JPS60201622A - 半導体ウエ−ハの保護膜の自動打抜き装置 - Google Patents

半導体ウエ−ハの保護膜の自動打抜き装置

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JPS60201622A
JPS60201622A JP59057954A JP5795484A JPS60201622A JP S60201622 A JPS60201622 A JP S60201622A JP 59057954 A JP59057954 A JP 59057954A JP 5795484 A JP5795484 A JP 5795484A JP S60201622 A JPS60201622 A JP S60201622A
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JP
Japan
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semiconductor wafer
cylinder
piston rod
protective film
wafer
Prior art date
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JP59057954A
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JPH0121622B2 (ja
Inventor
Ryoji Wakabayashi
若林 良治
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JIYOUSAI SEIKI KK
Original Assignee
JIYOUSAI SEIKI KK
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体ウェーへの保護膜の自動打抜き装置に係
るものである。
半導体ウェーハ(0,2〜0.25m厚)はそのままで
は脆いので取扱いの際に損壊しないよう半導体ウェーハ
の底面に台紙、頂面にビニール等の保護膜を付着させる
。通常半導体ウェーハよりも大きな保護膜を半導体ウェ
ーハの頂面に置いて半導体ウェーハの周縁に沿って保護
膜を切り抜いて半導体ウェーハに保1tlJを付着させ
ている。従来この半導体ウェーへの周縁に沿っての保護
膜の切り抜きはナイフを使用して手作業により行なわれ
ていた。手作業によったのは半導体ウェーへの保護膜を
切出し位置に精確に設定することの困難さと、切出し工
具による半導体ウェーハへの衝撃が半導体ウェーハの破
壊を招くからである。
本発明の目的は、このような半導体ウェーハの保護膜を
自動的に打ち抜き効率よく半導体ウェーハに保護膜を被
せる装置を提供することにある。
以下に添付図を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の半導体ウェーへの保護膜の自動打抜き
装置の略図であり、半導体ウェーへの位置検出状態を示
す。
半導体ウェーハ19をXテーブル1の上にのせ、半導体
ウェーハ19の位置を位置検出器5のセンf−18で検
出する。センサー18からの信号に応じて制御装置13
はX方向テーブル1、Y方向テーブル2そして回転テー
ブル3のそれぞれの駆動パルスモータ14.15.16
に駆動ハルス信号を送って半導体ウェーハ19を直交方
向と回転方向に漸動させてウェーハ19の心出しと配向
とを精確に定める。位置の検出には光センサ−18を使
用して半導体ウェーへの周縁を検知する。しかしこの周
縁はビニール膜が被さっているため周縁の角はなだらか
な傾斜となっておりその位置検出は困難である。このた
めこの実施例では発光ダイオード等の発光素子を使用し
て半導体ウェーハの周縁を照明してその反射光を光セン
サ−18にて検出することにより精確な位置検出を行な
っている。
半導体ウェーハ19が所定位置に設定されると制御装置
13はシリンダ17への作動流体の供給を開始させ、ピ
ストンロッド4を一定距mAだけ後退させる。ピストン
ロッド4が一定距離Aだけ後退すると、この一定距離A
だけ検出器5から離してピストンロッド4に固定しであ
る打抜き装置6が半導体ウェーハ19の上に位置する。
第2図は保護膜の打抜き状態にある自動打抜き装置を示
す。打ち抜き装置6が半導体ウェーハ19の直上にくる
と、制御装置13は第1の空気作動系(図示せず)を作
動させて打ち抜き装置6の筒体7の空気流路8を介して
圧縮空気を筒体7の拡大端9と包囲体lOの下端との間
の空間に送ってこの空間を押し拡げて包囲体10を押し
下げ、打抜き工具12を半導体ウェーハ19の周囲に押
付けて半導体ウェーハ19のビニール薄膜を打抜く。包
囲体lOの下端のガイドピン20を通す孔をガイドピン
20の直径よりも幾らか大きくしておくとその孔から空
気が下方へ漏出して半導体ウェーハ19をXテーブル1
の上に固定する。ガイドピン20の孔を大きくする代り
に細孔(図示せず)を包囲体10の下端にあけて半導体
ウェーハ19を固定するための空気を流出させるように
してもよい(半導体ウェーハ19の下に負圧をかけて吸
引するようにすると台紙の上にのっている半導体ウェー
ハ19は不均一な力を受けて破壊することが多い。)。
次に、制御装置13は第2の空気作動系(図示せず)を
作動して筒体7の拡大端9と包囲端10の上端との間に
圧縮空気を送り、包囲体10の」1端を押上げることに
より打抜き工具12を半導体ウェーハ19から引離す°
。この場合も包囲体の下端のガイドピン20とこのガイ
ドピン20の通る孔との間の僅かな隙間から流れる空気
が半導体ウェーハを打抜工具から吹き落す。
半導体ウェーハは位置合せの指標とするため円形の一部
を切欠いた切欠き円となっており、打抜き工具12はこ
の切欠き円と同形状で−周り大きい打抜き刃である。
半導体ウェーハ19が特に薄い場合には打抜き刃による
切断時にビニールにかかる張力のためウェーハが破壊す
ることがある。打抜き刃を両側からテーパをつけた両刃
とするか、又は一方にテーパをつけた片刃の場合にはテ
ーパをつけた側をウェーハに向けて使用することにより
ウェーハの破壊を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例の側面略図であり、位置合せ状
態を示す。 第2図は第1図と同様の図であるが、打抜き状態を示す
。 図 中: 1:Xテーブル 2;Yテーブル 3:回転チーフル 4:ピストンロンド 5:検出器 6:打抜き装置 7:筒体 8:空気流路 9:拡大端 lO:包囲体 11:チャック 12:打抜き工具 13:制御装置 14;15;16:′HA動パルスモータ18:光セン
サー 19:半導体ウェーハ 20:ガイドピン

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (11直交方向に移動することができ、そして回転する
    ことができるX−Yテーブル; このX−Yテーブル上で一定距離を往復動することがで
    きるピストンロッド; このピストンロッドに固定した半導体ウェーハの位置検
    出器; この位置検出器から前記の一定距離だけ離して前記のピ
    ストンロッドに固定した打抜き装置;及び 制御装置 を備え、前記の打抜き装置は前記のピストンロッドに固
    定され、空気流路と拡大端とを有する筒体と、この筒体
    の拡大端に気密に接触して筒体を包囲し、滑動するよう
    筒体に固定されている包囲体と、この包囲体の下端に打
    抜き工具を取外せるように固定する手段と、前記の空気
    流路を通して筒体の拡大端と包囲端の下端との間に空気
    を送り包囲体を押下げる第1の空気作動系と、筒体の拡
    大端と包囲体の上端との間に空気を送り包囲体を押上げ
    る第2の空気作動系とを含み、前記の制御装置は前記の
    位置検出器からの半導体のウェーハの位置検出信号に応
    じて前記のピストンロッドを移動させ、前記の第1の空
    気作動系を作動させてウェーハの保護膜を打抜き、前記
    の第2の空気作動系を作動させて包囲体を押上げ、そし
    て前記のピストンロッドを反対方向に移動させて前記の
    位置検出器を前記のX−Yテーブル上に配置することを
    特徴とする半導体ウェーへの保護膜の自動打抜き装置。 (2) 前記の位置検出器は半導体ウェーハの位置検出
    のための光センサーと発光素子とを含んでいる特許請求
    の範囲第1項に記載の半導体ウェーハの保護膜の自動1
    抜き装置。 (3) 前記の包囲体の下端は空気漏出孔を有している
    特許請求の範囲第1項に記載の半導体ウェーハの保護膜
    の自動打抜き装置。
JP59057954A 1984-03-26 1984-03-26 半導体ウエ−ハの保護膜の自動打抜き装置 Granted JPS60201622A (ja)

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JP59057954A JPS60201622A (ja) 1984-03-26 1984-03-26 半導体ウエ−ハの保護膜の自動打抜き装置

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Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60201622A true JPS60201622A (ja) 1985-10-12
JPH0121622B2 JPH0121622B2 (ja) 1989-04-21

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JP59057954A Granted JPS60201622A (ja) 1984-03-26 1984-03-26 半導体ウエ−ハの保護膜の自動打抜き装置

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JPH02134038U (ja) * 1989-04-12 1990-11-07

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JPH0121622B2 (ja) 1989-04-21

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