JPS61271048A - 成膜装置 - Google Patents

成膜装置

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Publication number
JPS61271048A
JPS61271048A JP60112064A JP11206485A JPS61271048A JP S61271048 A JPS61271048 A JP S61271048A JP 60112064 A JP60112064 A JP 60112064A JP 11206485 A JP11206485 A JP 11206485A JP S61271048 A JPS61271048 A JP S61271048A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
film
liq
film forming
control part
Prior art date
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Pending
Application number
JP60112064A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshihiko Miyazaki
俊彦 宮崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP60112064A priority Critical patent/JPS61271048A/ja
Publication of JPS61271048A publication Critical patent/JPS61271048A/ja
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  • Coating Apparatus (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、例えば半導体技術分野並びに光学技術分野等
において、デバイスのt要な構成要素となる有a薄膜の
成膜装置に関し、特に、有機物質の単分子層を液面−L
に形成し、この中分子層を基板に移しとることにより、
該基板上に単分子膜又はその累積膜を形成させる成膜装
置に関する。
[従来の技術] 従来、半導体技術分野並びに光学技術分野における素材
利用は、もっばら比較的取扱いが容易な無機物を対象に
して進められて来た。
しかしながら、最近の有機化学分野の技術進歩は目覚ま
しく、無機物を凌ぐ新しい機能要材として、論理素r−
、メモリー素f、光電変検素f等の集積回路デバイスや
、マイクロレンズ・アレイ、光導波路笠の光学デバイス
の機能を荷う部分(丁として薄膜部分〕の一部又は全部
を従来の無機薄jIQに代えて、有機薄膜で構成しよう
とする提案がなされている。
このようなデバイスの′E要な構成要素である有a薄膜
は中介子累積法を用いて作製される。中分子−累積法(
別名ラングミュア・プロジェット法、LB法)とは、親
木基・疎水基をもった分子の親水性、疎水性を利用して
秩序よく水の上に展開して単分子膜を形成した後、これ
を基板表面に移しとる方法で、基板上に単分子膜あるい
は中介そを積層した単分子累積膜(これらをLB膜とい
う)の形成が可能である。
従来この種の装置は、第2図に示すように浅くて広い角
型の液槽1の内側に枠2が水平に水面3を仕切るように
置かれている。枠2は二次元シリンダとして機能し、枠
2の内側には方形の浮子4が浮かべられ、浮f4の幅は
枠2の内すより僅かに狭く造ってあり、二次元ピストン
として左右に滑らかに移動できるようになっている。浮
子4を左右に移動させるためにワイヤー5を介して浮子
4はモーターなどを利用した巻き取り装置6と結ばれて
いる。
中分子膜の形成の際には、膜の構成物質をベンゼン、ク
ロロホルム等の揮発性溶媒に溶かし、水面3北に滴下す
る。溶媒が揮発した後には、二次元系の挙動を示す単分
子膜が水面3上に残される。分子の面密度が低い時は、
二次元気体の気体膜と呼ばれる。浮f4を右方向へ移動
させることで中分子が展開する水面3の広がりを縮めて
面密度を増加させて行くと、分子間の相互作用が強まり
、二次元液体の液体膜を経て、二次元固体膜へと変化す
る。この固体膜になると分子の配列配向はきれいにそろ
い、半導体等を構成する材料に要求される高度の秩序性
及び均一な超薄膜性を持つにいたる。
?n分子膜を水面3上から基板7表面上に移し取る方法
として、水面3上の中分子膜に累積操作に好適な・定の
表面圧を保持しながら、基板ホルダー8に取付けた基板
7を垂直方向9に北上することにより中分子膜を移しと
る垂直浸漬法がある。
[発明が解決しようとする問題点] L記の如き従来の装置では、基板が展開液面に接触する
のは基板ホルダーが1回り下動するにつき1回だけなの
で、非能率的であるうえに、厳密には1回毎にE下動の
速度や接面時間などの成膜条件が異なり、製品の均一性
という点からも問題がある。
本発明は、これらの問題点を解決し、能率的で製品の均
一性を増す成膜装置を提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段] E記問題点を解決するために講じられた手段を、本発明
の一実施例に対応する第1図で説明すると、複数の液槽
1a〜1dと、基板ホルダー8に保持された複数の基板
7a〜7dを同時に異なる液槽1d〜1dに対して上下
させる基板コントロール部12とを有することを特徴と
する成膜装置である。
北記の液槽1a〜1dは、それぞれ独立した液槽を装置
内で等間隔に配首してもよければ、大型槽を枠などによ
り等分に仕切ってもよい。
[作 用] 各基板7a〜7dは、基板コントロール部12の上下動
により一斉に液槽1a−1dへ降下され、単分子層が移
しとられる。従って、各基板7a〜7dには、異なる液
槽1a−1dの水面上に展開された単分子膜が、同一の
上下動条件下で移し取られることになり、上下動条件が
各液槽1a〜1dについて異なることにより成膜状態の
不均一化を防止できる。
なお、本発明における成膜原理自体は、従来例で説明し
た単分子累積法(LB法)と同様である。
[実施例] 以下、本発明を、実施例とその図面を参照して詳細に説
明する。
第1図は、本発明に係る成膜装置の一実施例を示す斜視
図である。第1図において、成膜装置は円形槽を備え、
その円形槽が放射状の枠2によって4つの円形の液槽1
a〜1dに仕切られている。円形の中心位置には、塔状
の基板コントロール部12が立設され、その頂端からほ
ぼ水平に四方へ伸ばされた4木のアーム状の基板ホルダ
ー8の先端部に、成膜が行われる基板7a〜7dを保持
している。この基板コントロール部12は回動および上
下動可能で、80度ずつ回動しては上下動することによ
り、前記各扇形液槽1a〜1dの水面3a〜3dから順
次に単分子層を各基板7a〜7dに移しとって、累結膜
を形成する。
L記の成膜装置は、基板コントロール部12の上F動1
回で、4枚の基板7a〜7dに同時に単分子層を移しと
るので、従来の装置に比較して4倍の速度で処理するこ
とができ、能率的である。また、その4枚に関する限り
、J:、下動の速度および処理時間が同一同条件である
ので、製品が均一化される。
本発明において、液槽数も基板ホルダ一本数も特に限定
されるものではなく、液槽数と基板ホルダ一本数が同一
である必要もない。
第3図は、そのような別の一実施例を示す斜視図である
。第3図において、円形槽は放射状の枠2により、8つ
の扇形の液槽1a−1hに仕切られ、その円形中心位置
に塔状の基板コントロール部f2が立設され、その頂端
からほぼ水モに四方へ伸ばされたアーム状の基板ホルダ
ー8の先端部に、成膜が行われる基板7a〜7dが保持
されている。アームの本数が液槽数の半分なので、基板
7a〜7dは液槽1a−1hの1つ置きに配置され、基
板コントロール部12の上ド動により、対応する水面3
 a  、 3 c + 3 e  + 3 gから単
分子層を移しとり、次に45度回動して水面3b、3d
3f、3hから単分子層を累積する。この装置は、処理
速度の能率性と製品の均一性に関しては、第一の実施例
と同じ効果を有するが、分子群の種類や膜圧などの条件
が異なる2つの層を累積させる場合に特に好都合である
「発明の効果」 以上説明したとおり、本発明によれば、複数の液槽に複
数の基板を上下動させることにより、能率的で、製品の
均一性を高める成膜装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の斜視図、第2図は従来例の
斜視図、第3図は本発明の別な一実施例の斜視図である
。 la〜1h・・・液槽、2・・・枠、 3a〜3h・・・水面、7a〜7d・・・基板、8・・
・基板ホルダー、12・・・基板コントロール部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. I )複数の液槽と、基板ホルダーに保持された複数の
    基板を同時に異なる液槽に対して上下動させる基板コン
    トロール部とを有することを特徴とする成膜装置。
JP60112064A 1985-05-27 1985-05-27 成膜装置 Pending JPS61271048A (ja)

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JP60112064A JPS61271048A (ja) 1985-05-27 1985-05-27 成膜装置

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JP60112064A JPS61271048A (ja) 1985-05-27 1985-05-27 成膜装置

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JPS61271048A true JPS61271048A (ja) 1986-12-01

Family

ID=14577143

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JP60112064A Pending JPS61271048A (ja) 1985-05-27 1985-05-27 成膜装置

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