JPS60201650A - 半導体用エポキシ樹脂成形材料の製造方法 - Google Patents
半導体用エポキシ樹脂成形材料の製造方法Info
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- JPS60201650A JPS60201650A JP59057305A JP5730584A JPS60201650A JP S60201650 A JPS60201650 A JP S60201650A JP 59057305 A JP59057305 A JP 59057305A JP 5730584 A JP5730584 A JP 5730584A JP S60201650 A JPS60201650 A JP S60201650A
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- molding material
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- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の属する技術分野〕
本発明は、エポキシ樹脂、硬化剤、充填剤及び硬化促進
剤を主成分とする低圧トランスファー成形用の半導体封
止用エポキシ樹脂成形材料の製造方法に関し、特に半導
体素子の樹脂封止に要求される耐熱衝撃性、耐湿性、電
気特性に優れたエポキシ樹脂成形材料を提供するもので
ある。
剤を主成分とする低圧トランスファー成形用の半導体封
止用エポキシ樹脂成形材料の製造方法に関し、特に半導
体素子の樹脂封止に要求される耐熱衝撃性、耐湿性、電
気特性に優れたエポキシ樹脂成形材料を提供するもので
ある。
近年、樹脂封止半導体デバイスの小型化や薄層化への指
向、集積度の増大等に伴ない、モールド材料には、耐湿
性、耐クラツク性、耐熱性、優れた電気特性などにバラ
ンスのとれた材料が要求される。
向、集積度の増大等に伴ない、モールド材料には、耐湿
性、耐クラツク性、耐熱性、優れた電気特性などにバラ
ンスのとれた材料が要求される。
従来、半導体用モールド樹脂としては、フェノールノボ
ラック樹脂を硬化剤として用いたエポキシ樹脂組成物が
用いられてきた。その製造法としては、フィシ〜をカッ
プリング剤で処理し、その後に樹脂と溶融混練する方法
が主として採用されてきた。しかしながら、従来のカッ
プリング剤処理法では、半導体封止用として十分な、耐
湿性、耐クラツク性、耐熱性、電気特性などが得られな
かった。
ラック樹脂を硬化剤として用いたエポキシ樹脂組成物が
用いられてきた。その製造法としては、フィシ〜をカッ
プリング剤で処理し、その後に樹脂と溶融混練する方法
が主として採用されてきた。しかしながら、従来のカッ
プリング剤処理法では、半導体封止用として十分な、耐
湿性、耐クラツク性、耐熱性、電気特性などが得られな
かった。
本発明者達は、上記した従来の半導体用封止材料の欠点
を改善し、ＩＩ耐湿性、耐クラツク性、耐熱性、優れた
電気特性を有する半導体用エポキシ樹脂成形材料を得る
ため鋭意検討した結果本発明に到達した。
を改善し、ＩＩ耐湿性、耐クラツク性、耐熱性、優れた
電気特性を有する半導体用エポキシ樹脂成形材料を得る
ため鋭意検討した結果本発明に到達した。
［発明の概要〕
即ち本発明は、エポキシ樹脂と充填剤を溶融混練して半
導体用成形材料を製造する際、該エポキシ樹脂から硬化
促進剤を除いた成分を低沸点溶剤に溶解した溶液で表面
処理したのち、該溶剤を希散させた充填剤を使用して溶
融混練することを特徴とする半導体用エポキシ樹脂成形
材料の製造方法に関するものである。
導体用成形材料を製造する際、該エポキシ樹脂から硬化
促進剤を除いた成分を低沸点溶剤に溶解した溶液で表面
処理したのち、該溶剤を希散させた充填剤を使用して溶
融混練することを特徴とする半導体用エポキシ樹脂成形
材料の製造方法に関するものである。
本発明において用いるエポキシ樹脂は、１分子中ｌこ２
個以上エポキシ基を有するもので、例えば、ビスフェノ
ールＡ型、ビスフェノールＦ型、フェノールノボラック
型、クレゾールノボラック型のエポキシ樹脂、あるいは
、塩素や臭素原子等のハロゲン原子を導入したエポキシ
樹脂等が例示され、これらは単独であっても２種類以上
を併用しても良い。
個以上エポキシ基を有するもので、例えば、ビスフェノ
ールＡ型、ビスフェノールＦ型、フェノールノボラック
型、クレゾールノボラック型のエポキシ樹脂、あるいは
、塩素や臭素原子等のハロゲン原子を導入したエポキシ
樹脂等が例示され、これらは単独であっても２種類以上
を併用しても良い。
本発明において用いる硬化剤としては、エポキシ樹脂単
独硬化系、フェノールノボラックタイプの硬化系、アミ
ンタイプの硬化系、酸無水物タイプの硬化系が例示され
るが、これらの硬化系のうち、フェノールノボシックタ
イプの硬化系を、使用することが好ましい。例えばフェ
ノールノボラック樹脂、オルソクレゾールノボラック樹
脂、メタクレゾールノボシック樹脂などである。これら
は単独であっても２種類以上併用しても良い。
独硬化系、フェノールノボラックタイプの硬化系、アミ
ンタイプの硬化系、酸無水物タイプの硬化系が例示され
るが、これらの硬化系のうち、フェノールノボシックタ
イプの硬化系を、使用することが好ましい。例えばフェ
ノールノボラック樹脂、オルソクレゾールノボラック樹
脂、メタクレゾールノボシック樹脂などである。これら
は単独であっても２種類以上併用しても良い。
本発明において用いる硬化促進剤としては、イミダゾー
ル類、三級アミン類、有機リン化合物、有機金属化合物
などがあげられる。そのうち、有機リン化合物特にトリ
フェニルフォスフインを用いることが好ましい。
ル類、三級アミン類、有機リン化合物、有機金属化合物
などがあげられる。そのうち、有機リン化合物特にトリ
フェニルフォスフインを用いることが好ましい。
充填剤としては、シリカ粉、石英ガラス粉、ジルコン粉
、アルミナ粉、タルク粉、ケイ酸カルシウム粉、炭酸カ
ルシウム粉、ｉグネシア粉、マイカ粉、アスベスト、酸
化鉄等の粉末が用いられ、好ましくは溶融シリカ粉、結
晶性シリカ粉の如き充填剤を全組成物基準で６０〜８０
重量％の範囲で含有させることができる。
、アルミナ粉、タルク粉、ケイ酸カルシウム粉、炭酸カ
ルシウム粉、ｉグネシア粉、マイカ粉、アスベスト、酸
化鉄等の粉末が用いられ、好ましくは溶融シリカ粉、結
晶性シリカ粉の如き充填剤を全組成物基準で６０〜８０
重量％の範囲で含有させることができる。
本発明に係る組成物ｌこは、用途、目的に応じて本発明
の目的を阻害しない範囲で種々の添加剤を配合添加して
もよく、これには、゛例えばステアリン酸、カルナバワ
ックスなどの離型剤、カーボンブラックに代表される着
色剤、エポキシシラン、ビニルシランなどのカップリン
グ剤、更に三酸化アンチモンなどの難燃剤などをあげる
ことができる。
の目的を阻害しない範囲で種々の添加剤を配合添加して
もよく、これには、゛例えばステアリン酸、カルナバワ
ックスなどの離型剤、カーボンブラックに代表される着
色剤、エポキシシラン、ビニルシランなどのカップリン
グ剤、更に三酸化アンチモンなどの難燃剤などをあげる
ことができる。
本発明の特徴である充填剤の表面処理は、以下の方法で
実施できる。半導体用エポキシ樹脂成形材料組成の内無
機質成分たとえば充填剤と三酸化アンチモンを所定量配
合し、一方、エポキシ樹脂から硬化促進剤を除いた成分
すなわちエポキシ樹脂と硬化剤を配合組成のＩＡ〜１／
１０００の範囲内で低沸点溶剤、たとえばアセトンに濃
度２０％−０，０１％の範囲内で溶解させる。次に上記
無機質成分すなわち充填剤をアセトン溶液に投入し、口
過、充填剤を常温希散させるか、又は充填剤にアセトン
溶液を噴霧したのち低温で溶剤を散させるなどの方法に
より表面処理ができる。
実施できる。半導体用エポキシ樹脂成形材料組成の内無
機質成分たとえば充填剤と三酸化アンチモンを所定量配
合し、一方、エポキシ樹脂から硬化促進剤を除いた成分
すなわちエポキシ樹脂と硬化剤を配合組成のＩＡ〜１／
１０００の範囲内で低沸点溶剤、たとえばアセトンに濃
度２０％−０，０１％の範囲内で溶解させる。次に上記
無機質成分すなわち充填剤をアセトン溶液に投入し、口
過、充填剤を常温希散させるか、又は充填剤にアセトン
溶液を噴霧したのち低温で溶剤を散させるなどの方法に
より表面処理ができる。
本発明においては、充填剤の表面処理以降通常の半導体
封止樹脂製造工程を実施できる。すなわち、充填剤とそ
の他の成分をヘジシエルミキサーボールミル、Ｖ型ブレ
ンダー等で混合したのち、ロール、ニーダ−１あるいは
スクリュ一式連続混線機で加熱下に溶融混練し、冷却、
粉砕して製品とする。トランスファーモールド法で成形
を実施する場合、粉体をタブレット化して使用すること
が好ましい。
封止樹脂製造工程を実施できる。すなわち、充填剤とそ
の他の成分をヘジシエルミキサーボールミル、Ｖ型ブレ
ンダー等で混合したのち、ロール、ニーダ−１あるいは
スクリュ一式連続混線機で加熱下に溶融混練し、冷却、
粉砕して製品とする。トランスファーモールド法で成形
を実施する場合、粉体をタブレット化して使用すること
が好ましい。
本発明ｊこより得られた半導体用エポキシ樹脂成形材料
は極めて優れた耐湿性、耐クラツク性、すなわち熱衝撃
による半導体デバイスの樹脂クラック、ベレットクラッ
ク等を低減する仁とができ、かつ高温での電気絶縁性能
に優れており、かつ成形性も良好で半導体用成形材料と
して最適の材料である。
は極めて優れた耐湿性、耐クラツク性、すなわち熱衝撃
による半導体デバイスの樹脂クラック、ベレットクラッ
ク等を低減する仁とができ、かつ高温での電気絶縁性能
に優れており、かつ成形性も良好で半導体用成形材料と
して最適の材料である。
次に本発明を実施例により更に具体的に説明するが本発
明はその要旨をこえない限り以下の実施例に限定される
ものではない。
明はその要旨をこえない限り以下の実施例に限定される
ものではない。
表１１こ実施例１〜５と比較例１〜３の組成、処理法、
特性について示しだ。以下に処理法について詳しく説明
する。
特性について示しだ。以下に処理法について詳しく説明
する。
く処理法人〉
サンプルを１即調製した際の配合方法Ｉこついて説明す
る。実施例１，５の樹脂成分、すなわち、クレゾールノ
ボラックエポキシ樹脂、難燃エポキシ樹脂、フェノール
ノボラックエポキシ樹脂をそれぞれ１６ノ、２．２ノ、
８．８ノ秤量し、（配合組成の１／１０ ）２１のアセ
トンに溶解させた濃度１．３５ ％。該溶液をビーカー
中で攪拌しておき、その中へ溶融石英粉６９７ノと三酸
化アンチモンを２ＯＮ加え、２時間攪拌含浸した。その
のち、溶液を口過し、バット上で表面処理フィラーを自
然乾燥した。乾燥後、表面処理充填剤と残余の成分をヘ
ンシェルミキサーで十分混合し、次に二軸加熱ロールで
溶融混線後、冷却、粉砕しサンプルとした。
る。実施例１，５の樹脂成分、すなわち、クレゾールノ
ボラックエポキシ樹脂、難燃エポキシ樹脂、フェノール
ノボラックエポキシ樹脂をそれぞれ１６ノ、２．２ノ、
８．８ノ秤量し、（配合組成の１／１０ ）２１のアセ
トンに溶解させた濃度１．３５ ％。該溶液をビーカー
中で攪拌しておき、その中へ溶融石英粉６９７ノと三酸
化アンチモンを２ＯＮ加え、２時間攪拌含浸した。その
のち、溶液を口過し、バット上で表面処理フィラーを自
然乾燥した。乾燥後、表面処理充填剤と残余の成分をヘ
ンシェルミキサーで十分混合し、次に二軸加熱ロールで
溶融混線後、冷却、粉砕しサンプルとした。
く処理法Ｂ〉
１即の配合組成１こついて説明する。実施例２の樹脂成
分の１１５０．すなわち５Ａｆを秤量し、１００ｃｃの
アセトンに溶解させた（濃度５．４％ ）。該溶液をヘ
ンシェルミキサー中で無機質成分（充填剤十三酸化アン
チモン）に噴霧し、取り出し後、４５℃の乾燥室で乾燥
後、ボールミルで粉体化し、表面処理充填剤を得た。表
面処理充填剤と残余の成分をヘンシェルミキサーで十分
混合し、次１こ二軸加熱ロールで溶融混線後、冷却、粉
砕しサンプルとした。
分の１１５０．すなわち５Ａｆを秤量し、１００ｃｃの
アセトンに溶解させた（濃度５．４％ ）。該溶液をヘ
ンシェルミキサー中で無機質成分（充填剤十三酸化アン
チモン）に噴霧し、取り出し後、４５℃の乾燥室で乾燥
後、ボールミルで粉体化し、表面処理充填剤を得た。表
面処理充填剤と残余の成分をヘンシェルミキサーで十分
混合し、次１こ二軸加熱ロールで溶融混線後、冷却、粉
砕しサンプルとした。
く処理法Ｃ〉
１〜の配合組成について説明する。実施例３の樹脂成分
のうち難燃エポキシ樹脂を除いて、クレゾールノボラッ
ク樹脂１．６Ｉｉとフェノールノボラックエポキシ樹脂
０．Ｂ Ｐを秤量しく配合組成の８．呵０００）１１の
アセトンに溶解させた（濃度０．８９％）。該溶液をビ
ーカー中で攪拌しておき、その中へ無機質成分を加え２
時間攪拌含浸した。そののち溶液を口過し、バット上で
表面処理フィラーを自然乾燥した。以下の工程は、処理
法人と同様である。
のうち難燃エポキシ樹脂を除いて、クレゾールノボラッ
ク樹脂１．６Ｉｉとフェノールノボラックエポキシ樹脂
０．Ｂ Ｐを秤量しく配合組成の８．呵０００）１１の
アセトンに溶解させた（濃度０．８９％）。該溶液をビ
ーカー中で攪拌しておき、その中へ無機質成分を加え２
時間攪拌含浸した。そののち溶液を口過し、バット上で
表面処理フィラーを自然乾燥した。以下の工程は、処理
法人と同様である。
（処理法Ｄ〉
１〜の配合組成について説明する。実施例４の樹脂成分
の１７５０すなわち５Ａｆを秤量し、１００ｃｃのアセ
トンに溶解させた（濃度５．４％）。無機質成分を入れ
たボールミル中に該溶液を加゛え、２時伺混合ののち、
取り出し、自然乾燥させて表面処理フィラーを得た。以
下の工程は処理法人と同様である。
の１７５０すなわち５Ａｆを秤量し、１００ｃｃのアセ
トンに溶解させた（濃度５．４％）。無機質成分を入れ
たボールミル中に該溶液を加゛え、２時伺混合ののち、
取り出し、自然乾燥させて表面処理フィラーを得た。以
下の工程は処理法人と同様である。
く処理法Ｅ〉
１〜の配合組成について説明する。比較例３の樹脂成分
の０１３／１ ｏ ｏ ｏすなわち、０２１６ノを秤量
し、２．５１のアセトン中に溶解させた（濃度０．００
８６％）。
の０１３／１ ｏ ｏ ｏすなわち、０２１６ノを秤量
し、２．５１のアセトン中に溶解させた（濃度０．００
８６％）。
該溶液をビーカー中で攪拌しておき、その中へ無機質成
分を加え、２時間攪拌含浸させた。そののち溶液を口過
し、バット上で表面処理フィラーを自然乾燥した。以下
の工程は処理法人と同様である。
分を加え、２時間攪拌含浸させた。そののち溶液を口過
し、バット上で表面処理フィラーを自然乾燥した。以下
の工程は処理法人と同様である。
く無処理〉
配合組成すべてをヘンシェルミキサーに投入混合し、次
に二軸加熱ロールで溶融混練後、冷却、粉砕し、サンプ
ルとした。
に二軸加熱ロールで溶融混練後、冷却、粉砕し、サンプ
ルとした。
なお表面処理する際樹脂成分の１１５０ 以上を秤量し
、２０チ濃度以上のアセトン溶液で処理したフィラーは
、乾燥、粉砕工程に困難が併った。
、２０チ濃度以上のアセトン溶液で処理したフィラーは
、乾燥、粉砕工程に困難が併った。
このようにして得られた樹脂粉末をタブレット化し、低
圧トランスファー成形機により圧力フ０嵯−９温度１７
５℃、２．５分間の条件でＤＩＰタイプのテスト素子を
封止成形し、さらに１７５υで４時間アフターキュアー
してテスト用樹脂モールドデバイスを得た。
圧トランスファー成形機により圧力フ０嵯−９温度１７
５℃、２．５分間の条件でＤＩＰタイプのテスト素子を
封止成形し、さらに１７５υで４時間アフターキュアー
してテスト用樹脂モールドデバイスを得た。
得られたテストデバイスの冷熱サイクルテストとバイア
ス印加と無印加でのプレッシャクツカーテストによる耐
湿性評価を行なった。一方ＪＩ８−に−６９１１に準じ
て、高温時と吸湿時の各サンプルの体積抵抗率を測定し
た。結果を表１に示す。
ス印加と無印加でのプレッシャクツカーテストによる耐
湿性評価を行なった。一方ＪＩ８−に−６９１１に準じ
て、高温時と吸湿時の各サンプルの体積抵抗率を測定し
た。結果を表１に示す。
以上の結果から明らかなように、本発明の製造方法によ
るエポキシ樹脂成形材料は、従来の製造方法によるエポ
キシ樹脂成形材料と比べ、耐熱衝撃性、耐湿性、電気特
性が大巾に改善されたものであることが確認された。
以千唖白 （ω 溶融石英粉・・・ＧＲ−８０（東芝セラミックス商品名
）三酸化アンチモン・・・同左（三国精練製）クレゾー
ルノボラックエポキシ樹脂・・・ＥＯＣＮ−１０２８（
日本化薬商品名） 難燃エポキシ樹脂 、・・Ｂ朋Ｎ８ （日本化莱商品名） フェノールノボラック樹脂・・・ＯＴＭ−００８（昭和
ユニオン合成商品名） 硬化促進剤・・・トリフェニルフォスフイン（イノ・ラ
ケミカル製）離型 剤・・・ヘキストＥ（ヘキストジャ
パン商品名）カップリング剤・・・入−１８６（日本ユ
ニカー商品名）顔 料・・・カーボンブラック＃３０（
三菱油化商品名）アセトン・・・電子工業用アセトン
るエポキシ樹脂成形材料は、従来の製造方法によるエポ
キシ樹脂成形材料と比べ、耐熱衝撃性、耐湿性、電気特
性が大巾に改善されたものであることが確認された。
以千唖白 （ω 溶融石英粉・・・ＧＲ−８０（東芝セラミックス商品名
）三酸化アンチモン・・・同左（三国精練製）クレゾー
ルノボラックエポキシ樹脂・・・ＥＯＣＮ−１０２８（
日本化薬商品名） 難燃エポキシ樹脂 、・・Ｂ朋Ｎ８ （日本化莱商品名） フェノールノボラック樹脂・・・ＯＴＭ−００８（昭和
ユニオン合成商品名） 硬化促進剤・・・トリフェニルフォスフイン（イノ・ラ
ケミカル製）離型 剤・・・ヘキストＥ（ヘキストジャ
パン商品名）カップリング剤・・・入−１８６（日本ユ
ニカー商品名）顔 料・・・カーボンブラック＃３０（
三菱油化商品名）アセトン・・・電子工業用アセトン
Claims (1)
- エポキシ樹脂と充填剤を溶融混練して半導体用成形材料
を製造する際、該エポキシ樹脂から硬化促進剤を除いた
成分を低沸点溶剤に溶解した溶液で表面処理したのち、
該溶剤を揮散させた充填剤を使用して溶融混練すること
を特徴とする半導体用エポキシ樹脂成形材料の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59057305A JPS60201650A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 半導体用エポキシ樹脂成形材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59057305A JPS60201650A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 半導体用エポキシ樹脂成形材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60201650A true JPS60201650A (ja) | 1985-10-12 |
Family
ID=13051841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59057305A Pending JPS60201650A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 半導体用エポキシ樹脂成形材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60201650A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1042343C (zh) * | 1992-07-10 | 1999-03-03 | 苏马吕株式会社 | 环氧树脂粉末涂料组合物 |
-
1984
- 1984-03-27 JP JP59057305A patent/JPS60201650A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1042343C (zh) * | 1992-07-10 | 1999-03-03 | 苏马吕株式会社 | 环氧树脂粉末涂料组合物 |
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