される。単分子累積法（別名
ラングミュア・プロジェット法。
単分子累積法を用いて作製される。単分子累積法（別名
ラングミュア・プロジェット法。
ＬＢ法）とは、親木基・疎水基をもった分子の親水性、
疎水性を利用して秩序よく水の上に展開して単分子膜を
形成した後、これを基板表面に移しとる方法で、基板上
に単分子膜あるいは単分子を積層した単分子累積ｎり（
これらをＬＢ膜という）の形成が可能である。
疎水性を利用して秩序よく水の上に展開して単分子膜を
形成した後、これを基板表面に移しとる方法で、基板上
に単分子膜あるいは単分子を積層した単分子累積ｎり（
これらをＬＢ膜という）の形成が可能である。
従来この種の装置は、第１図に示すように浅くて広い角
型の水槽ｌの内側に枠２が水平に水面３を仕切るように
置かれている。枠２は二次元シリンダとして機能し、枠
２の内側には方形の浮子４が浮かべられ、浮子４の幅は
枠２の内寸より僅かに狭く造ってあり、二次元ピストン
として左右に滑らかに移動できるようになっている。浮
子４を左右に移動させるためにワイヤー５を介して浮子
４はモーターなどを利用した巻き取り装置６と結ばれて
いる。
型の水槽ｌの内側に枠２が水平に水面３を仕切るように
置かれている。枠２は二次元シリンダとして機能し、枠
２の内側には方形の浮子４が浮かべられ、浮子４の幅は
枠２の内寸より僅かに狭く造ってあり、二次元ピストン
として左右に滑らかに移動できるようになっている。浮
子４を左右に移動させるためにワイヤー５を介して浮子
４はモーターなどを利用した巻き取り装置６と結ばれて
いる。
単分子膜の形成の際には、膜の構成物質をベンゼン、ク
ロロホルム等の揮発性溶媒に溶かし、水面３上に滴下す
る。溶媒が揮発した後には、二次元系の挙動を示す単分
子膜が水面３上に残される。分子の面密度が低い時は、
二次元気体の気体膜と呼ばれる。浮子４を右方向へ移動
することで単分子が展開する水面３の広がりを縮めて面
密度を増加して行くと、分子間の相互作用が強まり、二
次元液体の液体膜を経て、二次元固体膜へと変化する。
ロロホルム等の揮発性溶媒に溶かし、水面３上に滴下す
る。溶媒が揮発した後には、二次元系の挙動を示す単分
子膜が水面３上に残される。分子の面密度が低い時は、
二次元気体の気体膜と呼ばれる。浮子４を右方向へ移動
することで単分子が展開する水面３の広がりを縮めて面
密度を増加して行くと、分子間の相互作用が強まり、二
次元液体の液体膜を経て、二次元固体膜へと変化する。
この固体膜になると分子の配列配向はきれいにそろい、
半導体を構成する材料に要求される高度の秩序性及び均
一な超薄膜性を持つにいたる。
半導体を構成する材料に要求される高度の秩序性及び均
一な超薄膜性を持つにいたる。
単分子膜を水面３上から基板７表面上に移し取る方法と
して、水面３上の単分子膜に累積操作に好適な一定の表
面圧をかけながら、基板ホルダー８に取付けた基板７を
垂直方向９に上下することにより単分子膜を移しとる垂
直浸漬法がある。この方法では、第２図（ａ）のように
浸漬時だけ単分子膜】０が付着するＸ型、第２図（ｂ）
のように浸漬時にも引き上げ時にも単分子膜１０が付着
するＹ型、第２図（Ｃ）゛のように引き上げ時のみ単分
子膜１０が付着するＺ型の３種類がある。なお、第２図
の分子にて、１１は親木性部分、１２は疎水性部分であ
る。
して、水面３上の単分子膜に累積操作に好適な一定の表
面圧をかけながら、基板ホルダー８に取付けた基板７を
垂直方向９に上下することにより単分子膜を移しとる垂
直浸漬法がある。この方法では、第２図（ａ）のように
浸漬時だけ単分子膜】０が付着するＸ型、第２図（ｂ）
のように浸漬時にも引き上げ時にも単分子膜１０が付着
するＹ型、第２図（Ｃ）゛のように引き上げ時のみ単分
子膜１０が付着するＺ型の３種類がある。なお、第２図
の分子にて、１１は親木性部分、１２は疎水性部分であ
る。
第１図のような装置を使用して、例えばＹ型のへテロ累
積（累積方向に単分子膜の構成分子が異なる）膜として
第３図のような累積膜を作る場合（第２図（ｂ）参照）
、即ち、膜Ａの親水基１１ａと膜Ｂの親木基１１ｂとの
間にヘテロ接合を設ける場合には、まず基板を上下して
膜ＡＩ ＋ Ａ ２を付け、基板を水中に留めておき水
面上の単分子膜Ａを捨て、水面を浄化した後、水面上に
単分子膜Ｂを作り、基板を上下して膜ＢＩ 、Ｂ２を付
け、更に同様の手順で膜Ａ３を付けていた。膜交換の際
、水面の浄化に時間がかかり、多層になればなる程時間
がかかってしまう。また、膜交換の清浄の際に水面が波
立ってしまったり、水面位が変化するなどで基板上の水
面位付近の累積膜はきれいに並ばず、この付近の累積膜
は使用できない。
積（累積方向に単分子膜の構成分子が異なる）膜として
第３図のような累積膜を作る場合（第２図（ｂ）参照）
、即ち、膜Ａの親水基１１ａと膜Ｂの親木基１１ｂとの
間にヘテロ接合を設ける場合には、まず基板を上下して
膜ＡＩ ＋ Ａ ２を付け、基板を水中に留めておき水
面上の単分子膜Ａを捨て、水面を浄化した後、水面上に
単分子膜Ｂを作り、基板を上下して膜ＢＩ 、Ｂ２を付
け、更に同様の手順で膜Ａ３を付けていた。膜交換の際
、水面の浄化に時間がかかり、多層になればなる程時間
がかかってしまう。また、膜交換の清浄の際に水面が波
立ってしまったり、水面位が変化するなどで基板上の水
面位付近の累積膜はきれいに並ばず、この付近の累積膜
は使用できない。
上述のように基板を上から吊り下げるなどの方法で累積
膜を製造する装置ではへテロ膜すなわち異種分子層が累
積された膜を作る際に時間と手間がかかり、使える膜を
捨てなくてはならないなど、不都合な点が多々あった。
膜を製造する装置ではへテロ膜すなわち異種分子層が累
積された膜を作る際に時間と手間がかかり、使える膜を
捨てなくてはならないなど、不都合な点が多々あった。
［発明の目的］
本発明の目的は、特に異種分子層が秩序正しく並んだペ
テロ累積膜が短時間に僅かの手間で形成させることがで
きる単分子累積膜形成方法を提供することにある。
テロ累積膜が短時間に僅かの手間で形成させることがで
きる単分子累積膜形成方法を提供することにある。
［発明の構成および作用］
本発明によれば、同一展開液槽の液面に分子又は分子組
成の相異なる二種以上の単分子層を互に混じらないよう
に隔離形成せしめ、各単分子層と基板の相対的な水平方
向の移動を液中で行ないつつ該相異なる二種以上の単分
子層のある液面な順次頁挿させて基板を上下移動せしめ
、基板の液面通過時に該単分子層を付着させて分子又は
分子組成の相異なる単分子層を累積させることを特徴と
する単分子累積膜形成方法が提供される。
成の相異なる二種以上の単分子層を互に混じらないよう
に隔離形成せしめ、各単分子層と基板の相対的な水平方
向の移動を液中で行ないつつ該相異なる二種以上の単分
子層のある液面な順次頁挿させて基板を上下移動せしめ
、基板の液面通過時に該単分子層を付着させて分子又は
分子組成の相異なる単分子層を累積させることを特徴と
する単分子累積膜形成方法が提供される。
本発明の方法を図面を用いて説明する。第４図は本発明
の詳細な説明するだめの概略説明図であ角型の水槽１の
中央に仕切り２があり水面は３ａと３ｂの２つの部分に
分けられている。単分子膜の構成物質Ａを３８に、Ｂを
３ｂに滴下し、浮子４ａ、４ｂを不図示の移動装置で動
かし、任意の表面圧を水面３ａ、３ｂにある膜Ａ、Ｂに
かける。このようにして水面３ａ、３ｂにできた単分子
膜Ａ、Ｂを矢印１３〜１８の順番で基板に移し取る。ま
ず、水面３ａ外に位置している基板を矢印１３に従って
浸漬し、構成物質Ａの単分子層をくぐらせて基板上にＡ
の単分子層を付着させる。次に、水中の基板と水面上の
Ａ、Ｈの単分子層とを相対的に水平方向（矢印１４の方
向）に移動せしめ、水中の基板を矢印１５に従って水面
より上に出すときに構成物質Ｂの単分子層をくぐらせる
。次に矢印１８．１７．１８と前記の逆に移動させるこ
とにより第３図に示したような親木基と親木基の間にヘ
テロ接合を持つ累積膜が簡単に製作できる。このような
累積膜は、親水基部分に機能を持たせている分子を累積
した場合、異種分子の機能性部分が非常に近くなるとい
う利点がある。本発明は上述のように、水中で基板を動
かすことができることを特徴とした方法であ［実施例〕 次に図面に示す実施例を挙げて本発明を説明す第５図は
本発明の装置の実施例であり、正面断面図が（ａ）、側
断面図が（ｂ）である。
の詳細な説明するだめの概略説明図であ角型の水槽１の
中央に仕切り２があり水面は３ａと３ｂの２つの部分に
分けられている。単分子膜の構成物質Ａを３８に、Ｂを
３ｂに滴下し、浮子４ａ、４ｂを不図示の移動装置で動
かし、任意の表面圧を水面３ａ、３ｂにある膜Ａ、Ｂに
かける。このようにして水面３ａ、３ｂにできた単分子
膜Ａ、Ｂを矢印１３〜１８の順番で基板に移し取る。ま
ず、水面３ａ外に位置している基板を矢印１３に従って
浸漬し、構成物質Ａの単分子層をくぐらせて基板上にＡ
の単分子層を付着させる。次に、水中の基板と水面上の
Ａ、Ｈの単分子層とを相対的に水平方向（矢印１４の方
向）に移動せしめ、水中の基板を矢印１５に従って水面
より上に出すときに構成物質Ｂの単分子層をくぐらせる
。次に矢印１８．１７．１８と前記の逆に移動させるこ
とにより第３図に示したような親木基と親木基の間にヘ
テロ接合を持つ累積膜が簡単に製作できる。このような
累積膜は、親水基部分に機能を持たせている分子を累積
した場合、異種分子の機能性部分が非常に近くなるとい
う利点がある。本発明は上述のように、水中で基板を動
かすことができることを特徴とした方法であ［実施例〕 次に図面に示す実施例を挙げて本発明を説明す第５図は
本発明の装置の実施例であり、正面断面図が（ａ）、側
断面図が（ｂ）である。
１は水槽、２は水槽の液面を膜を展開させる部分と膜を
展開させない部分に区画する枠、１８は膜を展開させな
い液面のみを貫通して設けられた基板支持部材である。
展開させない部分に区画する枠、１８は膜を展開させな
い液面のみを貫通して設けられた基板支持部材である。
基板支持部材１８は上下レール部２０と該上下レール部
２０から直角方向に延出された腕部２１と腕部２１の先
端に取付けられた基板ホルダー８とからなっている。移
動部２２はレール２３に沿って左右方向に移動するとと
もに上下レール郁２０を上下に移動させるもので、その
内部に上下レール部２０を上下に移動させるためのモー
タ（不図示と自身を左右方向に移動させるためのモータ
（不図示）を内蔵しである。
２０から直角方向に延出された腕部２１と腕部２１の先
端に取付けられた基板ホルダー８とからなっている。移
動部２２はレール２３に沿って左右方向に移動するとと
もに上下レール郁２０を上下に移動させるもので、その
内部に上下レール部２０を上下に移動させるためのモー
タ（不図示と自身を左右方向に移動させるためのモータ
（不図示）を内蔵しである。
角型の水槽ｌの内側には枠（仕切り） ２ａが水平に水
面３ａ、３ｂを仕切るように置きれている。枠２の内側
の水面３ａには浮子４ａ、水面３ｂには浮子４ｂが浮か
べられており、不図示の移動装置及び表面張力計で水面
の３ａ 、 ３ｂの領域が任意の一定表面圧力になるよ
うになっている。基板７は基板ホルダー８に取り付ける
が、この場合、上下レール部２ｏを移動部２２内のモー
タによって上方へ上げてやる。
面３ａ、３ｂを仕切るように置きれている。枠２の内側
の水面３ａには浮子４ａ、水面３ｂには浮子４ｂが浮か
べられており、不図示の移動装置及び表面張力計で水面
の３ａ 、 ３ｂの領域が任意の一定表面圧力になるよ
うになっている。基板７は基板ホルダー８に取り付ける
が、この場合、上下レール部２ｏを移動部２２内のモー
タによって上方へ上げてやる。
また、基板７を取り付けた基板ホルダー８は、上下レー
ル部２０を介し移動部２２内のモータによりレール２３
上を左右に移動できるようになっている。 基板７を水
中に沈めた後、例えば単分子膜の構成物質Ａを３ａに、
Ｂを３ｂに滴下し、浮子４ａ。
ル部２０を介し移動部２２内のモータによりレール２３
上を左右に移動できるようになっている。 基板７を水
中に沈めた後、例えば単分子膜の構成物質Ａを３ａに、
Ｂを３ｂに滴下し、浮子４ａ。
４ｂで表面張力を与えてやり、単分子膜Ａ、Ｂを作る。
そして、基板７を上下、また、水中を左右に動かして膜
Ａ、Ｂを付けることで第３図のようなペテロ累積膜が容
易にできる。また、第５図の装置は、基板ホルダー８及
び上下レール部２０を交換することで従来装置のように
上から基板を吊す付着法ももちろんできる。更に分子の
展開水面が２つになっているので従来装置のように膜交
換の手間を省くことができる。なお枠２ａと浮子の組み
合せの数を増やして展開水面を３つ以上の多数にするこ
とも可能である。
Ａ、Ｂを付けることで第３図のようなペテロ累積膜が容
易にできる。また、第５図の装置は、基板ホルダー８及
び上下レール部２０を交換することで従来装置のように
上から基板を吊す付着法ももちろんできる。更に分子の
展開水面が２つになっているので従来装置のように膜交
換の手間を省くことができる。なお枠２ａと浮子の組み
合せの数を増やして展開水面を３つ以上の多数にするこ
とも可能である。
前記実施例では基板が水中を単分子膜の下へ移動したが
、基板は上下するのみで膜の方を浮子で移動してやって
もよい。また、２種類の単分子膜の水面の例を上げたが
円形水槽を使うと多種の膜が累積できる。
、基板は上下するのみで膜の方を浮子で移動してやって
もよい。また、２種類の単分子膜の水面の例を上げたが
円形水槽を使うと多種の膜が累積できる。
上述の実施例を第６図に示す。円形水槽１の内側に枠２
が水平に水面３に置かれ、膜を展開する部分と膜を展開
させない部分に区画されている。
が水平に水面３に置かれ、膜を展開する部分と膜を展開
させない部分に区画されている。
そして基板支持部材１８は膜を展開させない液面のみを
貫通して設けられている。
貫通して設けられている。
円形の水槽ｌの内側に枠２が水平に水面３に置かれであ
る。枠３の内側は浮子４ａ、 ４ｂ、 ４ｃ、 ４ｄで
水面が３ａ、 ３ｂ、 ３ｃ、 ３ｄの４つに分けられ
ている。
る。枠３の内側は浮子４ａ、 ４ｂ、 ４ｃ、 ４ｄで
水面が３ａ、 ３ｂ、 ３ｃ、 ３ｄの４つに分けられ
ている。
浮子４ａは内側の丸棒状の回転軸２４に固定され、浮子
４ｂは円筒状の回転軸２５に固定され、浮子４ｃは円筒
状の回転軸２６に固定され、浮子４ｄは円筒状の回転軸
２７に固定されている。回転軸と浮子の固定状態を第７
図に示す。回転軸２４．２５．２６．２７の回転中心は
一致するが各々独立に回転運動しうる。そして回転軸２
４．２５．２８．２７は水槽下にあるモーター（不図示
）で各々独立に回転可能である。
４ｂは円筒状の回転軸２５に固定され、浮子４ｃは円筒
状の回転軸２６に固定され、浮子４ｄは円筒状の回転軸
２７に固定されている。回転軸と浮子の固定状態を第７
図に示す。回転軸２４．２５．２６．２７の回転中心は
一致するが各々独立に回転運動しうる。そして回転軸２
４．２５．２８．２７は水槽下にあるモーター（不図示
）で各々独立に回転可能である。
これらの浮子４ａ、 ４ｂ、 ４ｃ、 ４ｄを回転軸２
４ 、２５ 。
４ 、２５ 。
２８．２７を中心に水槽下にあるモーターで回転して単
分子膜を移動させて基板７に付着させる。基板７の上下
はベース２８に取付けられた上下移動機構２８の中を通
る上下レール部２ｏで行う。上下レール部２０の下側の
水中に没している部分には基板ボルダ−８があり、基板
７が取付けである。上下レール部２０は水槽ｌの外側の
壁３ｏと枠２との間に位置するので、移動より枠２内の
水面を波立たせたりすることがない。
分子膜を移動させて基板７に付着させる。基板７の上下
はベース２８に取付けられた上下移動機構２８の中を通
る上下レール部２ｏで行う。上下レール部２０の下側の
水中に没している部分には基板ボルダ−８があり、基板
７が取付けである。上下レール部２０は水槽ｌの外側の
壁３ｏと枠２との間に位置するので、移動より枠２内の
水面を波立たせたりすることがない。
浮子４ａ、 ４ｂ、 ４ｃ、 ４ｄには不図示ではある
が、表面圧力計が付けられていて、水槽下のモーターで
浮子を動かすことで水面３ａ、 ３ｂ、 ３ｃ、 ３ｄ
に展開した単分子膜の表面圧を任意の値にすることがで
きる。４つに仕切られた水面それぞれに単分子膜を形成
することもできるが、単分子膜の状態（浮子の動きで表
面圧がかかり過ぎてしまう場合がある。）を考えると１
つは膜を形成しないか気体膜の状態にしておくのが望ま
しい。
が、表面圧力計が付けられていて、水槽下のモーターで
浮子を動かすことで水面３ａ、 ３ｂ、 ３ｃ、 ３ｄ
に展開した単分子膜の表面圧を任意の値にすることがで
きる。４つに仕切られた水面それぞれに単分子膜を形成
することもできるが、単分子膜の状態（浮子の動きで表
面圧がかかり過ぎてしまう場合がある。）を考えると１
つは膜を形成しないか気体膜の状態にしておくのが望ま
しい。
また、基板を取付ける部分が１つだけの図が示されてい
るが、２つ以上あっても良い。更に基板が上下する水面
以外の水面に膜構成物質の滴下装置を用いて不足する量
を補充してやることもできる。
るが、２つ以上あっても良い。更に基板が上下する水面
以外の水面に膜構成物質の滴下装置を用いて不足する量
を補充してやることもできる。
［実験例］
第５図（ａ）（ｂ）に図示した装置を用いて、単分子膜
の構成物質Ａとして、ヨウ化ビス−〔ｌ−才クタデシル
−ベンゾチアゾール−（２）］−トリメチンシアニンを
用い、また、構成物質Ｂとしてステアリン酸を用い、膜
構成物質の溶媒としてクロロホルムを使用し、ガラスの
基板を第４図に示した軌跡を描くように移動させ、第３
図に示す構造の単分子累積膜を容易に製造することがで
きた。
の構成物質Ａとして、ヨウ化ビス−〔ｌ−才クタデシル
−ベンゾチアゾール−（２）］−トリメチンシアニンを
用い、また、構成物質Ｂとしてステアリン酸を用い、膜
構成物質の溶媒としてクロロホルムを使用し、ガラスの
基板を第４図に示した軌跡を描くように移動させ、第３
図に示す構造の単分子累積膜を容易に製造することがで
きた。
［発明の効果］
本発明の方法にあっては、相異なる二種以上の単分子層
を互に混じらないようにし、液中で単分子層と相対的に
水平方向に移動しうる基板を液面を挿貫させて上下して
、相異なる単分子層を積層してゆくから、従来の装置の
ように使える膜を捨てて清掃したりする必要はなく、ま
た、膜交換を要しないかあるいは非常に少なくて済み、
水面浄化の手間が著しく軽減され、同一槽内で基板を移
動させるだけで容易に基板上に累積分子層が累積された
膜を作ることができる。
を互に混じらないようにし、液中で単分子層と相対的に
水平方向に移動しうる基板を液面を挿貫させて上下して
、相異なる単分子層を積層してゆくから、従来の装置の
ように使える膜を捨てて清掃したりする必要はなく、ま
た、膜交換を要しないかあるいは非常に少なくて済み、
水面浄化の手間が著しく軽減され、同一槽内で基板を移
動させるだけで容易に基板上に累積分子層が累積された
膜を作ることができる。
第１図は従来の装置の概略斜視図、第２図は単分子膜又
は累積膜の分子配向がら見た構造分類図である。第３図
は本発明の装置で容易に得られるヘテロ累積膜の構造図
、第４図は本発明の方法の概要を示す概略説明図、第５
図は本発明の実施例で（ａ）は正面断面図、（ｔ］）は
側断面図である。第６図は本発明の別の実施例を示す概
略斜視図、第７図は第６図の要部を示す上面図である。 １・・・水槽 ２・・・枠 ２ａ・・・枠（仕切り） ３ 、３ａ、 ３ｂ、 ３ｃ、 ３ｄ、 ３ｅ、 ３ｆ
、 ３ｇ、 ３ｈ・・・水面４・・・浮子 ５・・・ワイヤー ６・・・巻き取り装置 ７・・・基板 ８・・・基板ホルダー ９・・・垂直方向 ｌＯ・・・単分子膜 １１・・・親水性部分 １１ａ、ｌｌｂ ＝＝親水基 １２・・・疎水性部分 １３、１４．１５．１８．１７．１８ ・・・矢印（基板移動方向） １８・・・基板支持部材 ２０・・・上下レール部 ２１・・・腕部 ２２・・・移動部 ２３・・・レール ２４、２５．２Ｂ、 ２？・・・回転軸２８・・・ベー
ス ２８・・・上下移動機構 ３０・・・外側の壁 ３１・・・内側の壁 出願人 キャノン株式会社 代理人 豊 １） 善 雄 第１図 第２図（０） 第２図（ｂ） 第２図（Ｃ） 第３図 第５図 （Ｇ） （−ｂ） 第６図 第７図
は累積膜の分子配向がら見た構造分類図である。第３図
は本発明の装置で容易に得られるヘテロ累積膜の構造図
、第４図は本発明の方法の概要を示す概略説明図、第５
図は本発明の実施例で（ａ）は正面断面図、（ｔ］）は
側断面図である。第６図は本発明の別の実施例を示す概
略斜視図、第７図は第６図の要部を示す上面図である。 １・・・水槽 ２・・・枠 ２ａ・・・枠（仕切り） ３ 、３ａ、 ３ｂ、 ３ｃ、 ３ｄ、 ３ｅ、 ３ｆ
、 ３ｇ、 ３ｈ・・・水面４・・・浮子 ５・・・ワイヤー ６・・・巻き取り装置 ７・・・基板 ８・・・基板ホルダー ９・・・垂直方向 ｌＯ・・・単分子膜 １１・・・親水性部分 １１ａ、ｌｌｂ ＝＝親水基 １２・・・疎水性部分 １３、１４．１５．１８．１７．１８ ・・・矢印（基板移動方向） １８・・・基板支持部材 ２０・・・上下レール部 ２１・・・腕部 ２２・・・移動部 ２３・・・レール ２４、２５．２Ｂ、 ２？・・・回転軸２８・・・ベー
ス ２８・・・上下移動機構 ３０・・・外側の壁 ３１・・・内側の壁 出願人 キャノン株式会社 代理人 豊 １） 善 雄 第１図 第２図（０） 第２図（ｂ） 第２図（Ｃ） 第３図 第５図 （Ｇ） （−ｂ） 第６図 第７図
Claims (1)
- 同一展開液槽の液面に分子又は分子組成の相異なる二種
以上の単分子層を互に混じらないように隔離形成せしめ
、各単分子層と基板の相対的な水平方向の移動を液中で
行ないつつ該相異なる二種以上の単分子層のある液面を
順次貫挿させて基板を上下移動せしめ、基板の液面通過
時に該単分子層を付着させて分子又は分子組成の相異な
る単分子層を累積させることを特徴とする単分子累積膜
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59077528A JPS60223117A (ja) | 1984-04-19 | 1984-04-19 | 単分子累積膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59077528A JPS60223117A (ja) | 1984-04-19 | 1984-04-19 | 単分子累積膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60223117A true JPS60223117A (ja) | 1985-11-07 |
Family
ID=13636475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59077528A Pending JPS60223117A (ja) | 1984-04-19 | 1984-04-19 | 単分子累積膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60223117A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4848270A (en) * | 1986-12-02 | 1989-07-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for forming thin organic film |
| US5033404A (en) * | 1988-10-26 | 1991-07-23 | Nima Technology Ltd. | Barrier mechanism for isolating drive chain from active chamber in Langmuir trough |
-
1984
- 1984-04-19 JP JP59077528A patent/JPS60223117A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4848270A (en) * | 1986-12-02 | 1989-07-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for forming thin organic film |
| US5033404A (en) * | 1988-10-26 | 1991-07-23 | Nima Technology Ltd. | Barrier mechanism for isolating drive chain from active chamber in Langmuir trough |
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