JPS60201678A - 密着センサ用発光ダイオ−ドアレイ - Google Patents
密着センサ用発光ダイオ−ドアレイInfo
- Publication number
- JPS60201678A JPS60201678A JP59058815A JP5881584A JPS60201678A JP S60201678 A JPS60201678 A JP S60201678A JP 59058815 A JP59058815 A JP 59058815A JP 5881584 A JP5881584 A JP 5881584A JP S60201678 A JPS60201678 A JP S60201678A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitting diode
- light
- chips
- light emitting
- end parts
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は密着センサ用発光ダイオードアレイに関する。
(従来技術)
密着センサ用発光ダイオードアレイとは、例えばファク
シミリのように、原稿面に光を尚て反射光により文字を
読取る機構を有する装置において、文字読取り部の光源
として現在多く用いられている螢光管に代わり、長寿命
、低消費電力、小型化等を目的として開発された光源用
部品であり、その構造は、一般的には、放熱体に密着し
たプリント基板に複数の発光ダイオードチップを一直線
上に同一間隔で搭載し、各チップの周囲を樹脂等で作ら
れた反射板で囲み、更に反射板上に集光レンズを有した
ものとなっている。
シミリのように、原稿面に光を尚て反射光により文字を
読取る機構を有する装置において、文字読取り部の光源
として現在多く用いられている螢光管に代わり、長寿命
、低消費電力、小型化等を目的として開発された光源用
部品であり、その構造は、一般的には、放熱体に密着し
たプリント基板に複数の発光ダイオードチップを一直線
上に同一間隔で搭載し、各チップの周囲を樹脂等で作ら
れた反射板で囲み、更に反射板上に集光レンズを有した
ものとなっている。
第1図(al〜(C1は従来の発光ダイオードアレイの
一例の平面図、正面図及び側面図である。
一例の平面図、正面図及び側面図である。
放熱板1の上にプリント基板2を取付け、プリント基板
2の上に発光ダイオードチップ3を一直線上に一列に並
べて搭載する。発光ダイオ−トチ、ブ3の列の両側に反
射板4を設け、各発光ダイオードチップ間に反射板5を
設けて各発光ダイオードチップ3を反射板で囲む形状に
する。発光ダイオードチップ3の上に集光レンズ6を設
ける。
2の上に発光ダイオードチップ3を一直線上に一列に並
べて搭載する。発光ダイオ−トチ、ブ3の列の両側に反
射板4を設け、各発光ダイオードチップ間に反射板5を
設けて各発光ダイオードチップ3を反射板で囲む形状に
する。発光ダイオードチップ3の上に集光レンズ6を設
ける。
第4図(alにこの発光ダイオードアレイの照度分布を
示す。
示す。
照度曲線41で示すように、照度は、発光ダイオ−トチ
、ブ3の存在する位置で最も高く、チ。
、ブ3の存在する位置で最も高く、チ。
ブとチップの中間が低くなる波形の変動をしており、ま
た両端で急激に低下している。例えば、A4版原稿幅2
10mの長さの場合、発光ダイオードプレイの長さをこ
れと同じ21(1+mにすると、両端部での照度が低下
してしまう。照度曲線41′のように両端部における照
度の低下を防ぎ、210++mの長さに亘ってほぼ一定
の照度を保持しようとすると、発光ダイオードアレイの
長さを長くしなければならない。そうすると小型化のメ
リットがなくなってしまうという欠点を生ずる。
た両端で急激に低下している。例えば、A4版原稿幅2
10mの長さの場合、発光ダイオードプレイの長さをこ
れと同じ21(1+mにすると、両端部での照度が低下
してしまう。照度曲線41′のように両端部における照
度の低下を防ぎ、210++mの長さに亘ってほぼ一定
の照度を保持しようとすると、発光ダイオードアレイの
長さを長くしなければならない。そうすると小型化のメ
リットがなくなってしまうという欠点を生ずる。
アレイの両端部での照度低下をなくシ、全長を長くする
ことなく読取り原稿全面を均一に照明できる密着センサ
用発光ダイオードアレイを提供することにおる。
ことなく読取り原稿全面を均一に照明できる密着センサ
用発光ダイオードアレイを提供することにおる。
(発明の構成)
本発明の密着センサ用発光ダイオードアレイは、プリン
ト基板に複数の発光ダイオ−トチ、ブを一直線上に搭載
し、前記発光ダイオードの各々のチップの周囲を反射板
で囲み、前記発光ダイオードチップの上に集光レンズを
設けて構成される密着センサ用発光ダイオードアレイに
おいて、前記発光ダイオードチップの列の両端近傍での
チップ間隔が中央部に比べて狭くなっていることを特徴
として構成される。
ト基板に複数の発光ダイオ−トチ、ブを一直線上に搭載
し、前記発光ダイオードの各々のチップの周囲を反射板
で囲み、前記発光ダイオードチップの上に集光レンズを
設けて構成される密着センサ用発光ダイオードアレイに
おいて、前記発光ダイオードチップの列の両端近傍での
チップ間隔が中央部に比べて狭くなっていることを特徴
として構成される。
(実施例)
次に、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第2図は本発明の第1の実施例の正面図である。
この実施例では、両端部A、Hの領域において発光ダイ
オードチップ3のチップ間隔を狭めて、チップ配置密度
を高めである。即ち、第1図に示した従来例では両端部
A、Hの領域においてチップが各々2個配置されている
のに対し、この実施例では各々3個配置されている。そ
れ以外は第1図に示す従来品と同じである。
オードチップ3のチップ間隔を狭めて、チップ配置密度
を高めである。即ち、第1図に示した従来例では両端部
A、Hの領域においてチップが各々2個配置されている
のに対し、この実施例では各々3個配置されている。そ
れ以外は第1図に示す従来品と同じである。
第4図(blにこの実施例の照度分布を示す。
照度曲線41は、例えばA4版原稿幅210+msに対
して両端までほぼ均一となる。即ち、発光ダイオードプ
レイの全長を長くしなくても、原稿幅一杯に均一の照度
を与えることができる。
して両端までほぼ均一となる。即ち、発光ダイオードプ
レイの全長を長くしなくても、原稿幅一杯に均一の照度
を与えることができる。
第3図は本発明の第20実施例の正面図である。
この実施例では、両端部A、Bの領域において、それぞ
れ発光ダイオードチップ3を4個づつ配置しである。第
1図に示した従来品と比べると、両端部の領域における
チップ配置密度は2倍釦なっている。このように、両端
部におけるチップ配置密度を上げると両端における照度
の低下が更に改善され、好結果が得られる。
れ発光ダイオードチップ3を4個づつ配置しである。第
1図に示した従来品と比べると、両端部の領域における
チップ配置密度は2倍釦なっている。このように、両端
部におけるチップ配置密度を上げると両端における照度
の低下が更に改善され、好結果が得られる。
上記二つの実施例においては、中央部分でのチップ配置
を一定間隔とし、両端部近傍においてチップ配置間隔を
狭めてチップ配置密度を高くしたが、本発明はこれに限
定されず、中央部から両端へ行くに従って徐々にチップ
配置密度を上げて行くようにすることもできる。
を一定間隔とし、両端部近傍においてチップ配置間隔を
狭めてチップ配置密度を高くしたが、本発明はこれに限
定されず、中央部から両端へ行くに従って徐々にチップ
配置密度を上げて行くようにすることもできる。
(発明の効果)
以上詳細に説明したように、本発明によれば、発光ダイ
オードアレイの両端部での照度低下をなくし、全長を長
くすることなく読取り原稿全面を均一に照明できる密着
センサ用発光ダイオードアレイを得ることができる。
オードアレイの両端部での照度低下をなくし、全長を長
くすることなく読取り原稿全面を均一に照明できる密着
センサ用発光ダイオードアレイを得ることができる。
第1図(al 、 (b) 、 (C)は従来の発光ダ
イオードアレイの一例の平面図、正面図及び側面図、第
2図は本発明の第1の実施例の正面図、第3図は本発明
の第2の実施例の正面図、第4図[a) 、 Tb)は
従来品及び本発明の第1の実施例の照度分布図である。 1・・・・・・放熱板、2・・・・・・プリント基板、
3・・・・・・発光ダイオードチップ、4.5・・・・
・・反射板、6・・・・・・レンズ、41・・・・・・
従来品の照度曲線、42・・・・・・本発明の第1の実
施例の照度曲線。 療1 相 半 2′@ (a) (b) 串4−ゾ
イオードアレイの一例の平面図、正面図及び側面図、第
2図は本発明の第1の実施例の正面図、第3図は本発明
の第2の実施例の正面図、第4図[a) 、 Tb)は
従来品及び本発明の第1の実施例の照度分布図である。 1・・・・・・放熱板、2・・・・・・プリント基板、
3・・・・・・発光ダイオードチップ、4.5・・・・
・・反射板、6・・・・・・レンズ、41・・・・・・
従来品の照度曲線、42・・・・・・本発明の第1の実
施例の照度曲線。 療1 相 半 2′@ (a) (b) 串4−ゾ
Claims (1)
- プリント基板に複数の発光ダイオ−トチ、プを一直線上
に搭載し、前記発光ダイオードの各々のチップの周囲を
反射板で囲み、前記発光ダイオードチップの上に集光レ
ンズを設けて構成される密着センサ用発光ダイオードア
レイにおいて、前記発光ダイオードチップの列の両端近
傍でのチップ間隔が中央部に比べて狭くなっていること
を特徴とする密着センサ用発光ダイオードアレイ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59058815A JPS60201678A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 密着センサ用発光ダイオ−ドアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59058815A JPS60201678A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 密着センサ用発光ダイオ−ドアレイ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60201678A true JPS60201678A (ja) | 1985-10-12 |
Family
ID=13095106
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59058815A Pending JPS60201678A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 密着センサ用発光ダイオ−ドアレイ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60201678A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62244182A (ja) * | 1986-04-17 | 1987-10-24 | Toshiba Corp | 発光装置 |
JPS63122182A (ja) * | 1986-11-11 | 1988-05-26 | Toshiba Corp | 照明装置 |
GB2456027A (en) * | 2007-12-25 | 2009-07-01 | Elmo Co Ltd | LED Illumination Unit for Imaging Device |
-
1984
- 1984-03-27 JP JP59058815A patent/JPS60201678A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62244182A (ja) * | 1986-04-17 | 1987-10-24 | Toshiba Corp | 発光装置 |
EP0243089A2 (en) * | 1986-04-17 | 1987-10-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitter |
US4814667A (en) * | 1986-04-17 | 1989-03-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting diode array having uniform illuminance distribution |
JPS63122182A (ja) * | 1986-11-11 | 1988-05-26 | Toshiba Corp | 照明装置 |
GB2456027A (en) * | 2007-12-25 | 2009-07-01 | Elmo Co Ltd | LED Illumination Unit for Imaging Device |
JP2009159014A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Elmo Co Ltd | 撮像装置 |
US7665856B2 (en) | 2007-12-25 | 2010-02-23 | Elmo Company Limited | Imaging device |
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