JPS60202971A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS60202971A JPS60202971A JP59061371A JP6137184A JPS60202971A JP S60202971 A JPS60202971 A JP S60202971A JP 59061371 A JP59061371 A JP 59061371A JP 6137184 A JP6137184 A JP 6137184A JP S60202971 A JPS60202971 A JP S60202971A
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- JP
- Japan
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- light emitting
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- semiconductor
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Links
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 14
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/0008—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
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- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体発光装置、特に発光ダイオードの改
良に関するものである。
良に関するものである。
従来のこの種の発光ダイオードを第１図で説明する。嬉
１図は面発光型の３ｉ元ダイオードの斜視図である。こ
の図で、１はｎｆｉＧａＡｉ半導体基板以下単に半導体
基板という）、２は、例えば液相エピタキシャル成長法
などで半導体基板１上に積層されたｎ型ｋｌ ｘＧａ
Ｉ−ｘ ”半導体層（以下、単に半導体層という。後述
する７、８も同様とする）、３は前記半導体層２表面か
ら１例えば拡散法などを用いて不純物の拡散がなされｐ
型に反転した拡散層、４は前記拡散層３の拡散フロント
に相当するｐｎ接合活性領域、ｓａ、ｓｂは電極、６は
前記ｐｎ接合活性領域４から放出された光を外部へ取り
出すために電極５＆に加工形成された窓部分である。
１図は面発光型の３ｉ元ダイオードの斜視図である。こ
の図で、１はｎｆｉＧａＡｉ半導体基板以下単に半導体
基板という）、２は、例えば液相エピタキシャル成長法
などで半導体基板１上に積層されたｎ型ｋｌ ｘＧａ
Ｉ−ｘ ”半導体層（以下、単に半導体層という。後述
する７、８も同様とする）、３は前記半導体層２表面か
ら１例えば拡散法などを用いて不純物の拡散がなされｐ
型に反転した拡散層、４は前記拡散層３の拡散フロント
に相当するｐｎ接合活性領域、ｓａ、ｓｂは電極、６は
前記ｐｎ接合活性領域４から放出された光を外部へ取り
出すために電極５＆に加工形成された窓部分である。
このような発光ダイオードにおいて、ｍ極５１Ｌ。
ｓｂ間に電圧を印加すればｐｎ接合活性領域４に：キャ
リアの注入が起こり、周知のように、キャリアの再結合
から光を放出し窓部分６を通って外部へ放射される。
リアの注入が起こり、周知のように、キャリアの再結合
から光を放出し窓部分６を通って外部へ放射される。
しかしなから、このような発光ダイオードにおいては、
取り出される光の波長はｐｎ接合活性領域４のバンドギ
ャップで決定された値に中心値を持つものであり１例え
ば光ファイバなどに接続して情報伝達７行うだめの発光
素子として用いる場合、単一波長であるための情報量の
不足などの欠点があった。
取り出される光の波長はｐｎ接合活性領域４のバンドギ
ャップで決定された値に中心値を持つものであり１例え
ば光ファイバなどに接続して情報伝達７行うだめの発光
素子として用いる場合、単一波長であるための情報量の
不足などの欠点があった。
この発明は、かかる欠点を解消しようとするもので、従
来の結晶成長法に何ら特別な手段を加えることなく、し
かも１回の成長で製造可能な多重通信用の集積型多数波
長の半導体発光装置を提供するものである。以下、第２
図に基づきこの発明の一実施例ケ詳細に説明する。
来の結晶成長法に何ら特別な手段を加えることなく、し
かも１回の成長で製造可能な多重通信用の集積型多数波
長の半導体発光装置を提供するものである。以下、第２
図に基づきこの発明の一実施例ケ詳細に説明する。
第２図はこの発明の一実施例である集積型多数波長の半
導体発光装置の斜視図である。第２図において、１は第
１図と同じ半導体基板、２は前記半導体基板１上に積層
されたｎ！！！ＪＡｌｘＧａ＋−１Ａｓ半導体層、Ｉは
前記半導体層２上に積層されたｎ屋Ａｌ、Ｇａｌ−、Ａ
ｓ半導体層、８は同様にして前記半導体層Ｔ上に積層さ
れたｎ ＭＡｌ 、Ｇａｐ−、Ａｓ 軸体層、３ａｅ
３ｂ＋ ３ｅはそれぞれ前記各半導体層２．７．８の表
面から１例えば拡散法などケ用いて不純物の拡散がなさ
れｐ型に反転した拡散層、４ ｍ＋ ４ ｂ＊ ４ ｅ
はそれぞれ前記拡散層３ｍ、 ３ｂ。
導体発光装置の斜視図である。第２図において、１は第
１図と同じ半導体基板、２は前記半導体基板１上に積層
されたｎ！！！ＪＡｌｘＧａ＋−１Ａｓ半導体層、Ｉは
前記半導体層２上に積層されたｎ屋Ａｌ、Ｇａｌ−、Ａ
ｓ半導体層、８は同様にして前記半導体層Ｔ上に積層さ
れたｎ ＭＡｌ 、Ｇａｐ−、Ａｓ 軸体層、３ａｅ
３ｂ＋ ３ｅはそれぞれ前記各半導体層２．７．８の表
面から１例えば拡散法などケ用いて不純物の拡散がなさ
れｐ型に反転した拡散層、４ ｍ＋ ４ ｂ＊ ４ ｅ
はそれぞれ前記拡散層３ｍ、 ３ｂ。
３Ｃの拡散７−ントに相当するｐｎ接合活性領域、６ａ
ｐ ６ｂ＊ ６ｃはそれぞれ前記ｐｎ接合活性領域４ａ
ｅ ４ｂ＋ ４ｃから放出された元暑外部へ取り出すた
めに電極５ａＫ加工形成された窓部分である。このよう
圧して波長の異なるｆｔ、Ｖ放出する複数組（この実施
例では３組）の発光素子１．１１・ｉｖ備えた半導体発
光装置か構成される。
ｐ ６ｂ＊ ６ｃはそれぞれ前記ｐｎ接合活性領域４ａ
ｅ ４ｂ＋ ４ｃから放出された元暑外部へ取り出すた
めに電極５ａＫ加工形成された窓部分である。このよう
圧して波長の異なるｆｔ、Ｖ放出する複数組（この実施
例では３組）の発光素子１．１１・ｉｖ備えた半導体発
光装置か構成される。
このような半導体３ｉ元装置において、従来のものと同
様Ｋ ｐ ｎ接合活性領域４ａ、４ｂ、４ｃに順方向電
流を流せば、周知のように、キャリアの注入から再結合
し光を放出する。この場合、ｐｎ接合活性領域４ ａｎ
４ ｂ＊ ４ ｃから放出される光の中心波長をそれ
ぞれλ、、λ１．λ１とすれば、これらの波長λ１λｂ
、λ。はｐｎ接合活性領域４ ａ ＋４ｂ、４ｃのバン
ドギャップに大きく依存し、ｐｎ接合活性領域４ｍ、４
ｂ、４ｃか形成される各半導体層２，７．８のアルミの
組成比Ｘ＋７＋１に依存するため、各半導体層２，７．
８のアルミの組成比ｘｔ ７＋ ｚＹｘ〜ｙ〜２とする
ことＫより。
様Ｋ ｐ ｎ接合活性領域４ａ、４ｂ、４ｃに順方向電
流を流せば、周知のように、キャリアの注入から再結合
し光を放出する。この場合、ｐｎ接合活性領域４ ａｎ
４ ｂ＊ ４ ｃから放出される光の中心波長をそれ
ぞれλ、、λ１．λ１とすれば、これらの波長λ１λｂ
、λ。はｐｎ接合活性領域４ ａ ＋４ｂ、４ｃのバン
ドギャップに大きく依存し、ｐｎ接合活性領域４ｍ、４
ｂ、４ｃか形成される各半導体層２，７．８のアルミの
組成比Ｘ＋７＋１に依存するため、各半導体層２，７．
８のアルミの組成比ｘｔ ７＋ ｚＹｘ〜ｙ〜２とする
ことＫより。
窓部分６ａ、６ｂ、６ｃより外部へ放出された元の中心
波長λ、、λｂ、λ。はλ、〜λｂ←λ。となり、従来
のものに比べ、使用する光の波長数が増加するため情報
の伝達能力は向上する。
波長λ、、λｂ、λ。はλ、〜λｂ←λ。となり、従来
のものに比べ、使用する光の波長数が増加するため情報
の伝達能力は向上する。
なお、上記実施例では、３種類の光の波長の場合を例に
とって説明したが、半導体基板上に積層する半導体層の
層数を増やすことにより、層１ｋＫ応じた伺種類もの光
ヶ放出できる半導体５＠光装置が得られることはいうま
でもない。また、上記実施例では半導体基板としてｎ型
基板の場合を例にとって説明したが、ｐ型基板でも適用
することができる。
とって説明したが、半導体基板上に積層する半導体層の
層数を増やすことにより、層１ｋＫ応じた伺種類もの光
ヶ放出できる半導体５＠光装置が得られることはいうま
でもない。また、上記実施例では半導体基板としてｎ型
基板の場合を例にとって説明したが、ｐ型基板でも適用
することができる。
以上説明したように、この発明は半導体基板上に積層す
る半導体層の層数を順次具ならしめて発光素子を複数組
形成したので、各発光素子から放出する元の中心波長は
それぞれ異なるものが得られ、したがって、使用する光
の波長帯幅か増加するので、情報伝達能カケ向上できる
効果がある。
る半導体層の層数を順次具ならしめて発光素子を複数組
形成したので、各発光素子から放出する元の中心波長は
それぞれ異なるものが得られ、したがって、使用する光
の波長帯幅か増加するので、情報伝達能カケ向上できる
効果がある。
第１図は従来の発光ダイオードの斜視図、第２図はこの
発明の一実施例による半導体発光装ｆｌｙｔ示す斜視図
である。 図中、１は半導体基板、２．７．８は半導体層、３ａ＊
３ｂ、３ｃは拡散層、４ｍ、４ｂ、４ｅはｐｎ接合活
性領域、５ｍ、５ｂは電極、６ｍ＋６ｂ。 ６ｃは窓部分である。 なお１図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名）
発明の一実施例による半導体発光装ｆｌｙｔ示す斜視図
である。 図中、１は半導体基板、２．７．８は半導体層、３ａ＊
３ｂ、３ｃは拡散層、４ｍ、４ｂ、４ｅはｐｎ接合活
性領域、５ｍ、５ｂは電極、６ｍ＋６ｂ。 ６ｃは窓部分である。 なお１図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名）
Claims (1)
- 第１の導′ｔＪＬ型を有する半導体基板上に、前記第１
の導電型と同じ導電型を有しバンドギャップがそれぞれ
異なる半導体層を七の層数を順次異ならしめて複数ｍｇ
接して積層し、前記各組の最上面の半導体層上に不純物
を拡散することにより第２の導電型の拡散層およびｐｎ
接合活性領域をそれぞれ形成し前記各ｐｎ接合活性領域
の上部に光の取出し用の窓部分ｔそれぞれ形成した面発
光型の発光素子ケ備えたことｔ特徴とする半導体発光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59061371A JPS60202971A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59061371A JPS60202971A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60202971A true JPS60202971A (ja) | 1985-10-14 |
Family
ID=13169242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59061371A Pending JPS60202971A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60202971A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5681756A (en) * | 1994-05-31 | 1997-10-28 | Motorola | Method of fabricating an integrated multicolor organic led array |
| KR20050067055A (ko) * | 2003-12-26 | 2005-06-30 | 산요덴키가부시키가이샤 | 표시 장치의 제조 방법 |
| JP2019516251A (ja) * | 2016-05-04 | 2019-06-13 | グロ アーベーＧｌｏ Ａｂ | 異なる色のｌｅｄを含むモノリシックマルチカラー直視型ディスプレイおよびそれを製造する方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55148477A (en) * | 1979-05-08 | 1980-11-19 | Sanyo Electric Co Ltd | Fabricating method of light emitting diode |
-
1984
- 1984-03-27 JP JP59061371A patent/JPS60202971A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55148477A (en) * | 1979-05-08 | 1980-11-19 | Sanyo Electric Co Ltd | Fabricating method of light emitting diode |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5681756A (en) * | 1994-05-31 | 1997-10-28 | Motorola | Method of fabricating an integrated multicolor organic led array |
| KR20050067055A (ko) * | 2003-12-26 | 2005-06-30 | 산요덴키가부시키가이샤 | 표시 장치의 제조 방법 |
| JP2019516251A (ja) * | 2016-05-04 | 2019-06-13 | グロ アーベーＧｌｏ Ａｂ | 異なる色のｌｅｄを含むモノリシックマルチカラー直視型ディスプレイおよびそれを製造する方法 |
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