JPS60218495A - 無機−金属複合体の製法 - Google Patents
無機−金属複合体の製法Info
- Publication number
- JPS60218495A JPS60218495A JP7550384A JP7550384A JPS60218495A JP S60218495 A JPS60218495 A JP S60218495A JP 7550384 A JP7550384 A JP 7550384A JP 7550384 A JP7550384 A JP 7550384A JP S60218495 A JPS60218495 A JP S60218495A
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- Japan
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- layer
- substrate
- glass
- inorganic
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野］
この発明は、無機−金属の複合材料の製造技術の分野に
属する。さらに詳しくは、無機質基板の上に導電性の金
属層を形成する技術の分野に属する。
属する。さらに詳しくは、無機質基板の上に導電性の金
属層を形成する技術の分野に属する。
［背景技術］
従来、セラミック基板の表面に金属層を成形する方法と
して、熱拡散接合と称せられる技術が提案されている。
して、熱拡散接合と称せられる技術が提案されている。
この技術は、セラミック基板、具体的にはアルミナの基
板の表面に１．銅のシートを載置して低酸素雰囲気下で
、かつ銅の融点直下で熱処理をすることにより接着する
ことを内容とする技術である。
板の表面に１．銅のシートを載置して低酸素雰囲気下で
、かつ銅の融点直下で熱処理をすることにより接着する
ことを内容とする技術である。
しかし、上記の技術は酸素雰囲気のコントロールの調節
が困難であり、さらに基板と銅層が接着しないような欠
陥部分が生じやすいと言う難点があった。
が困難であり、さらに基板と銅層が接着しないような欠
陥部分が生じやすいと言う難点があった。
また、セラミック基板の表面に金属粉体をペースト状で
塗布したのち焼成し、その後メッキをなし、つぎに意図
する金属シートを鑞付けすることにより基板−金属層の
複合体を製造する方法も提案されている。しかし、この
技術も、基板と゛金属シートとの間に、異種金属層が介
在するために、電気伝導性において不利であると言う欠
点があり、さらに工程的に複雑であると言う問題点もあ
った。
塗布したのち焼成し、その後メッキをなし、つぎに意図
する金属シートを鑞付けすることにより基板−金属層の
複合体を製造する方法も提案されている。しかし、この
技術も、基板と゛金属シートとの間に、異種金属層が介
在するために、電気伝導性において不利であると言う欠
点があり、さらに工程的に複雑であると言う問題点もあ
った。
［発明の目的］
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたもので
、簡単な工程でしかも接着強度が大きく、かつ電気抵抗
の極めて低い導体層を形成し、その導体を利用して微細
なパターンを形成するのに好都合な無機−金属複合体の
製法を提供することを目的とする。
、簡単な工程でしかも接着強度が大きく、かつ電気抵抗
の極めて低い導体層を形成し、その導体を利用して微細
なパターンを形成するのに好都合な無機−金属複合体の
製法を提供することを目的とする。
［発明の開示］
この発明は、無機質の粗面を用意し、この粗面に金属層
を形成する点に基本的な特徴を有する。
を形成する点に基本的な特徴を有する。
以下詳しく説明する。
この発明において、無機質の基板として使用されるもの
は、特に限定するものではないが、例えばアルミナ、石
英ガラス、ムライト、ステアクイト、窒化珪素、炭化珪
素などを材質とする基板が使用される。この基板の具体
的製法は限定しない。大抵は常法によって得られるもの
で足りる。
は、特に限定するものではないが、例えばアルミナ、石
英ガラス、ムライト、ステアクイト、窒化珪素、炭化珪
素などを材質とする基板が使用される。この基板の具体
的製法は限定しない。大抵は常法によって得られるもの
で足りる。
この発明において、無機質の基板面に粗面を調整する方
法は特には限定はしない−が、例えば以下のような方法
が考えられる。
法は特には限定はしない−が、例えば以下のような方法
が考えられる。
第１の方法は、予め用意された粗面原盤の粗面を転写す
る方法である。この際の原盤となるものは限定する趣旨
ではないが、市販されているところの所謂銅面積層板用
の銅箔が使用される。この銅箔は、基板となる樹脂表面
との接着性を確保するために粗面化しである。その粗面
ば第１図に図面に代えて顕微鏡写真で示したような粗面
を有している。この粗面が本願発明における粗面として
も活用出来るものである。この粗面ば、特に限定するも
のではないが、大抵の場合は、略錐体状の凹またはくお
よび）凸からなっていて、この凹凸のサイズは略錐体の
底辺の差し渡しが５〜１０μ、高さが５〜１５μである
のが好ましい。このような粗面を転写するとどのような
粗面が形成飢れるかをモデルとして示したのが、第２図
に示す顕微鏡写真である。ここで用意された粗面を利用
して基板の面に粗面を形成するには、２通りの方法があ
り、その１は、基板の表面にガラスＮ’ｌ形成。
る方法である。この際の原盤となるものは限定する趣旨
ではないが、市販されているところの所謂銅面積層板用
の銅箔が使用される。この銅箔は、基板となる樹脂表面
との接着性を確保するために粗面化しである。その粗面
ば第１図に図面に代えて顕微鏡写真で示したような粗面
を有している。この粗面が本願発明における粗面として
も活用出来るものである。この粗面ば、特に限定するも
のではないが、大抵の場合は、略錐体状の凹またはくお
よび）凸からなっていて、この凹凸のサイズは略錐体の
底辺の差し渡しが５〜１０μ、高さが５〜１５μである
のが好ましい。このような粗面を転写するとどのような
粗面が形成飢れるかをモデルとして示したのが、第２図
に示す顕微鏡写真である。ここで用意された粗面を利用
して基板の面に粗面を形成するには、２通りの方法があ
り、その１は、基板の表面にガラスＮ’ｌ形成。
し、その上に前記の粗面を当接すると共に高温にしてガ
ラス層を溶融させ、そのガラスを粗面にな染ませ、つぎ
に原盤を除去することにより粗面を転写する方法である
。もっともこの粗面転写の操作順序は限定しない。
ラス層を溶融させ、そのガラスを粗面にな染ませ、つぎ
に原盤を除去することにより粗面を転写する方法である
。もっともこの粗面転写の操作順序は限定しない。
その２は、まず前記原盤粗面上にガラス層を形成し、こ
れを基板の面に接合する方法である。つまり原盤粗面上
にガラス素材を均一な厚みに載置し、これを熱溶融させ
て粗面にな染ませ、つぎにこの二律となった原盤とガラ
ス層を、ガラス層の側を基板面に当接し、加熱すること
によりそれを一体化し、つぎに原盤を除去するのである
。原盤の除去は剥離除去エツチング除去など種々の方法
が採用される。
れを基板の面に接合する方法である。つまり原盤粗面上
にガラス素材を均一な厚みに載置し、これを熱溶融させ
て粗面にな染ませ、つぎにこの二律となった原盤とガラ
ス層を、ガラス層の側を基板面に当接し、加熱すること
によりそれを一体化し、つぎに原盤を除去するのである
。原盤の除去は剥離除去エツチング除去など種々の方法
が採用される。
以上のようにして得た粗面を有する無機質基板に導体と
なるべき金属の層を形成する。そうすると導体の層と無
機質基板の間に、粗面の転写されたガラス層が中間層と
して介在する構造の無機−金属複合体となる。
なるべき金属の層を形成する。そうすると導体の層と無
機質基板の間に、粗面の転写されたガラス層が中間層と
して介在する構造の無機−金属複合体となる。
この発明において使用するところの、前記の中間層とし
てのガラス層は、限定する趣旨ではないがたとえばソー
ダガラス、ホウケイ酸ガラスなど各種のガラスが使用さ
れる。なお、使用しやすいガラスはできるだけ融点の低
いガラスである。
てのガラス層は、限定する趣旨ではないがたとえばソー
ダガラス、ホウケイ酸ガラスなど各種のガラスが使用さ
れる。なお、使用しやすいガラスはできるだけ融点の低
いガラスである。
なお、前記のたとえばホウケイ酸ガラスにアルミナ、窒
化珪素、窒化アルミ、シ゛リカなどの微粉末を配合した
ものを使用すると、後の説明する第３の方法を採用した
際にも都合がよい。
化珪素、窒化アルミ、シ゛リカなどの微粉末を配合した
ものを使用すると、後の説明する第３の方法を採用した
際にも都合がよい。
さらに、アルコキシ化合物（たとえばエチルシリケート
およびその縮合体）を使用し、これをガラスの微粉末に
配合して使用する実施態様も考えられる。そしてこの配
合物を前記原盤の粗面に流し、これを焼き付け、そして
このガラス層と基板面を当接して熱接着する。そしてつ
ぎに粗面原盤を剥離除去する。
およびその縮合体）を使用し、これをガラスの微粉末に
配合して使用する実施態様も考えられる。そしてこの配
合物を前記原盤の粗面に流し、これを焼き付け、そして
このガラス層と基板面を当接して熱接着する。そしてつ
ぎに粗面原盤を剥離除去する。
粗面を有する基板を調整するための、以下のような第３
の方法も提案することができる。
の方法も提案することができる。
つまり、たとえばホウケイ酸ガラスを使用し、この中に
予めエツチング除去されやすい微粉末を配合するか、あ
るいは異種の素材を配合し、これを焼成する時に相分離
を起こさせてホウケイ酸ガラス相中に微粒子を形成させ
、つぎにこの微粒子をエツチング除去することにより多
孔質のガラス層を形成し、そしてこれを基板面に接合す
る：あるいは前記の操作を基板上で行い、−挙に基板面
に多孔質ガラス層を形成する、などの方法である。この
ようにして調整される粗面ば、微細な穴を有するガラス
層により形成されており、この穴は大抵の場合連続した
ものである。連続した穴が適用する用途によっては不都
合な場合があるかも知れないが、その場合は穴を別の手
段により閉塞するとよい。限定する趣旨ではないが、穴
のサイズは１００人〜数万人が好ましい。さらに好まし
くは２０００人〜１万人が好ましい。
予めエツチング除去されやすい微粉末を配合するか、あ
るいは異種の素材を配合し、これを焼成する時に相分離
を起こさせてホウケイ酸ガラス相中に微粒子を形成させ
、つぎにこの微粒子をエツチング除去することにより多
孔質のガラス層を形成し、そしてこれを基板面に接合す
る：あるいは前記の操作を基板上で行い、−挙に基板面
に多孔質ガラス層を形成する、などの方法である。この
ようにして調整される粗面ば、微細な穴を有するガラス
層により形成されており、この穴は大抵の場合連続した
ものである。連続した穴が適用する用途によっては不都
合な場合があるかも知れないが、その場合は穴を別の手
段により閉塞するとよい。限定する趣旨ではないが、穴
のサイズは１００人〜数万人が好ましい。さらに好まし
くは２０００人〜１万人が好ましい。
以上では１、主として粗面を有する無機質の基板の製法
を説明したが、得られた粗面に導体の層を形成する方法
は特には限定しない。例示的にその方法を挙げると、た
とえば、化学メッキ（銅、ニッケルなど）する方法、蒸
着法、スパッタリング法などがある。なお、必要に応じ
て前記で形成した導体層の上にさらに電気メツキ法など
により厚いメッキを施してして必要な導体の厚みを確保
するのもよい。
を説明したが、得られた粗面に導体の層を形成する方法
は特には限定しない。例示的にその方法を挙げると、た
とえば、化学メッキ（銅、ニッケルなど）する方法、蒸
着法、スパッタリング法などがある。なお、必要に応じ
て前記で形成した導体層の上にさらに電気メツキ法など
により厚いメッキを施してして必要な導体の厚みを確保
するのもよい。
第３図は前記の２第１あるいは第２の方法による粗面お
よび導体層を形成する際の工程図を示しており、（イ）
は原盤ｌが中間層３を介して基板２の上に一体化された
構造を例示しており、（ロ）はそれから原５１１１を除
去して粗面を転写した結果を例示しており、（ハ）は前
記机面の上に導体層４を形成した複合体を例示している
。
よび導体層を形成する際の工程図を示しており、（イ）
は原盤ｌが中間層３を介して基板２の上に一体化された
構造を例示しており、（ロ）はそれから原５１１１を除
去して粗面を転写した結果を例示しており、（ハ）は前
記机面の上に導体層４を形成した複合体を例示している
。
また第４図は別の実施例を示しており、基板２の上に多
孔質のガラス層５を形成する、前記第３の粗面の形成法
を例示する工程図である。そして（イ）はガラス層に分
散していた微粒子体をエツチング除去して多孔質層５を
形成した結果を示し、（ロ）はその上に導体層４を形成
した構造を示している。
孔質のガラス層５を形成する、前記第３の粗面の形成法
を例示する工程図である。そして（イ）はガラス層に分
散していた微粒子体をエツチング除去して多孔質層５を
形成した結果を示し、（ロ）はその上に導体層４を形成
した構造を示している。
実施例１
粗面原盤としての銅箔（銅面積層板用の市販のもの）の
粗面に、アルコールを媒体としたスリップ中にエチルシ
リケートの縮合体を、固形分で２０重量％配合したもの
を塗布した。塗布の厚みは固形分で２０〜２５μ塗布し
た。
粗面に、アルコールを媒体としたスリップ中にエチルシ
リケートの縮合体を、固形分で２０重量％配合したもの
を塗布した。塗布の厚みは固形分で２０〜２５μ塗布し
た。
つぎにこれの塗布面を基板面（アルミナ基板）に当てて
重ね、２００ ”ｃで熱処理をし後、銅箔を剥離除去す
る。
重ね、２００ ”ｃで熱処理をし後、銅箔を剥離除去す
る。
つぎにその粗面に化学メッキにニッケル）を行った。そ
の際、まず触媒としてスズーパラジュウムを使用した通
常の活性化処理をした後、ニッケルメッキを施した。
の際、まず触媒としてスズーパラジュウムを使用した通
常の活性化処理をした後、ニッケルメッキを施した。
ここで得た複合体の導体層の引っ張り強度（垂直引っ張
り）は２ 、 ２ ｋｇ ／ １１１１であった。
り）は２ 、 ２ ｋｇ ／ １１１１であった。
実施例２
アルミナ基板の表面にホウケイ酸ガラスの粉末をコーテ
ングし、つぎにこれを溶融させて厚みが約１５〜２０μ
のガラス層を形成し、つぎに実施例１の原盤を載置する
と共に高温で溶融させて粗面を転写した。
ングし、つぎにこれを溶融させて厚みが約１５〜２０μ
のガラス層を形成し、つぎに実施例１の原盤を載置する
と共に高温で溶融させて粗面を転写した。
つぎに原盤を剥離した。得られた粗面に、蒸着法により
銅を、０．５μだけ形成した後、電気メッキを追加して
厚さ２０μの銅層を形成した。
銅を、０．５μだけ形成した後、電気メッキを追加して
厚さ２０μの銅層を形成した。
引っ張り強度は２〜２ 、 ２ ｋｇ ／ ＊：であっ
た。
た。
実施例３
石英ガラスを基板とし、この表面にホウケイ酸ガラスを
厚さ約１０μで形成した。つぎに熱処理により、相分離
を起こさせて酸によりエツチングして、多孔質の表面層
を形成した。この表面にエチルシリケートをスプレィし
、熱処理した。
厚さ約１０μで形成した。つぎに熱処理により、相分離
を起こさせて酸によりエツチングして、多孔質の表面層
を形成した。この表面にエチルシリケートをスプレィし
、熱処理した。
以上で得た粗面に、常法により化学ニッケルメッキを施
した。
した。
引っ張り強度は２．４〜２．６ｋｇ／ｍｍ２であった。
実施例４
実施例３のホウケイ酸ガラスに微粒子のアルミナを３０
重重量配合し、これをアルミナ基板の表面に、厚み１５
μで塗布し、熱処理し、酸でエツチングして多孔質のガ
ラス層を形成した。
重重量配合し、これをアルミナ基板の表面に、厚み１５
μで塗布し、熱処理し、酸でエツチングして多孔質のガ
ラス層を形成した。
つぎに実施例３と同様にして化学銅メッキを施した。
引っ張り強度は２．３〜２ 、 ６ ｋｇ ／ ｍ／で
あった［発明の効果］ この発明は、無機質の粗面を用意し、この粗面に金属層
を形成することを特徴とするので、極めて容易に、かつ
引っ張り強度が大な無機−導体層の複合材料が製造でき
ると言う効果がある。
あった［発明の効果］ この発明は、無機質の粗面を用意し、この粗面に金属層
を形成することを特徴とするので、極めて容易に、かつ
引っ張り強度が大な無機−導体層の複合材料が製造でき
ると言う効果がある。
なお、ここで得られる複合材料は、その導体を利用して
電気配線を形成することによりプリント配線板とするこ
とができるので有用である。
電気配線を形成することによりプリント配線板とするこ
とができるので有用である。
第１図はこの発明で使用できる粗面原盤の実施例として
の銅箔の粗面を説明するための顕微鏡写真、第２図は第
１図の粗面を転写することにり得られる粗面の形状を示
すためのモデル（プラスチックス面に形成した）を示す
顕微鏡写真、第３図は粗面を形成する一実施例としての
工程図、第４図は粗面形成の別の方法を例示するための
図である。 １は粗面原盤 ２は無機質基板 ３は中間層としてのガラス層 ４は導体層 ５は多孔質ガラス層 特許出願人 松下電工株式会社 代理人弁理士 竹元敏丸（ほか２名） 禾り、回
の銅箔の粗面を説明するための顕微鏡写真、第２図は第
１図の粗面を転写することにり得られる粗面の形状を示
すためのモデル（プラスチックス面に形成した）を示す
顕微鏡写真、第３図は粗面を形成する一実施例としての
工程図、第４図は粗面形成の別の方法を例示するための
図である。 １は粗面原盤 ２は無機質基板 ３は中間層としてのガラス層 ４は導体層 ５は多孔質ガラス層 特許出願人 松下電工株式会社 代理人弁理士 竹元敏丸（ほか２名） 禾り、回
Claims (1)
- （，１）無機質の粗面を用意し、この粗面に金属層を形
成することを特徴とする無機−金属複合体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7550384A JPS60218495A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 無機−金属複合体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7550384A JPS60218495A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 無機−金属複合体の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60218495A true JPS60218495A (ja) | 1985-11-01 |
Family
ID=13578115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7550384A Pending JPS60218495A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 無機−金属複合体の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60218495A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016507642A (ja) * | 2012-12-18 | 2016-03-10 | エル・ピー・ケー・エフ・レーザー・ウント・エレクトロニクス・アクチエンゲゼルシヤフト | 工作材料の金属化方法並びに工作材料と金属層とでできた層構造 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5482666A (en) * | 1977-12-15 | 1979-07-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | Nonnelectrolytic plating method of insulated substrate |
-
1984
- 1984-04-13 JP JP7550384A patent/JPS60218495A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5482666A (en) * | 1977-12-15 | 1979-07-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | Nonnelectrolytic plating method of insulated substrate |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016507642A (ja) * | 2012-12-18 | 2016-03-10 | エル・ピー・ケー・エフ・レーザー・ウント・エレクトロニクス・アクチエンゲゼルシヤフト | 工作材料の金属化方法並びに工作材料と金属層とでできた層構造 |
| US9924601B2 (en) | 2012-12-18 | 2018-03-20 | Lpkf Laser & Electronics Ag | Method for the metallation of a workpiece and a layer structure made up of a workpiece and a metal layer |
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