JPS60211460A - X線リソグラフ用マスク構造物およびそのマスキング方法 - Google Patents

X線リソグラフ用マスク構造物およびそのマスキング方法

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JPS60211460A
JPS60211460A JP60049204A JP4920485A JPS60211460A JP S60211460 A JPS60211460 A JP S60211460A JP 60049204 A JP60049204 A JP 60049204A JP 4920485 A JP4920485 A JP 4920485A JP S60211460 A JPS60211460 A JP S60211460A
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ray transparent
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JP60049204A
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ダニエル・レオナルド・ブロアズ
ボブ・ジヨー・ウイリアムズ
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Eaton Corp
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/167X-ray
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明は、非常に高解像力を有するデバイスの構造に関
する。更に詳細には、X線リングラフ系において用いる
マスク構造物に関する。
発明の背景 商業]−適したX線リングラフ系の製造における重要な
エレメントは、表向に形成されたX線吸収エレメントの
パターンを有するX線透過性支持体からなる適当flマ
スクを提供する。かかるマスク支持体の製造に関して、
べIJ IJウムを含み、種々の材料が提案されている
が、べIJ IJウムは、X線の吸収は低いものの、高
価で、光学的に不透明で、有毒であるという特徴を有す
る。さらに、細いX線透過窓を有するシリコン構造物が
製造されているか、かかる構造物は比較的もろく、光学
的透明性は不完全にしかすぎない。
カプトンポリイミドフィルムの厚い膜を使用することが
、シイ・エイ・コクイン、ジェイ・アール・マルトナト
およびディー・メイダン(G、A。
Coquin、 J、R,Maldonado and
 D、Maydan)による米国特許第4.03711
1号により提案されている(カプトンは、デュポン刺(
F、、I、山1ponLde Ncmours and
 Co、)の登録商標)。しかし、フィルムに生じた熱
による寸法変化のため、ある種の用途においてはフィル
ム上に形成されたパターンに許容し難い歪りが生じ得る
ことが判明した。
X線リソグラフィー用の他の公知のマスク構造物は、例
えは、支持フレームに接着された窒化ホウ素から作られ
た、光学的に透明で実質的に企みがないが、非常にもろ
くて扱いにくく、破損しゃすい支持体、及びポリイミド
の層をコードンた1またはそれ以上の窒化ホウ素がらf
sる複合支持体よりf、gる。米国特許第4.2530
29号には、機械的に強く、かつX線透過性を釘するか
がる複合マスク支持体が開示されている。かかるマスク
構造物では、所望のモ面性および機械的安定性を達成す
るために、窒化ホウ素フィルムを引き伸ばす必要があり
、このためにこの様にして形成される支持体の大きさが
制約される。また、最適の・[7−Ili′i性を達成
するために、ポリイミド層適用前にさらに研磨工程が必
要である。
発明の要約 本発明の1つの目的は、公知のマスクと同様の好ましい
光学的性質を有し、かつ従来よりも大きf、f直径で確
実に製造し得るX線リソグラフィー用マスク支持体を提
供することである。
本発明の他の目的は、支持体製造のいかなる時点におい
ても、研磨等の仕上げ加工工程の追加を必要としないマ
スク支持体を提供することである。
本発明の他の目的は、従来よりも正確にその張力を制御
することが可能f、f、複合、延伸、X線透過性部材か
らfSるマスク支持体を提供することである。
本発明の他の目的は、圧縮成形され、次いで予め設定さ
れた張力で支持構造物上に機械的に引き伸ばされるフィ
ルムでできたマスク支持体を提供することである。
本発明の他の目的は、無機材料層および該無機層」−に
設けられた高分子材料層により形成された引き伸ばされ
た、複合、X線1り過性の支持体、1fらひに該無機材
料層の露出表向−1−に接着されたX線吸収材料からな
るパターンよりf、fるマスク構造物を提供することで
ある。
前記マスク構造物を得るには、高置−丘材料層をコート
した無機のX線透喝性材料の圧縮フィルムを、フィルム
に対し所定の張力を加えるジグで引張り、その後、該引
張りフィルムの高分子層をパイレックス(Pyrex1
バイレックスはコーニング・グラスクークス社(Cor
ning Glass Works )の登録商標)な
どの珪硼酸ガラスで作られた支持リングに接着する。次
いでマスクパターンを該無機材料の露出表向に適用する
本発明の好ましい具体例では、無機フィルムは加圧中に
て成長したポリポランのフィルムであり、高分子材料は
ポリイミドである。
本発明の他の目的および利点は、以下の説明および添付
の図面より明らかと1「る。
第1図は、延伸前ソリコンリングに接着したポリイミド
コートポリボランフィルムの断面図、第2八図〜第2F
図は、マスク支持体を形成する工程を示す断面図、第3
図は、完成したマスク支持体の平面図、第4図は、表面
に形成されたマスクパターンを有するマスク支持体の断
面図である。
第1図は、ポリイミドのごとき材料からfSる高分子フ
ィルム(14)でコートしたポリボランのごとキ無機材
料フィルム(12)からなる複合材料支持体(]0)を
示す。該フィルム(12)は、シリコンリング(16)
に接着される。第1図に示される支持体(10)は、数
種の異fJiる方法のうちのいずれか1つにより形成し
得る。しかしr、>がら、特に効果的fJ方法は、不活
性キャリアガス中てB2I(6およびNH3を混合する
ことにより、プラズマ励起LPCVD中にてポリボラン
の圧縮性フィルムを形成することであるとわかった。蒸
着を実施する圧力および/またはB2H6ハH3比を制
御することにより制御を行f、fつたフィルムの圧縮状
態にてポリボランフィルムを2ミクロンから6ミクロン
の範囲の厚さに成長させる。ポリボランの蒸着後、ポリ
イミドの厚さがポリボランの厚さに等しいかまたは少し
薄くr、Hる様に調整した回転速度でスピニングするこ
とにより、ポリポランの表面にポリイミドを適用する。
次に該ウェファ−のコートされていf、fい側面の周囲
をマスクし、ポリイミドを腐食酸から保護する適当fS
エッチ固定具にウェファ−を固定し、シリコンの裏面部
分中央を、第1図に示した支持体(10)を残して酸腐
食により除去する。
第2図は、台部4J(2o)および重り(22)からf
Sる全体を(18)で示した延伸固定具に設置した支持
体(10)を示す。具体例においては、該台部材(20
)は、円形台部材(24)、およびシリコンリングの内
径よりいくぶん小さい外径を有する立−1−り環状部(
26)からflる。重り(22)は、環状部(26)の
外径より僅かに大きい内径を有し、所望の張力を支持体
(10)に加えるように調整されている。
重り(22)を第2B図に示すように設置した後、バイ
レックスリング(28)を142C図に示すようにポリ
イミド層(14)に対しエポキシ化、あるいは接着する
。次いで第2D図に示すことく第2の重り(30)をバ
イレックスリング上に設置し、エポキシ化合物を適当p
時間内で硬化させる。
エポキシ化合物が硬化した後、第2E図に示すように、
パイレックスリング(28)に接着され、引張状態にあ
る支持体(10)から重りを除去し、ついで、余分な複
合材料フィルムおよびシリコンリングを裁断すると、第
2F図に示すような仕上加工済マスク支持体(32)が
得られる。第2F図および第3図において、仕」−加工
済支持体(32)は、ポリイミド層(14)およびパイ
レックスリング(28)に支持された透過性部分(34
)を有するポリボラン層を含む伸長した複合材料フィル
ムからなる。
前記記載は、本発明のマスク支持体の好ましい具体例お
よび該支持体を形成する好ましい方法と考えられるもの
について記載したものである。本発明方法は、まず張力
下および圧縮下にて成長したフィルムに適用されるのが
好ましい。また、無機フィルムは、元来安定で、化学的
に不活性であり、必ずしも必要ではないが好ましくは耐
火性を有する無機材料の一種であってよい。一方、該無
機フィルム上にコートされる高分子材料は、金属イオン
含量が低く、光学的に透明で、良好f、g熱安定性を有
し、好ましくは、少fi くとも15000psiの引
張り強度を有する高分子材料の一種が用いられる。他の
適当f、f無機拐料の例としては、窒化ホウ素、炭化ホ
ウ素、窒化シリコンまたは炭化シリコンが挙げられる。
適当なポリマーの例としては、前記のカプトン、および
日立化成(株)より入手可能なポリイミドであるI’I
Qが挙けられる。
第4図に示す如く、例えば金等のX線収収性物質のパタ
ーン(36)を公知の方法に従ってマスク支持体のポリ
ボラン層(12)に適用することによりX線リソグラフ
ィーに適した仕上加工済マスク構造物(38)が得られ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は、延伸前ソリコンリングに接着したポリイミド
コートポリボランフィルムの断面図、第2八図〜第2F
図は、マスク支持体を形成する工程を示す断面図、第3
図は、完成したマスク支持体の平面図、第4図は、表面
に形成されたマスクパターンを有するマスク支持体の断
面図である。 図中、主IS符号は以下のとおりである。 10・・・支持体、12・・・無機材料フィルム、14
・・・高分子フィルム、16・・・ソリコンリング、1
8・・・引張装置、20・・・台部材、22,3:(1
・・・重り、36・・・パターン。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1) (a)支持部材上に、第1X線透過性材料から
    なるフィルム(12)を形成し、 (b)該フィルムを、第2X線透過性材料からなる層(
    14)でコートし、 (C)該支持部材を、第1リング(16)に接着した複
    合X線透過性部材(10)を残してその中心部を溶蝕除
    去し、 (d)第1リングの内径よりいくらか小さな外径を有す
    る第2リング(18)上に、前記複合部材を第1X線透
    過性材料と密着させて設置し、(e)所定の力を前記複
    合部材の端に加えて第2リングの外径以」−に伸びる該
    複合部材を引張り状態とし、 (f)所定の力を加えながら第3リング(28)を前記
    X線透過性材料の層に接着し、 (g)工程(e)で加えた力を除去し、(h)前記第2
    リングの外径以」−に伸びる前記複合部材および第1リ
    ングを裁断する工程からfsることを特徴とするX線リ
    ソグラフィー用のマスク支持体(32)を形成する方法
    。 (2)第1X線透過性材料が無機材料である前記第(1
    )項の方法。 (3)第2X線透過性材料が高分子材料である前記第(
    1)項の方法。 (4)第1X線透過性材料が、耐火性、化学的不活性無
    機材料である前記第(1)項の方法。 (5)第1X線透過性材料がポリボランである前記第(
    1)項の方法。 (6)第1X線透過性材料が圧縮性ポリボランである前
    記第(1)項の方法。 (7)第2X線透過性材料が、金属含有量が低く、少な
    くとも15000p8iの引張り強さを有するポリマー
    である前記第(1)項の方法。 (8)第2X線透過性材料がポリイミドである前記第(
    1)項の方法。 (9)前記支持部材がシリコンである前記第(1)項か
    ら第(9)項の方法。 (1,0)前記第3リングがホウケイ酸ガラス材料で作
    られる前記第(9)項の方法。 (11)第2リングが、水平に配置された台部材からた
    ちあがった円筒部、tJ(26)である前記第(1)項
    の方法。 (1,2)(a)支持部材」−に第1X線透過性材料の
    フィルム(12)を形成し、 (b)前記フィルムを第2X線透過性材料の層(14)
    でコートし、 (C)第1リング(16)に接着した複合X線透過性部
    材(10)を残して前記支持部材の中心部分を溶蝕除去
    し、 (d)前記第1リンクの内径よりいくらか小さい外径を
    有する第2リング上に第1X線透過性材料と接触させて
    前記複合材料を設置し、 (e)所定の力を前記第2リングの外径より伸ひた前記
    複合材料に加え、 (f)所定の力を加えflがら、第3リング(28)を
    前記第2X線透過性4」料の層に接着し、(g)工程(
    C)で加えた力を除去し、(11)前記第2リングの夕
    1径以−I−に伸ひた前記複合部材および第1リングを
    裁断し、 (i)前記第1X線透過性材料の露出表面に、X線吸収
    物質のパターン(36)を配置する工程から11′るこ
    とを特徴とするX線リソグラフィー用のマスク構造(3
    8)を形成する方法。 (13)第1X線透過性Hrlがポリボランであり、か
    つ第2X線透過性材ネ」がポリイミドである前記第(1
    2)項の方法。 (14)圧縮性無機X線1h過性部梠(12)、該圧縮
    性無機部材上に配置された高置−T−X線弘渦性層(1
    4)および前記高分子層に接着された支持リング(28
    )より1了り、前記無機部材および有機層に機械的張力
    を加えて前記無機部材の露!、1.1表面」―のX線吸
    収性パターン(36)支1′11用の伸ばした複合支持
    体(10)を成形することを特徴とするX線リソグラフ
    ィー用のマスク構造物(38)。 (15)圧縮性無機X線透過性部材(12)、前記圧縮
    性無機部材上に設けられた高分子X線透過性層(14)
    、前記高分子層に接着された支持リング(28)、およ
    び前記無機部材」−に配置されたX線吸収パターン(3
    6)よりrlす、前記無機部材および前記高分子層に機
    械的に張力を加えて延伸睨合支持体(10)を成形する
    ことを特徴とするX線すソグラフィー用マスク構造物(
    38)。 (16翔Q記無機材料がポリポランである前記第(14
    )項または第(15)項のマスク構造物。 (17)itiJ記高分子層が、金属含有量が低く、少
    なくとも15000psiの引張り強さを有するポリマ
    ーである前記第(14)項または第(15)項のマスク
    構造物。 (18)前記高分子層がポリイミドである前記第(14
    )項または第(15)項の製品。 (19)前記無機材料が少なくとも2ミクロンの厚さの
    ポリボラ・ンであり、前記高分子層がポリイミドであっ
    て、該ポリボラン層および該ポリイミド層がほぼ同じ厚
    さである前記第(14)項または第(15)項の製品。 (20)無機X線透過性材料のフィルム(12)を形成
    し、該フィルムを高分子X線透過性利オ゛(層(14)
    でコートして、複合X線透過性部材(10)を成形し、
    所定の張力を該複合部材に加え、支持リング(28)を
    前記高分子層に接着し、その表面にX線吸収パターン(
    36)を設けるのに使用し得る前記無機X線透過性フィ
    ルムの露出した表向を有する伸ばした複合支持体を成形
    する工程により形成されることを特徴とするX線リソグ
    ラフィー用マスク支持体。 (21)無機X線透過性祠料のフィルム(12)を成形
    し、該フィルムを高分子X線透過性材料層(14)でコ
    ートして複合X線透過性部1i’ (10)を成形し、
    所定の張力を前記複合部材に加え、支持リンク(28)
    を前記高分子層に接着腰X線吸収物質のバター 。 ンを無機フィルム」−に設ける工程により形成されるこ
    とを特徴とするマスク構造物。 (22)無機材料がポリポランである前記第(20)項
    または第(21)項の製品。 (23)前記高分子材料がポリイミドである前記第(2
    0)項または第(21)項の製品。
JP60049204A 1984-03-12 1985-03-11 X線リソグラフ用マスク構造物およびそのマスキング方法 Pending JPS60211460A (ja)

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3600169A1 (de) * 1985-01-07 1986-07-10 Canon K.K., Tokio/Tokyo Maskenstruktur zur lithographie, verfahren zu ihrer herstellung und lithographisches verfahren
US4604292A (en) * 1985-04-26 1986-08-05 Spire Corporation X-ray mask blank process
US4708919A (en) * 1985-08-02 1987-11-24 Micronix Corporation Process for manufacturing a mask for use in X-ray photolithography using a monolithic support and resulting structure
US4751276A (en) * 1986-12-24 1988-06-14 Exxon Research And Engineering Company Method for preparing functional alpha-olefin polymers and copolymers
US4734472A (en) * 1986-12-24 1988-03-29 Exxon Research And Engineering Company Method for preparing functional alpha-olefin polymers and copolymers
US4868093A (en) * 1987-05-01 1989-09-19 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Device fabrication by X-ray lithography utilizing stable boron nitride mask
DE3920788C1 (ja) * 1989-06-24 1990-12-13 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe, De
US6048652A (en) * 1998-12-04 2000-04-11 Advanced Micro Devices, Inc. Backside polish EUV mask and method of manufacture
US6013399A (en) * 1998-12-04 2000-01-11 Advanced Micro Devices, Inc. Reworkable EUV mask materials
US7749903B2 (en) * 2008-02-07 2010-07-06 International Business Machines Corporation Gate patterning scheme with self aligned independent gate etch

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4037111A (en) * 1976-06-08 1977-07-19 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Mask structures for X-ray lithography
US4171489A (en) * 1978-09-13 1979-10-16 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Radiation mask structure
US4254174A (en) * 1979-03-29 1981-03-03 Massachusetts Institute Of Technology Supported membrane composite structure and its method of manufacture
US4253029A (en) * 1979-05-23 1981-02-24 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Mask structure for x-ray lithography
US4260670A (en) * 1979-07-12 1981-04-07 Western Electric Company, Inc. X-ray mask
US4454209A (en) * 1980-12-17 1984-06-12 Westinghouse Electric Corp. High resolution soft x-ray or ion beam lithographic mask

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Publication number Publication date
EP0164820A3 (en) 1987-09-23
US4539278A (en) 1985-09-03
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