JPS60215760A - 蒸着装置 - Google Patents
蒸着装置Info
- Publication number
- JPS60215760A JPS60215760A JP7324184A JP7324184A JPS60215760A JP S60215760 A JPS60215760 A JP S60215760A JP 7324184 A JP7324184 A JP 7324184A JP 7324184 A JP7324184 A JP 7324184A JP S60215760 A JPS60215760 A JP S60215760A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- electrons
- cluster
- crucible
- cluster ions
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は、蒸着薄膜を形成する蒸着装置に関するもの
である。
である。
［従来技術］
従来、走行するフィルム上にイオン化され、？’？４１
１７１質を蒸着して薄膜を形成する装置において、その
蒸着区間中に１４オン化した蒸着物質によって蓄積され
た電荷を除去する装置は無かった。
１７１質を蒸着して薄膜を形成する装置において、その
蒸着区間中に１４オン化した蒸着物質によって蓄積され
た電荷を除去する装置は無かった。
即ち、第１図において、（１）はクラスタービーム発生
装置、（２）は蒸発物質を堆積させるフィルム状の基板
、（３）は基板（２）の巻出しスプール、（４）は基板
（２）の巻取りスプールである。
装置、（２）は蒸発物質を堆積させるフィルム状の基板
、（３）は基板（２）の巻出しスプール、（４）は基板
（２）の巻取りスプールである。
なお、基板（２）はフィルム状の基板はポリエチレンテ
レフタレート等の高分子フィルムあるいは、フィルム状
に薄く引きのばされた金縞箔である。
レフタレート等の高分子フィルムあるいは、フィルム状
に薄く引きのばされた金縞箔である。
次に動作について説明する。巻出しスプール（３）を出
た基ｍ （２）は、巻取りスプール（４）に巻取られる
までの区間で、クラスタービーム発生装置（１）から蒸
発した物質が蒸着される。このとき、イオン化さｉた物
質が基板（２）の上に蒸着されると、基＆（２）が不良
導体であるかあるいは、良導体であっても接地されてい
ない場合には、電荷が蓄積して基板（２）が帯電する。
た基ｍ （２）は、巻取りスプール（４）に巻取られる
までの区間で、クラスタービーム発生装置（１）から蒸
発した物質が蒸着される。このとき、イオン化さｉた物
質が基板（２）の上に蒸着されると、基＆（２）が不良
導体であるかあるいは、良導体であっても接地されてい
ない場合には、電荷が蓄積して基板（２）が帯電する。
この結果、基板上に電界が発生するので、基板に到達す
るイオン化物質が基板上に発生した電界によってその軌
道が曲げられたり、運動エネルギーが減少したりすると
いう様な不都合が生じるため、期待される薄膜特性が得
られなくなる可能性がある。
るイオン化物質が基板上に発生した電界によってその軌
道が曲げられたり、運動エネルギーが減少したりすると
いう様な不都合が生じるため、期待される薄膜特性が得
られなくなる可能性がある。
この発明は、上記のような、従来のものの欠点を除去す
るためになされたもので、クラスターイオンが堆積した
基板に電子を供給する電子発生装置を設けることによっ
て、帯電した基板上の電荷を中和するので、帯電による
悪影響を除去する蒸着装置を提供する。
るためになされたもので、クラスターイオンが堆積した
基板に電子を供給する電子発生装置を設けることによっ
て、帯電した基板上の電荷を中和するので、帯電による
悪影響を除去する蒸着装置を提供する。
［発明の実施例］
以下、図について説明する。第２図は、クラスターイオ
ンビーム発生装置の構成を示す。第２図において、（５
）ｉ！蒸着材料を収容するるつぼ、（６）はるつぼ（５
）を加熱するために電子を放射するフィラメント、（７
）はクラスタービームをイオン化するための電子を放射
するイオン化フィラメント、（８）はイオン化フィラメ
ント（７）から電子を引き出すための電子引き出し電極
、（９）はクラスターイオンを加速するための加速電極
、（１０）はるつは（５）とるつは加熱用フィラメント
（６）との間に直流電圧を与える直流電源で、るつぼ加
熱用フィラメント（ｂ）から電子を引き出して加速し、
るつぼ（５）に衡突させてそのエネルギーでるつぼ（５
）を加熱する。（１１）はるつぼ加熱用フィラメント（
６）を加熱するための直流電源、（１２）は電子引出し
電４１＜８）と、イオン化フィラメント（ηとの間に、
直流電圧を与えて、イオン化フィラメント（７）から、
電子を引き出すための直流電源、（１３）はイオン化フ
ィラメント（７）を加熱するための直流電源である。尚
、直流電源（１１） （１３） ＃’ｊ交流電源であっ
ても機能は変わらない。（１４）はクラスターイオンを
加速するための直流電源である。
ンビーム発生装置の構成を示す。第２図において、（５
）ｉ！蒸着材料を収容するるつぼ、（６）はるつぼ（５
）を加熱するために電子を放射するフィラメント、（７
）はクラスタービームをイオン化するための電子を放射
するイオン化フィラメント、（８）はイオン化フィラメ
ント（７）から電子を引き出すための電子引き出し電極
、（９）はクラスターイオンを加速するための加速電極
、（１０）はるつは（５）とるつは加熱用フィラメント
（６）との間に直流電圧を与える直流電源で、るつぼ加
熱用フィラメント（ｂ）から電子を引き出して加速し、
るつぼ（５）に衡突させてそのエネルギーでるつぼ（５
）を加熱する。（１１）はるつぼ加熱用フィラメント（
６）を加熱するための直流電源、（１２）は電子引出し
電４１＜８）と、イオン化フィラメント（ηとの間に、
直流電圧を与えて、イオン化フィラメント（７）から、
電子を引き出すための直流電源、（１３）はイオン化フ
ィラメント（７）を加熱するための直流電源である。尚
、直流電源（１１） （１３） ＃’ｊ交流電源であっ
ても機能は変わらない。（１４）はクラスターイオンを
加速するための直流電源である。
次に１クラスタ一イオンビーム発生装置の動作を説明す
る。第２図において、るつぼ加熱用フィラメント（６）
を電源（１１）を用いて加熱した後、るつぼ（５）とる
つぼ加熱用フィラメント（６）との間に、電源（１０）
を用いて、直流電圧を与えて、るつぼ加熱用フィラメン
ト（６）から電子を引き出してこれを加速しるつぼ（５
）に衝突させる。その時、電子が持っていた運動エネル
ギーが熊エネルギーに変換されて、るつぼ（５）を加熱
する。るつぼ（５）内に収容された蒸着物質はるつぼ（
５）の温度が上昇するにつれて融解、蒸発し、るつぼ（
５）内の蒸着物質の蒸気圧が高まる。すると、るつぼ（
５）の上部に明けられた１個以上のノズルから、高真空
に保たれたるつぼ（５）の外へ蒸気が噴出する。この時
、急激な圧力降下による、断熱膨張によって、蒸気は凝
縮し、クラスターを形成する。
る。第２図において、るつぼ加熱用フィラメント（６）
を電源（１１）を用いて加熱した後、るつぼ（５）とる
つぼ加熱用フィラメント（６）との間に、電源（１０）
を用いて、直流電圧を与えて、るつぼ加熱用フィラメン
ト（６）から電子を引き出してこれを加速しるつぼ（５
）に衝突させる。その時、電子が持っていた運動エネル
ギーが熊エネルギーに変換されて、るつぼ（５）を加熱
する。るつぼ（５）内に収容された蒸着物質はるつぼ（
５）の温度が上昇するにつれて融解、蒸発し、るつぼ（
５）内の蒸着物質の蒸気圧が高まる。すると、るつぼ（
５）の上部に明けられた１個以上のノズルから、高真空
に保たれたるつぼ（５）の外へ蒸気が噴出する。この時
、急激な圧力降下による、断熱膨張によって、蒸気は凝
縮し、クラスターを形成する。
一方、電源（１２）によってイオン化フィラメント（η
を加熱し、イオン化フィラメント（７）と電子引き出し
電極（８）との間に、電源（１３）を用いて直流電圧を
与えると、イオン化フィラメント（７）から電子が引き
出され、電子引き出し電極の間隙を通過した電子は、る
つぼ（５）から噴出したクラスターに衡突し、クラスタ
ーをイオン化する。イオン化されたクラスターは、電源
（１９）により、加速電極（９）とるつぼ（５）との間
に与えられた電圧によって加速されて上方へ飛行し、ク
ラスターイオンビーム発生装置の上方に置かれた基板（
２）に付着する。
を加熱し、イオン化フィラメント（７）と電子引き出し
電極（８）との間に、電源（１３）を用いて直流電圧を
与えると、イオン化フィラメント（７）から電子が引き
出され、電子引き出し電極の間隙を通過した電子は、る
つぼ（５）から噴出したクラスターに衡突し、クラスタ
ーをイオン化する。イオン化されたクラスターは、電源
（１９）により、加速電極（９）とるつぼ（５）との間
に与えられた電圧によって加速されて上方へ飛行し、ク
ラスターイオンビーム発生装置の上方に置かれた基板（
２）に付着する。
ただし、るつぼ（５）より噴出したクラスターは全部が
イオン化されず、一部は中性のクラスターとして、るつ
ぼ（５）から噴出した時の速度で、イオン化されたクラ
スターとともに基板上に付着する。
イオン化されず、一部は中性のクラスターとして、るつ
ぼ（５）から噴出した時の速度で、イオン化されたクラ
スターとともに基板上に付着する。
次に第３図について説明する。第３図において（１５）
は基板（２）に電子を供給する電子発生装置で、第２図
のイオン化フィラメント（７）のみを作動させるように
したものでもよい。
は基板（２）に電子を供給する電子発生装置で、第２図
のイオン化フィラメント（７）のみを作動させるように
したものでもよい。
次に動作を説明する。第３図において、クラスターイオ
ンビーム発生装置（１）から出たクラスターイオンは基
板（２）に堆積するとともに基板（２）を帯電させる。
ンビーム発生装置（１）から出たクラスターイオンは基
板（２）に堆積するとともに基板（２）を帯電させる。
しかし、電子発生装置（１５）から放出された電子が、
帯電した基板（２）の方へ引き寄せられて帯電した基板
（２）の電荷を中和する。
帯電した基板（２）の方へ引き寄せられて帯電した基板
（２）の電荷を中和する。
［発明の効果〕
この発明によると、クラスターイオンが堆積した基板に
電子を供給する電子発生装置を設けることによって、ク
ラスターイオンを蒸着すると同時に帯電した基板の電荷
を中和し、帯電による悪影響を除去することができる。
電子を供給する電子発生装置を設けることによって、ク
ラスターイオンを蒸着すると同時に帯電した基板の電荷
を中和し、帯電による悪影響を除去することができる。
第１図は従来の蒸着装置の構成図、第２図はクラスター
イオンビーム発生装置の構成図、第３図はこの発明の一
実施例を示す構成図である。 （１）は、クラスターイオンビーム発生装置、（２）は
基板、（１５）は電子発生装置である。 なお各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人大岩 増磁 第１図 第２図
イオンビーム発生装置の構成図、第３図はこの発明の一
実施例を示す構成図である。 （１）は、クラスターイオンビーム発生装置、（２）は
基板、（１５）は電子発生装置である。 なお各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人大岩 増磁 第１図 第２図
Claims (1)
- （１）走行するフィルム状基板の上にクラスターイオン
ビーム装置から発生したクラスターイオンで薄膜を形成
する蒸着装置において、上記クラスターイオンが堆積し
た上記基板に電子を供給する電子発生装置を設けたこと
を特徴とする蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7324184A JPS60215760A (ja) | 1984-04-10 | 1984-04-10 | 蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7324184A JPS60215760A (ja) | 1984-04-10 | 1984-04-10 | 蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60215760A true JPS60215760A (ja) | 1985-10-29 |
Family
ID=13512482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7324184A Pending JPS60215760A (ja) | 1984-04-10 | 1984-04-10 | 蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60215760A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1028174A1 (en) * | 1999-02-10 | 2000-08-16 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Web coating apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5143382A (ja) * | 1974-10-14 | 1976-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ionpureeteingusochi |
-
1984
- 1984-04-10 JP JP7324184A patent/JPS60215760A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5143382A (ja) * | 1974-10-14 | 1976-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ionpureeteingusochi |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1028174A1 (en) * | 1999-02-10 | 2000-08-16 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Web coating apparatus |
| EP1507024A3 (en) * | 1999-02-10 | 2005-06-01 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Web coating apparatus |
| KR100715702B1 (ko) * | 1999-02-10 | 2007-05-08 | 도요 보세키 가부시키가이샤 | 기능성 롤 필름 및 그 기능성 롤 필름을 제조할 수 있는진공 증착 장치 |
| US7666490B1 (en) | 1999-02-10 | 2010-02-23 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Functional roll film and vacuum evaporation apparatus capable of producing the functional roll film |
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