JPS60205458A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線。

可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波
に感受性のある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。

中でも電子写真法を使用した画像形成法では。

レーザーとしては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーある
いは半導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光
波長を有する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体Ｌノーザーを用いる場合に適した電子写真
用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他
の種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加え
て、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点
で、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や４．′Ｆ開
昭５６−８３７４６号公報に開示されているシリコン原
子を含む非晶質材料（以後ｒ　Ａ　−ＳｉＪと略記する
）から成る光受容部材が注目されている。

面乍ら、光受容層を単層構成のＡ−Ｓｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、−電子写真用として要求され
る１０１２ΩＣａ＋以上の暗抵抗を確保するには、水素
原子やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子と
を特定の値範囲で層中に制御された形で構造的に含有さ
せる必要性がある為に１層形成のコントロールを厳密に
行う必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に
ａ（成りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１．７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特
性の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受
容層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５
２１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８
１５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報に
記載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び
光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたり
して、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案され
ている。

この様な提案によって、Ａ−５ｉ系先光受容材はその商
品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の容
易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向け
ての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層１ゾに斑がある為に、レ
ーザー光が可干渉性のｑｔ色光であるので、光受容層の
レーザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及
び支持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及
び層界面の両者を併せた意、味で「界面」と称す）より
反射して来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この１渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光ＩＱと」；層界面１０２で反射した反射光Ｒ１
，下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している・ 層の平均層厚をｄ、ＰＬ折率をｎ、光の波長をの層厚差
で不均一であると、反射光Ｒ１、Ｒ２が２ｎｄ＝ｍλ（
ｍは整数、反射光は強め合は弱め合う）の条件のどちら
に合うかによって、ある層の吸収光量および透過光量に
変化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をグイ
ヤモンドシノ削して、±５００人〜士ｘｏｏｏｏＡの凹
凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開１１５
８−１６２９７５℃公報）アルミニウム支持体表面を黒
色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカーボン、
７１′色顔ネ１、染料を分散したりして光吸収層を設け
る方法（例えば特開昭５７−１６５８４５号公ｆυ）、
アルミニウム支持体表面を梨地状のアルマイト処理した
り、サンドブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたり
して、支持体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例
えば特開昭５７−１６５５４号公報）等が提案されてい
る。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
１着色顔料分散樹脂層を設ける場合はＡ　−Ｓｉ層を形
成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される光
受容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がＡ−Ｓ
ｉ層形成の際のプラズマによってダメージを受けて１本
来の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化によ
るその後のＡ−３ｉ層の形成に悪影響を与えること等の
不都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光ＩＯは、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光１１となる。透
過光■１は、支持体３０２の表面に於いて、その一部は
、光散乱されて拡散光Ｋｌ　、に２　、に３　・・とな
り、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が
出射光Ｒ３となって外部に出て行く、従って１反射光Ｒ
１と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然
として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散して／＼レーションを生ずる為解像
度が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、ｔｊ
ｌ、　１層４０２での表面での反射光Ｒ２，第２層での
反射光Ｒ１，支持体４０１面での正反射光Ｒ３の人々が
干渉して、光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様
が生じる。従って、多層構成の光受容部材においては、
支持体４０１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完
全に防止することは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロント間に於いてバラツ
キが多く、１［つ同一ロットに於いても粗面度に不均一
があって、製造管理」−共合が悪かった。加えて、比較
的大きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯か
る大きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因
となっていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように１通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄｌ＝ｍλまた
は２ｎｄ１＝　（ｍ＋ｙ２）入が成立ち、夫々明部また
は暗部となる。また、光受容層全体では光受容層の層厚
ｄ１．ｄ２．ｄ３、な層厚の不均一性があるため明暗の
縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはでさない。

又、表面を規則的に荒した支持体上１と多層構成の光受
容層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成
の光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光
受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面で
の反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部
材の干渉縞模Ｊ！発現度合より一層複雑となる。

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

未発１５１の更に別の［１的は、画像形成時に現出する
干渉縞模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完
全に解消することができる光受容部材を提供することで
もある。

本発明のもう１つの別の目的は、電気的耐圧性及び光感
度が高く、電子写真特性に債れた光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、濃度が高く、ハーフト
ーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を１４
ｊることが出来る電子写真用に適した光受容部材を提供
することでもある。

未発１１の光受容部材は、シリコン原子とゲルマニウム
原子とを含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリ
コン原子を含む非晶質材木１で構成され、光導電性を示
す第２の層とが支持体側より順に設けられた多層構成の
光受容層を有する光受容部材に於いて、前記第１の層中
に於けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均
一であり、且つ前記ｉｉの層及び前記第２の層の少なく
とも一方に伝導性を支配する物質が含有され、該物質が
含有されている層領域に於いて、該物質の分ＩＨ５状態
が層厚方向に不均一であると共に前記光受容層がショー
トレンジ内に１対以上の非乎行な界面をイロ〜該Ｊ１１
ｉ行な界面が、層厚方向と毛直な面内の少なくとも一方
向に多数配列している事を特徴とする特以下、本発明を
図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説１５１
図である。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状をイｌ
する支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って
多層構成の光受容層をイー１し、＋＋に光受容層は第６
図の一部に拡大して示されるように、第２ｉ６０２の層
厚がｄ５からｄ６と連続的に変化している為に、界面６
０３と界面６０４とは互いに傾向きを有している。従っ
て、この微小部分（ショートレンジ）４２に入射した可
干渉性光は、該微小部公文に於て干渉を起し、微小な干
渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光ＩＱに対する
反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｂ）　Ｊ　）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ（Ｂ）Ｊ）よりも非平行な場合（
ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様のＩＪＩ　
ｒｔｔｓの差が無視し得る程度に小さくなる。その結果
、＊小部分の入射先部は’ｔｚ均化される。

このことは、第６図に示す様に第２層６０２の層厚がマ
クロ的にも不均一（ｄ７＼ｄＢ）であっても同様に云え
る為、全層領域に於て入射Ｘ量が均一になる（第６図の
ｒ　（Ｄ）Ｊ参照）６また、光受容層が多層構成である
場合に於いて！！ｑ剣側から第２層までｉＴｆ干渉性光
が透過した場合に就いて本発明の効果を述べれば、第８
図に示す様に、入射光ＩＱ　に対して、反射光Ｒ１，Ｒ
２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５が存在する。

その為各々の層で第７図を似って前記に説明したことが
生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は人々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポラ１［より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為１画像に現われることはない、又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には何部支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ交（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、文≦してあ
る。

又未発りｊの目的をより効果的に達成する為には微小部
公文に於ける層厚の差（ｄ５−ｄ６　）は、！！！射光
の波長をλとすると、 入 ｄ５−ｄ６≧　７］ （ｎ：第２層６０２の屈折率） であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部公文の層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面がｊｌ平行な関係にある様に各層
の層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を
満足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面
が平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１の層、第２の層各層の形成には
本発明の目的をより効果的１１つ容易に達成する為に、
層厚を光学的レベルで１確に制御できることからプラズ
マ気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶ　Ｄ　法、熱ＣＶＤ法
が採用サレる。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃を有す
るバイトをフライス盤、旋盤等のりＪ削加工機械の所定
位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に従って
設計されたプロゲラＬ、に従って回転させなから規））
１）的に所定方向に移動させることにより、支持体表面
を正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、
深さで形成される。この様な切削加工法によって形成さ
れる凹凸が作り出す逆Ｖ字形線状突起部は、円筒状支持
体の中心軸を中心にした螺線描造を有する。逆Ｖ字形突
起部の螺線描造は、二重、三重の多毛螺線描造、又は交
叉軸線構造とされても差支えない。

或いは、螺線描造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内に於ける層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられる層との
間の良好なに着性や所望の電気的接触性を確保する為に
逆Ｖ字形とされるが、好ましくは第９図に示される様に
一１質的に二等辺三角形、直角三角形成いは不等辺三角
形とされるのが望ましい、これ等の形状の中殊に二等辺
三角形、直角三角形が望ましい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以Ｆの点を考處した上
で、未発りｊの１」的を結果的に達成出来る様に設足さ
れる。

即ち、第１は光受容層を構成するＡ−５ｉ層は、層形成
される表面の状！！、に構造敏感であって、表面状態に
応して層品質は大きく変化する。

従って、Ａ−３ｉ層の層品質の低−トを招来しない様に
支持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定す
る必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると１画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電ｆ−写真法のプロセス」
二の問題点および、干渉縞模様を防ぐ条ｒ１−を検δ・
（シた結果、支持体表面の四部のピッチは、ｔＩｆまし
くは５００μｍ−０，３μｍ、より＆ｆましくは２００
　ｇｍ−１ｇｍ、最適には５０ｐ、ｍ〜５ｇｍであるの
が望ましい。

又、凹部の最大の深さは、好ましくは０．１ｇｍ〜５μ
ｍ、より女子ましくは０．３μｍ〜３ｇｍ、最適には０
．６ｐｍ〜２μｍとされるのが望ましい、支持体表面の
凹部のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、凹部
（又は線−ヒ突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１
度〜２０１［、より好ましくは３度〜１５度、最適には
４度〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体−ヒに堆積される各層の層厚の不均
一性に基〈層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは
Ｏ１ｌルｍ〜２ｐＬｍ、より好ましくはＯ，ｌｐＬｍ”
１．５ｐｍ、最適には０．２ｐｍ−１＃Ｌ、ｍとされる
のが望ましい。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の層とシリコン原Ｐを含む非晶質材料で構成され
、光導電性を示す第２の層とが支持体側より順に設けら
れた多層構成となっており、前記第１の層中に於けるゲ
ルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一となって
いるため、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性
、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光酷度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、江つ光
応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光受容部材に就て詳細に
説明する。

第１０図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した校式的構成図である。

第１０図に小才光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１０００を有し
、該光受容層１０００は＋三＋山表面１００５を一方の
端面に有している。

光受容層１０００は支持体１００１側よりゲルマニウム
原子と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）とを含有するａ　−５ｉ（以後ｒａ−５ｉＧｅ　
（Ｈ，Ｘ）Ｊと略記する）で構成された第１の層（Ｇ）
ｌ−００２と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）とを含イ１するａ−５ｉ（以後ｒａ−５ｉ
（Ｈ，Ｘ）Ｊ　と略記する）で構成され、光導電性を有
する第２のＨ（Ｓ）１００３とが順に積層された層構造
を有する。

第１の層（Ｇ）１００２中に含有されるゲルマニウム原
子は、該第１の層（Ｇ）１００２の層厚方向には連続的
であって且つ前記支持体ｔｏｏｌの設けられである側と
は反対の側（光受容層１００１の表面１００５側）の方
に対して前記支持体ｆｏｏｌ側の方に多く分７１Ｊシた
状態となる様に前記第１の層（Ｇ）１００２中に含有さ
れる。

本発明の光受容部材においては、第１の層（Ｇ）中に含
有されるゲルマニウム原子の分１＋ｒ状態は、層厚方向
においては、前記の様な分布状態を取り、支持体の表面
と平行な面内方向には均一な分布状態とされるのが望ま
しい。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
　＋ｊｌ視光領域を含む、比較的短波長から比較的短波
長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光
受容部材として得るものである。

又、第１の層（Ｇ’）中に於けるゲルマニラｌ、原子の
分布状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布
し、ゲルマニウム原子の層厚方向の分布ｅ　Ｊａ’　Ｃ
が支持体側よりｔｆＳ２の層（Ｓ）に向って減少する変
化が与えられているので、第１の層（Ｇ）と第２の層（
Ｓ）との間に於ける親和性に惧れ、且つ後述する様に、
支持体側端部に於いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを
極端に大きくすることにより、半導体レーザ等を使用し
た場合の、第２の層（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波
長側の光を第１の層（Ｇ、）に於いて、実質的に完全に
吸収することが出来、支持体面からの反射による干渉を
防止することが出来る。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので積層界面
に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されている。

第１１図乃至：５１９図には１本発明における光受容部
材の’Ｉ’ｔ　ｌの層（Ｇ）中に含有されるゲルマニウ
ム原子の層厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第１１図乃至第１９図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１の層（Ｇ）の層厚を示
し、ｔＢは支持体側の第１の層（Ｇ）の端面の位置を、
ｔ７は支持体側とは反対側の層（Ｇ）の端面の位置を示
す、即ち、ゲルマニウム原子の含有されるＥｆ’Ｓ１の
層（Ｇ）はｔＢ側よりｔ７側に向って層形成がなされる
。

第１１図には、ｆｆ５ｌの層（Ｇ）中に含有されるゲル
マニウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示
される。

第１１図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れる第１の層（Ｇ）が形成される表面と該第１の層（Ｇ
）の表面とが接する界面位置ｔＢよりｔｌの位置までは
、ゲルマニウム原子の分布濃度ＣがＣ１なる一定の値を
取り乍らゲルマニウム原子が形成される第１の層（Ｇ）
に含有され、位置ｔｌよりは濃度ｃ２より界面位Ｔｔ　
ｔ　７に至るまで徐々に連続前に減少されている。界面
位置り丁においてはゲルマニウム原イの分Ｉ１１濃度Ｃ
は濃度Ｃ２とされる。

第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ７に至るま
で濃度Ｃ４から徐々にｉ！Ｊ！統的に減少して位置ｔ７
において濃度Ｃ５となる様な分Ｉ（ｊ状態を形成してい
る。

第１３図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ
、位置ｔ２と位置ｔ７との間において、徐々に連続的に
減少され、位置ｔ７において、分布濃度Ｃは実質的に本
とされている（ここで実質的に零とは検出限界績未渦の
場合である）。

第１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分１１ｊ儂度
Ｃは位置ＬＢより位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ８より連
続的に徐々に減少され、位置ｔ７において実質的に零と
されている。

第１５図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢと位置し３間においては、濃度Ｃ９と
一定値であり、位置ｔ７に於ては濃度ＣＩＯとされる０
位置ｔ３と位ＺＬ　Ｌ　７との間では、分布濃度Ｃは一
次関数的に位置ｔ３より位置ｔＴに至るまで減少されて
いる。

第１６図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位ｉＭ：　ｔ　４までは濃度Ｃ１１の一定値を取
り、位置ｔ４より位１７　ｔ　７までは濃度Ｃ１２より
濃度Ｃ１３まで一次関数的に減少する分布状態とされて
いる。

第１７図に示す例においては、位ごｔＢより位置ｔＴに
至まで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１４よ
り実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第１８図においては、位置しＢより（々Ｖ！ｉｔ　５に
至まではゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１５
よりｅｆｆｅｃｔｓまで一次関数的に減少され、位置ｔ
５と位ｆｌ　ｔ　７との間においては、濃度０１６の一
定値とされた例が示されている。

第１９図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位置ＬＢにおいて濃度ＣＩ７であり、位置
ｔ６に至るまではこの濃度ＣＩ？より初めはゆっくりと
減少され、ｔＢの位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔ６では濃度ＣＩ８とされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度ＣＩ９となり、位置ｔ７と位置し８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ８において、
濃度Ｃ２０に至る０位置し８と位置ｔ７との間において
は濃度Ｃ２０より実質的に零になる様に図に示す如き形
状の曲線に従って減少されている。

以上、第１１図乃至第１９図により、第１の層（Ｇ）中
に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状！凪
の典型例の幾つかを説明した様に、本発明においては、
支持体側において。

ゲルマニウムＢ；（子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、
界面ｔ７側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に比
べて可成り低くされた部分を有するゲルマニウム原子の
分布状態が第１の層（Ｇ）に設けられているのが望まし
い。

本発明における光受容部材を構成する光受容層を構成す
る第１の層（Ｇ）は好ましくは−１−記した様に支持体
側の力にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有されて
いる局在「１域（Ａ）をイ１するのが望ましい。

本発明においては局在領域（Ａ）は、第１１図乃至ｇ’
５１９図に示す記号を用いて説Ｉｌｌすれば、界面位７
４　ｔ　Ｂより５μ以内に設けられるのが望ましいもの
である。

本発明に於ては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置ｔＢ
より５ルア９までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又１層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適’ｆｆ決められる。

局在領域（Ａ）はその中に含イ１されるゲルマニウム原
子の層厚方向の分ｌ１１ｊ状態としてゲルマニウム原子
の分４４膿度の最大イ〆ｉＣｍａｘがシリコン原子に対
して、Ｉｆましくは１０００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以」
二、よりに’ｆ適には５０００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以
上、最適には１×１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とさ
れる様な分／１Ｊ状ｊ５となり７４７る様に層形成され
るのが望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含イ」さ
れる第１の層（Ｇ）は、支持体側からの層厚で５μ以内
（ｔＢから５μ厚の層領域に分ｊ１＋　ｅ度の最大（１
０Ｃｍ　ａ　ｘが存在する様に形成されるのか好ましい
ものである。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層（Ｓ）中に含有される水素原ｒ−（１１）の：１１又
はハロケン原／−（Ｘ）の量または水素原ｆとハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、　ＩＩ（ましくは１〜４０
　ａ　Ｌ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ％、よりＩｆ６には５−３５
−３０ａｔｏ％、最適には５〜２５ａｔｏｍｉｃ％とさ
れるのが望ましい。

に 本発明において、第１の屓・（Ｇ）中）含有されるゲル
マニウム原子の含有量としては、未発りｊの１」的が効
果的に達成される様に１９ｉ望に従って適宜法められる
か、　＆／ましくは１−９．５Ｘ１０５　ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ、　より好ましくはｌｏＯ〜８Ｘ１０”　ａｔ
ｏｍｉｃｐｐｍ、Ｍ＆適には５００〜７×１Ｏ５ａＬｏ
ｒｎｉｃ　ＰＰｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて第１の層ＣＧ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は、本発明の１１的を効果的に達成させる為の重黄な
因子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特
性が充分す、えられる様に、光受容部材の設計の際に充
分なる注、θか払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢは、好まし
くは３０′Ａ〜５０ｕ、、より好ましくは、４０人〜４
０μ、最適には、５０人〜３０μとされるのが望ましい
。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、　（Ｉｆましくは０５
〜９０ル、より＆ｆましくは１〜８０に最適には２〜５
０壓とされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢと第２の層（Ｓ）の層厚Ｔの
和（Ｔ　Ｂ、　＋　Ｔ）としては、両にイ・領域に要求
される４、シ性と光受容層全体に要求される特性との相
！Ｌ間のイＩ機的関連性に基いて、光受容部材の層設計
の際に所望に従って、適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、」−記の（ＴＢ＋１’
）の数イ１／１＠囲としては、Ｉｆましくは１〜１００
川、より好適には１〜８０ｇ、／漬適には２〜５０μと
されるのが望ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、」−記の
層厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴＢ　／Ｔ≦
１なる関係を満足する際に、夫々に対して適宜適すＪな
数４ｆｔが選択されるのが望ましい。

に記の場合に於ける層厚Ｔ）３及び層厚Ｔの数（＋／ｉ
の選択の於いて、より＆ｒましくは、Ｔ３／Ｔ≦０９．
最適にはＴＢ　／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に
層Ｊ′ｌＴ　Ｂ及び層厚Ｔのイー１が決定されるのが望
ましいものである。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量がＩＸ１ｌＸ１０５ａｔｏ　ｐｐｍ
以］二の場合には、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢとしては
、可成り薄くされるのが望ましく、＆ｆましくは３０ル
以下、より好ましくは２５ル以下、最適には２０μ以下
とされるのが望ましい。

本発明において、光受容層を構成する第１の層（Ｇ）及
び第２の層（Ｓ）中に必要にｊεじて含有されるハロゲ
ン原子（Ｘ）としては、置体的には、フッ素、塩素、臭
＾、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、１１１素を好適な
ものとして挙げることが出来る。

本発明において、ａ−３ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）　テ構成さ
れる第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例
えば、グロー放電法によって、ａ−３ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ
）　テ構成される第１の層（Ｇ）を形成するには、ノ１
（末的には、シリコン原−ｒ（Ｓｉ）を供給しｔｌＩる
Ｓｉ供給用の原料カスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供
給し１１１るＧｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素
原子（Ｈ）導入用の原料カス又は／及びハロゲン原子（
ｘ）４人用の原料カスを、内部が減圧にし得る１１Ｆ積
室内に所望のガスｎ。状照゛で導入して、　；ｉｌ（＋
積室内にグロー放電を生起させ、Ｐめ所定位置に設置さ
れである所定の支持体表面」二に含有されるゲルマニウ
ム原子の分布農度な所望の変化率曲線に従って制御し乍
らａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成させれば良
い。又、スパッタリング法で形成する場合には、例えば
Ａｒ、Ｈｅｉの不活性カス又はこれ等のガスをペースと
した８４合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲフ
トとＧｅで構成されたターゲットの二枚を使用して、又
はＳｉとＧｅの混合されたターゲットを使用してスパッ
タリングする際、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）導入ＪＦＩのカスをスパッタリン
グ用の堆積室に導入してやれば良い。

本発明において使用されるＳ１供給用の原ネ１ガスと成
り得る物質としては、ＳｉＨ４゜Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３Ｈ
Ｂ　、Ｓｉ４Ｈ１０’ｔのカス状ｍ：の又ガス化し得る
水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして
挙げられ。

殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ
等の点でＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、が＆ｆましいものとし
て挙げられる。

Ｇｅ供給用の原ネ４ガスと成すマする物質としては、Ｇ
ｅＨ４、Ｇｅ２　Ｈ６、Ｇｅ３　Ｈ８。

Ｇｅ４　ＨＩＯ，Ｇｅ５　Ｈ１２，Ｇｅ６　Ｈ１４，Ｇ
ｅ７Ｈ１Ｂ、　ＧｅＢ　ＨＵＢ、　Ｇｅ８Ｈ２０’Ｇｃ
７）ガス状７Ｉｉ（７）又はガス化し得る水素化ゲルマ
ニラ１、が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に
、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効二（ｌの良さ
等の点で、ＧｅＨ４、Ｇｅ２　ＨＢ　、Ｇｅ３　ＨＢが
ｋｒましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原−ｒ導入用の原料
ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げら
れ、例えばハロゲンカス、ハロゲンカス物、ハロゲン間
化合物、ハロゲンで；置換されたシラン誘導体等のガス
状！、！；の又はガス化し１１ｉるハロゲン化合物が好
ましく挙げられる。

又、更には、シリコンｂＸ子とハロゲン原子とを構成要
素とするカス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を
含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、基体的には、フン素、１８素、臭素、ヨウ素のハロ
ゲンガス、ＢｒＦ、ＣＩＦ。

ＣｌＦ３　、ＢｒＦ５　、ＢｒＦ３　、ＩＦ３　。

ＩＦ７　、ＩＣ９，、ＩＢｒ等（７）　ハロゲン化合物
を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、基体的には例えばＳ
ｉＦ４　、Ｓｉ２　Ｆ６　、を ５ｉＣｊｊ４　、ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素が好ま
しいものとして挙げる事が出来る。

この様ρロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロー
放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成する
場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し得
る原１１ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所９（の支Ｉ−シ体上にハロゲン原子を含むａ−Ｓｉ
Ｇｅがら成る第１の層（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガス
となる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ３のガス
等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の層Ｃ
Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放゛屯を生起し
てこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによっ
て、所望の支持体上に第１の層（Ｇ）を形成し得るもの
であるが、水素源ｒの導入割合の制御を一層容易になる
様に、１する為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素
源ｒ−を含む１１１゛素化合物のカスも所望量混合して
層形成しても良い。

又、各ガスは単独線のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ッテａ−３ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）から成る第１の層（
Ｇ）を形成するには、例えばスパッタリング法の場合に
はＳｉから成るターゲットとＧｅから成るターゲットの
二枚を、或いはＳｉとＧｅから成るターゲットを使用し
て、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパフタリン
グし、イオンブレーティンク１人のに１合には、例えば
、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニ
ウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源としてノに
着ポートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエ
レクトロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ
飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる
Ｊｊで行うＦ３が出来る。

この際、スパッタリングツ人、イオンブレーティング法
の何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入
するには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原
ｒ−を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガ
スのプラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原ｆ−導入用の
原料ガス、例えば、Ｈ２，或いは＋ｉｉｉ記したシラン
類又は／及び水素化ゲルマニウム等のカス類をスパッタ
リング用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲
気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含むｂＬ
素化合物が有効なものとして使用されるものであるが、
その他に、ＨＦ。

ＨＣ見、ＨＢｒ、ＨＩ等のハロゲン化水よ、ＳｉＨ２Ｆ
２，５ｉＨ２Ｉ２，５ｉＨ２Ｃ文２゜ＳｉＨ２Ｆ２．５
ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３等のハロゲン１と検水素化
１ｉＪ−素、及びＧｅＨＦ３゜ＧｅＨ２Ｆ２　、Ｇ　ｅ
Ｈ３Ｆ、ＧｅＨＣ文３　。

ＧｅＨ２Ｃｕ２　、ＧｅＨ３Ｃ文、ＧｅＨＢｒ３゜Ｇｅ
Ｈ２Ｂ　Ｆ２　、ＧｅＨ３Ｂｒ、ＧｅＨＩ３　。

ＧｅＨ２Ｉ２　、ＧｅＨ３Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲル
マニウム等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲン
化物、ＧｅＦ４　、ＧｅＣｕ４　。

ＧｅＢ　Ｆ４　、Ｇｅ　Ｉ４　、ＧｅＦ２　、ＧｅＣ１
２゜ＧｅＢｒ２　、ＧｅＩ２等のハロゲン化ゲルマニウ
ム、等々のガス状態の或いはガス化し得る物質も有効な
第１の層（Ｇ）形成用の出発物質ととして挙げる事が出
来る。

これ等の物質の中、水素原子を含む／＼ロゲン化物は、
第１の層（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と
同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水
素原子も導入されるので、本発明においては好適な／＼
ロゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＨ２，或いはＳｉＨ４゜Ｓｉ２　Ｈ６、Ｓｉ
３　ＨＢ　、Ｓｉ４　ＨＩＯ等の水素化硅素をＧｅを供
給する為のゲルマニラｌ、又はゲルマニウム化合物と、
或いは、ＧｅＨ４゜Ｇｅ２　Ｈ６、Ｇｅ３　ＨＢ　、Ｇ
ｅ４　ＨＢ、Ｇｅ５ＨＩ２．Ｇｅｅ　Ｈ１４＝Ｇｅ７　
Ｈ１８＝Ｇｅ８　Ｈ１８゜Ｇｅ３Ｈ２ｏ等の水素化ゲル
マニウムとＳｉを供給する為のシリコン又はシリコン化
合物と、を堆積室中に共存させて放電を生起させる事で
も行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の址の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１−０１
−４０ａｔｏ％、より好適には０．０５−０５−３０ａ
ｔｏ％、最適には辷０，１−２５　ａＬｏｍｉＣ％とさ
れるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素数Ｙ−（Ｈ）又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支
持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原
子ＣＸ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装
置系内へ導入する星、放゛心々力等を制御してやれば良
い。

本発明に於いて、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層領域（Ｇ
）形成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給用の原料
ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層（Ｓ）
形成用の出発物質（ＩＩ））を使用して、第１の層（Ｇ
）を形成する場合と、同様の方法と条件に従って行うこ
とが出来る。

１！リチ、本発明ニ、ｉ−７イテ、ａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）
で構成される第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成さ
れる。例えば、グロー放電法によってａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ
）で構成１される第２の層（Ｓ）を形成するには、基本
的には前記したシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ
供給用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）
導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）ｉ入用の原ネｌ
ガスを、内部が減月二にし得る堆積室内に導入して、該
堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位ｌに設置
されである所定の支持体表面上にａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）か
らなる層を形成させれば良い。又、スパッタリング法で
形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又
はこれ等のカスをペースとした混合ガスの雰囲気中でＳ
ｉで構成されたターゲットをスパッタリングする際、水
素原ｆ（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）７４人田川
カスをスパッタリング用の＋４＋。私室に導入しておけ
ば良い。

未発１！１の光受容部材１００４に於いては、少なくと
も第１の層（Ｇ）１００２又は／及び第２の層（Ｓ）１
００３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含イｊされて
おり、該物質（Ｃ）が含イＳされる層に所望の伝導特性
が与えられている。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）１００２又は／及び
第２の層（Ｓ）１００３に含イＩされ６０．４特性を支
配する物質（Ｃ）は、物質（Ｃ）が含イｊされる層の全
層領域に含有されても良く、物質（Ｃ）が含イＪされる
層の一部の層領域に偏在する様に含有されても良い。

しかし、いずれの場合に於いても、１ｉｉｊ記物質（Ｃ
）の含有される層領域（ＰＮ）に於いて、該物質の層厚
方向の分布状態は不均一とされる。詰り、例えば、第１
の層（Ｇ）の全層領域に前記物質（Ｃ）を含有させるの
であれば、第１の層（Ｇ）の支持体側の方に多く分布す
る様にｆｉｉｊ記物質（Ｃ）が第１の層（Ｇ）中に含有
される。

この様に層領域（ＰＮ）に於いて、　＋ｉｉｊ記物質（
Ｃ）の層厚方向の分布濃度を不均一にするこ芥 とで、他の層との接触海面での光学的、電気的接合を良
好にすることが出来る。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層ＣＧ）
中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含有される
層領域（ＰＮ）は、ｍｌの層（Ｇ）の端部層領域として
設けられ、その都度、所望に応じて適宜状められる。

本発明に於いては、第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）
を含有させる場合、＆／ましくは、少なくとも第１の層
（Ｇ）との接触界面を含む層領域中に１ｉｉ記物質（Ｃ
）を含イ１させるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層（Ｇ）に
於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層領域と、第２
の層（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層
領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ましい。

又、第１のＮ！：（Ｇ）とＷＳ２の層（Ｓ）とに含イｊ
される前記物￥’ｊ（Ｃ）は、第１の層（Ｇ）と：ｊｒ
、２の層（Ｓ）とに於いて同種類でも異種類であっても
良く、又、その含有Ｘｉ１は各層に於いて。

同じでも異っていても良い。

面乍ら、未発り１に於いては、各層に含イ１される前記
物質（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１
の層（Ｇ）中の含＋ａを充分多くするか、又は、電気的
特性の異なる種類の物質（Ｃ）を１９１望の各層に、夫
々含有させるのが好ましい。

未発ＩＩに於いては、少なくとも光受容層を構成する第
１の層（Ｇ）又は／及び第２の層（Ｓ）中に、伝導特性
を支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該物質
（Ｃ）の含有される層領域〔第１の層（Ｇ）の又は／及
び第２の層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれでも
良い〕の伝導特性を所望に従って任意に制御することが
出来るものであるが、この様な物Ｗ　（Ｃ）としては、
所謂、半導体分野で云われる不純物を挙げることが出来
、本発明に於いては、形成される光受容層を構成するａ
−３ｉ（Ｈ，Ｘ）又は／及びａ−３ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）
に対して。

Ｐ型伝導特性を与えるＰ型不純物及びｎ５伝導特性を与
えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第ｍ族に属す
る原子（第ｍ放原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Ａｉ（ア
ルミこラム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）
、Ｔｕ（タリウム）等があり、殊に好適に用いられるの
は、Ｂ。

Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）１例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（
アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊に、好適
に用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本３’？　ＩＩＩに於いて、伝導特性を制御する物質（
Ｃ）が含有される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は
、該層領域（Ｐ　Ｎ）に要求される伝導性、或いは、該
層領域（ＰＮ）が支持体に直に接触して：没けられる場
合には、その支持体との接触界面に於ける特性との関係
等、有機的関連性に於いて、適宜選択することが出来る
。

又、　ｇｉｉｊ記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けら
れる他の層領域や、該他のＰ：！Ｘｆｉ城との接触界１
ｆｆｉに於ける特性との関係５考慮されて、伝導特性を
制御する物′ｆ３．（Ｃ）の含有量が適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有ＪＩ：とじては、Ｉｌｆ
　マＬ　＜は０．０１−０１−５Ｘ１０４ａｔｏ　ＰＰ
ｍ、より＆ｆ適には０．５〜ｌＸｌ０’　ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ、最適には、１〜５ＸＩＯ３ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、伝る特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含イ３量
を、好よしくは３゜ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、よりＩ
ｌｌ適には５゜ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１
００１００ａｔｏ　ｐＰｍ以上とすることによって、例
えば該含イｉさせる物？！ｔ　（Ｃ）が前記のｐ型不純
物の場合には、光受容層の自由表面が■極性に帯電処理
を受けた際に支持体側からの光受容層中への電子の注入
を効果的に阻止することが出来、又、　＋ｉｉｊ記含有
させる物質（Ｃ）が前記のｎ型不純物の場合には、光受
容層の自由表面がｅ極性に帯電処理を受けた際に支持体
側から光受容層中への正孔の注入を効果的に阻止するこ
とが出来る。

」二足の様な場合には、前述した様に、前記層領域（Ｐ
Ｎ）を除いた部分の層領域（Ｚ）　４こは、層領域（Ｐ
Ｎ）に含有される伝導特性を支配する物質の伝導型の極
性とは別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質を含
有させても良いし、或いは、同極性の伝導型を右する伝
導特性を支配する物質を層領域（ＰＮ）に含有させる実
際の量よりも一段と少ないＩｌｌにして含イｊさせても
良いものである。

この様な場合、前記層領域（ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有ｆｆ１Ｉ：とじては、層領
域（ＰＮ）に含イ１される前記物質（Ｃ）の極性や含有
ｈ１に応じて所望に従って適宜決定されるものであるが
、好ましくは、０．００１−１０００ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ、より好適には０．０５〜５００ａｔ　ｏｍｉｃｐ
ｐｍ、最適にはＯ，ｌ−２００ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ
とされるのか望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含右、ｌ、士としては、＆ｆま
しくは３０ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ以下とするのか望ま
しい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有さセる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有ｊ？、としては、好ましく
は３０ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ以下とするのが＆ｒまし
い。

−発明に於いては、光受容層に、−プ」の極性の伝導型
を有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、
他方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含
有させた層領域とを直に接触する様に１１ｑけて、ｌＩ
Ａ接触領域に所３１１空乏層を設けることも出来る。

＋ｂ’ｉす、例えば、光受容層中に、前記のＰ型不純物
を含イイする層Ｃ１域と前記のｎ型不純物を含イｊする
層領域とを直に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形
成して、空乏層を設けることが出来る。

第２７図及至第３５図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＰＮ）中に含イーｉされる物質層（Ｃ）の層
厚方向の分りｊ状態の典型的例が示される。尚、各図に
於いて、層厚及び濃度の表示はそのままの値価で示すと
各々の図の違いが明確でなくなる為、極端な形で図示し
ておりこれらの図は模式的なものと理解されたい。

実際の分２１ｊとしては、本発明の目的が達成されるｏ
ｒ　＜　、所望される分布ａＩＩ！Ｌ線が得られるよう
に、むｉ（１≦ｉ≦８）又はＣ１（１≦１≦１７）の（
ｄｉを選へぶか、或いは分４１カーブ全体に適当な係数
を掛けたものをとるへきである。

第２７図乃至第３５図において、横軸は物質の層厚を示
し、ｔＢは支持体側の層領域（聯）の端面の位置を、ｔ
７は支持体側とは反対側の層領域（Ｐ　Ｎ）の端面の位
ｔを示す。即ち、物質（Ｃ）の含イ１される層領域（Ｐ
Ｎ）はｔＢ側よりＥＴ側に向って層形成がなされる。

第２７図には、層領域（ＰＮ）中に含有される物質（Ｃ
）の層厚方向の分布状ｊミ８の第１の典型例が示される
。

第２７図に示される例では、物質（Ｃ）の含ｔ１の位置
までは、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃが濃度Ｃｌなる一定の
値を取り乍ら物質（Ｃ）が、形成される層（ＰＮ）に含
イイされ、位置ｔ１よりは濃度Ｃ２より界面位置ｔ７に
至るまで除々に連続的に減少されている。界面位置ｔ７
においては物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは実質的に零とされ
る。（ここでは実質的に零とは検出限界量未満の場合で
ある。） ２８図に示される例においては、含イ」される物質（Ｃ
）の分ｔｒｉ　ｅ度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ７に至るま
で濃度Ｃ３から徐々に連続的に減少して位置ｔ７におい
て濃度ｃ４となる様な分布状態を形成している。

第２９図の場合には、位置ｔＢより位置ｉｔ２までは、
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ５と一定イぬと
され、位置ｔ２と位置ｔ７との間において、徐々に連続
的の減少され、位置ｔ７において、分布濃度Ｃは実質的
に零とされている。

第３０図の場合には、物質（Ｃ）の分！１１儂度Ｃは位
置ｔＢよリイ）７置ｔ７に至るまで、濃度Ｃ６より初め
連続的に徐々に減少され、位ｌｔ３よりは、急速に連続
的に減少されて、（装置ｔ７において実質的に零とされ
ている。

第３１図に示す例に於ては、物？Ｊ（Ｃ）の分１１濃度
Ｃは、位置ＬＢと位置ｔ４間においてはｅ度Ｃ７と一定
（＋７ｉであり、位置を丁に於いては分布濃度Ｃは零と
される。位；δＬ４と位ｇ５ｔ　７との間では、分布濃
度Ｃは一次１１数的にイシだより位置ｔＴに至るまで減
少されている。

第３２図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ５までは濃度ｃ８の−定植を取り、位置ｔ
５より位置ｔ７までは濃度Ｃ９より濃度ＣＩＯまで一次
間数的に減少する分りｎ状ｆミニとされている・ 第３３図に示す例においては１位置ｔＢより（ぐ装置ｔ
７に奎るまで、物質（Ｃ）の分布農度Ｃは濃度Ｃ１ｌよ
り一次関哉的に連続して減少されて、零に至っている・ 第３４図においては、位置、ｔ　Ｂより位置ｔ６に至ま
では物質（Ｃ）の分１ＩＪｅ　Ｉへ〇は、ｅ度ＣＩ２よ
り濃度Ｃ１３まで一次関数的に減少され、伎’Ｉ、　ｔ
　（３と（＜装置ｔ７との間においては、濃度Ｃ］３の
一定（＋ｒｉとされた例が示されている。

第３５図に示される例において、物質（Ｃ）の分ｌｌｉ
濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度ＣＩ４であり、位置し
７に至るまではこの濃度ＣＩ４より初めはゆっくりと減
少され、ｔ７の（＜７置（−１近においては、急激に減
少されて位Ｈ，ｔ　７では濃度ＣＩ５とされる。

位置ｔ７と位置ｔ８との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置し８
で濃度ＣＩ８となり、位置ｔ８と位置ｔ９との間では、
徐々に減少されて位置ｔ９において、濃１．＆Ｃ１７に
至る。位；δｔ９と位置ｔ７との間においては濃度ＣＩ
？より実質的ｔこ零になる様に図に示す如き形状の曲線
に従って減少されている。

以上、第２７図乃至第３５図により、層領域（ＰＮ）中
に含有される物質（Ｃ）の層厚方向の分４４状態の典型
例の幾つかを説明した様に、本発明においては、支持体
側において、物質（Ｃ）の分１（４濃度Ｃの高い部分を
有し、界面ｔ７側１こおいては、前記分ａ濃度Ｃは支持
体側に較へて可成り低くされた部分を有する物質（Ｃ）
の分！１を状態が層領域（ＰＮ）に１没けられているの
が望ましい。

本発明における光受容部材を構成する層領域（ＰＮ）は
好ましくは上記した様に支持体側の方に物質（Ｃ）が比
較的高濃度で含有されている局在領域（Ｂ）をイｊする
のが望ましい。

本発明においては局在領域（Ｂ）は、第２７図乃至第３
５図に示す記号を用いて説明すれば、界面４；ｉ　：ａ
　ｔ　Ｂより５μ以内に設けられるのが望ましい。

本発明に於ては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔＢ
より５μ厚までの全層領域（Ｌ）とされる場合もあるし
、又、層領域（Ｌ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（Ｌ）の一部とするか又は全部
とするかは、形成される光受容層に要求される特性に従
って適宜状められる。

光受容層を構成する層中に、伝導４、シ性を制御する物
質（Ｃ）、例えば、第■放Ｂ：（子或いは第Ｖ族原子を
構造的に導入して前記物質（Ｃ）の含有された層領域（
ＰＮ）を形成するには、層形成の際に、第■族原子導入
用の出発物質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス
状！ムで堆積室中に各層を形成する為の他の出発物質と
共に導入してやれば良い。

この様な第■放原子導入用の出発物質と成り得るものと
しては、常温常圧でカス状の又は、少なくとも層形成条
件下で容易にカス化し得るものが採用されるのが望まし
い。その様な第■族原子導入用の出発物質として、置体
的には硼素原子導入用としては、Ｂ２　Ｈｅ　、Ｂ４　
ＨＩＯ２Ｂ５　Ｂ９　・Ｂ５Ｈ１１・ＢＳ）’１１０・
Ｂ６Ｈ１２゜Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦ３．ＢＣ
Ｃ８４ＢＢ　ｒ３等のハロゲン化硼素等が挙げられる。

コノ他、Ａ１Ｃｌ３　、ＧａＣｌ２　、Ｇａ（ＣＨ３）
３　、Ｉ　ｎｃｆＬ３　、ＴｉＣｌ２　等も」。

げることが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３、
Ｐ２　Ｈ４等の水素北端、ＰＨ４Ｉ　、ＰＦ３　、ＰＦ
５　、ＰＣ文３．ＰＣｌ５゜ＰＢ　ｒ３．ＰＢ　ｒ５．
Ｆ　Ｉ３等（７）　ハＣｌゲン化燐が挙げられる。この
他ＡｓＨ３，ＡｓＦ３．Ａ　５ｃＪｌｊ３゜Ａ　ｓ　Ｂ
　ｒ３．Ａ　ｓ　Ｆ５．Ｓ　ｂＨ３，Ｓ　ｂ　Ｆ３．Ｓ
　ｂ　Ｆ５゜５ｂＣ１３，５ｂＣｕ５．ＢｉＨ３、Ｂ１
Ｃｆｆ１３゜Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ放原子導入用の出発物
質の有効なものとして挙げることが出来る。

木９：ＩＪＩＪに於いて、使用される支持体としては、
導電に１でも電気絶縁性であっても良い。導電性支ハ体
としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、ＡＱ、Ｃｒ
、Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ　、ＰＬ　、Ｐｄ等の金Ｍ又はこれ等の合金か
挙げられる。

゛上気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテ−
１、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ヒニリ
デン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィル
ム又はシーＩ・、ガラス、セラミック、紙等が通常使用
される。

これ等の゛上気絶縁性支持体は、好適には少なくともそ
の一力の表面を導電処理され１．ｉＡ導電処理された表
面側に他の層が設けられるのか望ましい。

例えば、ガラスであれｌｉ、その表面に、ＮｉＣｒ、Ａ
Ｍ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ。

Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、ＰＬ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３。

５ｎ０２　、ＩＴＯ（Ｉｎ２０３＋５ｎ０２）等から成
るｔ；ｈ　Ｎを設けることによって導電性が付す−され
、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムで
あれば、ＮｊＣｒ、Ａ文。

Ａｇ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ。

Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、ＰＬ芳の金属の薄膜を真
空蒸着、電子ヒームノに、　ｌ＋　、スパッタリング等
でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラミネー
ｉ・処理して、その表面に導’屯＋１が付与される。支
持体の形状としては、円筒状、ヘルド状、板状等任意の
形状としｆ＋７、所望によって、その形状は決定される
が、例えば、第１０図の光受容部材１００４を電子写真
用光受容部材として使用するのであれば連続高速複写の
場合には、無端ベルト状又は円１ｉ’Ｊ状とするのが望
ましい、支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形成
される様に適宜法定されるが、光受容部材としてｕｆ撓
性が要求される場合には、支持体としての機能が充分発
揮される範囲内であればｒｒｆ能な限り薄くされる。面
乍ら、この様な場合支持体の製造」−及び取扱いｌ−１
機械的強度イ・の点から、好ましくは１０μ以」−とさ
れる。

次に未発１５１の光受容部材の製造方法の一例の概略に
ついて説明する。

第２０図に光受容部材の製造装置の−・例を示す。

図中の２００２〜２００６のカスポンへには、本発明の
光受容部材を形成するためのカー（ネコｌガスか電封さ
れており、その−例として例えば２００２は、ＳｉＨ４
カス（＆Ｉｌｉ度９９．９９９％。

以’ＦｓｉＨ４と略す、）ボンへ、２００３はＧｅＨ４
カス（純度９９．９９９％、以下ＧｅＨ４と略す）ポン
ベ、２００４はＳｉＦ４カス（純度９９．９９％、以下
ＳｉＦ　と略す）ポンベ、２００５は、Ｈ２で稀釈され
たＢ２ＨＱガス（純度９９．９９９％、以下Ｂ２Ｈ６／
Ｈ２と略す、）ホンへ、２００６はＨ２ガス（純度９９
．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはカスボ
ンベ２００２〜２００６のパノレブ２０２２〜２０２６
、リークバルブ２０３５が閉しられていることを確認し
、又、流入バルブ２０１２〜２０１６．１溌出バルブ２
０１７〜２０２１、　、補助バルブ２０３２．２０３３
が開かれていることを確認して、先ずメインバルブ２０
３４を開いて反応室２００１、及び各カス配′ご内を活
気する。次に真空ｊ＋２０３６の読みが約５ＸＩＯ−８
ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ２０３２，２０３３
、ｌ歳出バルブ２０１７〜２０２１を閉しる。

次にシリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンへ２００２より５ｊＨ
４ガス、カスポンへ２００３よりＧｅＨ４ガス、ガスポ
ンベ２００５よりＢ２　ＨＢ　／Ｈ２ガス、２００６よ
りＨ２ガスをバルブ２０２２．２０２３，２０２５．２
０２６を開いて出ＩＪ圧ゲージ２０２７　。

２０２８．２０３０，２０３１の圧を１Ｋｇ７０ｍ２に
調整し、流入バルブ２０１２，２０１３．２０１５，２
０１６を徐々に開けて、マスフロコントご−ラ２００７
．２００８．２０１０．２０１１内に夫々流入させる。

引き続いて流出バルブ２０１７，２０１８，２０２０゜
２０２１、補助バルブ２０３２．２０３３を徐々に開い
て人々のカスを反応室２００１に流入させる。このとき
のＳｉＨ４ガス流量、ＧｅＨ４ガス流ｊｉ、　Ｂ２　Ｈ
６／Ｈ２カス流量、Ｈ２ガス流−屓の比が所望の飴にな
るよ−）＃こ流出バルブ２０１７．２０１８，２０２０
．２０２１を調整し、また、反応室２００１内の圧力が
所望の（＋（ｉになるように真空計２０３６のｉ＞Ｃみ
を晃なからメインバルブ２０３４の開１１を調整する。

そして、基体２０３７の温度が加熱ヒーター２０３８に
より５０−４００″Ｃの範囲の湯漬に設定されている事
を確認された後、電源２０４０を所望の電力に設定して
反応室２００１内にグロー放電を生起させ、同時にあら
かじめＪ　＋Ｈされた変化率曲線に従ってＧｅＨ４カス
の流ｔＩ）及びＢ２Ｈ８カスの流も（を手動あるいは外
部馴動モータ等の方法によってバルブ２０１８゜２０２
０の開口を漸次変化させる操作を行って形成される層中
に含有されるゲルマニウム原子及び硼素原子の分布山崩
を制御する。

」二足の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望
層厚に、基体２０３７−Ｌ：に第１の層（Ｇ）を形成す
る。所望層厚に第１の層（Ｇ）が形成された段階に於て
、流出バルブ２０１Ｂを完全に閉じること及び必要に応
じて放電条ヂｌを変える以外は、同様な条ヂ１．と−Ｔ
順に従って所望時間グロー放電を維持することで第１の
層（Ｇ）上にゲルマニウム原子の実質的に含有されない
第２の層（Ｓ）を形成することが出来る。

又、第１の層（Ｓ）及び第２の層（Ｇ）の各層には、流
出バルブ２０２０を適宜開閉することで硼素を含有させ
たり、含有させなかったり、或いは各層の一部の層領域
にだけ硼素を含有させることも出来る。

層形成を行っている間は層形成の均一化を二するために
２（体２０３７はモーター２０３９により一定速度で回
転させてやるのが望ましい。

以ト実施例について説明する。

２（ｋ例１ ＡＭ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第２表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッチ、Ｄ、
深さ）に小すように４種灯１．旋盤で加工した。

次に、第１表に７１＼す条件で、第２０図の１１莫堆Ｊ
Ａ装置で種々の操作手順に従ってａ−３ｉ系’ｉｔ、：
　ｆ′す゛真相光受容部材を作製した（試料Ｎｏ。

２０１〜２０４）。

なお、第１層は、　ＧｅＨ４、Ｓ　ｉＨ４。

Ｂ２Ｈ６／Ｈ２の各カスの流量を第２２図及び第３６図
のようになるように、マスフロコントローラー２００７
．２００８及び２０１０をコンピューター（ＨＰ９８４
５Ｂ）により制御した。

このようにしてゼ１製した光受容部材の各層の層厚を電
子顕微鏡で測定したところ、ｆｆＪＪｚ表の結果を得た
。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に、
バす画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スボ
ント８！８０μｍ）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。

試料Ｎｏ、２０１〜２０４のいずれの画像にも−干渉縞
模様は観測されず１実川に十分なものであった。

実施例２ Ａ文支持体（Ｌｉｌ：さくＬ）３５７ｍｍ、（１（ｒ）
８０ｍｍ）を第３表に示す条件で、第２１図（Ｐ　ピッ
チ、Ｄ・深さ）にン１りすように４種類、旋盤で加工し
た。

次に、第１表に／パす条ヂ１で、第２０図の■り堆積装
置で種々の操作手順に従ってａ−Ｓｉ系電子写真用光受
容部材を作製した（試才４　Ｎ　。

３０１〜３０４）。

なお、第１層は、　ＧｅＨ４、Ｓ　ｉＨ４。

Ｂ２　Ｈ６／）Ｉ２の各カスの流ｊ、ｊを第２３図及び
第３７図のようになるように、マスフロコントローラー
２００７．２００８及び２０１Ｏをコンピューター（Ｈ
Ｐ９８４５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２表の結果をｔｌｊた。

これらの電−ｆ−リ“真円光受容部材について、第２６
図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、
スポット径８０ルｍ）で画像露光を１１ない、それを現
像、転写して画像を畳た。

試ネｌＮｏ、３０１〜３０４のいずれの肖像にも１渉縞
模様は観測されず、天川に十分なものであった・ 実施例３ ＡＭ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、）ｌ（ｒ）８０ｍ
ｍ）を第５表に示す条件で、第２１図（Ｐ　ビ、チ、Ｄ
：深さ）に示すように４種釘１旋盤で加」二した。

次に、第４表に示す条件で、第２０図の膜堆積装置で種
々の操作手順に従ってａ−３ｉ系′電子′ｑ真用光受容
部材を作製した（試料Ｎｏ。

５０１〜５０４）。

なお、第１層は、　ＧｅＨ４、Ｓ　ｉＨ４。

Ｂ２　Ｈｅ　／Ｈ２の各ガスの流ｊｉ）を第２４図及び
第３８図のようになるように、マスフロコントローラー
２００７．２００８及び２０１０をコンピューター（Ｈ
Ｐ９８４５Ｂ）により制クーした。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を′電
子顕微鏡で測定したところ、第昼表の結果を（１１た。

これらの電子η゛真真先光受容部材ついて、第２６図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スボ
、１・１至８０μｍ）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して肖像を得た。

試ネｌＮｏ、５０１〜５０４のいずれの画像にも一１渉
縞模様は観３−されず　天川に十分なものであった。

実施例４ ／Ｍｌ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、ｉ５（ｒ）８０
ｍｍ）を第６表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッチ、
Ｄ・深さ）に示すように４種類旋盤で加工した。

次に、第４表に示す条件で、第２０図の膜堆積装置で種
／イの操作手順に従ってａ−３ｉ系電子写真川用受容部
材を作製した（試料Ｎｏ。

６０１〜６０４）。

なお、第１層は、　ＧｅＨ４、Ｓ　ｉＨ４。

Ｂ２Ｈ（Ｂ／Ｈ２の各ガスのＩＡＬ量を第２５図及び第
３９図のようになるよう１こ、マスフロコントローラー
２００７．２００８及び２０１０をコンピューター（Ｈ
Ｐ９８４５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２表の結果を得た。

これらの°ＩＥ子写真用光受容部材について、第２６図
に小す画を露光装置（レーザー光の波長７８０ｎ口、ス
ポット径８０川ｍ）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。

試ネ・ｌＮｏ、６０１〜６０４のいずれの画像にも干渉
縞模様はａ謝されず、天川に十分なものであつた・ 実施例５ Ａ文支持体（長さくＬ）　３５７　ｍｍ　、　ＰＩ（ｒ
）８０ｍｍ）を第８表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピ
ッチ　Ｄ二深さ）に示すように４種類、旋盤で加工した
。

次に、第７表に示す条件で、第２０図の１１９堆積装置
で種々の操作手順に従って゛−１７写真用光受容部材を
作製した（試ネｌＮｏ、８０１〜８０４）。

なお、第１層及びＡ層はＧｅＨ４、Ｓ　ｉＨ４。

Ｂ２ＨＢ／Ｈ２の各ガスの流１寥１を第２２図のように
なるように、マスフロコン］・ローラー２００７．２０
０８，２０１０をコンピューター　（ＨＰ９８４５Ｂ）
により制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
ｗＪ微鏡で１ｌｌｌＩ定したところ、第８表の結果を得
た。

これらの電子カ゛真用】、受容部材について、第２６図
にｊ＼す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、
スポットＲ１８０μｍ）で画像露光を１」ない、それを
現像、転写して画像を得た。

画像には（−渉縞模様は観察されず、実用に十分なもの
であった。

実施例６ ＡＭ支持体（ｒ＝さくＬ）　３５７　ｍｍ　、　径（ｒ
）８０ｍｍ）を第ｉｏ表に示す条件で、第２１図（Ｐ：
ピッチ、Ｄ：深さ）に示すように４種類旋盤で加工した
。

次に、第９表に示す条件で、第２０図の１り１０植装置
で種々の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製
した（試ネｌＮｏ、１００１〜１００４）。

なお、第１層及びＡ層はＧｅＨ４、Ｓ　ｉＨ４。

Ｂ２Ｈ６／Ｈ２の各カスの流星を第２２図のようになる
ように、マスフロコントローラー２００７．２００８．
２０１０をコンピユーカー（ＨＰ９８４５Ｂ）により制
御した。

このようにして作製した光受容部材の各層のｈ：厚を電
子顕微鏡でｌ１ｌｌＩ定したところ、第１Ｏ表の結果を
７１１だや ７８０ｎｍ、スポラ！・径８０μｍ）で画像露光を行な
い、それを現像、転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった。

実施例７ ＡＩ支持体（長さくＬ）　３５７ｍｍ　、　１１゜（ｒ
）８０ｍｍ）を第１２表に示す条件で、第２１図（Ｐ：
ピッチ、Ｄ：深さ）に示すように４種５ｆＩ旋盤で加工
した。

次に、第１１表に示す条件で、第２０図の膜ｊ（１積装
置で種々の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作
製した（試料Ｎｏ、１２０１〜１２０４）。

なお、第１層及びＡ層はＧｅＨ４、Ｓ　ｉ　Ｈ４。

の Ｂ２Ｈ６／Ｈ２の各ガスのＪＡＬ星を第２２図、ように
なるように、マスフロコントローラー２００７．２００
８及び２０１０をコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）に
より制御した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
ＷＪ微鏡で測定したところ、第１２表の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０ｇｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。

画像には干渉縞模様はｌｉ！察されず、実用に十分なも
のであった。

第　２　表 ／ ／ 第　３　表

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）は光受容部材の各層の
界面が非平行な場合に干渉縞が現われないことの説明図
である。 第７図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、光受容部材の各層の界面
が平行である場合と非平行である場合の反射光強度の比
較の説明図である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合のｔ２渉縞が
現われないことの説明図である。 第９図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）はそれぞれ代表的な支持体の
表面状態の説明図である。 第１０図は、光受容部材の層構成の説り］図である。 第１１図から第１９図は、第１の層におけるゲルマニウ
ム原子の分布状態を説明する為の説明図である。 第２０図は実施例で用いた光受容層のｊ（ｌ積装置の説
す１図である。 第２１図は、実施例で用いたＡ文支持体の表面状態の説
明図である。 第２２図から第２５図λ及び第３６図から第４２図まで
は、実施例におけるガス流量の変化を示す説明図である
。 第２６図は、実施例で使用した画像露光装置の１説明図
である。 第２７図から第３５図は、層領域（ＰＮ）に於ける物質
（Ｃ）の分Ａｊ状ｙ！′を説明する為の説明図である。 ｉ　ｏｏｏ・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受
容層１００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ａ
文支持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・
・ｆＪｉＪｌの層１００３・・・・・・・・・・・・・
・・・・・ｐ２の層１００４・・・・・・・・・・・・
・・・・・・光受容部材１００５・・・・・・・・・・
・・・・・・・・光受容部材の自由表面２６０１・・・
・・・・・・・・・・・・・・パ電子写真用光受容部材
２６０２・・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体
レーザー２６０３・・・・・・・・・・・・・・・・・
・ｆＯレンズ２６０４・・・・・・・・・・・・・・・
・・・ポリゴンミラー２６０５・・・・・・・・・・・
・・・・・・・露光装置の平面図２６０６・・・・・・
・・・・・・・・・・・・露光！＋乙の側面図出願人　
キャノン株式会社 Ｉや１１ル！爲 イ立１！。 第５図 ４立直 （Ｃ） １尺 ↑ ００１ ｒ ） 第１１図 第７２図 Ｃ １Ｍζヶノ 晴間（９） 吋Ｍ（分） 稍Ｍζケノ Ｃ □Ｃ □□Ｏ ａ碍ＡＩ’ｌ（’ワ゛） ｇ脣間Ｃカ 日４ｊ−弓（／ｎご） ｔＵ　ｔｕｔ　Ｏリ　５Ｕ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）シリコン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質
   材料で構成された第１の層と、シリコン原子を含む非晶
   質材料で構成され、光導電性を示す第２の層とが支持体
   側より順に設けられた多層構成の光受容層を有する光受
   容部材に於いて、前記ｆｆ１ｌの層中に於けるゲルマニ
   ウムｊ：（子の分！ａ状態が層厚方向に不均一であり、
   」」つ前記ｔＪＳ１の層及び前記第２の層の少なくとも
   一方に伝導性を支配する物質が含有され、該物質が含有
   されている層領域に於いて、該物質の分布状態が層厚方
   向に不均一であると共に、１１ム記光受容層がショー］
   ・レンジ内に１対以上の非平行な界面を有し、該非平行
   な界面が層厚方向と垂直な面内の少なくとも一方向に多
   数配列している事を特徴とする光受容部材。 （２）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （３）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （４）前記ショートレンジが０．３〜５００．である特
   許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （５）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
   た規則的に配列している凹凸に基づいて形成されている
   特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （６）前記凹凸が逆Ｖ字形線状突起によって形成されて
   いる特許請求の範囲第５項に記載の光受容部材。 （７）前記逆■字形線状突起の縦断面形状が実質的に二
   等辺三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容
   部材。 （８）前記逆■字形線状突起の縦断面形状が実質的に直
   角三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容部
   材。 （９）前記逆■字形線状突起の縦断面形状が￥質的に不
   等辺三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容
   部材。 （１０）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１
   項に記載の光受容部材。 （１１）逆■字形線状突起が前記支持体の面内に於いて
   螺線描造を有する特許請求の範囲第１０項に記載の光受
   容部材。 （Ｂ）ｉｉｔ記ｖ記録ｌ線構造重螺線構造である特許請
   求の範囲第１１項に記載の光受容部材。 （１３）前記逆Ｖ字形線状突起がその１に線方向に於い
   て区分されている特許請求の範囲第６項に記載の光受容
   部材。 （１４）前記逆Ｖ字形線状突起の稜線方向が円筒状支持
   体の中心軸に沿っている特許請求の範囲第ｉｏ項に記載
   の光受容部材。 （１５）前記凹凸は＃ＡＡ１面を有する特許請求の範囲
   第５項に記載の光受容部材。 （１６）前記傾刺面が鏡面仕上げされている特許請求の
   範囲第１５項に記載の光受容部材。 （１７）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
   れた凹凸と同一のピッチで配列された凹凸が形成されて
   いる特許請求の範囲第５項に記載の光受容部材。