JPS60221427A - Manufacture of composite material - Google Patents

Manufacture of composite material

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JPS60221427A
JPS60221427A JP7706284A JP7706284A JPS60221427A JP S60221427 A JPS60221427 A JP S60221427A JP 7706284 A JP7706284 A JP 7706284A JP 7706284 A JP7706284 A JP 7706284A JP S60221427 A JPS60221427 A JP S60221427A
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diamine
polyimide
inorganic material
dianhydride
component
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Shuichi Matsuura
秀一 松浦
Yasuo Miyadera
康夫 宮寺
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To provide a composite giving a printed circuit board having excellent heat resistance and curl resistance, and silicon wafer or ceramic base free from warpage, by integrating an inorganic material with a polyimide made from a specific diamine. CONSTITUTION:An inorganic material is integrated with a polyimide prepared by the polymerization of (A) a diamine component composed of the diamine of formula (X is halogen, alky, fluoroalkyl, OCH3 or OH) and another diamine (at a molar ratio of 50:50-95:5) and (B) a tetracarboxylic acid dianhydride component containing >=50mol% pyromellitic dianhydride. The adhesivity can be improved by adding a siloxane-containing diamine in an amount of <=5mol% based on the whole amine component.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明にIIFI熱性の被れた複せ坏り製造法に閃する
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention is directed to a method for manufacturing IIFI thermally coated double-layered moldings.

〔従来技術〕[Prior art]

刊π 7■ノ弗−1/7′ル印鉢11西1劇鈎…(/J
各鳶にポリイミドフィルムと金JI!!箔とt接宥剤増
で介して接層させて製造している。
Published π 7■ノ弗-1/7'Ruinbachi 11 West 1 Drama hook...(/J
Polyimide film and gold JI on each tobi! ! It is manufactured by attaching a layer of foil and a t-adhesive agent.

そのため接層剤の耐熱性か十分でないのでポリイミドフ
ィルムの耐熱性で十分VC,発簿することが出来す、基
板り早出耐熱性に260℃程1詑である。
Therefore, the heat resistance of the adhesive is not sufficient, so the heat resistance of the polyimide film is sufficient for VC, and the early heat resistance of the substrate is about 260°C.

また物公昭39−348号公報ににピロメリットばなと
のテトラカルボン酸と4,4′−ジアミノジンエニルエ
ーテルなどの芳香派シアミンから侍られた芳香族ポリア
ミドば#i故τ會為泊に塗布して羞板とする方法例記載
されていゐた、侍られ?C基叡がカール丁ゐ問題がるる
〇−力、牛尋俸製造に用いられているシリコンウェハや
セラミック基板にボリアばドばτコードン、ガロ熱して
イミド化するとポリイミド課の厚さが薄い場合は全く問
題ないが、膜厚か浮くなると、シリコンウェハやセラミ
ック似にそりか発生し問題となる。これらね金鳥、シリ
コン。
In addition, in Publication No. 39-348 of 1988, aromatic polyamides prepared from aromatic cyamines such as pyromellitic acid and 4,4'-diaminodine enyl ether were reported. An example of how to apply it and use it as a shield was described. C Kiei has a curl problem, if the silicon wafer or ceramic substrate used in the production of beef thinner has a boria band τ cordon, and if it is heated to imidize it, the thickness of the polyimide section is thin. There is no problem at all, but if the film thickness becomes too thick, warping will occur similar to silicon wafers or ceramics, which will cause problems. These gold birds, silicone.

セラミックなどの無機材料とポリイミドの膨畑係数の不
一致に基づくものでめゐ0 〔発8Aの目的〕 不発明0特殊なジアミンで用いたポリアミド處ワニスr
使用することにより耐熱性にすぐれ。
This is based on the mismatch between the swelling field coefficients of inorganic materials such as ceramics and polyimide. [Purpose of Issue 8A] Non-inventive 0 Polyamide varnish used with special diamine.
It has excellent heat resistance when used.

カールしない2レキシプル印刷配線板用基板。A 2-lexiple printed circuit board substrate that does not curl.

ポリアミドτコートしたそりのないシリコンウェハやセ
ラミック基/r!1等の俵台捧を提供することて目的と
する。
Silicon wafer without warpage coated with polyamide τ or ceramic base/r! The purpose is to provide the first-class Tawaradai offering.

〔兄BAc/)栴戟〕[Brother BAc/) Sengeki]

ハロケン、アルキル基、2ルオロアルキル基。 Haloken, alkyl group, 2-fluoroalkyl group.

OC)1. 、 OHで示す)で示されるジアミンと他
の芳香族ジアミンとのモル比が50:50〜95:5刀
為らlゐジアミン成分とピロメリトぼ二無水@τ50モ
ル%以上富むテトラカルボンば二無水?21成分とτ非
プロトン性極性浴媒中で反応させて得たポリアミド酸ワ
ニスと無機材料とτ組付ゼて、イミド化を行なうことt
狩畝とする複合体の製造法に関丁ゐ。
OC)1. , OH) and other aromatic diamine in a molar ratio of 50:50 to 95:5, and a diamine component and a tetracarboxylic anhydride enriched with 50 mol% or more of pyromellito dianhydride ? Imidization is carried out by assembling the polyamic acid varnish obtained by reacting the 21 components with the inorganic material in an aprotic polar bath medium.
I am interested in the manufacturing method of the composite material called Karune.

芳香族ジアミンリモル比U50:50〜95:5が好ま
しく臀に好IL(U65:35〜900%より少ないと
;ai曾体としたときカールやそりか発生すゐ。ま7C
95モル%より多いともる(7i:/)〇 不発明において用いらnるピロメリト摩二無水物以外の
テトラカルボン叡二無水wJ成分としてta 6. s
、′4.4’−ベンゾ2エノンテトラ刀ルホン歌二無水
物、 3. s; 4.4′−シ2エニルエーテルテト
2力にボン7二無水物s 2.3. s; 4′〜ビン
工ニルテトラ刀ルボン敗二燕水物、6.6; 4.4’
−ビフ二〇ルテトラカルポンば二無水物、2,3,6.
7−ナフタリンナト2カルボン敵二無水物、1,2,5
゜6−す2タリンテトラカルボン叡二無水物、1゜4、
5.8−す2タリンテトラカルボン敞二無水@。
Aromatic diamine remolar ratio U50:50 to 95:5 is preferable, and IL is good for the buttocks (U65: less than 35 to 900%; curls and warps will occur when the ai is maintained.7C
More than 95 mol% (7i:/) ta as a component of tetracarboxylic dianhydride other than pyromellitic dianhydride used in the invention.6. s
, '4.4'-benzo2enonetetraanhydride, 3. s; 4.4'-cyenyl ethertetate dianhydride s 2.3. s; 4'~Binko Nil Tetra Sword Rubon Keijien Suimono, 6.6; 4.4'
- Bifu20tetracarpon dianhydride, 2,3,6.
7-Naphthalene dianhydride, 1,2,5
゜6-su2talintetracarboxylic anhydride, 1゜4,
5.8-S2talintetracarboxylic anhydride@.

ペリレンテトラカルボン敵二無水Th、3.3.4.4
’−ジフェニルプロパンテトラカルボンは二無水物、3
. s; 4.4′−ジンエニルヘーV−ブンルオロフ
ーロバンテトラカルボン酬二無水物、 s、 b; 4
.4’−72エニルスルホンテトラ刀ルボン戚二無7X
物。
Perylenetetracarboxylic anhydride Th, 3.3.4.4
'-Diphenylpropane tetracarboxylic acid is a dianhydride, 3
.. s; 4.4'-dinenylhe V-bunfluorofurobane tetracarboxylic dianhydride, s, b; 4
.. 4'-72 enyl sulfone tetra sword rubon kijimu 7X
thing.

ブタンテトラカルボンぼ二無水物、シクロペンタンテト
ラ刀ルボンば二無水物、エチレンビストリメリテートテ
トラカルボン販二無水vAなとかあ、0.これらの成分
U50モル%以下使用するのがよい。
Butanetetracarboxylic anhydride, cyclopentanetetracarboxylic anhydride, ethylene bistrimelitate tetracarboxylic anhydride vA, etc. It is preferable to use these components in an amount of 50 mol % or less.

本発明に用いる前記の式で示されるジアミンのA坏ガと
してO3,3’−ジクロルベンジジン、6.6′−ジメ
チルベンジジン、3..5’−ジ(トリンルオo メf
 k ) ヘンジジン、3.3’−ジエチルベンジジン
、3,6′−ジメトキシベンジジン、3.5’−ジヒド
ロキシベンジジンs 3,3′−シンルオロペンジジン
、 −2,3,5,6,2ζ3r5:6′−オクタンル
オロベンジジン、3.3’−ジブロモベンジジンがある
A member of the diamine represented by the above formula used in the present invention is O3,3'-dichlorobenzidine, 6,6'-dimethylbenzidine, 3. .. 5'-di(trinluo mef)
k) henzidine, 3,3'-diethylbenzidine, 3,6'-dimethoxybenzidine, 3,5'-dihydroxybenzidine s 3,3'-synluoropenzidine, -2,3,5,6,2ζ3r5: These include 6'-octanefluorobenzidine and 3,3'-dibromobenzidine.

上記のジアミンと組合せゐ他の芳香族ジアミンとしてσ
4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、4.4′−ジ
アミノジフェニルメタン% 4,4′−ジアミノジンエ
ニルスルホン、5.5’−ジアミノジアエニルスルホン
、4.4’−ジアミノトンエニルグOハン、44’−ジ
アミノジフェニルへキサフルオロプロパフ1m−2エニ
レンジアミン% p −2エニレンジアミン、4,4“
−ジアミノター2工二ル、4,4“′−ジアミノクォー
タフェニル、2゜4−ジアミノトルエン、2.6−ジア
ミノトルエン、2.4−シアミノベンゾトリアルオライ
ド、2.5−シアミノベンゾトリアルオライド、1,4
−ビス<p−アミノンエノキシ)ベンセン、1゜6−ビ
ス(p−アミノンエノキシ)ベンセン、4.4′−ジ(
m−アミノンエノキシ)ジン−ニルスルホン、4.4’
−ジ(p−アミノンエノキシ)ジンエニルスルホン、4
.4’−ジ(r−アミノンエノキシ)ジン−ニルスルホ
ン、4.4’−ビス(p−アミノ2エノキシ)ビフェニ
ルなどがある。さらに全アミン成分に刈して5モル%以
トならは恢眉性τ同よさぜゐ1的でシロキサン貧有ジア
ミンを硝刀DTゐこともできる〇不発明において用いゐ
非グロトン性@!、性溶媒としてON−メチル−2−ピ
ロリドン、N、N−ジメチルアセトアミド、N、N−ジ
エチルホルムアミドs N、N−ジエチルホルムアミド
、シメテルスルホキサイド、スルホラン、メチルスルホ
ラン、テトラメナル尿累、ヘキサメナルホスホルアミド
、ブチルラクトン等が好葦しい。これらは2禎歩土混合
して用いてもよい。1覧これらとキシレン、トルエン、
フェノール、アセトン、メチルスルホラン、ジアセトン
アルコール、セロンルプ耕、セロンルブアセテート類。
In combination with the above diamines, as other aromatic diamines, σ
4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenylmethane% 4,4'-diaminodienyl sulfone, 5,5'-diaminodienyl sulfone, 4,4'-diaminotonenylgOHane, 44' -Diaminodiphenyl hexafluoropropuff 1 m-2 enylene diamine % p -2 enylene diamine, 4,4"
-Diaminoter-2-Dynyl, 4,4''-Diaminoquataphenyl, 2゜4-Diaminotoluene, 2,6-Diaminotoluene, 2,4-Cyaminobenzotrialolide, 2,5-Cyaminobenzotrial Oride, 1,4
-bis<p-aminoneenoxy)benzene, 1゜6-bis(p-aminoneenoxy)benzene, 4,4'-di(
m-aminoneenoxy)dinylsulfone, 4.4'
-di(p-aminoneenoxy)dinenylsulfone, 4
.. Examples include 4'-di(r-aminoenoxy)dinylsulfone and 4,4'-bis(p-amino2enoxy)biphenyl. Furthermore, if the total amine component is less than 5 mol%, the siloxane-poor diamine can also be used as a nitrate DT because it has good properties and is non-grotonic. , ON-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-diethylformamide, N,N-diethylformamide, simetersulfoxide, sulfolane, methylsulfolane, tetramenal urine, hexamenal as a solvent. Preferred examples include phosphoramide and butyl lactone. These may be used in combination. List of these and xylene, toluene,
Phenol, acetone, methyl sulfolane, diacetone alcohol, selonlube, selonlube acetate.

カルピトール類、メチルイソブチルケトン、ゾール、キ
シレノール、ジオキサン、シクロヘキサノン、ヘキサ2
ルオロイングロバノール等の溶媒τポリアミドばか析出
しない範囲で狛\〃口して使用することがで@る〇 全ジアミン成分と全テトラカルボン瞭二無水物成分との
モル比a等当tが灯逢しいが、いずれか−力の成分か5
モル%以内で過不足であっても差しつかえない。
Calpitols, methyl isobutyl ketone, sol, xylenol, dioxane, cyclohexanone, hexa2
Solvents such as fluorinated globanol can be used as long as the polyamide does not precipitate. The molar ratio of all diamine components to all tetracarboxylic dianhydride components is a, etc. It's nice, but either - is it a component of force? 5
There is no problem even if the amount is too much or too little within mol%.

ポリアミド販浴aQ)磯度a6〜25厘1%の間が粘度
や刀ロエ性の点でよい0 反応御腿r[0〜50℃かよいが、 Nti的に枯if
τrA贅丁ゐ場せa一旦尚粘藏になった候、70このよ
うにして得られたポリアミド叡ワニスと無機材料と岨み
曾せて俵廿俸と丁ゐりであ心かそ(t)vvとしてなj
以下Ct)ものかめゐ〇丁lわち。
Polyamide sales bath aQ) Sandness a between 6 and 25 degrees and 1% is good in terms of viscosity and iron resistance.
Once it becomes viscous, the polyamide varnish and inorganic material obtained in this way are mixed together and the heart is melted (t). As vvj
Hereafter Ct) Monokameゐdyolwachi.

1、銅、鉄、アルミ、ステンレス寺の金践陥に塗布した
FP4用基板基板モルンアス太陽亀池用基叡 2、 シリコン、カリウムヒ系寺りテッフ′土に塗布し
多)flb配紛層闇絶株映として利用し罠ψ膚配祿LS
I 3、LSIチップ上に塗布し、パッシベーション膜やα
巌じゃへい膜として利用丁ゐ千′4g−捧装置 4、m、妖、アルミ、ステンレス、ニッケル。
1. FP4 substrate coated on copper, iron, aluminum, and stainless steel. 2. Coated on silicon, potassium, and clay. Use trap ψ skin arrangement LS
I 3, coated on the LSI chip, passivation film and α
Used as a rock membrane, the device is 4,000 yen, aluminum, stainless steel, and nickel.

4270イ、アンバー寺c/)霊勇板と配蛛闇りP3縁
(/、Iπめに杷緘映として4り板子ゐ釡鵬基恒5、 
ガラス板上に塗布して取d&自己1iiJ涙として41
用丁4)欣晶表示装置 6、 ボリイ、ミド2イルム土に磁sτ苫んたワニスを
塗布してなる磁気テープ、磁気ディスク乙 アルミナ、
炭化ケイ累、ジルコン、ベリリア、サファイア等の基板
上にポリイミドtP3は、銅量にコーター、ダイス咎の
手段で塗布し。
4270 I, Amber Temple c/) The Reiyu board and the Yashira P3 connection (/, 4 Ritako ゐKapen Mototsune 5,
Apply on glass plate and remove as d & self 1iiJ tear 41
Usage 4) Kinsho display device 6, magnetic tape made by applying magnetic sτ dull varnish to solid, medium-sized clay, magnetic disk 2 alumina,
Polyimide tP3 is coated onto a substrate made of silicon carbide, zircon, beryllia, sapphire, etc. using a coater or die.

加熱VCよ!l1m媒T:除六丁心と共に閉環させてイ
ミド化で行なう。イミド化CI)灰、金橋油り岐化で防
ぐために不活性ガス中で行なうのがよい。
Heated VC! l1m medium T: Ring closure is performed with the removal of the six-centered core, and imidization is performed. Imidization CI) It is preferable to carry out the process in an inert gas to prevent ash and Kanahashi oil conversion.

シリコンウェハ、セラミック似すどヘコートする場付は
スピンナーによるコートがよい。
When coating silicon wafers and ceramic substrates, it is best to use a spinner.

冥派例1゜ 温度計、撹拌機および塩化カルシウム菅tつけyc51
の四ロンラスコに6,6′−ジメトキシベンジジン20
7.4g、4.4’−ジアミノジフェニルエーテル30
 g、N−1fルビロリドン20′Cl0g、N、N−
ジメチルアセトアミド2000g才人れて、内容物を撹
拌し、フラスコを水耐丁ゐ。ピロメリト酸二無水物21
8gk徐々にガロえ、10℃で9時間反応させた0生戟
し罠ポリアミドば(1)還元fl!i度に1.856i
/g (溶媒N−メチルピロリドン、磯伎0.1 g/
I O01111゜謝度25℃)であっ友。こり浴数τ
65μmの圧延銅量に塗布し、室糸雰囲気中で100’
Cで50分71111熱し1次に鮒陥τ回定して2コ0
゛010分、400℃、10分熱処理し、傾映厚25μ
m(1)ンレギシプル印刷目じ#板用C/)諧似τ併π
0こり基板Vコ初M、エツチング侯共に刀−ルしなかっ
7ζ0午出剛郡臥駁り紹未350 Cでも赤くfL (
1)発生rコlかった。
Meiha example 1゜Thermometer, stirrer, and calcium chloride tube YC51
6,6'-dimethoxybenzidine 20
7.4g, 4.4'-diaminodiphenyl ether 30
g, N-1f rubirolidone 20'Cl0g, N, N-
Add 2000 g of dimethylacetamide, stir the contents, and make the flask water-tight. Pyromellitic dianhydride 21
8gk gradually eroded and reacted at 10°C for 9 hours. 1.856i per i degree
/g (solvent N-methylpyrrolidone, Isogi 0.1 g/
I'm a friend. Stiffness bath number τ
It was applied to a rolled copper amount of 65 μm and heated for 100 minutes in a room atmosphere.
Heat at 71111C for 50 minutes, then set the crucian carp temperature to 0.
゛10 minutes, heat treated at 400℃ for 10 minutes, tilted thickness 25μ
m(1)Nregular printing grid #C/) Similarity τ and π
0 stiff board V co first M, etching Hou did not sword - 7ζ 0 gode Tsuyoshi county sleepy Shaomi 350 C but red fL (
1) There was a large number of outbreaks.

実施汐り2゜ 夷M例1と同18j:の裟直に6.6′−ジクロルベン
ジジン215.05 g、4.4’−ジアミノジン−二
ルエーテル30g、N−メチル−2−ヒロリドン20L
lOg、N、N−ジメチルアセトアミド2000gで入
れ、内容物で撹拌し、フラスコで水冷する。次にピロメ
リトば二無水物218gτ保々に珀≧刀ロレ、10℃で
9時ff1J反応さぜ、ポリアミド酸浴aτ侍π0遁冗
枯匿ぐコ2. + 56A/gであった0 この苗取τ実施例1と同様に65μmの銅箔に準布し基
慎で作製し罠。こり基板にカールしていなかっ・7to
筐yc、350℃の早出浴に反債してもふくれC1,)
発生&;に’iZl為っ1ζQ央に1鴎?りごに 天測ψす1と同様り組成のポリアミドば浴数()61岐
20ポづズ)?I−シリコンクエバにくりかえしスピン
コードした俊、熱処理して厚さ20μm C1)ポリイ
ミド反映で形成さぞ、こり上にアルミニウムて蒸虐し、
エツチングして勝輻100μm(1)ラインτ作戟し、
さらに、こり上にポリアミドば#:i欣?ll−塗布し
、20μm厚さのポリイミド族を形成させ、ホトレジス
トτ塗イh1ポリイミドでエツチングし、ホトレジスト
で除去佼、さらにアルミニウム?I一点層し、エツチン
グし、こt’L?I−<り〃)え丁ことによ、す、ポリ
イミドの厚妊200μInリモテル基似て作製し罠が、
従来のポリアミド[(4,4’−ジアミノジフェニルエ
ーテルとピロメリト慮二無水物から侍られゐ)で用い友
ものに比べてそりがされめて少な〃為っ友〇 〔発明り効果) 不発明により1II11#I性に後れ、カールで防止し
215.05 g of 6,6'-dichlorobenzidine, 30 g of 4,4'-diaminodine-dyl ether, and 20 L of N-methyl-2-hyrolidone were added directly to Example 1 and Example 18.
Charge with 2000 g of lOg, N, N-dimethylacetamide, stir the contents and cool with water in the flask. Next, 218 g of pyromellitic anhydride, 珀≧Katana Rolle, reacted with ff1J at 9 o'clock at 10°C, and hid in a polyamide acid bath aτ Samurai π0 2. + 56A/g 0 This seedling trap was fabricated using standard cloth and fabricated on 65 μm copper foil in the same manner as in Example 1. Not curled on stiff board・7to
Kato yc, swollen even after taking an early bath at 350 degrees C1,)
Occurrence &;ni'iZl for 1ζ Qo and 1 seagull? Is the polyamide bath number (61 to 20 pos) with the same composition as Rigoni Tensoku ψsu1? I-Silicone cube was repeatedly spin-coded, heat-treated to a thickness of 20 μm.
Etch and create a line τ with a convergence of 100 μm (1).
In addition, there is polyamide on the top. ll-coated to form a 20 μm thick polyimide layer, coated with photoresist τ, etched with h1 polyimide, removed with photoresist, and then aluminum? I layered it one point, etched it, t'L? In particular, a trap was prepared using a polyimide thick 200μIn remote base.
Compared to the conventional polyamides [(made from 4,4'-diaminodiphenyl ether and pyromellitic dianhydride)], the warpage is reduced and there is less warpage.[Inventive effect] Due to non-invention 1II11 #I fall behind and prevent it from curling.

そりが少い嶺せ体が傅られた〇 手続補正書 昭和 5仮 10月17日 1、事件の表示 昭和59年特許願第77062 号 2、発明の名称 複合体 (新名称) 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 (445) 日立化成工業株式会社4、代 理
 人 6)明細書第1頁下から4行目の「複合体の製造法に関
する」を「複合体に関する」と補正する。
A ridged body with less warpage was granted. 〇Procedural amendment document Showa 5 Provisional October 17th 1. Display of the case 1982 Patent Application No. 77062 2. Name complex of invention (new name) 3. Amendment Patent applicant name (445) Hitachi Chemical Co., Ltd. 4, agent 6) "Relating to a method for producing a composite" in the fourth line from the bottom of page 1 of the specification to "relating to a composite" and correct it.

4)明細書記8頁2行目から明細書記9頁5行目までの
「すなわち・・・・・・等である。」を次のように補正
する。
4) "That is, etc." from page 8, line 2 of the specification sheet to line 5, page 9 of the specification sheet is corrected as follows.

「 すなわち。“In other words.

1、銅、鉄、アルミ、ステンレス等の金楠箔に塗布し7
tFPC用基板やアモルファス太陽電池用基鈑 2、 シリコン5ガリウムヒ累等のチップ上vc堕布し
多層配勝層間絶縁膜として利用した多層配線LSI A LSIチップ上に塗布し、パッシベーション膜やα
渕じゃへい膜として利用する半導体装置 4、M、鉄、アルミ、ステンレス、ニッケル。
1. Apply to copper, iron, aluminum, stainless steel, etc. 7.
VC is deposited on chips such as tFPC substrates, amorphous solar cell substrates 2, silicon 5 gallium arsenide, etc., and multilayer wiring LSI A LSI chips are used as multilayer distribution interlayer insulating films.
Semiconductor device used as Fuchijahei film 4, M, iron, aluminum, stainless steel, nickel.

4270イ、アンバー等の金))’A 似と配線間の絶
縁のために絶縁膜として利用する金属基数5、 ガラス
根土に塗布して液晶配同膜として利用する液昂表示装置 & アルミナ、炭化ケイ素、ジルコン、ベリリア、サフ
ァイア等の基板上にポリイミドな絶縁膜として塗布した
多層基板 乙 銅線等の導11線の絶縁被機材として利用するエナ
メル線 a ポリイミドフィルム上に蒸着またはスパッタリング
により形成さnた薄膜を有する磁気記録媒体又はEL表
示装置 9 ポリイミドフィルム上に磁粉を含んだワニスを塗布
してなる磁気テープ、磁気ディスク等である。 」 5)実施例3の後に次の文章を挿入する。
4270, gold such as amber)'A Metal base number 5 used as an insulating film to insulate between wires and wiring, liquid display device & alumina used as a liquid crystal coordination film by coating on glass substrate, Multilayer board B, which is coated as a polyimide insulating film on a substrate made of silicon carbide, zircon, beryllia, sapphire, etc. Enameled wire a, which is used as an insulating material for conductive wires such as copper wire A, which is formed by vapor deposition or sputtering on a polyimide film Magnetic recording medium or EL display device 9 having a thin film such as a magnetic tape or a magnetic disk formed by applying varnish containing magnetic powder onto a polyimide film. 5) Insert the following sentence after Example 3.

[実施例4 実施例1のポリアミド酸ワニスをステンレスベルト上に
流延塗布し、100℃10分、400℃10分熱処理し
てポリイミドフィルムを得た。このフィルムをスパッタ
装置に装着しステンレス薄膜を5000六の厚さでつけ
た。次いでCVD法により”+’pP型非晶質シリコン
薄膜を順次形成した後、スパッタリングによって酸化イ
ンジウム膜を約700^の厚さでつけた。ついでくし型
[銀を蒸着してアモルファイ太陽電池を得たがカールし
ていないものであったO 」 以上 別紙 2、特許請求の範囲 を示す)で示さnるジアミンと他の芳香族ジアミンとの
モル比が50 : 50〜95:5から成るジアミン成
分とピロメリト酸二無水物を50モル%以上含むテトラ
カルボン酸二無水物成分とを重合してなるポリイミドと
無機制料とを一体化してなる複合体。
[Example 4] The polyamic acid varnish of Example 1 was cast-coated onto a stainless steel belt, and heat treated at 100°C for 10 minutes and at 400°C for 10 minutes to obtain a polyimide film. This film was attached to a sputtering device and a thin stainless steel film was applied to the film to a thickness of 5,000 mm. Next, after sequentially forming "+' pP type amorphous silicon thin films by CVD method, an indium oxide film was applied to a thickness of about 700^ by sputtering. Then, a comb-shaped [silver was evaporated to obtain an amorphous solar cell] A diamine component consisting of the diamine shown in Attachment 2 above (indicating the scope of claims) and other aromatic diamine in a molar ratio of 50:50 to 95:5. and a tetracarboxylic dianhydride component containing pyromellitic dianhydride in an amount of 50 mol% or more.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] τ示す)で示されるジアミンと他の芳香族ジアミンとの
モル比が50:50〜95:5Zl為ら瓜ゐジアミン成
分とピロメリトば二無水物で50モル%以よ1゛むテト
ラカルボン戚二無水物成分とて非プロトン性柩性浴媒中
で反応させて侍たポリアミド鈑フニスと無機材料とτ組
@ぜてイミド化τ行なうことτ峙倣とする俵@捧り装造
法。
Since the molar ratio of the diamine represented by A method of making a straw bag in which the anhydride component is reacted in an aprotic cyan bath medium and the inorganic material is combined with the polyamide sheet to imidize it.
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